KR100251672B1 - 플라즈마 씨브이디장치 - Google Patents

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KR100251672B1 KR1019970055350A KR19970055350A KR100251672B1 KR 100251672 B1 KR100251672 B1 KR 100251672B1 KR 1019970055350 A KR1019970055350 A KR 1019970055350A KR 19970055350 A KR19970055350 A KR 19970055350A KR 100251672 B1 KR100251672 B1 KR 100251672B1
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켄타로 쇼
마사시 가사야
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오타 유다카
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Abstract

케이싱(2)은 베이스부(10)와 복수의 후드부(21)를 가지고 있다. 베이스부(10)의 내부공간이 연락공간(15)이 되고, 후드부(21)의 내부공간이 반응공간(25)이 된다. 전극(5)이 베이스부(10)의 아래벽(11)을 관통하여, 연락공간(15)을 지나 윗쪽으로 뻗어있고, 그 상단부가 반응공간(25)에 임하고 있다. 연락공간(15)에서, 전극(5)은 도전성 차폐통(25)에 의하여 둘러싸여 있다. 공작물(W)은 반응공간(25)내에서 전극(5)에 지지되어 있다. 각 전극(5)에는 고주파전원(41)으로부터 고주파전력이 공급된다. 반응공간(25)의 사이에서는 충분히 넓은 연락공간(15)을 통하여 플라즈마의 이동(플라즈마 방전의 전파)가 가능하다.

Description

플라즈마 씨브이디장치
본 발명은 공작물에 피막을 형성하기 위한 플라즈마 CVD장치에 관한 것이다.
플라즈마 CVD, 즉 플라즈마를 이용한 화학증착은 비교적 낮은 온도, 예를 들면 실온에서 공작물에 피막을 형성할 수 있는 방법으로서 최근 주목되고 있다. 이 플라즈마 CVD를 실행하는 장치는 예를 들면 일본국 특개 평5-1311448호 공보에 개시되어 있다. 이 장치에서는 진공조의 내부공간이 쇠그물로 복수로 분할되어 있다. 분할된 각각의 공간은 진공조의 벽과 쇠그물로 둘러싸여 있고, 반응공간으로서 제공된다. 진공조와 쇠그물은 접지되어 있다. 상기 각 반응공간에는 평판형상의 전극이 수용되어 있다. 이들 전극은 각각 인피이던스 매칭회로를 통하여 고주파 전원에 접속되어 있다. 전극의 윗면에는 공작물이 얹혀진다. 이 반응공간내에 공급된 반응가스의 일부는 전극과 반응공간을 구획형성하는 벽(진공조의 벽과 쇠그물로 구성됨)과의 사이에 발행하는 고주파 전계에 의하여 플라즈마가 되고, 이 플라즈마중 －이온 즉 전자가 이 고주파전계에 의하여 심하게 운동한다. 그 결과, 반응가스의 일부가 분해되어 라디칼이 발생한다. 플라즈마중 ＋이온은 임피이던스 매칭회로의 바이어스기능에 의거하여 공작물을 향하여 진행하고, 이 ＋이온에 따라 라디칼도 같은 방향으로 진행한다. 그 결과, 공작물의 표면에 피막이 형성된다.
상기 일본국 특개 평5-311448호 공보에 개시된 장치에서는 복수의 공작물을 복수의 좁은 반응공간에 각각 수용하고, 반응공간마다 플라즈마를 발생시켜 공작물에 피막을 형성하도록 하고 있기 때문에 넓은 반응공간에 복수의 공작물을 수용하는 장치에 비하여 전력에너지가 작아도 된다.
그러나, 상기 일본국 특개 평5-311448호에 개시된 장치에서는, 일부의 반응공간에서 플라즈마가 발생하지 않는 경우가 있고, 이 반응공간에 수용된 공작물에 피막을 형성할 수 없는 경우가 있다. 또, 모든 반응공간에서 플라즈마 동시에 발생하지 않는 경우가 있고, 고주파전력의 공급을 동시에 정지하였을 때, 뒤늣게 플라즈마가 발생한 반응공간의 공작물과 빨리 플라즈마가 발생한 반응공간의 공작물에서는 피막두께가 달라지게 되어, 피막을 균등하게 형성할 수 없는 경우가 있다. 그리고, 복수의 반응공간을 간막이하는 쇠그물은 공기를 통과시키나, 플라즈마의 전파를 허용하지 않는다.
