DE19859207A1 - Small, light weight dielectric filter used in mobile communication terminal equipment with high frequency band characteristics - Google Patents

Small, light weight dielectric filter used in mobile communication terminal equipment with high frequency band characteristics

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DE19859207A1 DE1998159207 DE19859207A DE19859207A1 DE 19859207 A1 DE19859207 A1 DE 19859207A1 DE 1998159207 DE1998159207 DE 1998159207 DE 19859207 A DE19859207 A DE 19859207A DE 19859207 A1 DE19859207 A1 DE 19859207A1
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Jin Duk Kim
Sang Jun Park
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Abstract

Conductive patterns (131, 135, 140, 141, 145) a formed onto the dielectric block to connect the resonant holes (130) of the duplexer dielectric filter. A conductive pattern (131) is formed on the surroundings of the resonant holes (130) and connected with the conductive material covering the interior of the holes for applying a load capacitance to the resonators. A second conductive pattern (140) forms a coupling capacitance between adjacent resonators and cross coupling between nonadjacent resonators. A third conductive pattern (141) adjusts the resonant frequency between the resonators, a fourth pattern (135) suppresses the capacitance between the holes and a fifth pattern (145) adjusts the resonant frequency of the transmission resonator.

Description

GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein dielektrisches Duplexerfilter, das in einer Endeinrichtung einer mobilen Kommunikation, die Hochfrequenzbandeigenschaften aufweist, verwendet wird, und insbesondere auf ein dielektrisches Du­ plexerfilter, in welches vorbestimmten leitende Muster auf einer ersten Oberfläche eines dielektrischen Blocks ausgebil­ det werden, um eine elektromagnetische Kopplung zwischen be­ nachbarten Resonatoren zu bilden, wobei ein kleines und leichtes Filter hergestellt werden kann, und eine Resonanz­ frequenz eines Resonators leicht eingestellt werden kann.The present invention relates to a dielectric Duplexer filter in a mobile device Communication that has high frequency band characteristics is used, and in particular on a dielectric Du plexer filter, in which predetermined conductive pattern a first surface of a dielectric block be det to an electromagnetic coupling between be to form adjacent resonators, being a small and lightweight filter can be made, and resonance frequency of a resonator can be easily adjusted.

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Im dielektrischen Duplexerfilter wird das Signal gleichzeitig durch eine Antenne gesendet und empfangen. Das Duplexerfilter umfaßt ein Filter am Empfangsende und ein Filter am Sende­ ende. Das Filter am Empfangsende hat einen Durchlaßbereich für die Empfangsfrequenz und einen Sperrbereich für die Sen­ defrequenz, während das Filter am Sendeende einen Durchlaßbe­ reich für die Sendefrequenz und einen Sperrbereich für die Empfangsfrequenz aufweist. Dieses Duplexerfilter muß für die aktuellen mobilen Kommunikationsausrüstungen im Umfang ver­ mindert werden. Für das verminderte Filter wurde das dielek­ trische Duplexerfilter eingeführt.The signal is simultaneously in the dielectric duplexer filter sent and received by an antenna. The duplexer filter includes a filter at the receiving end and a filter at the sending The End. The filter at the receiving end has a pass band for the reception frequency and a blocking area for the sen defrequency, while the filter at the end of the transmission has a pass rich for the transmission frequency and a restricted area for the Receiving frequency. This duplexer filter must for the current mobile communication equipment in the scope ver be reduced. For the reduced filter, the dielek trical duplexer filter introduced.

Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein konventio­ nelles, integriertes dielektrisches Duplexerfilter zeigt. Wie in der Figur gezeigt ist, umfaßt das konventionelle dielek­ trische Duplexerfilter einen dielektrischen Block 10, der in ein Empfangsfiltergebiet und ein Senderfiltergebiet aufge­ teilt ist. In dieser Struktur umfaßt der dielektrische Block 10 erste und zweite Oberflächen 11 und 13, die einander ge­ genüberstehen, und eine Seitenoberfläche 13, die zwischen den ersten und zweiten Oberflächen 11 und 13 angeordnet ist. Die zweite Oberfläche 13 und die Seitenoberfläche 13, das heißt die Rückseitenfläche und die Seitenseitenfläche des dielek­ trischen Blocks 10 sind im wesentlichen mit den leitenden Ma­ terialien bedeckt. Weiterhin sind eine Vielzahl von Resonanz­ löchern 30a-30g, die die ersten und zweiten Oberflächen 11 und 13 durchdringen, parallel in vorbestimmten Abständen von­ einander im Inneren des dielektrischen Blockes 10 angeordnet. Jedes der Resonanzlöcher 30a-30g ist im wesentlichen mit den leitenden Materialien auf seiner inneren Oberfläche bedeckt, um somit einen Resonator zu bilden. Fig. 1 is a perspective view showing a conventional integrated dielectric duplexer filter. As shown in the figure, the conventional dielectric duplexer filter comprises a dielectric block 10 which is divided into a reception filter area and a transmitter filter area. In this structure, the dielectric block 10 includes first and second surfaces 11 and 13 that face each other and a side surface 13 that is disposed between the first and second surfaces 11 and 13 . The second surface 13 and the side surface 13 , that is, the back surface and the side surface of the dielectric block 10 are substantially covered with the conductive materials. Furthermore, a plurality of resonance holes 30 a- 30 g, which penetrate the first and second surfaces 11 and 13 , are arranged in parallel at predetermined intervals from each other inside the dielectric block 10 . Each of the resonance holes 30 a- 30 g is substantially covered with the conductive materials on its inner surface so as to form a resonator.

Eine Vielzahl von leitenden Mustern 31a-31g, die eine vorbe­ stimmte Größe haben, sind auf der ersten Oberfläche 11 des dielektrischen Blocks 10 angeordnet. Jeder der leitenden Mu­ ster 31a-31g ist mit dem leitenden Material, das das Innere jedes Resonanzloches 30a-30g bedeckt, verbunden, um eine Be­ lastungskapazität für jeden Resonator zu ergeben, und gleich­ zeitig, um eine Kopplungskapazität zwischen benachbarten Re­ sonatoren zu formen. Eine Resonanzfrequenz des Resonators wird anhand der Vielzahl der Resonanzlöcher 30a-30g und der angewandten Belastungskapazität bestimmt, und die Kopplung der zwei Resonatoren wird durch die Ausbildung der Kopplungskapa­ zität erzielt. Zusätzlich sind Eingabe- und Ausgabeanschlüsse 21 und 23, die aus einem leitenden Muster hergestellt sind, in der ersten Oberfläche 11 angeordnet, und ein Antennenan­ schluß 22, der aus einem leitenden Muster hergestellt ist, ist zwischen dem Empfangsfiltergebiet und dem Sendefilterge­ biet angeordnet.A plurality of conductive patterns 31 a- 31 g, which have a predetermined size, are arranged on the first surface 11 of the dielectric block 10 . Each of the conductive Mu most 31 a- g 31 with the conductive material that a- the interior of each resonance hole 30 30 g covered connected to a Be lastungskapazität for each resonator to provide, and at the same time, a coupling capacitance between adjacent Re to form sonators. A resonance frequency of the resonator is determined based on the plurality of resonance holes 30 a- 30 g and the applied load capacity, and the coupling of the two resonators is achieved by the formation of the coupling capacity. In addition, input and output terminals 21 and 23 made of a conductive pattern are arranged in the first surface 11 , and an antenna terminal 22 made of a conductive pattern is arranged between the reception filter area and the transmission filter area.

Typischerweise hat das dielektrische Duplexerfilter ein Hoch­ frequenzband des Sendefiltergebietes, das relativ niedriger liegt als das Band des Empfangsfiltergebiets. Somit herrscht ein elektrischer Feldeffekt zwischen den Resonanzlöchern im Empfangsfiltergebiet vor, während ein magnetischer Feldeffekt zwischen den Resonanzlöchern im Sendefiltergebiet vor­ herrscht. Somit befinden sich die Resonanzlöcher, die auf dem Empfangsfiltergebiet angeordnet sind, in einer kapazitiv ge­ koppelten Beziehung, und die Resonanzlöcher im Sendefilterge­ biet befinden sich in einer induktiv gekoppelten Beziehung.Typically, the dielectric duplexer filter has a high frequency band of the transmission filter area, which is relatively lower lies as the band of the receive filter area. So there is an electrical field effect between the resonance holes in the Receive filter area before, while a magnetic field effect between the resonance holes in the transmission filter area prevails. So there are the resonance holes on the  Reception filter area are arranged in a capacitive ge coupled relationship, and the resonance holes in the transmission filter offer are in an inductively coupled relationship.

In der obigen Konstruktion hängt die Bestimmung der Resonanz­ frequenz oder der Kopplung zwischen den Resonatoren von der Größe der vielen leitenden Muster 31a bis 31g auf der ersten Oberfläche 11 ab. Mit anderen Worten, die Eigenschaft des dielektrischen Duplexerfilters hängt von den Intervallen zwi­ schen den leitenden Mustern 31a bis 31g und dem leitenden Ma­ terial der Seitenoberfläche 12 und zwischen den leitenden Mu­ stern 31a bis 31g ab.In the above construction, the determination of the resonance frequency or the coupling between the resonators depends on the size of the many conductive patterns 31 a to 31 g on the first surface 11 . In other words, the property of the dielectric duplexer of the surface depends on the intervals Zvi rule the conductive patterns 31 a to 31 g and the conductive Ma TERIAL 12 and star 31 a to 31 g from between the conductive Mu.

