KR100257601B1 - 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되며, 일측 상부에 형성된 드레인 패드를 갖는 제1 금속층, 제2 금속층 및 제3 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스의 상부에 서로 평행한 2쌍의 직사각형 형상의 암들이 서로 연결된 'ㅁ' 자의 형상을 갖는 지지층, 하부 전극, 변형층 및 상부 전극을 형성한다. 하부 전극과 제1 금속층의 드레인 패드를 연결하는 제1 비어 컨택 그리고 상부 전극과 제3 금속층의 상부를 연결하는 제2 비어 컨택 및 제3 비어 컨택을 형성한다. 상부 전극의 상부에 포스트 및 거울을 형성한다. 거울의 면적이 확대되어 거울에 의하여 반사되는 광의 광효율을 증가시킬 수 있으며, 상부 전극을 제3 금속층에 접지시켜 상부 전극의 저항을 감소시킬 수 있다.

Description

박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법
본 발명은 AMA(Actuated Mirror Array)를 이용한 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액츄에이터의 상부에 형성되는 거울의 면적을 확대함으로써 거울에 의하여 반사되는 광의 광효율을 증가시켜 스크린에 투영되는 화상의 화질을 향상시킬 수 있으며, 상부 전극의 저항을 감소시켜 상부 전극과 하부 전극 사이에 안정적인 전기장을 발생시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
광학 에너지(optical energy)를 스크린 상에 투영하기 위한 장치인 공간적인 광 변조기(spatial light modulator)는 광통신, 화상 처리 및 정보 디스플레이 장치와 같은 다양한 분야에 응용될 수 있다. 이러한 광로 조절 장치 또는 공간적 광 변조기를 이용한 화상 처리 장치는 통상적으로 광학 에너지를 스크린 상에 표시하는 방법에 따라 직시형 화상 표시 장치(direct-view image display device)와 투사형 화상 표시 장치(projection-type image display device)로 구분된다.
직시형 화상 표시 장치의 예로서는 CRT(Cathode Ray Tube)를 들 수 있는데, 이러한 CRT 장치는 소위 브라운관으로 불리는 것으로서 화질은 우수하나 화면의 대형화에 따라 그 중량과 용적이 증가하여 제조 비용이 상승하게 되는 문제가 있다. 투사형 화상 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : LCD), DMD(Deformable Mirror Device), 및 AMA를 들 수 있다. 이러한 투사형 화상 표시 장치는 다시 그들의 광학적 특성에 따라 2개의 그룹으로 나뉠 수 있다. 즉, LCD와 같은 장치는 전송 광 변조기(transmissive spatial light modulators)로 분류될 수 있는데 반하여, DMD 및 AMA는 반사 광 변조기(reflective spatial light modulators)로 분류될 수 있다.
LCD와 같은 전송 광 변조기는 광학적 구조가 매우 간단하므로, 얇게 형성하여 중량을 가볍게 할 수 있으며 용적을 줄이는 것이 가능하다. 그러나, 빛의 극성으로 인하여 광효율이 낮으며, 액정 재료에 고유하게 존재하는 문제, 예를 들면 응답 속도가 느리고 그 내부가 과열되기 쉬운 단점이 있다. 또한, 현존하는 전송 광 변조기의 최대 광효율은 1 내지 2 % 범위로 한정되며, 수용 가능한 디스플레이 품질을 제공하기 위해서 암실 조건을 필요로 한다. 따라서, 상술한 문제점들을 해결하기 위하여 DMD 및 AMA와 같은 광 변조기가 개발되었다.
DMD는 5％ 정도의 비교적 양호한 광효율을 나타내지만, DMD에 채용된 힌지 구조물에 의해서 심각한 피로 문제가 발생할 뿐만 아니라, 매우 복잡하고 값비싼 구동 회로가 요구된다는 단점이 있다. AMA는 그 내부에 설치된 각각의 거울들이 광원으로부터 입사되는 빛을 소정의 각도로 반사하고, 반사된 빛이 슬릿(slit)이나 핀홀(pinhole)과 같은 개구(aperture)를 통과하여 스크린에 투영되어 화상을 맺도록 광속을 조절할 수 있는 장치이다. 따라서, 그 구조와 동작 원리가 간단하며, LCD나 DMD에 비해 높은 광효율(10% 이상)을 얻을 수 있다. 또한, 스크린에 투영되는 화상의 콘트라스트(contrast)가 향상되어 보다 밝고 선명한 화상을 얻을 수 있다.
AMA의 각 액츄에이터는 인가되는 전기적인 화상 신호 및 바이어스 신호에 의하여 발생되는 전기장에 따라 변형을 일으킨다. 액츄에이터가 변형을 일으킬 때 그 상부에 장착된 각각의 거울들이 경사지게 된다. 따라서, 경사진 거울들은 입사된 빛을 소정의 각도로 반사시켜 스크린 상에 화상을 맺을 수 있도록 한다. 각각의 거울들을 구동하는 액츄에이터로서 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 또는 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti)O3) 등의 압전 물질이 이용된다. 또한, PMN(Pb(Mg, Nb)O3) 등의 전왜 물질로서 액츄에이터를 구성할 수도 있다.
이러한 AMA 장치는 크게 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다. 벌크형 광로 조절 장치는 Gregory Um 등에게 허여된 미합중국 특허 제5,085,497호에 개시되어 있다. 벌크형 광로 조절 장치는 다층 세라믹을 얇게 절단하여 내부에 금속 전극이 형성된 세라믹 웨이퍼를 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(active matrix)에 장착한 후, 쏘잉 방법을 이용하여 가공하고 그 상부에 거울을 설치함으로써 이루어진다. 그러나, 벌크형 광로 조절 장치는 설계 및 제조에 있어서 매우 높은 정밀도가 요구되며, 변형층의 응답이 느리다는 단점이 있다.