또, 독일특허 공개 DE 1960263 A1(대응하는 미국특허출원 08/590471호)의 도 7, 도 8에 개시된 본 출원인의 장치는 본원 발명의 장치와 비슷하다. 그러나, 복수의 반응공간을 연락하는 통로는 반응공간을 진공흡인하기 위한 통로인데, 매우 좁아 플라즈마를 전파할 수 없다.
본 발명의 목적은 적은 소비전력으로 복수의 공작물에 두께가 균일한 피막을 형성할 수 있는 플라즈마 CVD장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 1실시예의 원주형상 공작물에 피막을 형성하기 위한 플라즈마 CVD장치를 도시한 종단면도.
도 2는 도 1중 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 동장치의 평단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 진공조 W : 공작물
2 : 케이싱 3 : 진공펌프
5 : 전극 6 : 관
7 : 가스봄베 10 : 베이스부
11 : 윗벽(제1벽) 11a : 개구
12 : 아래벽(제2벽) 13 : 둘레벽
15 : 내부공간(연락공간) 16 : 부착통
17 : 가스빼는 창(눈으로 볼수 있는 창)
20 : 후드어셈블리 21 : 후드부
22 : 원통 23 : 컵
24 : 연결판 25 : 내부공간(반응공간)
26 : 도입이음매 30 : 절연판
31 : 도전판 35 : 도전성 차폐통
40 : 임피이던스 매칭회로(바이어스수단)
41 : 고주파전원 42 : 인덕턴스
43 : 전압계
본 발명의 요지는 복수의 반응공간을 연락통로로 연락하고, 이 연락통로를 플라즈마의 전파가 가능할 정도로 충분히 넓게 한 플라즈마 CVD장치에 있다. 보다 구체적으로는 접지된 케이싱을 베이스부와 이 베이스부에 설치된 복수의 후드부로 구성하고, 베이스부의 내부공간을 연락공간으로서 제공하고, 후드부의 내부공간을 반응공간으로서 제공한다. 고주파전력을 받는 전극이 상기 연락공간을 지나 상기 반응공간까지 뻗어있다. 상기 연락공간에 있어서 상기 전극은 도전성의 차폐통으로 덮여있다.
(실시예)
도 1 및 도 2에는 본 발명의 1실시예의 플라즈마 CVD장치가 도시되어 있다. 이 플라즈마 CVD장치는 대략 원주형상의 공작물(W)에 피막을 형성하기 위한 것이다. 이 공작물(W)은 도전성이든 비도전성이든 상관없다. 이 공작물(W)의 하단면(W1)이 후술하는 전극(5)에 접하는 접촉면이 되고, 둘레면(W2)과 상단면(W3)이 피막형성 대상면이 된다.
상기 장치는 진공조(1)와, 이 진공조(1)내에 수용된 케이싱(2)과, 케이싱(2)내에 배치된 전극(5)을 구비하고 있다. 진공조(1)에는 진공펌프(3)가 접속되어 있다.
상기 케이싱(2)과 전극(5)은 동이나 스테인레스로 된 도전성의 재료에 의하여 형성되어 있다. 케이싱(2)은 편평한 원반형상으로 된 속이 비어 있는 베이스부(10)와, 이 베이스부(10)의 윗면에 붙이고 떼기 가능하게 부착되는 후드어셈블리(20)를 구비하고 있다.
상기 베이스부(10)는 수평으로 된 원판형상의 윗벽(11)(제1벽) 및 아래벽(12)(제2벽)과, 양자의 둘레 가장자리를 이어지는 원통형상의 둘레벽(13)으로 구성되어 있다. 베이스부(10)의 내부공간(15)은 본 발명의 중요한 특징부인 연락공간으로서 제공되어 있다. 윗벽(11)에는 4개의 개구(11a)가 형성되어 있다. 이들 4개의 개구(11a)는 베이스부(10)의 중심으로부터 등거리 떨어져 있고, 둘레방향으로 같은 간격으로 형성되어 있다. 윗벽(11)의 윗면에는 각 개구(11a)의 둘레 가장자리와 일치하는 부착통(16)이 고정되어 있다. 둘레벽(13)에는 각 개구(11a)의 근방위치에 다수의 가는구멍으로 된 가스빼는 창(17)(눈으로 볼수 있는 창)이 형성되어 있다. 진공조(1)에서는 복수의 가스빼는 창(17)의 하나에 대응한 개소가 투명재료에 의하여 형성되어 눈으로 볼수 있는 창(도시생략)으로 되어 있다.