Um ein kleines und leichtes dielektrisches Duplexerfilter zu erzeugen, sollte das dielektrische Duplexerfilter eine gerin­ ge Dicke aufweisen, und das Intervall zwischen den Resonanz­ löchern 30a bis 30g sollte kurz sein. Da die Dimension der ersten Oberfläche 11 im Miniaturfilter vermindert werden kann, besteht jedoch ein Problem, daß eine gewünschte Dämp­ fungseigenschaft nicht erreicht werden kann durch die Ein­ schränken bei den Intervallen zwischen den leitenden Mustern 31a bis 31g und dem leitenden Material auf der Seitenoberflä­ che 12 des dielektrischen Blocks 10 und zwischen den leiten­ den Mustern 31a bis 31g.In order to produce a small and light dielectric duplexer filter, the dielectric duplexer filter should have a small thickness, and the interval between the resonance holes 30 a to 30 g should be short. Since the dimension of the first surface 11 can be reduced in miniature filter, but there is a problem that a desired Dämp evaporation property can not be achieved limit by the A at the intervals between the conductive patterns 31 a to 31 g and the conductive material on the Seitenoberflä che 12 of the dielectric block 10 and between the conduct the patterns 31 a to 31 g.

Andererseits ist es, wenn die Größe des dielektrischen Blockes 10 schmal ausgeführt wird, sogar in dem Fall, bei dem die Intervalle zwischen den leitenden Mustern 31a bis 31g und dem leitenden Material auf der Seitenoberfläche 12 und zwischen den leitenden Mustern 31a bis 31g kurz ausgebildet werden, unmöglich das Volumen des dielektrischen Blocks 10 in der ge­ wissen Begrenzung zu vermindern, verursacht durch den Fehler, der durch die Begrenzung des Druckverfahrens verursacht wird.On the other hand, if the size of the dielectric block 10 is made narrow, even in the case where the intervals between the conductive patterns 31 a to 31 g and the conductive material on the side surface 12 and between the conductive patterns 31 a to 31 g are made short, impossible to reduce the volume of the dielectric block 10 within the certain limit caused by the error caused by the limitation of the printing method.

Darüberhinaus besteht im Fall, wenn die Resonanzfrequenz durch das Variieren der Form der leitenden Muster 31a bis 31g eingestellt wird, da die Kopplungskapazität und die Bela­ stungskapazität gleichzeitig geändert werden, das Problem, daß die Durchlaß- und Sperrmerkmale für das Frequenzsignal in einer unregelmäßigen Reihenfolge angezeigt werden. Weiterhin verbleibt ein Problem, dadurch, daß die Einstelloperation der Resonanzfrequenz nicht automatisch erfolgt, die Arbeitskosten im Herstellverfahren hoch sind, was somit die Wettbewerbsfä­ higkeit durch die Produktionskosten erniedrigt.Moreover, in the case when the resonant frequency is a set g by varying the shape of the conductive pattern 31 to 31, since the coupling capacity and loading stungskapazität simultaneously changed, the problem that the forward and reverse characteristics of the frequency signal in an irregular Order are displayed. Furthermore, there remains a problem in that the tuning operation of the resonance frequency is not automatic, the labor cost in the manufacturing process is high, and thus the competitiveness due to the production cost is lowered.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein dielektrisches Duplexerfilter zu liefern, das vorbestimmte leitende Muster auf einer ersten Oberfläche eines dielektri­ schen Blocks aufweist, um somit einen Lastkapazität für einen Resonator zu bilden, eine Kopplungskapazität zwischen benach­ barten Resonatoren zu bilden, und um eine Kreuzkopplungskapa­ zität zwischen dem nicht benachbarten Resonator zu bilden, wobei das dielektrische Duplexerfilter klein und leicht sein kann und in einem vereinfachten Verfahren hergestellt werden kann.An object of the present invention is to provide a to provide dielectric duplexer filter, the predetermined conductive patterns on a first surface of a dielectri blocks, so as to have a load capacity for one To form a resonator, a coupling capacity between cont beard to form resonators, and around a cross coupling kapa form between the non-adjacent resonator, the dielectric duplexer filter being small and light can and can be produced in a simplified process can.

Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein dielektrisches Duplexerfilter zu liefern, das ein leiten­ des Muster aufweist für die Verwendung bei der Einstellung einer Resonanzfrequenz eines Resonators auf einer ersten Oberfläche des dielektrischen Blocks, um somit auf genaue Art ein Resonanzfrequenzband auf ein gewünschte Band einzustel­ len.Another object of the present invention is to provide a dielectric duplexer filter that conduct one of the pattern has for use in setting a resonance frequency of a resonator on a first Surface of the dielectric block so as to be precise to set a resonance frequency band to a desired band len.

Um diese und andere Aufgaben gemäß der vorliegenden Erfindung zu erzielen, wird ein dielektrisches Duplexerfilter gelie­ fert, das folgendes umfaßt einen dielektrischen Block, der erste und zweite Oberflächen umfaßt, die einander gegenüber­ stehen, und eine Seitenoberfläche, die zwischen den ersten und zweiten Oberflächen angeordnet ist, wobei die zweiten Oberflächen und die Seitenoberfläche im wesentlichen mit ei­ nem leitenden Material bedeckt sind; ein erstes Filtergebiet, das mindestens einen Resonator umfaßt, der mindestens ein Re­ sonanzloch hat, das angeordnet ist, damit es durch die ersten und zweiten Oberflächen des dielektrischen Blocks in einer im wesentlichen parallelen Art hindurchgeht, und das auf seiner Innenseite im wesentlichen mit dem leitenden Material bedeckt ist, und für das Filtern eines ersten Eingabesignals; ein zweites Filtergebiet, das aus mindestens einem Resonator be­ steht, der mindestens ein Resonanzloch aufweist, das so ange­ ordnet ist, daß es durch die ersten und zweiten Oberflächen des dielektrischen Blocks in einer parallelen Art hindurch­ geht und auf seiner Innenseite im wesentlichen mit dem lei­ tenden Material bedeckt ist, und für das Filtern eines zwei­ ten Eingangssignals; mindestens ein erstes leitendes Muster, das so ausgebildet ist, daß es eine vorbestimmte Größe in den Umgebungen des mindestens einen Resonanzloches der ersten Oberfläche aufweist, auf der die ersten und zweiten Filterge­ biete belegt werden, um somit mit dem leitenden Material, das auf der Innenseite des mindestens einen Resonanzloches abge­ lagert ist, verbunden zu werden, und für das Anwenden einer Lastkapazität auf den mindestens einen Resonator und einer elektromagnetische Kopplung zwischen benachbarten Resonato­ ren; Eingabe/Ausgabe-Anschlüsse, von denen jeder ein Elektro­ dengebiet umfaßt, das gegenüber dem leitenden Material der Seitenoberfläche des dielektrischen Blocks isoliert ist, und für das Ausbilden einer elektromagnetischen Kopplung mit den Resonanzlöchern; einen Antennenanschluß, der aus einem Elek­ trodengebiet besteht, das gegenüber dem leitenden Material auf der Seitenoberfläche des dielektrischen Blockes isoliert ist und zwischen den ersten und zweiten Filtergebieten des dielektrischen Blockes angeordnet ist, um somit die elektro­ magnetische Kopplung mit dem Resonator zu bilden; mindestens ein zweites leitendes Muster, das auf irgend einem der oberen und unteren Teile der ersten Oberfläche des ersten Filterge­ bietes des dielektrischen Blocks entlang der Anordnungsrich­ tung von deren Resonanzloch angeordnet ist, und für das Aus­ bilden der elektromagnetischen Kopplung zwischen den benach­ barten Resonatoren; mindestens ein drittes leitendes Muster, das auf der ersten Oberfläche des ersten Filtergebietes des dielektrischen Blocks angeordnet ist, für das Ausbilden der elektromagnetischen Kopplung zwischen den benachbarten Reso­ natoren; und mindestens ein viertes leitendes Muster, das auf der ersten Oberfläche des dielektrischen Blocks angeordnet ist, für das Einstellen einer Resonanzfrequenz des Resona­ tors.To accomplish these and other objects in accordance with the present invention To achieve this, a dielectric duplexer filter is used finished, the following comprises a dielectric block which includes first and second surfaces that face each other stand, and a side surface between the first and second surfaces, the second Surfaces and the side surface essentially with egg covered with conductive material; a first filter area, which comprises at least one resonator which has at least one Re  sonanzloch, which is arranged so that it through the first and second surfaces of the dielectric block in an im essentially parallel way, and that on his Inside essentially covered with the conductive material and for filtering a first input signal; on second filter area, which consists of at least one resonator stands, which has at least one resonance hole, which is so is that it maps through the first and second surfaces of the dielectric block in a parallel manner goes and on its inside essentially with the lei material is covered, and for filtering a two th input signal; at least one first conductive pattern, which is designed so that it has a predetermined size in the Surroundings of the at least one resonance hole of the first Has surface on which the first and second Filterge offer to be filled with the conductive material that abge on the inside of the at least one resonance hole is connected, and for applying one Load capacity on the at least one resonator and one electromagnetic coupling between neighboring resonato ren; Input / output ports, each of which is an electrical covers the area opposite the conductive material of the Side surface of the dielectric block is insulated, and for forming an electromagnetic coupling with the Resonance holes; an antenna connector, which consists of an elec troden area that is opposite the conductive material isolated on the side surface of the dielectric block is and between the first and second filter areas of the dielectric block is arranged to thus the electro to form magnetic coupling with the resonator; at least a second conductive pattern on any of the top and lower parts of the first surface of the first filterge area of the dielectric block along the arrangement direction device is arranged from the resonance hole, and for the off form the electromagnetic coupling between the adj beard resonators; at least a third conductive pattern, that on the first surface of the first filter area of the dielectric blocks is arranged for the formation of the  electromagnetic coupling between the adjacent reso nators; and at least a fourth conductive pattern based on the first surface of the dielectric block is for setting a resonant frequency of the Resona tors.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Andere Aufgaben und Aspekte der Erfindung werden deutlich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsformen unter Bezug­ nahme auf die begleitenden Zeichnungen:Other objects and aspects of the invention will become apparent the following description of embodiments with reference took the accompanying drawings:

Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein konventio­ nelles integriertes dielektrisches Duplexerfilter zeigt; Fig. 1 is a perspective view showing a conventional integrated dielectric duplexer filter;

Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die ein dielektri­ sches Duplexerfilter zeigt, das gemäß den Prinzipien der vor­ liegenden Erfindung konstruiert ist; Fig. 2 is a perspective view showing a dielectric duplexer filter constructed in accordance with the principles of the present invention;

Fig. 3 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm eines Sende­ filtergebietes der Fig. 2; FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a transmit filter area of FIG. 2;

Fig. 4 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm eines Emp­ fangsfiltergebietes der Fig. 2; Fig. 4 is an equivalent circuit diagram of a receive filter area of Fig. 2;

Fig. 5 ist eine charakteristische Kurve des Sendefiltergebie­ tes des dielektrischen Duplexerfilters der Fig. 2; und Fig. 5 is a characteristic curve of the transmission filter area of the dielectric duplexer filter of Fig. 2; and

Fig. 6 ist eine charakteristische Kurve des Empfangsfilterge­ bietes des dielektrischen Duplexerfilters der Fig. 2. Fig. 6 is the Empfangsfilterge bietes of the dielectric duplexer of a characteristic curve Fig. 2,.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMDETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT

Nachfolgend wird eine Konstruktion eines dielektrischen Du­ plexerfilters gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail anhand der begleitenden Zeichnungen erläutert.Below is a construction of a dielectric Du plexer filter according to a preferred embodiment of the  present invention in detail with reference to the accompanying Drawings explained.

Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die ein dielektri­ sche Duplexerfilter gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Wie in der Figur gezeigt ist, umfaßt das dielektrische Duple­ xerfilter einen sechsflächigen dielektrischen Block 110, in welchem erste und zweite Oberflächen 111 und 113 einander ge­ genüber liegen. Der dielektrische Block 100 hat eine Vielzahl von Resonanzlöchern 130a bis 130g, die parallel die erste und zweite Oberfläche 111 und 113 in der vorbestimmten Distanz zueinander durchdringen. Ein leitendes Material ist auf die zweite Oberfläche 113 und eine Seitenoberfläche 112, die zwi­ schen den ersten und zweiten Oberflächen 111 und 113 angeord­ net ist, aufgebracht, um somit eine Erdelektrode zu bilden. Das leitende Material ist ebenfalls auf den inneren Oberflä­ chen der Vielzahl von Resonanzlöchern 130a bis 130g aufge­ bracht, wobei jedes Resonanzloch einen Resonator bildet. An­ dererseits ist ein offenes Gebiet, auf dem kein leitendes Ma­ terial angebracht ist, auf der ersten Oberfläche 111 des die­ lektrischen Blocks 110 ausgebildet. Fig. 2 is a perspective view showing a dielectric duplexer filter according to the present invention. As shown in the figure, the dielectric duplexer filter comprises a six-face dielectric block 110 in which first and second surfaces 111 and 113 face each other. The dielectric block 100 has a plurality of resonance holes 130 a to 130 g, which in parallel penetrate the first and second surfaces 111 and 113 at the predetermined distance from one another. A conductive material is applied to the second surface 113 and a side surface 112 disposed between the first and second surfaces 111 and 113 so as to form a ground electrode. The conductive material is also on the inner surfaces of the Oberflä plurality of resonant holes 130 a to 130 g be applied, each resonance hole forms a resonator. On the other hand, an open area on which no conductive material is attached is formed on the first surface 111 of the dielectric block 110 .

Mindestens eines der ersten leitenden Muster 131a bis 131g ist in den Umgebungen der Vielzahl der Resonanzlöcher 130a bis 130g der ersten Oberfläche 111 in vorbestimmter Größe ausgebildet, um somit eine Verbindung mit einer inneren Elek­ trode auf der inneren Oberfläche jedes Resonanzloches zu bil­ den und eine Lastkapazität auf jeden Resonator anzuwenden und eine elektromagnetische Kupplung zwischen benachbarten Reso­ natoren. Zusätzlich sind Sende- und Empfangsanschlüsse 121 und 123 und ein Antennenanschluß 122 auf der ersten Oberflä­ che 111 des dielektrischen Blocks 110 ausgebildet.At least one of the first conductive patterns 131 a to 131 g is formed in the vicinity of the plurality of resonance holes 130 a to 130 g of the first surface 111 in a predetermined size so as to form a connection with an inner electrode on the inner surface of each resonance hole the and apply a load capacitance to each resonator and an electromagnetic coupling between adjacent resonators. In addition, transmission and reception terminals 121 and 123 and an antenna terminal 122 are formed on the first surface 111 of the dielectric block 110 .

In der Figur ist nicht gezeigt, daß auf der Seitenoberfläche 112 des dielektrischen Blocks 110 Eingabe/Ausgabe-Anschluß­ flächen und eine Antennenanschlußfläche ausgebildet sind, die gegenüber dem leitenden Material isoliert sind, und ein Si­ gnal von/zu einem Substrat, in welchem der dielektrische Block 110 montiert ist, hereinholen/hinausgeben. Diese An­ schlußflächen sind mit den Eingabe/Ausgabe-Anschlüssen 121 und 123 beziehungsweise dem Antennenanschluß 122 verbunden. Somit enthalten die Eingabe/Ausgabe-Anschlüsse 121 und 123 und der Antennenanschluß 122, wie dies in der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben wurde, jeweils die Eingabe/Ausgabe-Anschlußflächen und die Antennen­ anschlußfläche, die im allgemeinen dielektrischen Duplexer­ filter ausgebildet sind.The figure does not show that on the side surface 112 of the dielectric block 110 input / output pads and an antenna pad are formed, which are insulated from the conductive material, and a signal from / to a substrate in which the dielectric Block 110 is assembled, bring in / out. These connection surfaces are connected to the input / output connections 121 and 123 or the antenna connection 122 . Thus, the input / output ports 121 and 123 and the antenna port 122 , as described in the preferred embodiment of the present invention, each include the input / output pads and the antenna pad, which are generally dielectric duplexer filters.

Das dielektrische Duplexerfilter ist typischerweise aus er­ sten und zweiten Filtergebieten hergestellt. Wenn das erste Filtergebiet ein Empfangssignal durch den Antennenanschluß filtert, so filtert das zweite Filtergebiet das Sendesignal durch den Antennenanschluß. Im allgemeinen besteht keine Not­ wendigkeit das Empfangsfiltergebiet und das Sendefiltergebiet innerhalb des dielektrischen Blocks zu teilen. Sogar wenn die dielektrischen Duplexerfilter dasselbe Struktursystem haben, können das Empfangsfiltergebiet und das Sendefiltergebiet ge­ mäß einem speziellen Produkt geändert werden. Somit können die Sende/Empfangs-Filtergebiete in der bevorzugten Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung für eine einfachere Er­ läuterung geteilt werden, was natürlich nicht den Umfang der vorliegenden Erfindung einschränkt.The dielectric duplexer filter is typically made of it most and second filter areas. If the first Filter area a receive signal through the antenna connector filters, the second filter area filters the transmission signal through the antenna connector. Generally there is no need maneuverability of the reception filter area and the transmission filter area to share within the dielectric block. Even if that dielectric duplexer filters have the same structure system, can the reception filter area and the transmission filter area ge be changed according to a special product. So you can the send / receive filter areas in the preferred embodiment Form of the present invention for a simpler Er purification to be shared, which of course is not the scope of the limits the present invention.

Im dielektrischen Filter, wie es in Fig. 2 gezeigt ist, sind drei Resonanzlöcher, die auf der linken Seite um den Anten­ nenanschluß 122 herum angeordnet sind, in das Sendefilterge­ biet verwickelt, das für das Ausgeben eines Hochfrequenzsi­ gnals belegt wird, und vier Resonanzlöcher, die auf der rech­ ten Seite angeordnet sind, sind in das Empfangsfiltergebiet verwickelt, das für das Eingeben des Hochfrequenzsignals be­ legt wird. Das Empfangsfiltergebiet hat die Durchlaßeigen­ schaften für die Empfangsfrequenz und die Sperreigenschaften für die Sendefrequenz. Wohingegen das Sendefiltergebiet die Durchlaßeigenschaften für die Sendefrequenz aufweist und die Sperreigenschaften für die Empfangsfrequenz. In the dielectric filter, as shown in FIG. 2, three resonance holes, which are arranged on the left side around the antenna terminal 122 , are involved in the transmission filter area used for outputting a high-frequency signal, and four resonance holes , which are arranged on the right-hand side, are involved in the reception filter area which is used for inputting the high-frequency signal. The receive filter area has the transmission properties for the receive frequency and the blocking properties for the transmit frequency. Whereas the transmission filter area has the transmission properties for the transmission frequency and the blocking properties for the reception frequency.

Mindestens ein zweites leitendes Muster 140 in Form einer Streifenleitung ist auf dem unteren Teil der Resonanzlöcher 130d bis 130g im Empfangsfiltergebiet der ersten Oberfläche 111 entlang der Anordnungsrichtung der Vielzahl von Resonanz­ löchern 130d bis 130g in einer vorbestimmten Distanz von den ersten leitenden Mustern 131d bis 131g angeordnet. Das zweite leitende Muster 140 ist vorgesehen, um eine Kopplungskapazi­ tät zwischen benachbarten Resonatoren und eine Kreuzkopp­ lungskapazität zwischen nicht benachbarten Resonatoren zu bilden, um somit ein Frequenzband des Empfangsfiltergebietes zu bestimmen.At least one second conductive pattern 140 in the form of a strip line is on the lower part of the resonance holes 130 d to 130 g in the reception filter area of the first surface 111 along the arrangement direction of the plurality of resonance holes 130 d to 130 g at a predetermined distance from the first conductive patterns 131 d to 131 g arranged. The second conductive pattern 140 is provided to form a coupling capacitance between adjacent resonators and a cross-coupling capacitance between non-adjacent resonators, so as to determine a frequency band of the reception filter area.