이에 따라, 반도체 제조 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형 광로 조절 장치가 개발되었다. 상기 박막형 광로 조절 장치는 본 출원인이 1997년 8월 29일 대한민국 특허청에 특허 출원한 특허 출원 제97-42369호(발명의 명칭: 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법)에 개시되어 있다.
도 1은 본 출원인의 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 평면도를 도시한 것이며, 도 2는 도 1에 도시한 장치를 A­A' 선으로 자른 단면도를 도시한 것이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 상기 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(1)와 액티브 매트릭스(1)의 상부에 형성된 액츄에이터(80) 및 거울(75)을 포함한다.
내부에 M×N(M, N은 정수) 개의 MOS 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(1)는, 트랜지스터의 드레인 영역으로부터 연장되는 드레인 패드를 포함하는 제1 금속층(5), 제1 금속층의 상부에 형성된 제1 보호층(10), 제1 보호층의 상부에 형성된 제2 금속층(15), 제2 금속층의 상부에 형성된 제2 보호층(20), 제2 보호층의 상부에 형성된 식각 방지층(25)을 포함한다.
액츄에이터(80)는 식각 방지층(25) 중 아래에 드레인 패드가 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭(90)을 개재하여 액티브 매트릭스(1)의 하부와 평행하게 형성된 단면을 가지는 지지층(35), 지지층의 상부에 적층된 하부 전극(40), 하부 전극의 상부에 적층된 변형층(45), 변형층의 상부에 적층된 상부 전극(50), 변형층(45)의 일측으로부터 변형층(45), 하부 전극(40), 지지층(35), 식각 방지층(25), 제2 보호층(20) 및 제1 보호층(10)을 통하여 제1 금속층(5)의 드레인 패드까지 수직하게 형성된 비어 홀(65)의 내부에 형성된 비어 컨택(70)을 포함한다.
또한, 지지층(35)은 양측 지지부로부터 평행하게 형성된 2개의 직사각형 형상의 암(arm)들의 사이에 사각형 형상의 평판이 동일 평면상에서 상기 암들과 일체로 형성되어 있는 형상을 갖는다. 지지층(35)의 사각형 형상의 평판의 상부에는 거울(75)이 형성된다. 따라서, 거울(75)은 사각형 모양의 평판의 형상을 갖는다.
이하, 상기 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 설명한다.
내부에 M×N 개의 MOS 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(1)의 상부에 제1 금속층(5)을 형성한다. 제1 금속층(5)은 텅스텐, 티타늄, 그리고 질화티타늄 등으로 구성되며, 트랜지스터의 드레인 영역으로부터 액츄에이터(80)의 지지부까지 연장되는 드레인 패드를 포함한다. 외부로부터 인가된 제1 신호는 액티브 매트릭스(1)에 내장된 MOS 트랜지스터 및 제1 금속층(5)의 드레인 패드를 통하여 하부 전극(40)에 전달된다.
액티브 매트릭스(1) 및 드레인 패드를 포함하는 제1 금속층(5)의 상부에는 인 실리케이트 유리(Phosphor-Silicate Glass : PSG)를 사용하여 제1 보호층(10)이 형성된다. 제1 보호층(10)은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition：CVD) 방법을 이용하여 형성한다. 제1 보호층(10)은 후속하는 공정 동안 트랜지스터 및 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스(1)가 손상되는 것을 방지한다.
제1 보호층(10)의 상부에는 제2 금속층(15)이 형성된다. 제2 금속층(15)은 티타늄을 스퍼터링하여 형성한 티타늄층 및 티타늄층의 상부에 질화티타늄을 물리 기상 증착 방법(PVD)을 이용하여 형성한 질화티타늄층을 포함한다. 제2 금속층(15)은 광원으로부터 입사되는 광속이 반사층인 상부 전극(50) 뿐만 아니라, 상부 전극(50)이 형성된 부분을 제외한 부분에도 입사됨으로 인하여, 액티브 매트릭스(1)에 광전류가 흐르게 되는 것을 차단한다.
제2 금속층(15)의 상부에는 제2 보호층(20)이 적층된다. 제2 보호층(20)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 사용하여 형성한다. 제2 보호층(20)은 후속하는 공정 동안 액티브 매트릭스(1)에 내장된 트랜지스터 및 액티브 매트릭스(1) 상에 형성된 결과물들이 손상을 입게 되는 것을 방지한다.
제2 보호층(20)의 상부에는 식각 방지층(25)이 적층된다. 식각 방지층(25)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 형성한다. 식각 방지층(25)은 액티브 매트릭스(1) 및 제2 보호층(20)이 후속하는 식각 공정 동안 식각되는 것을 방지한다.
식각 방지층(25)의 상부에는 희생층이 적층된다. 희생층은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(APCVD) 방법으로 형성한다. 이 경우, 희생층은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(1)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 희생층의 표면을 스핀 온 글래스(SOG)를 사용하는 방법, 또는 CMP 방법을 이용하여 상부를 연마함으로써 평탄화시킨다. 이어서, 액츄에이터(80)의 지지부가 형성될 위치를 고려하여 희생층 중 아래에 제1 금속층(5)의 드레인 패드가 형성된 부분을 패터닝하여 식각 방지층(25)의 일부를 노출시킨다.
노출된 식각 방지층(25)의 상부 및 희생층의 상부에 제1층을 적층한다. 제1층은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 형성한다. 제1층은 후에 지지층(35)으로 패터닝된다.