상기 후드 어셈블리(20)는 복수, 예를 들면 4개의 후드부(21)와, 이들 후드부(21)의 상단을 연결하는 원판형상의 수평의 연결판(24)을 구비하고 있다. 후드부(21)는 원통(22)과, 이 원통(22)의 상단개구에 부착되어 내면이 대략 반구면으로 된 컵(23)으로 구성되어 있다. 후드부(21)의 내부공간(25)이 반응공간으로서 제공된다. 이들 4개의 반응공간(25)은 베이스부(10)의 연락공간(15)을 통하여 서로 연이어 통하고 있다. 후드어셈블리(20)는 후드부(21)의 원통(22)의 하단부를 상기 부착통(16)에 끼움으로써 베이스부(10)에 붙이고 떼기 가능하게 장착된다.
상기 케이싱(2)의 연결판(24)은 접지되어 있고, 이에 의하여 케이싱(2)은 제로전위에 유지되어 있다.
상기 연결판(24)에는 4개의 가스도입 이음매(26)가 부착되어 있고, 각각 후드부(21)의 상단에 연이어져 있다. 이들 가스도입 이음매(26)는 진공조(1)를 관통하는 관(6)을 통하여 가스봄베(7)(가스공급수단)에 접속되어 있다.
상기 베이스부(10)의 아래벽(12)의 하면에는 절연판(30)을 통하여 도전판(31)이 부착되어 있다. 도전판(31)의 윗면에는 4개의 전극(5)이 수직으로 세워져서 고정되어 있다. 이 전극(5)은 공작물(W)과 대략 같은 직경의 원주형상으로 되어 있고, 아래벽(12)과 절연판(30)에 형성된 구멍(12a, 30a)을 지나 케이싱(2)내에 돌출되어 있다. 즉, 전극(5)는 연락공간(15)을 지나 윗쪽으로 뻗어, 그 상단부는 반응공간(25)내에 임하고 있다. 그리고, 이 전극(5)이 하벽(12)과는 전기적 절연상태에 있고, 나아가서는 케이싱(2)과 전기적 절연상태에 있다.
아래벽(12)의 윗면에는 구멍(12a)의 둘레 가장자리와 일치하는 원통형상의 도전성 차폐통(35)이 수직으로 세워진 상태로 고정되어 있다. 이 차폐통(35)은 연락공간(15)내에서 전극(5)을 둘러싸고, 그 상단은 반응공간(25)에서 부착통(16)보다 약간 윗쪽에 위치하고 있다. 전극(5)의 상단부는 이 부착통(16)보다도 더 윗쪽에 돌출하여 반응공간(25)에 들어가 있다. 그리고, 이 차폐통(35)은 전극(5)으로부터 직경방향으로 떨어져 있고, 전기적 절연상태에 있다. 상기 전극(5), 차폐통(35), 후드부(21)의 원통(22)은 동심을 이루고 있다.
상기 도전판(31)은 임피이던스 매칭회로(40)(바이어스수단)을 통하여 고주파전원(41)에 접속되어 있다. 또 도전판(31)에는 인덕턴스(42)를 통하여 전압계(43)가 접속되어 있고, 도전판(31)의 중심전위, 나아가서는 전극(5)의 중심전위를 검출할 수 있도록 되어 있다. 인덕턴스(42)와 전압계(43)에 의하여 중심전위 검출수단이 구성되어 있다.
상기 구성으로 된 장치에 의하여, 공작물(W)에 비정질 탄소의 피막을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
먼저, 후드어셈블리(20)를 베이스부(10)로부터 떼어낸 상태에서 4개의 전극(5)의 상단면에 각각 공작물(W)을 얹고 위치결정한다. 이 공작물(W)의 위치결정 상태에 있어서, 공작물(W)의 하단면(W1)과 전극(5)의 상단면이 실질적으로 일치하고, 그 결과, 공작물(W)의 둘레면(W2)은 전극(5)의 둘레면과 한면으로 되어 있다.