Das zweite leitende Muster 140 kann auf dem oberen Teil oder auf dem oberen und unteren Teil der Resonanzlöcher 130d bis 130g entlang der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 130d bis 130g angeordnet sein. Die Position des zweiten leitenden Musters 140 hat keinen Einfluß auf den Grad der ausgebildeten Kopplungs- und Kreuzkopplungskapazität. Wenn das zweite lei­ tende Muster 140 sowohl auf den unteren als auch den oberen Teilen der Resonanzlöcher 130d bis 130g ausgebildet ist, kann es eine größere Kopplungskapazität bilden, um somit die Größe jedes der ersten leitenden Muster 131d bis 131g zu vermin­ dern.The second conductive pattern 140 may be arranged on the upper part or on the upper and lower parts of the resonance holes 130 d to 130 g along the arrangement direction of the resonance holes 130 d to 130 g. The position of the second conductive pattern 140 does not affect the degree of coupling and cross-coupling capacitance that is formed. When the second lei tend pattern 140 is formed on both the lower and the upper parts of the resonance holes 130 d to 130 g, it can form a larger coupling capacitance to d Therefore, the size of each of the first conductive patterns 131 of compensation increases g to 131 .

Das zweite leitende Muster 140 in Streifenform hat eine vor­ bestimmte Länge und Breite, und die Kopplungskapazität nimmt zu, wenn die vorbestimmte Länge und Breite zunehmen. Das zweite leitende Muster 140 ist mit der Erdelektrode auf der Seitenoberfläche 112 des dielektrischen Blocks 110 verbunden, wobei es vorzugsweise damit kurzgeschlossen ist.The second conductive pattern 140 in a strip shape has a predetermined length and width, and the coupling capacity increases as the predetermined length and width increase. The second conductive pattern 140 is connected to the ground electrode on the side surface 112 of the dielectric block 110 , and is preferably short-circuited therewith.

Mindestens ein drittes leitendes Muster 141, das auf dem obe­ ren Teil der Resonanzlöcher 130d bis 130g im Empfangsfilter­ gebiet ausgebildet ist, erstreckt sich auf die Resonanzlöcher 130d bis 130g von der Erdelektrode des dielektrischen Blocks 110. Das dritte leitende Muster 141 ist ausgebildet, um die Resonanzfrequenz einzustellen, die gemäß dessen Länge und Breite variiert wird. Das dritte leitende Muster 141 ist mit dem zweiten leitenden Muster 140 integriert, das auf dem un­ teren Teil der Resonanzlöcher 130d bis 130g ausgebildet ist, wie das in Fig. 2 gezeigt ist, und kann auf die Resonanzlö­ cher 130d bis 130g erstreckt werden. Das dritte leitende Mu­ ster 141 für das Einstellen der Resonanzfrequenz kann auf dem oberen oder unteren Teil der Resonanzlöcher 130d bis 130g un­ abhängig vom zweiten leitenden Muster 140 ausgebildet werden.At least a third conductive pattern 141, which ren on the OBE part of the resonance holes d 130 g to 130 is formed in the reception filter area, extending to the resonance holes 130 d and 130 g of the ground electrode of the dielectric block 110th The third conductive pattern 141 is configured to adjust the resonance frequency, which is varied according to its length and width. The third conductive pattern 141 is integrated with the second conductive pattern 140, the direct on the un part of the resonance holes 130 d to 130 g is formed, as shown in Fig. 2, and can cher the Resonanzlö 130 d to 130 g be extended. The third conductive pattern 141 for setting the resonance frequency may be formed on the upper or lower part of the resonance holes 130 d to 130 g regardless of the second conductive pattern 140 .

Das dritte leitende Muster 141, das auf dem oberen Teil der Resonanzlöcher 130d bis 130g angeordnet ist, ist mit der Erd­ elektrode auf der Seitenoberfläche 112 des dielektrischen Blocks 110 verbunden, um sich somit auf die Resonanzlöcher 130d bis 130g zu erstrecken, aber es kann mit der Erdelek­ trode kurzgeschlossen sein. Weiterhin ist das dritte leitende Muster 141 auf der einen Seite der Längsrichtung des zweiten leitenden Musters 140 angeordnet, wobei es auch auf beiden Seiten davon angeordnet sein kann. Die Anordnungsposition des dritten leitenden Musters 141 für das Einstellen der Reso­ nanzfrequenz ist nicht fest, wie das oben erwähnt wurde.The third conductive pattern 141 , which is disposed on the upper part of the resonance holes 130 d to 130 g, is connected to the ground electrode on the side surface 112 of the dielectric block 110 , so as to extend to the resonance holes 130 d to 130 g, but it can be short-circuited to the earth electrode. Furthermore, the third conductive pattern 141 is arranged on one side of the longitudinal direction of the second conductive pattern 140 , and it can also be arranged on both sides thereof. The arrangement position of the third conductive pattern 141 for setting the resonance frequency is not fixed as mentioned above.

Die Sende/Empfangs-Anschlüsse 121 und 123 und der Antennenan­ schluß 122 umfassen jeweils Längeneinstellgebiete 121a, 122a, 123a auf ihren Endteilen. Die Längeneinstellgebiete 121a, 122a und 123a werden belegt, um die Länge der Sende/Empfangs- Anschlüsse 121 und 123 beziehungsweise des Antennenanschlus­ ses 122 einzustellen, um eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonanzlöchern 130a bis 130g zu steuern.The transmit / receive connections 121 and 123 and the antenna connection 122 each include length adjustment areas 121 a, 122 a, 123 a on their end parts. The length setting areas 121 a, 122 a and 123 a are occupied in order to set the length of the transmit / receive connections 121 and 123 or the antenna connection 122 in order to control an electromagnetic coupling with the resonance holes 130 a to 130 g.

Vierte streifenförmige leitende Muster 135a bis 135d sind je­ weils zwischen den Resonanzlöchern 130a bis 130c des Sende­ filtergebietes ausgebildet. Detaillierter sind in einem Zu­ stand, der um eine vorbestimmte Distanz von den ersten lei­ tenden Mustern 131a bis 131c getrennt ist, die vierten lei­ tenden Muster 135a und 135b zwischen den benachbarten Reso­ nanzlöchern 130a und 130b und die vierten leiten Muster 135c und 135d zwischen den benachbarten Resonanzlöchern 130b und 130c angeordnet. Die vierten leitenden Muster 135a bis 135d sind mit der Erdelektrode der Seitenoberfläche 112 des di­ elektrischen Blocks verbunden. Die vierten leitenden Muster 135a bis 135d unterdrücken die Kapazität zwischen den Reso­ nanzlöchern 130a bis 130c, um eine Kopplungskapazität zu bil­ den, um somit einen Dämpfungspol bei einem Frequenzband zu bilden, das höher als das Durchlaßband des dielektrischen Filters liegt. Somit bildet jedes der vierten leitenden Mu­ ster 135a bis 135d ein Längeneinstellgebiet 147 auf deren Endteil, so daß jedes Muster 135a bis 135d seine eigene Länge einstellen kann, um somit die Frequenz einzustellen, bei der der Dämpfungspol ausgebildet wird. Zu dieser Zeit sind die beiden Längeneinstellgebiete 147 jeweils auf den entgegenge­ setzten Endteilen der vierten leitenden Muster ausgebildet. Mit anderen Worten, wenn das eine Längeneinstellgebiet 147 auf dem oberen Endteil eines leitenden Musters ausgebildet ist, so ist das andere auf dem unteren Teil des benachbarten Musters ausgebildet.Fourth strip-shaped conductive patterns 135 a to 135 d are each formed between the resonance holes 130 a to 130 c of the transmission filter area. In more detail, in a state that is separated by a predetermined distance from the first conductive patterns 131 a to 131 c, the fourth conductive patterns 135 a and 135 b between the adjacent resonance holes 130 a and 130 b and the fourth conduct Patterns 135 c and 135 d arranged between the adjacent resonance holes 130 b and 130 c. The fourth conductive patterns 135 a to 135 d are connected to the ground electrode of the side surface 112 of the electrical block. The fourth conductive pattern 135 a to 135 d suppress the capacitance between the resonance holes 130 a to 130 c to form a coupling capacitance, so as to form an attenuation pole at a frequency band that is higher than the pass band of the dielectric filter. Thus, forms of each of the fourth conductive Mu edge 135 a to 135 d, a Längeneinstellgebiet 147 on the end part, so that each pattern can adjust its own length a to 135 d 135 so as to adjust the frequency at which the attenuation pole is formed. At this time, the two length adjustment areas 147 are each formed on the opposite end parts of the fourth conductive pattern. In other words, if the one length adjustment region 147 is formed on the upper end part of a conductive pattern, the other one is formed on the lower part of the adjacent pattern.

Ein fünftes Muster 145 für das Einstellen der Resonanzfre­ quenz des Resonators, das auf dem oberen Teil der Resonanzlö­ cher 130a bis 130c im Sendefiltergebiet angeordnet ist, wird auf die Resonanzlöcher 130a bis 130c von der Erdelektrode auf der Seitenoberfläche 112 des dielektrischen Blocks 110 in derselben Weise wie beim Empfangsfiltergebiet erstreckt. Zu dieser Zeit kann das fünfte Muster 145 mit der Erdelektrode der Seitenoberfläche 112 kurzgeschlossen sein und es kann auf den oberen und unteren Teilen der Resonanzlöcher 130a bis 130c ausgebildet sein.A fifth pattern 145 for adjusting the Resonanzfre frequency of the resonator, the cher on the upper part of the Resonanzlö 130a C to 130 is disposed in the transmitting filter region, is to the resonance holes 130 a to 130 c of the ground electrode on the side surface 112 of the dielectric block 110 extends in the same manner as the receive filter area. At this time, the fifth pattern 145 may be short-circuited to the ground electrode of the side surface 112 and it may be formed on the upper and lower parts of the resonance holes 130 a to 130 c.