제1층의 상부에는 전기 전도성이 우수한 금속인 백금, 탄탈륨, 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속을 사용하여 하부 전극층을 형성한다. 하부 전극층은 스퍼터링 방법을 이용하여 형성한다. 하부 전극층은 후에 하부 전극(40)으로 패터닝된다.
하부 전극층의 상부에는 제2층이 적층된다. 제2층은 PZT, 또는 PLZT 등의 압전 물질을 사용하여 형성한다. 제2층은 졸-겔(Sol-Gel)법, 스퍼터링 방법, 또는 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 형성한 후, 급속 열처리(RTA) 방법으로 열처리하여 상변이시킨다. 제2층은 후에 변형층(45)으로 패터닝된다.
제2층의 상부에는 상부 전극층이 적층된다. 상부 전극층은 백금, 알루미늄, 또는 은 등의 전기 전도성 및 반사성을 갖는 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 형성한다. 이어서, 상부 전극층이 거울상의‘ㄷ’자의 형상을 가지도록 패터닝하여 상부 전극(50)을 형성한다. 상부 전극(50)에는 공통 전극선(도시되지 않음)을 통하여 제2 신호(바이어스 신호)가 인가된다.
계속하여, 제2층이 상부 전극(50)보다 약간 넓은 거울상의‘ㄷ’자의 형상을 갖도록 패터닝하여 변형층(45)을 형성한다. 마찬가지로 하부 전극층을 변형층(45)보다 약간 넓은 거울상의‘ㄷ’자의 형상을 갖도록 패터닝하여 하부 전극(40)을 형성한다.
변형층(45), 하부 전극(40), 제1층, 식각 방지층(25), 제2 보호층(20) 및 제2 금속층(15)을 식각하여 제1 보호층(10)을 노출시킨다. 제1 금속층이 노출된 결과물 전면에 절연층을 적층한 후, 블랭킷 에치(blanket etch)를 수행하여 스페이서(60)를 형성한다. 이어서, 제1 보호층(10)을 식각하여 형성한 비어 홀(65)의 내부에 텅스텐, 백금 또는 탄탈륨 등의 금속을 사용하여 리프트-오프를 실시하여 하부 전극(40)과 제1 금속층(5)의 드레인 패드를 전기적으로 연결시키는 비어 컨택(70)을 형성한다.
패터닝된 하부 전극(40) 및 비어 홀(65)의 상부에 제1 포토레지스트(도시되지 않음)를 스핀 코팅 방법으로 도포한 후, 제1층의 양측 지지부로부터 연장된 부분은 하부 전극(40) 보다 약간 넓은 직사각형의 형상을 가지며, 이와 일체로 형성된 제1층의 중앙부는 사각형 형상의 평판으로 형성되도록 패터닝하여 지지층(35)을 형성한 후 제1 포토레지스트를 식각하여 제거한다.
상기와 같이 제1층이 패터닝된 결과 노출된 희생층의 상부 및 지지층(35)의 상부에 제2 포토레지스트(도시되지 않음)를 스핀 코팅 방법으로 도포한 후, 지지층(35) 중 중앙부인 사각형 형상의 평판이 노출되도록 패터닝한다. 이어서, 사각형 형상의 노출된 지지층(35)의 상부에 은, 백금 또는 알루미늄 등의 금속을 스퍼터링한 후, 사각형 형상의 노출된 지지층(35)의 형상과 동일한 형상을 갖도록 패터닝하여 거울(75)을 형성한다. 계속하여, 제2 포토레지스트 및 희생층을 식각한 후, 세정(rinse) 및 건조(dry)하여 M×N 개의 AMA 소자를 완성한다.
상술한 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 상부 전극(50)에는 외부로부터 인가된 제2 신호가 인가된다. 동시에 외부로부터 인가된 제1 신호는 액티브 매트릭스(1)에 내장된 트랜지스터와 드레인 패드 및 비어 컨택(70)을 통하여 하부 전극(40)에 인가된다. 따라서, 상부 전극(50)과 하부 전극(40) 사이에 전기장이 발생하며, 이 전기장에 의하여 상부 전극(50)과 하부 전극(40) 사이의 변형층(45)이 변형을 일으킨다. 변형층(45)은 발생한 전기장에 대하여 직교하는 방향으로 수축하며, 변형층(45) 및 지지층(35)을 포함하는 액츄에이터(80)는 소정의 각도를 가지고 휘어진다. 광원으로부터 입사되는 광속을 반사하는 거울(75)은 지지층(35)의 상부에 형성되어 있으므로 액츄에이터(80)와 같은 각도로 휘어진다. 이에 따라, 거울(75)은 입사되는 광속을 소정의 각도로 반사하며, 반사된 광속은 슬릿을 통과하여 스크린에 투영되어 화상을 맺게 된다.
그러나, 상술한 박막형 광로 조절 장치에서는 거울이 액츄에이터가 형성된 부분을 제외한 지지층의 상부에만 형성되므로, 거울의 면적이 축소되어 거울에 의하여 반사되는 광의 광효율이 감소되는 문제점이 있다.
또한, 상부 전극에는 공통 전극선을 통하여 제2 신호가 인가되는데 공통 전극선은 매우 얇게 형성되기 때문에 그 내부 저항으로 인하여 전압 강하가 일어나 입력단으로부터 상대적으로 떨어져 있는 상부 전극에는 충분한 제2 신호를 인가시키지 못한다. 따라서, 상부 전극 및 하부 전극 사이에 정확한 전기장을 발생시키기 어렵고, 인가된 신호가 오픈(open)되기 쉬운 문제점이 있다.