상기 공작물(W)의 부착후에, 후드어셈블리(20)를 베이스부(10)에 부착한다. 이 상태에서 공작물(W)의 둘레면(W2)에 대하여 후드부(21)의 원통(22)이 전둘레에 걸쳐 같은 거리만큼 떨어져서 평행으로 대치하고 있다.
상기 후드어셈블리(20)의 부착후에 진공조(1)를 닫고, 진공펌프(3)를 구동함과 동시에, 가스봄베(7)로부터 반응가스를 공급한다. 이 반응가스는 가스도입 이음매(26)로부터 후드부(21)의 반응공간(25)으로 들어간다. 그리고, 연락공간(15)을 거쳐 가스빼는 창(17)으로부터 진공조(1)내에 배출된다. 이 상태에서 고주파전원(41)으로부터 임피이던스 매칭회로(40), 도전판(31)을 통하여 전극(5)에 고주파전력을 공급한다.
상기 고주파전력에 의하여 반응공간(25)내의 가스의 일부가 플라즈마로된다. 최초에는 플라즈마의 －이온 즉, 전자가 고주파전계에 의하여 주로 케이싱(2)과 전극(5), 공작물(W)에 이른다. 케이싱(2)에 달한 전자는 접지로 빠져나가고, 공작물(W), 전극(5)에 달한 전자는 도전판(31)을 지나 임피이던스 매칭회로(41)의 콘덴서에 축적된다. 그 결과, 공작물(W)과 전극(5)의 중심전위는 －가 되어, 후술하는 ＋이온을 끌어당긴다(자기 바이어스). 그리고, 공작물(W)의 중심전위레벨은 －의 일정레벨에 달하여 안정된다.
상기 전극(5) 및 공작물(W)의 근방에서는 중심전위레벨이 －의 소정의 한계값보다 낮기 때문에, 플라즈마가 발생하지 않는다. 또, 케이싱(2)의 전위는 접지레벨이기 때문에, 이 케이싱(2)의 근방에서도 플라즈마가 발생하지 않는다. 그리고, 이 플라즈마가 발생하지 않는 영역을 플라즈마 시이스영역이라고 한다.
플라즈마는 플라즈마 시이즈영역을 제외한 반응공간(25)에서 발생한다. 또 주로 플라즈마속의 전자의 심한 운동에 의하여 가스의 일부가 분해되어 라디칼이 발생한다.
상기 플라즈마의 ＋이온은 공작물(W) 근방에 생긴 전위레벨의 경사에 의하여 공작물(W)을 향하여 진행하여, 이들에 충돌한다. 이때, 라디칼도 ＋이온의 흐름에 따라 진행하여 공작물(W)에 충돌한다. 이들 ＋이온 및 라디칼의 충돌에 의하여 공작물(W)의 면(W2, W3)에 피막이 형성된다.
상술한 바와 같이, 4개의 비교적 좁은 반응공간(25)에 고주파전력을 집중적으로 공급하여 플라즈마를 가두어 넣어 공작물(W)의 피막을 형성할 수 있어, 적은 전력소비로 피막을 형성할 수 있어서 생산성이 높다. 또한 모든 공작물(W)을 동일한 형상의 후드부(21)내에 수용하여, 동일 조건으로 피막을 형성하므로, 각 공작물(W)의 피막의 두께와 부착강도가 균일하다.
특히, 본 실시예에서는 각 공작물(W)의 둘레면(W2)에 케이싱(2)의 원통(22)이 같은 거리에서 대치하고 있고, 또 공작물(W)의 상단면(W3)에도 컵(23)이 대치하고 있기 때문에, 이들면(W2, W3)에 형성되는 피막은 두껍고 부착강도도 크다. 또, 둘레면(W2)에 형성되는 피막의 두께를 둘레방향으로 균일하게 할 수 있다.
고주파전력을 공급한 초기상태에 있어서, 모든 반응공간(25)에서 동시에 플라즈마가 발생하지 않는 경우가 있다. 이러한 경우에는 플라즈마가 발생된 반응공간(25)으로부터 미발생의 반응공간(25)으로 연락공간(15)을 거쳐 플라즈마가 흐른다. 플라즈마 미발생의 반응공간(25)에서는 연락공간(15)으로부터의 플라즈마의 공급을 받아, 이 플라즈마에 유발되도록하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다(즉, 플라즈마 방전을 전파시킬 수 있다). 그 결과, 모든 반응공간(25)에서 플라즈마가 발생하여 모든 공작물(W)에 확실히 피막을 형성할 수 있다. 또, 모든 반응공간(25)에서 대략 같은 시기에 플라즈마가 발생하므로, 피막의 두께, 부착강도의 불균일을 더욱 억제할 수 있다.
