KR100332878B1 - Duplexer dielectric filter - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유전체 듀플렉서를 구성하는 유전체 블록에 있어서, 유전체 블록에 형성되는 공진홀과 공진홀의 개방부가 만나는 개방면에 소정의 도전성 영역을 형성한후 개방면에 절연층을 개재하여 도전성 영역을 형성함으로써 패턴 설계의 자유도를 향상시킬수 있도록 한 듀플렉서 유전체 필터에 관한 것으로서 그 기술적인 구성은, 공진홀과 연결되어 도전성 물질의 패턴이 형성되는 개방면에 절연층을 형성한후 그 상측에 개방면의 패턴과 겹치도록 하는 패턴을 적층 형성하고, 상기 절연층의 일측에 접지전극과 연결토록 홀을 형성한후 도전성 물질을 도포하여 접지전극과 열결토록 하는 구성으로 이루어 지는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, in the dielectric block constituting the dielectric duplexer, a predetermined conductive region is formed on an open surface where a resonance hole formed in the dielectric block and an opening of the resonance hole meet, and then a conductive region is formed through an insulating layer on the open surface. The present invention relates to a duplexer dielectric filter capable of improving the degree of freedom in designing a pattern. The technical configuration of the present invention relates to a duplexer dielectric filter. Forming a pattern to overlap, forming a hole to connect the ground electrode to one side of the insulating layer and then applying a conductive material, characterized in that consisting of a configuration to thermally connect with the ground electrode.
Description
본 발명은 일체형인 유전체 듀플서에 관한 것으로써, 더욱 상세하게로는 유전체블록의 공진홀과 도전성 물질 패턴이 연결되며, 상기 개방면의 상측과 도전성 물질 패턴의 상측에 저유전율을 갖는 절연층을 적층 형성하고, 상기 개구부에 각각 형성되는 도전성 물질패턴에 접하도록 도전성 물질의 패턴을 절연층에 적층 형성하여 커플링 패턴의 용량값을 임의로 조정토록 하는 듀플렉서 유전체 필터에 관한 것이다.The present invention relates to an integrated dielectric duplexer, and more particularly, a resonance layer of a dielectric block is connected to a conductive material pattern, and an insulating layer having a low dielectric constant on an upper side of the open surface and an upper side of the conductive material pattern is provided. The present invention relates to a duplexer dielectric filter which is formed by laminating and laminating and forming a pattern of a conductive material on an insulating layer so as to contact a conductive material pattern formed in each of the openings, thereby arbitrarily adjusting a capacitance value of a coupling pattern.
현재 초고주파 대역의 전파를 이용한 이동통신 장치는 유선을 이용한 통신을 대체하고 있는 것이 일반적인 추세이다, 따라서 이러한 초고주파 대역의 전파를 이용한 이동통신 단말기의 수요 또한 증가추세에 있으며, 상기 단말기의 성능향상과 소형 경량화를 위한 연구도 더욱 활발하게 진행되고 있다.Currently, the mobile communication device using the radio wave of the ultra-high frequency band is a general trend to replace the communication using the wire, therefore, the demand of the mobile communication terminal using the radio wave of the ultra-high frequency band is also increasing, the performance improvement of the terminal and small Research for weight reduction is also being actively conducted.
일반적으로, 필터는 하나의 안테나를 통해 수신과 송신을 동시에 수행하는 기능을 갖도록 되고, 이러한 듀플렉서 필터는 수신단 필터와 송신단 필터로 이루어 지고, 수신단 필터는 수신 주파수에 대하여 통과 특성을 가지나 송신 주파수에 대해서는 저지 특성을 갖도록 형성되며, 반대로 송신단 필터는 송신 주파수에 대해서는 통과 특성을 갖도록 되나 수신 주파수에 대해서는 저지 특성을 갖도록 구성된다.In general, a filter has a function of simultaneously receiving and transmitting through a single antenna, and such a duplexer filter includes a receiving filter and a transmitting filter, and the receiving filter has a passing characteristic with respect to a receiving frequency but with respect to a transmitting frequency. On the contrary, the transmitter filter is configured to have a pass characteristic with respect to a transmission frequency but with a stop characteristic with respect to a reception frequency.
이러한 특성을 만족하기 위해서는 소형화가 전제되어야 하는데 이러한 요구를 가장 잘 만족시킬수 있는 것이 일체로 듀플렉서 유전체 필터이다.In order to satisfy these characteristics, miniaturization is premised. The most satisfying requirement is the duplexer dielectric filter.