더욱이 상부 전극들이 연결된 공통 전극선은 그 공통 전극선이 해당되는 열(column)에 위치하는 모든 상부 전극들에 전압을 인가하기 때문에 공통 전극선에 결함(defect)이 발생할 경우, 그 공통 전극선이 해당되는 열에 위치한 모든 상부 전극들에 제2 신호를 인가하지 못하게 되어 그 열에 위치한 소자들을 사용할 수 없는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 액츄에이터의 상부에 형성되는 거울의 면적을 확대함으로써 거울에 의하여 반사되는 광의 광효율을 증가시켜 스크린에 투영되는 화상의 화질을 향상시킬 수 있으며, 상부 전극의 저항을 감소시켜 상부 전극과 하부 전극 사이에 안정적인 전기장을 발생시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 출원인의 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 장치를 A­A′선으로 자른 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치 중 지지층의 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 장치를 B­B′선으로 자른 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시한 장치를 C­C′선으로 자른 단면도이다.
도 6a 내지 도 8b는 도 3에 도시한 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9는 도 3에 도시한 장치의 등가 회로도의 일례를 도시한 것이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 액티브 매트릭스 155 : 제1 금속층
160 : 제1 보호층 165 : 제2 금속층
170 : 제2 보호층 171 : 제3 금속층
172 : 제3 보호층 175 : 식각 방지층
180 : 제1 희생층 190 : 지지층
195 : 하부 전극 200 : 변형층
205 : 상부 전극 215 : 제1 비어 컨택
216 : 제2 비어 컨택 217 : 제3 비어 컨택
220 : 액츄에이터 230 : 포스트
235 : 거울 240 : 에어 갭
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되고 일측 상부에 형성된 드레인 패드를 갖는 제1 금속층, 제1 금속층의 상부에 형성된 제2 금속층 및 제2 금속층의 상부에 형성된 제3 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스, 액티브 매트릭스의 상부에 형성된 액츄에이터 및 액츄에이터의 상부에 형성된 거울을 포함하는 박막형 광로 조절 장치를 제공한다.
액츄에이터는 ⅰ) 서로 수직하는 방향으로 평행하게 형성된 두 쌍의 직사각형 형상의 암(arm)들이 일체로 연결된 'ㅁ' 자의 형상을 가지는 지지층, 하부 전극, 변형층 및 상부 전극, ⅱ) 암들 중 하나의 중앙에 형성되며 하부 전극과 제1 금속층의 드레인 패드를 전기적으로 연결하는 제1 비어 컨택, 및 ⅲ) 제1 비어 컨택이 형성되어 있는 암의 연장된 양측 부분에 형성되며 상부 전극과 제3 금속층의 상부를 전기적으로 연결하는 제2 비어 컨택 및 제3 비어 컨택을 포함한다. 액츄에이터의 상부에는 포스트 및 포스트에 의해 중앙부가 지지되는 거울이 형성된다.
상술한 또다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되고 일측 상부에 형성된 드레인 패드를 갖는 제1 금속층, 제1 금속층의 상부에 형성된 제2 금속층, 및 제2 금속층의 상부에 형성된 제3 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스를 구비한 후, 액티브 매트릭스의 상부에 액츄에이터 및 거울을 형성하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.
액츄에이터를 형성하기 위하여, 먼저 액티브 매트릭스의 상부에 제1층을 형성한 후, 제1층을 서로 평행한 2쌍의 직사각형 형상의 암들이 서로 연결된 'ㅁ' 자의 형상으로 패터닝하여 지지층을 형성한다. 지지층의 상부에 하부 전극층, 제2층 및 상부 전극층을 형성한다. 상부 전극층을 지지층에 비하여 같거나 좁은 'ㅁ' 자의 형상으로 패터닝하여 상부 전극을 형성하고, 제2층을 상부 전극에 비하여 같거나 넓은 'ㅁ' 자의 형상으로 패터닝하여 변형층을 형성한다. 하부 전극층을 변형층에 비하여 같거나 넓은 'ㅁ' 자의 형상으로 패터닝하여 하부 전극을 형성한다. 하부 전극과 제1 금속층의 드레인 패드를 전기적으로 연결하는 제1 비어 컨택을 형성한다. 또한, 상부 전극과 제3 금속층의 상부를 전기적으로 연결하는 제2 비어 컨택 및 제3 비어 컨택을 형성한다. 이어서, 액츄에이터의 상부에 포스트를 형성한 후 포스트에 의해 중앙부가 지지되는 거울을 형성한다.
본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 의하면, 거울이 액츄에이터의 전면의 상부에 형성되므로 종래에 비하여 거울의 면적이 확대된다. 따라서, 거울에 의하여 반사되는 광의 광효율을 증가시켜 스크린에 투영되는 화상의 화질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상부 전극을 제2 비어 컨택 및 제3 비어 컨택을 통하여 제3 금속층에 접지시킴으로써 상부 전극의 저항을 감소시켜 상부 전극과 하부 전극 사이에 안정적인 전기장을 발생시킬 수 있다.
더욱이 액츄에이터의 앵커로 인하여 형성되는 단차 경계면을 액츄에이터의 길이 방향에 대하여 수직인 방향으로 형성함으로써 변형 응력이 단차 경계면에 집중된다 하더라도 액츄에이터에 큰 영향을 미치지 않게 되어 액츄에이터의 초기 기울어짐이 발생되는 것을 억제할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치 중 지지층의 평면도를 도시한 것이고, 도 4는 도 3에 도시한 장치를 B­B′선으로 자른 단면도를 도시한 것이며, 도 5는 도 3에 도시한 장치를 C­C′선으로 자른 단면도를 도시한 것이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(100)와 액티브 매트릭스(100)의 상부에 형성된 액츄에이터(220) 및 거울(235)을 포함한다.