Nachfolgend erfolgt eine Erläuterung des Betriebs und der Wirkung des dielektrischen Duplexerfilters gemäß der vorlie­ genden Erfindung.Below is an explanation of the operation and the Effect of the dielectric duplexer filter according to the vorlie invention.

Wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird das Sendefiltergebiet auf der linken Seite der Antenne 122 belegt, um die Hochfrequenz zu senden, und das Empfangsfiltergebiet auf der rechten Seite der Antenne 122 wird belegt, um die Hochfrequenz zu empfan­ gen. Zu dieser Zeit werden die Vielzahl von Resonanzlöchern 130a bis 130g, die parallel auf den Sende- und Empfangsfil­ tergebieten angeordnet sind, durch vorbestimmte Intervalle voneinander getrennt, wobei jedes als ein Resonator wirkt, der eine Viertelwellenlänge aufweist (λ).As shown in Fig. 2, the transmission filter area on the left side of the antenna 122 is occupied to transmit the radio frequency, and the reception filter area on the right side of the antenna 122 is occupied to receive the radio frequency g the plurality of resonant holes 130 a to 130, which are disposed on the transmitting and tergebieten Empfangsfil parallel, by predetermined intervals separated from each other, each as a resonator effect, which has a quarter wavelength (λ).

Fig. 3 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm eines Sende­ filtergebietes der Fig. 2. Das Filtergebiet des Sendefilter­ gebietes wird durch das Einstellen der Lastkapazität C1, C2 und C3 verkörpert. Das Vorhandensein der Lastkapazität C1, C2 und C3 gestattet es, daß ein Resonanzpunkt bei einer niedri­ geren Frequenz als der Resonanzfrequenz jedes Resonators r1, r2 und r3 ausgebildet wird. Das bedeutet, daß die Länge jedes Resonators r1 bis r3 kürzer als die Viertelwellenlänge (λ) des Resonanzpunktes ist. In diesem Fall ist, da die Kopplung durch das elektrische Feld zwischen den Resonatoren unter­ drückt wird, der Kopplungseffekt durch das Magnetfeld dazwi­ schen vorherrschend. Somit werden jeweils eine Induktions­ kopplung M1 und M2 zwischen den Resonatoren ausgebildet. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a transmit filter area of FIG. 2. The filter area of the transmit filter area is embodied by setting the load capacitance C1, C2 and C3. The presence of the load capacitance C1, C2 and C3 allows a resonance point to be formed at a frequency lower than the resonance frequency of each resonator r1, r2 and r3. This means that the length of each resonator r1 to r3 is shorter than the quarter wavelength (λ) of the resonance point. In this case, since the coupling is suppressed by the electric field between the resonators, the coupling effect by the magnetic field is predominant therebetween. Thus, an induction coupling M1 and M2 are formed between the resonators.

Im Gegensatz dazu wird die magnetische Kopplungswirkung all­ mählich vermindert, da die Viertelwellenlänge bei der Fre­ quenz, die höher als die Frequenz des Durchlaßbandes liegt, verkürzt werden kann. Wenn die Frequenz eine spezielle Fre­ quenz erreicht, so ist die Kopplungswirkung schließlich bei einem Sende-null-Zustand und es wird ein Dämpfungspol ausge­ bildet. Unter den Prinzipien, die oben erwähnt wurden, wird der Dämpfungspol, der auf der Hochfrequenz des Durchlaßbandes des Sendeendes ausgebildet wird, durch eine passende Einstel­ lung der Lastkapazität C1 bis C3 eingestellt.In contrast, the magnetic coupling effect becomes all gradually reduced since the quarter wavelength at Fre frequency that is higher than the frequency of the pass band, can be shortened. If the frequency has a special Fre reached, the coupling effect is finally at a transmit zero state and a damping pole is output forms. Among the principles mentioned above is the attenuation pole, which is on the high frequency of the pass band of the sending end is formed by a suitable setting load capacitance C1 to C3.

Zu diesem Zweck wird im dielektrischen Duplexerfilter der vorliegenden Erfindung, wenn die Lastkapazität C1 bis C3 ein­ gestellt wird, um die Eigenschaft des Filters während des Ge­ staltungs- oder Produktionsprozesses zu regulieren, die Länge jedes der vierten leitenden Muster 135a bis 135d und des fünften leitenden Musters 145 eingestellt. Zu dieser Zeit kann, wenn nur das einzelne vierte leitende Muster ausgebil­ det wird, das leitende Muster die Lastkapazität gemäß der Va­ riation der Länge der Elektrode einstellen, wobei aber zur selben Zeit die Kopplungskapazität zwischen den Resonanzlö­ chern variiert wird, so daß die Einstellvariablen erhöht wer­ den und deren Abstimmung schwierig wird. Somit besteht ein Bedürfnis, ein Paar oder mehr der vierten leitenden Muster anzuordnen, wie das in Fig. 2 gezeigt ist.For this purpose, will be in the dielectric duplexer of the present invention, when the load capacity is a set C1 to C3 staltungs- or the characteristic of the filter during the Ge to regulate production process, the length of each of the fourth conductive pattern 135 a d to 135 and fifth conductive pattern 145 is set. At this time, if only the single fourth conductive pattern is formed, the conductive pattern can adjust the load capacitance in accordance with the variation of the length of the electrode, but at the same time, the coupling capacitance between the resonance holes is varied so that the setting variables are increased who the and their coordination becomes difficult. Thus, there is a need to arrange a pair or more of the fourth conductive patterns, as shown in FIG. 2.

Somit werden ein Paar oder mehr der vierten leitenden Muster 135a bis 135d vorgesehen, und das Längeneinstellgebiet 147 ist in der Richtung angeordnet, daß die Erdelektroden der vierten leitenden Muster 135a bis 135d einander kreuzen, so daß die Variablen, die durch die Kapazitätskopplung zwischen den Resonanzlöchern verursacht wird, vermindert werden kann, um somit die Einstellung der Resonanzfrequenz in einfacher Art durchzuführen, was die Leistung der Frequenzeinstellope­ ration verbessert.Thus, a pair or more of the fourth conductive patterns 135 a to 135 d are provided, and the length adjustment region 147 is arranged in the direction that the ground electrodes of the fourth conductive patterns 135 a to 135 d cross each other so that the variables caused by the Capacitance coupling between the resonance holes is caused, can be reduced, so as to perform the adjustment of the resonance frequency in a simple manner, which improves the performance of the frequency adjustment operation.

Mittlerweile umfaßt das Empfangsfiltergebiet im dielektri­ schen Block 110 des dielektrischen Duplexerfilters die Reso­ nanzlöcher 130d bis 130g und das zweite leitende Muster 140, das in den Umgebungen der Resonanzlöcher 130d bis 130g ausge­ bildet ist. Das Empfangsfiltergebiet hat eine verminderte Lastkapazität, da die Durchlaßbandfrequenz des Empfangsgebie­ tes höher als die des Sendegebietes ist. Darüberhinaus sollte das Empfangsfiltergebiet ein Sperrband für eine niedrige Fre­ quenz innerhalb des Durchlaßbandes aufweisen, wenn es mit dem Sendegebiet verglichen wird. Zu dieser Zeit wird, wenn die Frequenz niedrig wird, die Viertelwellenlänge verlängert, um somit die Kopplung durch das Magnetfeld zwischen den Reso­ nanzlöchern 130d bis 130g zu erhöhen. Somit sollte, vergli­ chen mit dem Sendefiltergebiet, das Empfangsfiltergebiet die Kopplungskapazität erhöhen, um die Kopplungswirkung bei der niedrigen Frequenz zu versetzen, um somit den Dämpfungspol zu bilden. Fig. 4 zeigt das äquivalente Schaltungsdiagramm des Empfangsfiltergebietes des dielektrischen Blocks 110, in wel­ chem die elektrische Feldkopplung zwischen den Resonatoren r4 bis r7 vorherrscht, wenn die Kopplungskapazität zwischen den Resonatoren r4 bis r7 erhöht wird. Meanwhile, the reception filter area in the dielectric block 110 of the dielectric duplexer filter includes the resonance holes 130 d to 130 g and the second conductive pattern 140 , which is formed in the surroundings of the resonance holes 130 d to 130 g. The reception filter area has a reduced load capacity because the pass band frequency of the reception area is higher than that of the transmission area. In addition, the receive filter area should have a stop band for a low frequency within the pass band when compared to the transmit area. At this time, when the frequency becomes low, the quarter wavelength is extended so as to increase the coupling by the magnetic field between the resonance holes 130 d to 130 g. Thus, compared to the transmit filter area, the receive filter area should increase the coupling capacity to offset the coupling effect at the low frequency, thus forming the attenuation pole. FIG. 4 shows the equivalent circuit diagram of the receive filter area of the dielectric block 110 , in which the electric field coupling between the resonators r4 to r7 predominates when the coupling capacitance between the resonators r4 to r7 is increased.

Im Empfangsfiltergebiet der vorliegenden Erfindung dient das zweite leitende Muster 140, das auf dem unteren Teil der Re­ sonanzlöcher 130d bis 130g ausgebildet ist, das nicht mit der Erdelektrode auf der Seitenoberfläche des dielektrischen Blocks 110 verbunden werden soll, dazu, die Lastkapazität der Resonanzlöcher 130a bis 130g zu unterdrücken, und die Kopp­ lungskapazität zwischen den benachbarten Resonatoren und zwi­ schen den nicht nebeneinander liegenden Resonatoren gegensei­ tig zu erhöhen. Zusätzlich dient das dritte leitende Muster 141 im Empfangsfiltergebiet für eine Durchführung der Ein­ stellung der Resonanzfrequenz auf eine leichte Art.In the reception filter area of the present invention, the second conductive pattern 140 formed on the lower part of the resonance holes 130 d to 130 g that is not to be connected to the ground electrode on the side surface of the dielectric block 110 serves to load the resonance holes To suppress 130 a to 130 g, and to increase the coupling capacity between the adjacent resonators and between the non-adjacent resonators. In addition, the third conductive pattern 141 is used in the reception filter area for performing the setting of the resonance frequency in an easy manner.