이러한 종래의 일체형 듀플렉서 유전체 필터는, 대략 직육면체의 유전체 블록과, 유전체 블록의 전면과 후면을 관통하여 형성되며 내부면에 전극이 형성되는다수개의 공진홀이 구비되고, 유전체 블록의 전면(이하 개방면이라 한다)을 제외한 모든 외부면에 형성된 접지전극이 형성되며 그 접지전극의 일부분을 다른 부분과 단락시켜 신호의 입출력을 위한 입출력 전극이 형성된다.The conventional integrated duplexer dielectric filter includes a substantially rectangular parallelepiped dielectric block and a plurality of resonance holes formed through the front and rear surfaces of the dielectric block and having electrodes formed therein, and the front surface of the dielectric block (hereinafter referred to as an open surface). A ground electrode formed on all outer surfaces of the outer surface is formed, and a portion of the ground electrode is shorted to another portion to form an input / output electrode for input / output of a signal.
또한, 상기 유전체 블록의 전극이 형성되지 않은 개방면에는 소정 패턴의 전극 패턴이 형성되어 공진홀의 공진주파수와 커플링을 조절하도록 구성된다.In addition, an electrode pattern of a predetermined pattern is formed on an open surface on which the electrode of the dielectric block is not formed to adjust the resonance frequency and the coupling of the resonance hole.
이와 같은 기술과 관련된 종래의 일체형 듀플렉서 유전체 필터는 도1에 도시한 바와같이, 대략 정육면체 형상의 유전체 블록(1)으로 이루어지며, 송신필터영역(10)과 수신필터영역(20)으로 구분된 2개의 영역을 보유한다. 그리고, 상기 유전체블록(1)은, 서로 대향하는 상면(3)과 하면(미도시) 및 상기 상,하면사이의 측면(5)으로 구성되고, 상기 하면과 측면(5)에는 도전성 물질이 일체로 도포되어 있다.Conventional integrated duplexer dielectric filter associated with this technique is composed of a substantially cube-shaped dielectric block 1, as shown in Figure 1, divided into a transmission filter region 10 and a receiving filter region 20 Reserves two areas. The dielectric block 1 includes an upper surface 3 and a lower surface (not shown) facing each other and side surfaces 5 between the upper and lower surfaces, and conductive materials are integrally formed on the lower surface and the side surfaces 5. Is applied.
또한, 상기 유전체블록(1)의 내부에는 상기 상,하면을 관통하는 복수의 공진홀(7)이 일정 간격으로 설치되고, 상기 공진홀(7)의 내부표면 역시 도전성 물질이 도포되어 공진기를 형성한다.In addition, a plurality of resonant holes 7 penetrating the upper and lower surfaces are provided at predetermined intervals in the dielectric block 1, and an inner surface of the resonant hole 7 is also coated with a conductive material to form a resonator. do.
유전체블록(1) 상면(3)의 공진홀(7) 주위에는 일정면적의 도체패턴(9)이 형성되어 있고, 이러한 도체패턴(9)은 공진홀(7) 내부의 도전물질과 전기적으로 접속되어 공진홀(7)과 측면(7)의 도전물질 사이에 부하캐패시턴스(loading capacitance)를 형성하며, 인접하는 공진기 사이에는 결합캐패시턴스(coupling capacitance)를 형성한다.A conductive pattern 9 having a predetermined area is formed around the resonance hole 7 of the upper surface 3 of the dielectric block 1, and the conductive pattern 9 is electrically connected to a conductive material in the resonance hole 7. Thus, a loading capacitance is formed between the resonance hole 7 and the conductive material of the side surface 7, and coupling capacitance is formed between adjacent resonators.
상기 공진홀(7)과 공진홀(7)에 연결되는 도전물질에 의한 부하캐패시턴스에의해 공진기의 공진주파수가 결정되며, 상기 결합캐패시턴스는 두 공진기를 결합한다. 또한, 상기 상면(3)과 측면(5)의 송신영역(10)과 수신영역(20)에는 각각 도체패턴(9)으로 이루어진 송수신전극(12a) (12b)이 설치되어 신호를 송수신하며, 수신영역(20)과 송신영역(10)의 사이에는 도체패턴으로 구성되는 안테나전극(12c)이 형성되는 구성으로 이루어 진다.The resonance frequency of the resonator is determined by the load capacitance by the conductive material connected to the resonance hole 7 and the resonance hole 7, and the coupling capacitance combines the two resonators. In addition, transmission and reception electrodes 12a and 12b formed of conductor patterns 9 are respectively provided in the transmission region 10 and the reception region 20 on the upper surface 3 and the side surface 5 to transmit and receive signals. An antenna electrode 12c formed of a conductor pattern is formed between the region 20 and the transmission region 10.