M×N 개의 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장된 액티브 매트릭스(100)는, 트랜지스터의 드레인 및 소스의 상부와 액티브 매트릭스(100)의 상부에 형성된 제1 금속층(155), 제1 금속층의 상부에 형성된 제1 보호층(160), 제1 보호층의 상부에 형성된 제2 금속층(165), 제2 금속층의 상부에 형성된 제2 보호층(170), 제2 보호층의 상부에 형성된 식각 방지층(175)을 포함한다. 제1 금속층(155)은 트랜지스터의 드레인으로부터 연장되며 제1 신호를 전달하기 위한 드레인 패드를 포함한다. 제2 금속층(165)은 티타늄으로 이루어진 티타늄층 및 질화티타늄으로 이루어진 질화티타늄층을 포함한다.
액츄에이터(220)는 식각 방지층(175) 중 아래에 드레인 패드가 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭(240)을 개재하여 액티브 매트릭스(100)의 하부와 평행하게 형성된 단면을 가지는 지지층(190), 지지층의 상부에 적층된 하부 전극(195), 하부 전극의 상부에 적층된 변형층(200), 및 변형층의 상부에 적층된 상부 전극(205)을 포함한다.
지지층(190), 하부 전극(195), 변형층(200) 및 상부 전극(205)으로 구성된 액츄에이터(220)는 서로 수직하는 방향으로 평행하게 형성된 두 쌍의 직사각형 형상의 암(arm)들이 일체로 연결된 'ㅁ' 자의 형상을 가진다.
암들 중 하나의 중앙에는 변형층(200)의 일측으로부터 변형층(200), 하부 전극(195), 지지층(190), 식각 방지층(175), 제2 보호층(170) 및 제1 보호층(160)을 통하여 제1 금속층(155)의 드레인 패드까지 수직하게 형성된 제1 비어 홀(210)의 내부에 형성된 제1 비어 컨택(215)이 형성된다. 또한, 제1 비어 컨택(215)이 형성되어 있는 암의 양측은 직사각형 형상으로 더 연장되어 있으며, 연장된 양측 부분에는 상부 전극(205)의 일측으로부터 상부 전극(205), 변형층(200), 지지층(190), 식각 방지층(175), 및 제3 보호층(172)을 통하여 제3 금속층(171)의 상부까지 수직하게 제2 비어 홀(211) 및 제3 비어 홀(212)이 형성된다. 제2 비어 홀(211) 및 제3 비어 홀(212)의 내부에는 제2 비어 컨택(216) 및 제3 비어 컨택(217)이 형성된다.
4개의 암들 중 제1 비어 컨택(215)이 형성된 암과 평행하게 형성된 암의 중앙부에는 거울을 지지하기 위한 포스트(230)가 형성되어 있으며, 포스트(230)에 의해 중앙부가 지지되는 사각형의 평판 형상의 거울(235)이 형성된다.
지지층(190)은 상기 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 멤브레인의 기능을 수행한다.
이하, 본 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 6a 내지 도 8b는 도 3 내지 도 5에 도시한 장치의 제조 공정도를 설명하기 위한 단면도들이다. 도 6a 내지 도 8b에 있어서, 도 3 내지 도 5와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 내부에 M×N 개의 MOS 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(100)의 상부에 제1 금속층(155)을 형성한다. 액티브 매트릭스(100)는 실리콘(Si) 등의 반도체로 이루어지거나 유리 또는 알루미나(Al2O3) 등의 절연 물질로 구성된다. 제1 금속층(155)은 텅스텐, 티타늄, 그리고 질화티타늄 등으로 구성되며, 트랜지스터의 드레인 영역으로부터 액츄에이터(220)의 지지부인 앵커(anchor)까지 연장되는 드레인 패드를 포함한다. 외부로부터 인가된 제1 신호는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 MOS 트랜지스터 및 제1 금속층(155)의 드레인 패드를 통하여 하부 전극(195)에 전달된다.
액티브 매트릭스(100) 및 드레인 패드를 포함하는 제1 금속층(155)의 상부에는 인 실리케이트 유리(Phosphor-Silicate Glass : PSG)를 사용하여 제1 보호층(160)이 형성된다. 제1 보호층은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition：CVD) 방법을 이용하여 8000∼9000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 제1 보호층(160)은 후속하는 공정 동안 트랜지스터 및 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스(100)가 손상되는 것을 방지한다.
제1 보호층(160)의 상부에는 제2 금속층(165)이 형성된다. 제2 금속층은 티타늄을 스퍼터링하여 300Å 정도의 두께로 형성한 티타늄층 및 티타늄층의 상부에 질화티타늄을 물리 기상 증착 방법(PVD)을 사용하여 1200Å 정도의 두께를 갖도록 형성한 질화티타늄층을 포함한다. 제2 금속층(165)은 광원으로부터 입사되는 빛이 반사층인 상부 전극(205) 뿐만 아니라, 상부 전극(205)이 형성된 부분을 제외한 부분에도 입사됨으로 인하여, 액티브 매트릭스(100)에 광전류가 흐르게 되는 것을 차단한다. 제2 금속층(165) 중 후속 공정에서 제1 비어 컨택(215)이 형성될 부분을 패터닝하여 홀(hole)을 형성한다.