Fig. 5 ist eine charakteristische Kurve des Sendefiltergebie­ tes des dielektrischen Duplexerfilters gemäß der vorliegenden Erfindung, und Fig. 6 ist eine charakteristische Kurve des Empfangsfiltergebietes des dielektrischen Duplexerfilters ge­ mäß der vorliegenden Erfindung. Wie in den Fig. 5 und 6 gezeigt ist, so wird im Sendefiltergebiet des dielektrischen Duplexerfilters das Dämpfungsverhältnis bei einer hohen Fre­ quenz im Durchlaßband erhalten, und im Empfangsfiltergebiet des dielektrischen Duplexerfilters, wird das Dämpfungsver­ hältnis bei der niedrigen Frequenz im Durchlaßband erhalten. Dies wird bewirkt durch die Einstellung der Länge der vierten leitenden Muster 135a bis 135d und des fünften leitenden Mu­ sters 145 im Sendefiltergebiet und durch die Einstellung der Länge der zweiten und dritten leitenden Muster 140 und 141. FIG. 5 is a characteristic curve of the transmission filter area of the dielectric duplexer filter according to the present invention, and FIG. 6 is a characteristic curve of the reception filter area of the dielectric duplexer filter according to the present invention. As shown in FIGS . 5 and 6, in the transmission filter area of the dielectric duplexer filter, the attenuation ratio is obtained at a high frequency in the pass band, and in the receive filter area of the dielectric duplexer filter, the attenuation ratio is obtained at the low frequency in the pass band. This is effected by adjusting the length of the fourth conductive patterns 135 a to 135 d and the fifth conductive pattern 145 in the transmission filter area and by adjusting the length of the second and third conductive patterns 140 and 141 .

Während die vorliegende Erfindung unter Bezug auf eine spezi­ elle Ausführungsform beschrieben wurde, so ist diese Be­ schreibung nur erläuternd und soll die Erfindung nicht ein­ schränken. Es können jedoch viele Modifikationen von Fachleu­ ten durchgeführt werden, ohne von der Idee und dem Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.While the present invention with reference to a speci elle embodiment has been described, this is Be only illustrative and should not be the invention restrict. However, many modifications can be made by those skilled in the art be carried out without the idea and scope of to deviate from the present invention.

Wie oben diskutiert wurde, kann ein dielektrisches Duplexer­ filter gemäß der vorliegenden Erfindung in leichter Weise ei­ ne Einstellung der Lastkapazität und der Kopplungskapazität für eine Vielzahl von Resonanzlöchern durch das Variieren der Länge eines vorbestimmten Teiles der Elektrode jedes vorbe­ stimmten Musters durchführen, und es kann insbesondere eine getrennte Einstellung für die Last- und die Kopplungskapazi­ tät durchführen, um somit die Steuerung des Frequenzbandes und der Resonanzfrequenz durchzuführen.As discussed above, a dielectric duplexer can filter according to the present invention in a simple manner ne Setting the load capacity and the coupling capacity for a variety of resonance holes by varying the  Length of a predetermined part of the electrode each past perform agreed pattern, and in particular it can be a separate setting for the load and coupling capacities perform the control of the frequency band and the resonance frequency.

Weiterhin kann ein dielektrisches Duplexerfilter gemäß der vorliegenden Erfindung eine Einstellung der Resonanzfrequenz auf eine einfache Art durchführen, um somit die Verbesserung der Produktproduktivität und des Kostensparens bei den Ge­ staltungs- und Herstellungsverfahren zu gewährleisten, was zu einer Verbesserung der kostenmäßigen Wettbewerbsmäßigkeit führt.Furthermore, a dielectric duplexer filter according to the present invention an adjustment of the resonance frequency perform in a simple way to improve product productivity and cost savings for Ge design and manufacturing processes to ensure what an improvement in cost competitiveness leads.

Claims (38)