상기와 같은 일체형 듀플렉서 유전체 필터는, 공진주파수의 결정이나 공진기 사이의 결합은, 유전체 블록(1)의 공진홀(7)이 개방되면서 이에 전기적으로 연결토록 상면(3)에 형성되는 도체패턴(9)의 크기에 따라 달라진다. 즉 도체패턴(9)과 측면(5)의 도전물질 사이의 간격및 도체패턴(9) 사이의 간격의 정도에 따라 듀플렉서 유전체 필터의 특성이 달라지게 된다.In the integrated duplexer dielectric filter as described above, the determination of the resonant frequency and the coupling between the resonators include a conductive pattern 9 formed on the upper surface 3 so as to be electrically connected to the resonant hole 7 of the dielectric block 1 when the resonant hole 7 is opened. ) Depends on the size. That is, the characteristics of the duplexer dielectric filter vary depending on the gap between the conductive material of the conductor pattern 9 and the side surface 5 and the gap between the conductor pattern 9.
상기한 바와같이, 듀플렉서 유전체 필터의 공진주파수를 결정하기 위해서는 상면(3)에 형성되는 도체패턴(9)과 도전물질 사이의 거리를 조정해야만 공진주파수의 조절이 가능토록 된다. 그런데, 통상적으로 듀플렉서 유전체 필터에서는 송신영역에서의 공진 주파수가 수신영역의 공진주파수 보다 낮기 때문에 송신영역의 부하캐패시턴스가 송신영역의 부하캐패시턴스 보다 커야만 한다. 송신영역에서 큰 부하캐패시턴스를 형성하기 위해서는 송신영역의 도체패턴(9)이 크고 복잡한 형태로 배열되어야만 한다.As described above, in order to determine the resonance frequency of the duplexer dielectric filter, the resonance frequency can be adjusted only by adjusting the distance between the conductive pattern 9 formed on the upper surface 3 and the conductive material. However, in the duplexer dielectric filter, since the resonance frequency in the transmission region is lower than the resonance frequency in the reception region, the load capacitance of the transmission region should be larger than the load capacitance of the transmission region. In order to form a large load capacitance in the transmission area, the conductor pattern 9 of the transmission area must be arranged in a large and complicated form.
또한, 송신단(10)과 수신단(20)에서의 전송선로의 길이는 모두 동일하기 때문에 듀플렉서의 필터링 특성을 구현하기 위해서는 부하캐패시턴스와 결합캐패시턴스를 적절하게 조절해야만하고, 이러한 캐패세턴스는 도체패턴(9)의 모양과 크기에따라 결정되는데 듀플렉서 유전체필터의 소형 경량화를 위해 유전체 블럭의 크기를 줄이는 경우 다음과 같은 문제가 발생한다.In addition, since the lengths of the transmission lines at the transmitting end 10 and the receiving end 20 are the same, in order to implement the filtering characteristic of the duplexer, the load capacitance and the coupling capacitance must be appropriately adjusted. It is determined according to the shape and size of 9). When the size of the dielectric block is reduced to reduce the size of the duplexer dielectric filter, the following problems occur.
도체패턴(9)을 형성하는데 있어서, 가장 일반적으로 사용되는 방법인 스크린 인쇄에서는 선폭과 선간격이 대략 150㎛로서 이러한 인쇄공정의 한계는 인쇄면적이 줄어들수록 제작 가능한 부하캐패시턴스의 최대값이 적어진다는 것을 의미하고, 또한 송신단의 경우 부하캐패시턴스를 설정된 값으로 조정하기 위해서는 소형화가 진행될수록 전송선로의 길이를 적게하여야 한다.In the screen printing, which is the most commonly used method for forming the conductor pattern 9, the line width and line spacing are approximately 150 µm, and the limitation of this printing process is that the smaller the printed area, the smaller the maximum value of the load capacitance can be produced. In addition, in the case of the transmitting end, in order to adjust the load capacitance to the set value, the length of the transmission line should be shortened as the miniaturization proceeds.