제2 금속층(165)의 상부에는 제2 보호층(170)이 적층된다. 제2 보호층(170)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 사용하여 2000∼2500Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 제2 보호층(170)은 후속하는 공정 동안 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터 및 액티브 매트릭스(100) 상에 형성된 상기 결과물들이 손상을 입게 되는 것을 방지한다.
제2 보호층(170)의 상부에는 제3 금속층(171)이 적층된다. 제3 금속층(171)은 전기 전도성이 우수한 금속, 예를 들면 백금, 탄탈륨, 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속을 스퍼터링하여 형성한다. 제3 금속층(171)은 이후에 형성될 제2 비어 컨택(216) 및 제3 비어 컨택(217)을 통하여 상부 전극(205)에 연결된다. 제3 금속층(171) 중 후속 공정에서 제1 비어 컨택(215)이 형성될 부분을 패터닝하여 홀(hole)을 형성한다.
제3 금속층(171)의 상부에는 제3 보호층(172)이 형성된다. 제3 보호층(172)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 사용하여 2000∼2500Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 제3 보호층(172)은 후속하는 공정 동안 제3 금속층(171)을 보호한다.
제3 보호층(172)의 상부에는 식각 방지층(175)이 적층된다. 식각 방지층(175)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 1000∼2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 식각 방지층(175)은 액티브 매트릭스(100) 및 제2 보호층(170)이 후속하는 식각 공정 동안 식각되는 것을 방지한다.
식각 방지층(175)의 상부에는 제1 희생층(180)이 적층된다. 제1 희생층(180)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(APCVD) 방법으로 2．0∼3．3㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 또는 폴리 실리콘(Poly-Si)을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법으로 2．0∼3．3㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이 경우, 제1 희생층(180)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(100)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 제1 희생층(180)의 표면을 스핀 온 글래스(SOG)를 사용하는 방법, 또는 CMP 방법을 이용하여 상부를 연마함으로써 평탄화시킨다. 이어서, 제1 희생층(180) 중 아래에 제1 금속층(155)의 드레인 패드가 형성된 부분을 사각형의 형상으로 패터닝하여 식각 방지층(175)의 일부를 노출시킴으로써 액츄에이터(220)의 지지부인 제1 앵커(185)를 형성한다. 이와 동시에 제1 앵커(185)의 양측을 사각형의 형상으로 패터닝하여 식각 방지층(175)의 일부를 노출시킴으로써 제2 앵커(186) 및 제3 앵커(187)를 형성한다.
종래에는 액츄에이터의 앵커를 액츄에이터와 나란한 방향으로 형성하였다. 이 때, 액츄에이터의 구동부 쪽의 단차 경계면(도 2의 'D' 부분)을 따라 후속하여 액츄에이터를 구성하는 박막들을 적층하는 동안 'D' 부분에 변형 응력이 집중되어 제1 신호가 인가되지 않은 상태에서도 액츄에이터가 초기 기울어짐 각도 및 초기 변형량을 갖게 되는 문제점이 있었다.
최근에는 액츄에이터를 'T' 자의 형상을 가지도록 형성하고, 단차 경계면이 액츄에이터의 길이 방향에 대하여 수직인 방향이 되도록 액츄에이터의 앵커를 액츄에이터의 양측에 각각 하나씩을 형성하는 방법이 제안되었다. 그러나, 상술한 방법을 본 발명의 'ㅁ' 자 형상의 액츄에이터에 적용하기 위해서는 충분한 면적의 확보가 필수적이지만, 픽셀의 소형화에 따라 액츄에이터의 양측에 앵커를 각기 형성하기 위한 면적을 확보하기는 어렵다. 따라서, 본 발명에서는 제1 앵커(185), 제2 앵커(186) 및 제3 앵커(187)의 3개의 앵커를 형성하고 이중에서 제1 앵커(185)를 공통 앵커로 사용함으로써, 좁은 면적 내에서도 안정적으로 액츄에이터를 형성할 수 있으며 액츄에이터의 초기 기울어짐을 현저하게 줄일 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 노출된 식각 방지층(175)의 상부 및 제1 희생층(180)의 상부에 제1층(189)을 적층한다. 제1층(189)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 결과물의 상부에 제1 포토레지스트(도시되지 않음)를 스핀 코팅 방법으로 도포한 후, 제1층(189)이 'ㅁ’자의 형상을 가지도록 패터닝하여 지지층(190)을 형성한다. 지지층(190) 중 후속 공정에서 제1 비어 컨택(215)이 형성될 부분의 양측은 직사각형 형상으로 더 연장되도록 패터닝된다. 이어서, 제1 포토레지스트를 제거한다.
지지층(190)의 상부에는 전기 전도성이 우수한 금속인 백금, 탄탈륨, 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속을 사용하여 하부 전극층을 형성한다. 하부 전극층은 스퍼터링 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 하부 전극층은 후에 하부 전극(195)으로 패터닝된다. 하부 전극(195)에는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터를 통하여 전달된 제1 신호가 인가된다. 하부 전극층 중 후속 공정에서 제2 비어 컨택(216) 및 제3 비어 컨택(217)이 형성될 부분을 패터닝하여 홀(hole)을 형성한다.
하부 전극층의 상부에는 제2층이 적층된다. 제2층은 PZT, 또는 PLZT 등의 압전 물질을 사용하여 0．1∼1．0㎛, 바람직하게는 0．4㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 제2층은 졸-겔(Sol-Gel)법, 스퍼터링 방법, 또는 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 형성한 후, 급속 열처리(RTA) 방법으로 열처리하여 상변이시킨다. 제2층은 후에 변형층으로 패터닝된다.