1. Dielektrisches Duplexerfilter, umfassend:
einen dielektrischen Block, der erste und zweite Ober­ flächen, die zueinander zeigen, und eine zwischen den ersten und zweiten Oberflächen angeordnete Seitenoberfläche auf­ weist, wobei die zweiten Oberflächen und die Seitenoberflä­ chen im wesentlichen mit einem leitenden Material bedeckt sind;
ein erstes Filtergebiet, das mindestens einen Resonator hat, der mindestens ein Resonanzloch aufweist, das angeordnet ist, damit es durch die ersten und zweiten Oberflächen des dielektrischen Blocks in im wesentlichen paralleler Art hin­ durchgeht, und im wesentlichen mit dem leitenden Material auf seinem Inneren bedeckt ist, und für das Filtern eines ersten Eingabesignals;
ein zweites Filtergebiet, das mindestens einen Resonator aufweist, der mindestens ein Resonanzloch hat, das so ange­ ordnet ist, daß es durch die ersten und zweiten Oberflächen des dielektrischen Blockes in einer im wesentlichen paralle­ len Art hindurchgeht, und das im wesentlichen mit diesem lei­ tenden Material in seinem Inneren bedeckt ist, und für das Filtern eines zweiten Eingangssignals;
Eingabe/Ausgabe-Anschlüsse, wobei jeder ein Elektroden­ gebiet umfaßt, das gegenüber diesem leitenden Material auf der Seitenoberfläche des dielektrischen Blocks isoliert ist, und für das Ausbilden einer elektromagnetischen Kopplung mit dem Resonanzloch;
einen Antennenanschluß, der ein Elektrodengebiet auf­ weist, das gegenüber diesem leiten Material auf der Seiten­ oberfläche des dielektrischen Blockes isoliert ist und zwi­ schen den ersten und zweiten Filtergebieten des dielektri­ schen Blocks angeordnet ist, um somit eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonator zu bilden; und
mindestens ein erstes leitendes Muster, das auf der er­ sten Oberfläche des dielektrischen Blockes entlang der Anord­ nungsrichtung der Resonanzlöcher angeordnet ist, für das Ver­ stärken einer Kopplungskapazität zwischen benachbarten Reso­ natoren.
1. A dielectric duplexer filter comprising:
a dielectric block having first and second surfaces facing each other and a side surface disposed between the first and second surfaces, the second surfaces and the side surfaces being substantially covered with a conductive material;
a first filter region having at least one resonator having at least one resonance hole arranged to pass through the first and second surfaces of the dielectric block in a substantially parallel manner, and substantially covered with the conductive material on the inside thereof and for filtering a first input signal;
a second filter region having at least one resonator which has at least one resonance hole which is arranged so that it passes through the first and second surfaces of the dielectric block in a substantially parallel manner, and which essentially leads to this Material is covered in its interior, and for filtering a second input signal;
Input / output terminals, each comprising an electrode area insulated from this conductive material on the side surface of the dielectric block, and for forming an electromagnetic coupling with the resonance hole;
an antenna terminal having an electrode region which is insulated from this conductive material on the side surface of the dielectric block and is arranged between the first and second filter regions of the dielectric block so as to form an electromagnetic coupling with the resonator; and
at least one first conductive pattern, which is arranged on the first surface of the dielectric block along the arrangement direction of the resonance holes, for strengthening a coupling capacitance between adjacent resonators.
2. Filter nach Anspruch 1, wobei das erste leitende Muster auf zumindest dem oberen oder unteren Teil des Resonanzloches ausgebildet ist.2. The filter of claim 1, wherein the first conductive pattern on at least the upper or lower part of the resonance hole is trained. 3. Filter nach Anspruch 1, wobei das erste leitende Muster so ausgebildet ist, daß es sich durch die mindestens zwei Reso­ nanzlöcher erstreckt.3. The filter of claim 1, wherein the first conductive pattern is so is formed that it is the at least two Reso extends holes. 4. Filter nach Anspruch 3, wobei das erste leitende Muster so ausgebildet ist, daß es sich zu den Endteilen der mindestens zwei Resonanzlöcher erstreckt.4. The filter of claim 3, wherein the first conductive pattern is so is designed to be the end parts of the at least extends two resonance holes. 5. Filter nach Anspruch 1, wobei es weiter ein zweites lei­ tendes Muster umfaßt, das auf der ersten Oberfläche angeord­ net ist, um eine elektromagnetische Kopplung zwischen den Re­ sonatoren zu bilden.5. The filter of claim 1, further comprising a second lei includes pattern arranged on the first surface net is to an electromagnetic coupling between the Re form sonators. 6. Filter nach Anspruch 5, wobei das zweite leitende Muster mindestens ein leitendes Muster einschließt, das so angeord­ net ist, daß es eine vorbestimmte Größe in den Umgebungen des mindestens einen Resonanzloches der ersten Oberfläche auf­ weist, um somit mit dem leitenden Material verbunden zu wer­ den, das das Innere des mindestens einen Resonanzloches be­ deckt, für das Anwenden einer Lastkapazität auf den minde­ stens einen Resonator und einer elektromagnetischen Kopplung mit den benachbarten Resonatoren.6. The filter of claim 5, wherein the second conductive pattern includes at least one conductive pattern so arranged net is that there is a predetermined size in the surroundings of the at least one resonance hole of the first surface points so as to be connected to the conductive material the one that be the inside of the at least one resonance hole covers for applying a load capacity to the minde least a resonator and an electromagnetic coupling with the neighboring resonators. 7. Filter nach Anspruch 5, wobei das zweite leitende Muster mindestens ein leitendes Muster umfaßt, das zwischen den End­ teilen der Resonanzlöcher der ersten Oberfläche des dielek­ trischen Blocks für das Ausbilden der elektromagnetischen Kopplung mit den benachbarten Resonatoren angeordnet ist. 7. The filter of claim 5, wherein the second conductive pattern comprises at least one conductive pattern between the ends share the resonance holes of the first surface of the dielek trical blocks for the formation of the electromagnetic Coupling with the adjacent resonators is arranged.   8. Filter nach Anspruch 7, wobei das zweite leitende Muster mit dem leitenden Material auf der Seitenoberfläche des die­ lektrischen Blockes auf einem seiner Endteile verbunden ist.8. The filter of claim 7, wherein the second conductive pattern with the conductive material on the side surface of the electrical block is connected to one of its end parts. 9. Filter nach Anspruch 7, wobei das zweite leitende Muster mit dem leitenden Material auf der Seitenoberfläche des die­ lektrischen Blocks auf beiden Endteilen verbunden ist.9. The filter of claim 7, wherein the second conductive pattern with the conductive material on the side surface of the electric blocks is connected on both end parts. 10. Filter nach Anspruch 7, wobei das zweite leitende Muster mindestens zwei leitende Muster umfaßt, die so ausgebildet sind, daß sie sich in einer vorbestimmten Distanz zueinander zwischen den Endteilen der Resonanzlöcher gegenüberstehen, wobei jedes Muster mit dem leitenden Material auf der Seiten­ oberfläche des dielektrischen Blocks auf einem Endteil davon verbunden ist.10. The filter of claim 7, wherein the second conductive pattern comprises at least two conductive patterns so formed are that they are at a predetermined distance from each other face between the end parts of the resonance holes, each pattern with the conductive material on the sides surface of the dielectric block on an end part thereof connected is. 11. Filter nach Anspruch 7, wobei das zweite leitende Muster ein Längeneinstellgebiet umfaßt, das auf dessen Endteil ange­ ordnet ist, für das Einstellen einer elektromagnetischen Kopplung zwischen benachbarten Resonatoren, wenn dessen Länge eingestellt wird.11. The filter of claim 7, wherein the second conductive pattern includes a length setting area, which is on the end part is arranged for setting an electromagnetic Coupling between neighboring resonators if its length is set. 12. Filter nach Anspruch 7, wobei das zweite leitende Muster so ausgebildet ist, daß es mit dem ersten leitenden Muster integriert wird.12. The filter of claim 7, wherein the second conductive pattern is designed to match the first conductive pattern is integrated. 13. Filter nach Anspruch 1, wobei es weiter mindestens ein drittes leitendes Muster für das Einstellen einer Resonanz­ frequenz umfaßt, wobei dieses auf der ersten Oberfläche des dielektrischen Blocks für eine Einstellung einer Resonanzfre­ quenz des Resonators angeordnet ist.13. The filter of claim 1, wherein it is further at least one third conductive pattern for tuning a resonance frequency comprises, this on the first surface of the dielectric blocks for setting a resonance frequency sequence of the resonator is arranged. 14. Filter nach Anspruch 13, wobei das dritte leitende Muster so ausgebildet ist, daß es vom leitenden Material auf der Seitenoberfläche des dielektrischen Blockes auf den Endteil des Resonanzloches der ersten Oberfläche erstreckt wird. 14. The filter of claim 13, wherein the third conductive pattern is designed so that it from the conductive material on the Side surface of the dielectric block on the end part of the resonance hole of the first surface.   15. Filter nach Anspruch 13, wobei das dritte leitende Muster die Resonanzfrequenz durch das Einstellen eines Gebietes von ihm und einer Distanz zwischen dem Endteil des Resonanzloches und dem dritten leitenden Muster einstellt.15. The filter of claim 13, wherein the third conductive pattern the resonance frequency by setting an area of him and a distance between the end part of the resonance hole and the third conductive pattern. 16. Filter nach Anspruch 13, wobei das dritte leitende Muster so ausgebildet ist, daß es sich vom ersten leitenden Muster auf den Endteil des Resonanzloches der ersten Oberfläche er­ streckt.16. The filter of claim 13, wherein the third conductive pattern is designed to differ from the first conductive pattern on the end part of the resonance hole of the first surface stretches. 17. Filter nach Anspruch 13, wobei das dritte leitende Muster so ausgebildet ist, daß es vom ersten leitenden Muster auf die Seitenoberfläche des dielektrischen Blockes erstreckt wird.17. The filter of claim 13, wherein the third conductive pattern is designed to start from the first conductive pattern extends the side surface of the dielectric block becomes. 18. Filter nach Anspruch 1, wobei die Eingabe/Ausgabe-An­ schlüsse und der Antennenanschluß jeweils ein Längeneinstell­ gebiet umfassen, das auf jedem Endteil ausgebildet ist, für das Steuern der elektromagnetischen Kopplung mit dem Reso­ nanzloch.18. The filter of claim 1, wherein the input / output to conclusions and the antenna connection each have a length adjustment include area formed on each end portion for controlling the electromagnetic coupling with the Reso nanzloch. 19. Dielektrisches Duplexerfilter, umfassend:
einen dielektrischen Block, der erste und zweite Ober­ flächen, die zueinander zeigen, und eine zwischen den ersten und zweiten Oberflächen angeordnete Seitenoberfläche auf­ weist, wobei die zweiten Oberflächen und die Seitenoberflä­ chen im wesentlichen mit einem leitenden Material bedeckt sind;
eine Vielzahl von Resonanzlöchern, die im wesentlichen parallel angeordnet sind, um durch die ersten und zweiten Oberflächen des dielektrischen Blockes hindurchzugehen und die im wesentlichen mit dem leitenden Material auf ihren in­ neren Oberflächen bedeckt sind, wobei die Vielzahl von Reso­ nanzlöchern einen Resonator bilden;
Eingabe/Ausgabe-Anschlüsse, wobei jeder ein Elektroden­ gebiet umfaßt, das gegenüber diesem leitenden Material auf der Seitenoberfläche des dielektrischen Blocks isoliert ist, und für das Ausbilden einer elektromagnetischen Kopplung mit der Vielzahl von Resonanzlöchern; und
mindestens ein erstes leitendes Muster, das in einer vorbestimmten Distanz vom Endteil jedes Loches aus der Viel­ zahl der Resonanzlöcher auf der ersten Oberfläche des dielek­ trischen Blockes entlang der Anordnungsrichtung der Resonanz­ löcher angeordnet ist, für das Verstärken einer Kopplungska­ pazität zwischen benachbarten Resonatoren.
19. A dielectric duplexer filter comprising:
a dielectric block having first and second surfaces facing each other and a side surface disposed between the first and second surfaces, the second surfaces and the side surfaces being substantially covered with a conductive material;
a plurality of resonance holes arranged substantially in parallel to pass through the first and second surfaces of the dielectric block and substantially covered with the conductive material on their inner surfaces, the plurality of resonance holes forming a resonator;
Input / output terminals, each including an electrode area insulated from this conductive material on the side surface of the dielectric block, and for forming an electromagnetic coupling with the plurality of resonance holes; and
at least a first conductive pattern arranged at a predetermined distance from the end part of each hole from the plurality of resonance holes on the first surface of the dielectric block along the arrangement direction of the resonance holes for amplifying a coupling capacitance between adjacent resonators.
20. Dielektrisches Duplexerfilter, umfassend:
einen dielektrischen Block, der erste und zweite Ober­ fläche, die zueinander zeigen, und eine zwischen den ersten und zweiten Oberflächen angeordnete Seitenoberfläche auf­ weist, wobei die zweiten Oberflächen und die Seitenoberflä­ chen im wesentlichen mit einem leitenden Material bedeckt sind;