반면, 수신단의 경우에도 상기 송신단과 동일한 전송로의 길이를 갖기 때문에 전송선로의 길이가 길어질수록 전송선로의 공진주파수가 낮아지기 때문에 수신단의 도체패턴 크기가 감소하게 되고, 이때 수신단의 도체패턴은 결합캐패시턴스의 요규량으로 인해 송신단의 도체패턴 보다 작기때문에 그 감소의 정도에는 한계가 있어 원하는 크기의 결합캐패시턴스를 용이하게 형성할수 없게 되는 문제점이 있었다.On the other hand, even in the case of the receiving end, since the length of the transmission line is the same as the transmitting end, the longer the length of the transmission line, the lower the resonant frequency of the transmission line, so that the size of the conductor pattern of the receiving end is reduced. Due to the required amount of, it is smaller than the conductor pattern of the transmitting end, there is a limit to the degree of reduction, there is a problem that can not easily form the coupling capacitance of the desired size.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로써 그 목적은, 주파수 조절패턴의 용량값을 임의로 조절할수 있으며, 주파수 조절패턴의 상측에 절연층을 개재하여 형성되는 인쇄패턴의 구조를 단순화시켜 인쇄시 편차를 최소화 할수 있고, 튜닝패턴을 주파수조절패턴의 상측에 적층되는 절연층의 상측에 형성하여 절연층의 하부에 위치하는 공진 주파수 패턴과의 영향을 최소화하는 듀플렉서 유전체필터를 제공하고자 하는 것이다.The present invention is to solve the above-described problems, the object of which is to adjust the capacitance value of the frequency adjustment pattern arbitrarily, simplifying the structure of the printing pattern formed through the insulating layer on the upper side of the frequency adjustment pattern It is to provide a duplexer dielectric filter which can minimize the variation in printing and minimize the influence of the resonance frequency pattern located below the insulating layer by forming the tuning pattern on the upper side of the insulating layer laminated on the upper side of the frequency adjusting pattern. .
도1은 종래의 듀플렉서 유전체 필터의 구조를 도시한 도면1 is a view showing the structure of a conventional duplexer dielectric filter
도2는 본 발명에 따른 듀플렉서 유전체 필터를 도시한 개략도2 is a schematic diagram illustrating a duplexer dielectric filter according to the present invention;
도3은 본 발명에 따른 듀플렉서 유전체 필터의 제조상태를 도시한 도면3 is a view showing a manufacturing state of the duplexer dielectric filter according to the present invention;
도4는 본 발명에 따른 필터의 튜닝패턴을 도시한 개략도4 is a schematic diagram showing a tuning pattern of a filter according to the present invention;
도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 듀플레서 유전체 필터를 도시한 도면5 illustrates a duplexer dielectric filter in accordance with another embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
90...주파수 조절패턴 120...개방면90 ... frequency adjustment pattern 120 ... open
130...전극패턴 150...절연층130 Electrode pattern 150 Insulation layer
170...튜닝패턴 200...홀170 Tuning Pattern 200 Hole
210...자기결합 패턴 220...스트립바210 ... Magnetic bonding pattern 220 ... Strip bar
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술적인 구성은, 도전물질이 도포되는 공진홀을 갖는 하나 이상의 공진기가 설치되어 그 개구부가 위치한 개방면에 각각의 공진기와 연결토록 소정영역에 도전성 패턴이 각각 형성되는 공진 주파수 패턴과,In order to achieve the above object, the technical configuration of the present invention includes one or more resonators having resonant holes to which conductive materials are applied, and conductive patterns are formed in predetermined regions so as to be connected to each resonator on an open surface where the openings are located. The resonance frequency pattern,
상기 유전체 듀플렉서의 개방면에 절연층을 적층 도포한후 그 상측에 각각의 도전성 패턴과 적어도 일부분이 접하도록 도전성 패턴을 형성되는 튜닝패턴,A tuning pattern in which an insulating layer is laminated and coated on an open surface of the dielectric duplexer, and a conductive pattern is formed to contact at least a portion of each conductive pattern on an upper side thereof;