제2층의 상부에는 상부 전극층이 적층된다. 상부 전극층은 백금, 알루미늄, 또는 은 등의 전기 전도성 및 반사성을 갖는 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다.
상부 전극층의 상부에 제2 포토레지스트(도시되지 않음)를 스핀 코팅(spin coating) 방법으로 도포한 후, 상부 전극층이 지지층(190)과 동일한 형상을 가지며 지지층(190)에 비하여 같거나 약간 좁은 형상을 가지도록 패터닝하여 상부 전극(205)을 형성한다.
제2 포토레지스트를 제거한 후, 상부 전극(205) 및 제2층의 상부에 제3 포토레지스트(도시되지 않음)를 스핀 코팅 방법으로 도포한 후, 제2층이 상부 전극(205)과 동일한 형상을 가지며 상부 전극(205)에 비하여 같거나 약간 넓은 형상을 갖도록 패터닝하여 변형층(200)을 형성한다. 계속하여, 제3 포토레지스트를 제거한 후, 상부 전극(205), 변형층(200) 및 하부 전극층의 상부에 제4 포토레지스트(도시되지 않음)를 스핀 코팅 방법으로 도포한 후, 하부 전극층을 변형층(200)과 동일한 형상을 가지며 변형층(200)에 비하여 같거나 약간 넓은 형상을 갖도록 패터닝하여 하부 전극(195)을 형성한다.
변형층(200) 중 아래에 제1 앵커(185)가 형성된 부분으로부터 변형층(200), 하부 전극(195), 지지층(190), 식각 방지층(175), 제3 보호층(172), 제2 보호층(170) 및 제1 보호층(160)을 식각하여 제1 비어 홀(210)을 형성한다. 또한, 상부 전극(205) 중 아래에 제2 앵커(186) 및 제3 앵커(187)가 형성된 부분으로부터 상부 전극(205), 변형층(200), 지지층(190), 식각 방지층(175), 및 제3 보호층(172)을 식각하여 제2 비어 홀(211) 및 제3 비어 홀(212)을 형성한다.
계속하여 제1 비어 홀(210)의 내부에 텅스텐, 백금 또는 탄탈륨 등의 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 하부 전극(195)과 제1 금속층(155)의 드레인 패드를 전기적으로 연결시키는 제1 비어 컨택(215)을 형성한다. 또한, 제2 비어 홀(211) 및 제3 비어 홀(212)의 내부에도 텅스텐, 백금 또는 탄탈륨 등의 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 상부 전극(205)과 제3 금속층(171)을 전기적으로 연결시키는 제2 비어 컨택(216) 및 제3 비어 컨택(217)을 형성한 후, 제4 포토레지스트를 제거한다.
외부로부터 인가된 제1 신호(화상 신호)는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터, 제1 금속층(155)의 드레인 패드 및 제1 비어 컨택(215)을 통하여 하부 전극(195)에 인가된다. 또한, 상부 전극(205)은 제3 금속층(171)에 접지되므로 상부 전극(205)에는 0V의 전압이 인가되어 상부 전극(205)과 하부 전극(195) 사이의 전위차에 의해 전기장이 발생한다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 액츄에이터(220)의 상부에 유동성이 우수한 폴리머 등을 사용하여 제2 희생층을 형성한다. 제2 희생층은 상부 전극(205)을 완전히 덮도록 스핀 코팅 방법을 사용하여 형성한다. 제2 희생층을 패터닝하여 상부 전극(205)의 일측을 노출시킨 후, 노출된 상부 전극(205)의 일측 및 제2 희생층의 상부에 반사성을 갖는 금속인 알루미늄, 백금, 또는 은 등을 사용하여 포스트(230) 및 거울(235)을 동시에 형성한다. 포스트(230) 및 거울(235)은 스퍼터링 방법, 화학 기상 증착 방법, 또는 전자-빔 이베포레이션(electron-beam evaporation) 방법을 사용하여 형성한다. 바람직하게는, 광원(도시되지 않음)으로부터 입사되는 광을 반사하는 거울(235)은 1．0∼3．0㎛ 정도의 두께를 갖는다. 이어서, 거울(235)이 사각형의 형상을 갖도록 패터닝한 후, 제1 희생층 및 제2 희생층을 산소 플라즈마(plasma)를 사용하여 동시에 제거하고, 세정 및 건조하여 박막형 광로 조절 장치를 완성한다.
상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 외부로부터 전달된 제1 신호는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터, 제1 금속층(155)의 드레인 패드 및 제1 비어 컨택(215)을 통해 하부 전극(195)에 인가된다. 동시에, 상부 전극(205)은 제3 금속층(171)에 접지되므로 0V의 전압이 인가되어 상부 전극(205)과 하부 전극(195) 사이에 전위차에 따른 전기장이 발생하게 된다. 이러한 전기장에 의하여 상부 전극(205)과 하부 전극(195) 사이에 형성된 변형층(200)이 변형을 일으킨다. 변형층(200)은 전기장에 대하여 직교하는 방향으로 수축하게 되며, 이에 따라 액츄에이터(220)는 소정의 각도로 휘게 된다. 거울(235)은 액츄에이터(220)의 상부에 형성되어 있으므로 액츄에이터(220)와 같은 각도를 가지고 틸팅된다. 그러므로, 거울(235)은 광원으로부터 입사되는 빛을 소정의 각도로 반사하며, 반사된 빛은 슬릿을 통과하여 스크린에 투영되어 화상을 맺게 된다.