ein erstes Filtergebiet, das mindestens einen Resonator hat, der mindestens ein Resonanzloch aufweist, das angeordnet ist, damit es durch die ersten und zweiten Oberflächen des dielektrischen Blocks in im wesentlichen paralleler Art hin­ durchgeht, und im wesentlichen mit dem leitenden Material auf seinem Inneren bedeckt ist und für das Filtern eines ersten Eingabesignals;
ein zweites Filtergebiet, das mindestens einen Resonator aufweist, der mindestens ein Resonanzloch hat, das angeordnet ist, daß es durch die ersten und zweiten Oberflächen des die­ lektrischen Blockes in einer im wesentlichen parallelen Art hindurchgeht, und das im wesentlichen mit diesem leitenden Material in seinem Inneren bedeckt ist, und für das Filtern eines zweiten Eingangssignals;
Eingabe/Ausgabe-Anschlüsse, wobei jeder ein Elektroden­ gebiet umfaßt, das gegenüber diesem leitenden Material auf der Seitenoberfläche des dielektrischen Blocks isoliert ist, und für das Ausbilden einer elektromagnetischen Kopplung mit den Resonanzlöchern;
einen Antennenanschluß, der ein Elektrodengebiet auf­ weist, das gegenüber diesem leiten Material auf der Seiten­ oberfläche des dielektrischen Blockes isoliert ist und zwi­ schen den ersten und zweiten Filtergebieten des dielektri­ schen Blocks angeordnet ist, um somit eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonatoren zu bilden; und
mindestens ein erstes leitendes Muster, das auf der er­ sten Oberfläche des dielektrischen Blockes entlang der Anord­ nungsrichtung der Resonanzlöcher angeordnet ist, für das Ver­ stärken einer Kopplungskapazität zwischen benachbarten Reso­ natoren und für das Ausbilden einer Kreuzkopplungskapazität zwischen den nicht benachbarten Resonatoren.
20. A dielectric duplexer filter comprising:
a dielectric block having the first and second surfaces facing each other and a side surface disposed between the first and second surfaces, the second surfaces and the side surfaces being substantially covered with a conductive material;
a first filter region having at least one resonator having at least one resonance hole arranged to pass through the first and second surfaces of the dielectric block in a substantially parallel manner, and substantially covered with the conductive material on the inside thereof and for filtering a first input signal;
a second filter region having at least one resonator which has at least one resonance hole arranged to pass through the first and second surfaces of the dielectric block in a substantially parallel manner, and substantially with this conductive material in its Inside is covered, and for filtering a second input signal;
Input / output terminals, each including an electrode area insulated from this conductive material on the side surface of the dielectric block, and for forming an electromagnetic coupling with the resonance holes;
an antenna terminal which has an electrode region which is insulated from this conductive material on the side surface of the dielectric block and is arranged between the first and second filter regions of the dielectric block, so as to form an electromagnetic coupling with the resonators; and
at least one first conductive pattern, which is arranged on the first surface of the dielectric block along the arrangement direction of the resonance holes, for strengthening a coupling capacitance between adjacent resonators and for forming a cross-coupling capacitance between the non-adjacent resonators.
21. Filter nach Anspruch 20, wobei das erste leitende Muster auf zumindest einer der oberen oder unteren Teile des Reso­ nanzloches ausgebildet ist.21. The filter of claim 20, wherein the first conductive pattern on at least one of the top or bottom parts of the reso nanzloches is formed. 22. Filter nach Anspruch 20, wobei das erste leitende Muster so ausgebildet ist, daß es sich durch die mindestens drei Re­ sonanzlöcher erstreckt.22. The filter of claim 20, wherein the first conductive pattern is designed so that it is by the at least three Re stretches holes. 23. Filter nach Anspruch 22, wobei das erste leitende Muster so ausgebildet ist, daß es sich zu den Endteilen der minde­ stens drei Resonanzlöcher erstreckt.23. The filter of claim 22, wherein the first conductive pattern is designed so that it is the end of the mind extends at least three resonance holes. 24. Filter nach Anspruch 20, wobei es weiter ein zweites lei­ tendes Muster umfaßt, das auf der ersten Oberfläche angeord­ net ist, um eine elektromagnetische Kopplung zwischen den Re­ sonatoren zu bilden.24. The filter of claim 20, further comprising a second lei includes pattern arranged on the first surface net is to an electromagnetic coupling between the Re form sonators. 25. Filter nach Anspruch 24, wobei das zweite leitende Muster mindestens ein leitendes Muster einschließt, das so angeord­ net ist, daß es eine vorbestimmte Größe in den Umgebungen des mindestens einen Resonanzloches der ersten Oberfläche auf­ weist, um somit mit dem leitenden Material verbunden zu wer­ den, das das Innere des mindestens einen Resonanzloches be­ deckt, für das Anwenden einer Lastkapazität auf den minde­ stens einen Resonator und einer elektromagnetischen Kopplung zwischen benachbarten Resonatoren. 25. The filter of claim 24, wherein the second conductive pattern includes at least one conductive pattern so arranged net is that there is a predetermined size in the surroundings of the at least one resonance hole of the first surface points so as to be connected to the conductive material the one that be the inside of the at least one resonance hole covers for applying a load capacity to the minde least a resonator and an electromagnetic coupling between neighboring resonators.   26. Filter nach Anspruch 24, wobei das zweite leitende Muster mindestens ein leitendes Muster umfaßt, das zwischen den End­ teilen der Resonanzlöcher der ersten Oberfläche des dielek­ trischen Blocks für das Ausbilden der elektromagnetischen Kopplung zwischen den benachbarten Resonatoren angeordnet ist.26. The filter of claim 24, wherein the second conductive pattern comprises at least one conductive pattern between the ends share the resonance holes of the first surface of the dielek trical blocks for the formation of the electromagnetic Coupling arranged between the adjacent resonators is. 27. Filter nach Anspruch 26, wobei das zweite leitende Muster mit dem leitenden Material auf der Seitenoberfläche des die­ lektrischen Blockes auf einem seiner Endteile verbunden ist.27. The filter of claim 26, wherein the second conductive pattern with the conductive material on the side surface of the electrical block is connected to one of its end parts. 28. Filter nach Anspruch 26, wobei das zweite leitende Muster mit dem leitenden Material auf der Seitenoberfläche des die­ lektrischen Blocks auf beiden Endteilen verbunden ist.28. The filter of claim 26, wherein the second conductive pattern with the conductive material on the side surface of the electric blocks is connected on both end parts. 29. Filter nach Anspruch 26, wobei das zweite leitende Muster mindestens zwei leitende Muster umfaßt, die so ausgebildet sind, daß sie sich in einer vorbestimmten Distanz zueinander zwischen den Endteilen der Resonanzlöcher gegenüberstehen, wobei jedes der Muster mit dem leitenden Material der Seiten­ oberfläche des dielektrischen Blockes auf einem Endteil davon verbunden ist.29. The filter of claim 26, wherein the second conductive pattern comprises at least two conductive patterns so formed are that they are at a predetermined distance from each other face between the end parts of the resonance holes, each of the patterns with the conductive material of the sides surface of the dielectric block on an end part thereof connected is. 30. Filter nach Anspruch 26, wobei das zweite leitende Muster ein Längeneinstellgebiet umfaßt, das auf dessen Endteil ange­ ordnet ist, für das Einstellen einer elektromagnetischen Kopplung zwischen benachbarten Resonatoren, wenn deren Länge eingestellt wird.30. The filter of claim 26, wherein the second conductive pattern includes a length setting area, which is on the end part is arranged for setting an electromagnetic Coupling between neighboring resonators if their length is set. 31. Filter nach Anspruch 26, wobei das zweite leitende Muster so ausgebildet ist, daß es mit dem ersten leitenden Muster integriert wird.31. The filter of claim 26, wherein the second conductive pattern is designed to match the first conductive pattern is integrated. 32. Filter nach Anspruch 20, wobei es weiter mindestens ein drittes leitendes Muster umfaßt, für das Einstellen einer Re­ sonanzfrequenz, die auf der ersten Oberfläche des dielektri­ schen Blockes angeordnet ist, für das Einstellen einer Reso­ nanzfrequenz des Resonators. 32. The filter of claim 20, wherein it is further at least one third conductive pattern, for setting a re resonance frequency that is on the first surface of the dielectri block is arranged for setting a Reso frequency of the resonator.   33. Filter nach Anspruch 32, wobei das dritte leitende Muster so ausgebildet wird, daß es vom leitenden Material auf der Seitenoberfläche des dielektrischen Blocks auf den Endteil des Resonanzloches der ersten Oberfläche erstreckt wird.33. The filter of claim 32, wherein the third conductive pattern is designed so that it from the conductive material on the Side surface of the dielectric block on the end part of the resonance hole of the first surface. 34. Filter nach Anspruch 32, wobei das dritte leitende Muster die Resonanzfrequenz durch das Einstellen eines Gebietes von ihm und einer Distanz zwischen den Endteilen des Resonanzlo­ ches und dem dritten leitenden Muster einstellt.34. The filter of claim 32, wherein the third conductive pattern the resonance frequency by setting an area of him and a distance between the end parts of the resonance loop ches and the third conductive pattern. 35. Filter nach Anspruch 32, wobei das dritte leitende Muster so ausgebildet ist, daß es sich vom ersten leitenden Muster auf den Endteil des Resonanzloches der ersten Oberfläche er­ streckt.35. The filter of claim 32, wherein the third conductive pattern is designed to differ from the first conductive pattern on the end part of the resonance hole of the first surface stretches. 36. Filter nach Anspruch 32, wobei das dritte leitende Muster so ausgebildet ist, daß es vom ersten leitenden Muster zur Seitenoberfläche des dielektrischen Blocks erstreckt wird.36. The filter of claim 32, wherein the third conductive pattern is formed so that it from the first conductive pattern to Side surface of the dielectric block is extended. 37. Filter nach Anspruch 20, wobei die Eingabe/Ausgabe-An­ schlüsse und der Antennenanschluß jeweils ein Längeneinstell­ gebiet umfassen, das auf jedem Endteil von ihnen ausgebildet ist, für das Steuern der elektromagnetischen Kopplung mit dem Resonanzloch.37. The filter of claim 20, wherein the input / output to conclusions and the antenna connection each have a length adjustment include area that is formed on each end portion of them is for controlling the electromagnetic coupling with the Resonance hole. 38. Dielektrisches Duplexerfilter, umfassend:
einen dielektrischen Block, der erste und zweite Ober­ flächen, die einander gegenüberliegen, und eine zwischen den ersten und zweiten Oberflächen angeordnete Seitenoberfläche umfaßt, wobei die zweiten Oberflächen und Seitenoberflächen im wesentlichen mit einem leitenden Material bedeckt sind;
eine Vielzahl von Resonanzlöchern, die im wesentlichen parallel angeordnet sind, um durch die ersten und zweiten Oberflächen des dielektrischen Blockes hindurchzugehen, und die im wesentlichen mit dem leitenden Material auf ihren in­ neren Oberflächen bedeckt sind, wobei jedes der Resonanzlö­ cher einen Resonator bildet;
Eingabe/Ausgabe-Anschlüsse, die jeweils ein Elektroden­ gebiet haben, das vom leitenden Material auf der Seitenober­ fläche des dielektrischen Blockes isoliert ist, und für das Ausbilden einer elektromagnetischen Kopplung mit der Vielzahl von Resonanzlöchern; und
mindestens ein erstes leitendes Muster, das in einer vorbestimmten Distanz vom Endteil jeder der Resonanzlöcher auf der ersten Oberfläche des dielektrischen Blockes entlang der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher angeordnet ist, für das Verstärken einer Kopplungskapazität zwischen den benach­ barten Resonatoren und für das Ausbilden einer Kreuzkopp­ lungskapazität zwischen den nicht benachbarten Resonatoren.
38. A dielectric duplexer filter comprising:
a dielectric block having first and second surfaces opposed to each other and a side surface disposed between the first and second surfaces, the second surfaces and side surfaces being substantially covered with a conductive material;
a plurality of resonance holes arranged substantially in parallel to pass through the first and second surfaces of the dielectric block and substantially covered with the conductive material on their inner surfaces, each of the resonance holes forming a resonator;
Input / output terminals each having an electrode area insulated from the conductive material on the side surface of the dielectric block and for forming electromagnetic coupling with the plurality of resonance holes; and
at least a first conductive pattern, which is arranged at a predetermined distance from the end part of each of the resonance holes on the first surface of the dielectric block along the arrangement direction of the resonance holes, for strengthening a coupling capacitance between the adjacent resonators and for forming a cross-coupling capacitance between the not adjacent resonators.
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