상기 튜닝패턴이 형성되는 절연층의 일측에 접지전극과 연결되는 홀을 형성한후 그 내측에 도전성 물질을 도포하여 접지전극과 전기적으로 연결토록 하는 자기결합 패턴을 포함하는 구성으로 이루어지는 듀플렉서 유전체 필터를 마련함에 의한다.Forming a hole connected to the ground electrode on one side of the insulating layer on which the tuning pattern is formed, and then applying a conductive material to the inside thereof to form a duplexer dielectric filter including a magnetic coupling pattern electrically connected to the ground electrode; By provision.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2는 본 발명에 따른 듀플레서 유전체 필터를 도시한 개략도이고, 도3은 본 발명에 따른 듀플렉서 유전체 필터의 제조상태를 도시한 도면이며, 도4는 본 발명에 따른 튜닝패턴을 도시한 개략도이고, 도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 듀플레서 유전체 필터를 도시한 도면으로서 본 발명의 유전체 필터는, 직육면체의 유전체 블록(100)의 전면과 후면을 관통하여 그 내부면에 전극이 형성된 다수개의 공진홀(110)이 구비되고, 유전체 블록(100)의 개방면(120)을 제외한 모든 외부면에는 접지전극(190)이 형성되며, 상기 접지전극(190)의 일부분을 다른 부분과 단락시켜 신호의 입출력을 위한 입출력 전극(미도시)이 형성된다.Figure 2 is a schematic diagram showing a duplexer dielectric filter according to the present invention, Figure 3 is a view showing the manufacturing state of the duplexer dielectric filter according to the present invention, Figure 4 is a schematic diagram showing a tuning pattern according to the present invention. 5 is a diagram illustrating a duplexer dielectric filter according to another exemplary embodiment of the present invention, in which the dielectric filter of the present invention passes through the front and rear surfaces of the rectangular parallelepiped dielectric block 100 and has electrodes formed therein. Two resonance holes 110 are provided, and all the external surfaces except the open surface 120 of the dielectric block 100 are formed with a ground electrode 190, and a portion of the ground electrode 190 is short-circuited with another portion. Input and output electrodes (not shown) for inputting and outputting signals are formed.
또한, 상기 유전체 블록(100)의 전극이 형성되지 않은 개방면(120)에는 공진홀(110)과 전기적으로 연결토록 되는 소정영역의 전극패턴(130)이 형성되어 공진홀(110)의 공진주파수와 각 공진홀(110)간의 커플링을 조절하도록 고진 주파수 패턴(90)이 형성된다.In addition, an electrode pattern 130 of a predetermined region that is electrically connected to the resonance hole 110 is formed on the open surface 120 where the electrode of the dielectric block 100 is not formed, so that the resonance frequency of the resonance hole 110 is formed. And a high frequency pattern 90 are formed to adjust the coupling between the resonance holes 110 and each resonance hole 110.
계속하여, 상기 공진홀(110)과 전기적으로 연결토록 공진홀(110)의 둘레에 소정영역으로 전극패턴(130)이 각각 형성되는 개방면(120)의 상측으로 공진홀(110)을 제외한 부분에 저 유전율의 절연층(150)을 도포한후 그 상측에 각각의 도전성 전극패턴(130)과 적어도 일부분이 접하도록 도전성 전극패턴(160)을 형성하여 부하캐패시터를 조절토록 튜닝패턴(170)이 형성된다.Subsequently, a portion excluding the resonance hole 110 toward the upper side of the open surface 120 where the electrode pattern 130 is formed in a predetermined region around the resonance hole 110 so as to be electrically connected to the resonance hole 110. After applying the insulating layer 150 having a low dielectric constant to the conductive electrode pattern 160 is formed so that at least a portion of each of the conductive electrode pattern 130 on the upper side of the tuning pattern 170 to adjust the load capacitor Is formed.
또한, 튜닝패턴(170)을 형성하는 절연층(150)의 일측에 접지전극(190)과 연결되는 홀(200)을 형성하고, 상기 홀(200)의 내측에 도전성 물질을 도포하여 접지전극(190)과 일체로 연결토록 하여 자기결합 패턴(210)을 형성하는 구성으로 이루어 진다.In addition, a hole 200 connected to the ground electrode 190 is formed at one side of the insulating layer 150 forming the tuning pattern 170, and a conductive material is coated on the inside of the hole 200 to form a ground electrode ( 190 to be integrally connected to form a magnetic coupling pattern (210).
도면부호 220은, 절연층(150)의 상측에 감쇄폴의 주파수를 조절토록 형성되는 스트립바(STRIP BAR) 이다.Reference numeral 220 is a strip bar (STRIP BAR) formed to adjust the frequency of the damping pole on the upper side of the insulating layer 150.
이와같은 구성으로 이루어진 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention made of such a configuration as follows.