본 발명에서는 하부 전극(195)을 제1 비어 컨택(215)을 통하여 드레인 패드와 연결하고, 상부 전극(205)을 제2 비어 컨택(216) 및 제3 비어 컨택(217)을 통하여 제3 금속층(171)에 접지시켰다. 그러나, 액티브 매트릭스에 내장된 M×N 개의 MOS 트랜지스터들에 있어서 하나 또는 그 이상의 트랜지스터의 불량이 야기될 수 있으므로 차후에는 하나의 화소에 두 개의 트랜지스터가 연결된 구조를 형성할 필요가 있다. 이러한 경우 본 발명에서와 같은 구조의 액츄에이터를 형성한 후, 도 9에 도시한 바와 같이 상부 전극(205)을 제1 비어 컨택(215)을 통하여 제3 금속층(171)에 접지시킨다. 하부 전극(195)은 제2 비어 컨택(216)을 통하여 제1 트랜지스터의 제1 드레인과 연결시키고 제3 비어 컨택(217)을 통하여 제2 트랜지스터의 제2 드레인과 연결시킨다. 따라서, 제1 또는 제2 MOS 트랜지스터가 제조 공정 상의 여러 요소로 인하여 동작하지 않을 경우, 제2 또는 제1 MOS 트랜지스터에 의해 액츄에이터를 구동시킬 수 있으므로 AMA 소자의 포인트-결함 또는 라인-결함의 수를 현저하게 줄일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의한 박막형 광로 조절 장치에 의하면, 거울이 지지층의 상부에만 형성되는 것이 아니라 액츄에이터의 전면의 상부에 형성되므로 종래에 비하여 거울의 면적이 확대된다. 따라서, 거울에 의하여 반사되는 광의 광효율을 증가시켜 스크린에 투영되는 화상의 화질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상부 전극을 제2 비어 컨택 및 제3 비어 컨택을 통하여 제3 금속층에 접지시킴으로써 상부 전극의 저항을 감소시켜 상부 전극과 하부 전극 사이에 안정적인 전기장을 발생시킬 수 있다.
더욱이, 액츄에이터의 앵커를 액츄에이터의 양측에 형성하였으므로 액츄에이터의 단차 경계면이 액츄에이터의 길이 방향에 대하여 수직인 방향으로 형성된다. 따라서, 변형 응력이 단차 경계면에 집중된다 하더라도 액츄에이터의 구동에 큰 영향을 미치지 않게 되어 액츄에이터의 초기 기울어짐이 발생되는 것을 억제할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (3)

  1. M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되고 일측 상부에 형성된 드레인 패드를 갖는 제1 금속층(155), 제1 금속층(155)의 상부에 형성된 제2 금속층(165), 및 제2 금속층(165)의 상부에 형성된 제3 금속층(171)을 포함하는 액티브 매트릭스(100);
    상기 액티브 매트릭스(100)의 상부에, ⅰ) 서로 수직하는 방향으로 평행하게 형성된 두 쌍의 직사각형 형상의 암(arm)들이 일체로 연결된 'ㅁ' 자의 형상을 가지는 지지층(190), 하부 전극(195), 변형층(200) 및 상부 전극(205), ⅱ) 상기 암들 중 하나의 중앙에 형성되며 상기 하부 전극(195)과 상기 제1 금속층(155)의 드레인 패드를 전기적으로 연결하는 제1 비어 컨택(215), 및 ⅲ) 상기 제1 비어 컨택(215)이 형성되어 있는 암의 연장된 양측 부분에 형성되며 상기 상부 전극(205)과 상기 제3 금속층(171)의 상부를 전기적으로 연결하는 제2 비어 컨택(216) 및 제3 비어 컨택(217)을 포함하는 액츄에이터(220);
    상기 액츄에이터(220)의 상부에 형성된 포스트(230) 및 상기 포스트(230)에 의해 중앙부가 지지되는 거울(235)을 포함하는 박막형 광로 조절 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포스트(230)는 상기 액츄에이터(220)를 구성하는 암들 중 제1 비어 컨택(215)이 형성된 암과 평행하게 형성된 암의 중앙 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
  3. M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되고 일측 상부에 형성된 드레인 패드를 갖는 제1 금속층, 제1 금속층의 상부에 형성된 제2 금속층, 및 제2 금속층의 상부에 형성된 제3 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스를 제공하는 단계;
    ⅰ) 상기 액티브 매트릭스의 상부에 제1층을 형성한 후, 제1층을 서로 평행한 2쌍의 직사각형 형상의 암들이 서로 연결된 'ㅁ' 자의 형상으로 패터닝하여 지지층을 형성하는 단계, ⅱ) 상기 지지층의 상부에 하부 전극층, 제2층 및 상부 전극층을 형성하는 단계, ⅲ) 상기 상부 전극층을 상기 지지층에 비하여 같거나 좁은 'ㅁ' 자의 형상으로 패터닝하여 상부 전극을 형성하는 단계, ⅳ) 상기 제2층을 상기 상부 전극에 비하여 같거나 넓은 'ㅁ' 자의 형상으로 패터닝하여 변형층을 형성하는 단계, ⅴ) 상기 하부 전극층을 상기 변형층에 비하여 같거나 넓은 'ㅁ' 자의 형상으로 패터닝하여 하부 전극을 형성하는 단계, ⅵ) 상기 하부 전극과 상기 제1 금속층의 드레인 패드를 전기적으로 연결하는 제1 비어 컨택을 형성하는 단계, 및 ⅶ) 상기 상부 전극과 상기 제3 금속층의 상부를 전기적으로 연결하는 제2 비어 컨택 및 제3 비어 컨택을 형성하는 단계를 포함하는 액츄에이터를 형성하는 단계; 그리고
    상기 액츄에이터의 상부에 포스트 및 거울을 형성하는 단계를 포함하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
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