작업자는 전압계(43)를 보고 도전판(31)의 중심전위가 ­의 소정레벨까지 내려간것을 확인하는 것만으로 모든 반응공간(25)에서 플라즈마 발생이 있었던 것을 확인할 수 있다. 왜냐하면, 적어도 하나의 반응공간(25)에서 플라즈마가 발생하면, 도전판(31)의 중심전위가 ­의 소정레벨까지 내려가기 때문이고, 하나의 반응공간(25)에서의 플라즈마 발생은 연락공간(15)의 존재에 의하여 모든 반응공간(25)에서의 플라즈마 발생을 보증하기 때문이다.
그리고, 진공조(1)에 형성한 눈으로 보는 창으로부터 케이싱(2)의 베이스부(10)의 가스빼는 창(17)을 통하여 연락통로(15)에 존재하는 발광플라즈마를 직접 눈으로 봄으로써도 모든 반응공간(25)에서의 플라즈마 발생을 확인할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 연락공간(15)에도 플라즈마가 존재하나, 이 연락공간(15)에 있어서 전극(5)은 차폐통(35)에 의하여 덮여 있으므로, 이 전극(5)에 피막이 형성되는 것을 방지할 수 있음과 동시에, 전력의 소모를 방지할 수 있다.
다음에, 상기 장치를 사용한 피막형성 실험에 대하여 상세히 설명한다. 이 실험에 있어서 공작물(W)은 직경 10㎜, 길이 30㎜의 고속도 강제의 절삭공구이다. 공작물(W)의 둘레면(W2)과 원통(22)과의 사이의 거리를 35㎜로 한다. 연락공간(15)의 높이는 5㎜, 10㎜, 30㎜로 하였다.
다른 조건은 다음과 같다.
제1단계
원료가스 CH4＋ N2＋ TMS(테트라메틸실란)
가스압력 8.67Pa
투입전력 100W(13.56 MHz)
가스유량 CH4: 2.4sccm N2: 4sccm TMS : 1.6sccm
성막시간 55분
제2단계
원료가스 CH4
가스압력 8Pa
투입전력 170W(13.56 MHZ)
가스유량 CH4: 4sccm
성막시간 45분
그리고, 「sccm」라는 단위는 스탠더드큐빅 센티미터/분의 약어이다.
상기 실험의 결과, 연락공간(15)의 높이가 10㎜인 경우, 공작물(W)의 둘레면(W2)에 형성된 피막의 두께는 8.5㎛이고, 전역에 걸쳐 피막의 두께는 균일하였다.
연락공간(15)의 높이가 5㎜인 경우, 플라즈마 방전이 전파되지 않는다.
연락공간(15)의 높이가 30㎜인 경우, 피막의 두께는 균일하게 7.5㎛이고, 피막생성의 효율이 높이 10㎜인 경우에 비하여 나빠진다.
본 실험에서는 케이싱(2)의 베이스부(10)의 윗벽(11), 아래벽(12) 근방에서의 플라즈마 시이스 두께는 각각 약 4.5㎜이고, 함께 플라즈마 시이스 두께는 약 9.0㎜였다.
상기 실험의 결과에서 연락공간(15)의 높이가 합계 플라즈마 시이스 두께보다 작으면 플라즈마 방전이 전파되지 않아, 본 발명의 효과를 달성할 수 없는 것 및 연락공간(15)의 높이가 필요이상으로 크면 전력에너지가 불필요하게 소비되는 것을 알 수 있다. 즉, 연락공간(15)의 높이는 합계 플라즈마 시이스 두께보다 약간 클 정도로 하는 것이 가장 좋다.
상기 설명에서 명백한 바와 같이, 연락공간(15)의 높이가 5㎜인 장치는 본 발명의 플라즈마 CVD장치의 범주에 들어가지 않는다.