제2 내지 도5에 도시한 바와같이, 직육면체의 유전체 블록(100)의 전면과 후면을 관통하여 그 내부면에 전극이 형성된 다수개의 공진홀(110)이 구비되고, 상기 유전체 블록(100)의 개방면(120)을 제외한 모든 외부면에는 접지전극(190)이 형성되며, 상기 접지전극(190)의 일부분을 다른 부분과 단락시켜 신호의 입출력을 위한 입출력 전극이 형성된다.As shown in FIGS. 2 to 5, a plurality of resonant holes 110 penetrating the front and rear surfaces of the rectangular parallelepiped dielectric block 100 and having electrodes formed therein are provided. The ground electrode 190 is formed on all outer surfaces except the open surface 120, and a part of the ground electrode 190 is shorted to another part to form an input / output electrode for input / output of a signal.
또한, 상기 유전체 블록(100)의 전극이 형성되지 않은 개방면(120)에는 각각의 공진홀(110)과 전기적으로 연결토록 되는 소정영역의 전극패턴(130)이 형성되어 공진홀(110)의 공진주파수와 각 공진홀(110)간의 커플링을 조절토록 한다.In addition, an electrode pattern 130 of a predetermined region electrically connected to each of the resonance holes 110 is formed in the open surface 120 where the electrodes of the dielectric block 100 are not formed. The coupling between the resonance frequency and each resonance hole 110 is adjusted.
계속하여, 상기 공진홀(110)과 전기적으로 연결토록 공진홀(110)의 둘레에 소정영역으로 전극패턴(130)이 각각 형성되는 개방면(120)의 상측으로 공진홀(110)을 제외한 부분에 저 유전율의 절연층(150)을 적층 도포한후 그 상측에 각각의 도전성 전극패턴(130)과 적어도 일부분이 적층되는 상태로 접하도록 절연층(150)에 도전성 물질의 전극패턴(160)을 형성하여 그 면적을 임으로 조절함으로써 필터의 용량에 적합토록 부하캐패시터를 조절한다.Subsequently, a portion excluding the resonance hole 110 toward the upper side of the open surface 120 where the electrode pattern 130 is formed in a predetermined region around the resonance hole 110 so as to be electrically connected to the resonance hole 110. After applying the dielectric layer 150 having a low dielectric constant laminated thereon, the electrode pattern 160 of the conductive material is placed on the insulating layer 150 to be in contact with each conductive electrode pattern 130 at least partially stacked thereon. The load capacitor is adjusted to suit the capacity of the filter by randomly adjusting its area.
또한, 상기 튜닝패턴(170)을 형성토록 도전성 전극패턴(160)이 형성되는 절연층(150)의 일측에 접지전극(190)과 연결토록 개방되는 홀(200)을 형성한후 그 내측에 도전성 물질을 도포하여 접지전극(190)과 연결토록 함으로써 각 공진기 사이의 커플링을 조절할수 있도록 된다.In addition, a hole 200 is formed on one side of the insulating layer 150 on which the conductive electrode pattern 160 is formed so as to form the tuning pattern 170. By applying a material to be connected to the ground electrode 190 it is possible to adjust the coupling between each resonator.
더하여, 상기 절연층(150)의 일측에 스트립바(220)를 일체로 형성하여 감쇄폴의 주파수를 조절할수 있도록 되는 것이다.In addition, the strip bar 220 is integrally formed on one side of the insulating layer 150 to adjust the frequency of the damping pole.
본 발명에 따른 일체형 듀플렉서 유전체 필터는 전술한 실시예에 국한되지 않고 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위내에서 다양하게 변형하여 실시될 수 있다.The integrated duplexer dielectric filter according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be implemented by various modifications within the scope of the technical idea of the present invention.
이상에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 일체형 듀플렉서 유전체 필터에 있어서는, 도전성 물질의 패턴을 개방면의 패턴과 동일 평면상이 아닌곳에 형성하여 도전성 물질의 패턴을 단순화함은 물론 커플링 패턴의 용량값을 임의로 조절할수 있으며, 인쇄패턴의 구조를 단순화시켜 인쇄시 편차를 줄일수 있고, 튜닝패턴을 최상부에 두어 하부의 공진 주파수 패턴의 영향을 최소화 할수 있는 효과를 얻을 수 있다.As described above, in the integrated duplexer dielectric filter according to the present invention, the pattern of the conductive material is not formed on the same plane as the pattern of the open surface, thereby simplifying the pattern of the conductive material and of course, the capacitance value of the coupling pattern. It can be adjusted arbitrarily, and the printing pattern can be simplified to reduce the deviation during printing, and the tuning pattern can be placed on the top to minimize the influence of the lower resonant frequency pattern.
Claims (3)
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