이상 설명한 바와 같이, 연락공간(15)(연락통로)는 플라즈마 전파가능할 정도로 충분히 넓게 할 필요가 있으며, 환언하면 연락공간(15)의 내면을 따라 플라즈마 시이스영역이 형성되었을 때, 이 플라즈마 시이스영역에 둘러싸인 플라즈마 전파영역이 존재하는 것이 필요하다.
그리고, 윗벽(11)의 개구(11a)도 똑같이 플라즈마 전파 가능할 정도로 충분히 넓게할 필요가 있다.
본 발명은 상기 실시예에 제약되지 않고 여러 가지 태양이 가능하다. 예를 들면 공작물은 횡단면이 장방향으로 되어 있어도 좋다. 이 경우, 후드부의 횡단면도 장방형으로 되고, 차폐통로 똑같이 횡단면이 장방형으로 된다.
상기 플라즈마 발생의 확인을 위한 구성으로서 전압계 대신에 전압비교기로 ­의 한계값과 도전판(31)의 중심전위(전주 5, 공작물(W)의 중심전위)를 비교하여 이 중심전위가 한계값보다 낮을 때에는, 램프나 부저등의 알리는 수단으로 플라즈마 발생을 알리도록 하여도 좋다.
도전판은 없어도 좋다. 이 경우, 임피이던스 매칭회로나 고주파전원을 전극마다 장비하여도 좋다.
본 실시예에서는 케이싱을 접지전극으로서 사용하였으나, 접지전극은 케이싱과 별체로 반응공간에 수용하고, 고주파 전원쪽의 전극과 대치시키도록 하여도 좋다.
본 실시예에서는 연락공간을 케이싱에 복수형성하여, 각 연락공간은 대응하는 그룹의 복수의 반응공간만을 연락하도록 하여도 좋다.
반응공간을 구획형성하는 후드부는 매트릭스 형상으로 다수 배치하여도 좋고, 가늘고 긴 베이스부에 직선상에 1열로 배치하여도 좋다.
본 발명에 의하면, 적은 소비전력으로 복수의 공작물에 두께가 균일한 피막을 형성할 수 있어서 생산성이 높고, 또한 동일조건으로 피막을 형성하므로 각 공작물의 피막의 두께와 부착강도가 균일한 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 플라즈마 CVD장치에 있어서,
    (a) 공작물(W)을 수용하는 복수(25)의 반응공간을 구획형성하고 있는 케이싱(2),
    (b) 상기 복수의 반응공간에 각각 배치되어 상기 공작물을 지지하는 복수의 전극(5),
    (c) 상기 반응공간을 진공흡인하는 흡인수단(3),
    (d) 상기 반응공간에 반응가스를 공급하는 가스공급수단(7),
    (e) 상기 전극에 접속되고, 상기 전극에 고주파전력을 공급함으로써 반응공간에 플라즈마를 발생시키는 고주파전원(41)을 구비하고,
    상기 케이싱(2)에 연락통로(15)가 형성되고, 그 연락통로(15)는 상기 복수의 반응공간(25)을 연락하며, 또한 플라즈마의 전파를 허용할 정도로 충분히 넓은 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 플라즈마 CVD장치는 케이싱(2)에 상기 연락통로가 되는 연락공간(15)이 형성되고, 그 연락공간(15)을 통하여 서로 떨어진 상기 복수의 반응공간(25)이 연락하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD장치.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 케이싱(2)은 접지됨과 동시에, 속이 비어있는 베이스부(10)와, 이 베이스부에 설치된 복수의 후드부(21)를 가지고 있으며, 이 베이스부의 내부공간(15)이 상기 연락공간으로서 제공되고, 상기 후드부의 내부공간(25)이 상기 반응공간으로서 제공되며,
    상기 케이싱의 베이스부는 서로 떨어져 대치하는 제1벽(11)과 제2벽(12)을 가지고 있고, 이 제1벽(11)에 상기 후드부(21)가 설치되고, 제1벽에 형성된 개구(11a)를 통하여 상기 반응공간(25)과 연락공간(15)이 연이어 통하고 있으며, 상기 전극(5)은 제2벽(12)을 관통하여 상기 연락공간(15) 및 개구(11a)를 지나 그 단부가 상기 반응공간(25)에 임하고 있고, 제2벽(12)에는 상기 연락공간(15)에서 상기 전극(5)을 둘러싼 도전성 차폐통(35)이 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD장치.
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