KR100246316B1

KR100246316B1 - Muffle etching device

Info

Publication number: KR100246316B1
Application number: KR1019960064994A
Authority: KR
Inventors: 이병성
Original assignee: 김영환; 현대반도체주식회사
Priority date: 1996-12-13
Filing date: 1996-12-13
Publication date: 2000-05-01
Also published as: KR19980046613A

Abstract

본 발명은 머플식각장치에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 머플식각장치는 캐리어 가스인 질소를 이용하여 기포상태의 불화수소를 공급하여 상기 머플식각킷을 식각하게 되므로 많은 식각시간이 소요되게 되고, 또 상기 기포상태의 불화수소가 주위의 다른 장치를 오염시키거나 부식시키게 되는 문제점을 초래하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 불화수소가 순수에 희석된 식각용액이 저장되는 식각용액저장탱크와 그 식각용액저장탱크에 질소가스를 공급하여 가압할 수 있는 가압라인과 식각할 머플이 설치된 머플조립체에 상기 식각용액을 공급하는 공급라인으로 되어 액상의 식각용액을 공급할 수 있는 식각용액공급장치와, 상기 머플조립체에 설치되는 머플식각킷과, 상기 식각용액 공급라인에 연결되어 각각 순수와 공기를 공급하는 헹굼장치와 건조장치를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 머플식각장치로서, 머플을 식각하는 불화수소를 액상으로 공급하여 그 머플을 식각할 수 있도록 함으로써, 식각시간이 절감됨과 아울러 주위의 다른 장치의 오염과 부식을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a muffle etching apparatus, the muffle etching apparatus according to the prior art using a nitrogen gas carrier gas to supply a hydrogen fluoride in a bubble state to etch the muffle etching kit, so a large etching time is required, and The bubbled hydrogen fluoride has caused a problem of contaminating or corroding other devices around it. In order to solve this problem, the present invention provides an etching solution storage tank in which an etching solution in which hydrogen fluoride is diluted in pure water and a pressurized line capable of supplying pressurized nitrogen gas to the etching solution storage tank and a muffle in which a muffle to be etched are installed. Etching solution supply device for supplying the etching solution to the assembly to supply the etching solution to the assembly, muffle etching kit is installed in the muffle assembly, and connected to the etching solution supply line, respectively, pure water and air A muffle etching apparatus comprising a supplying rinsing device and a drying device, by supplying hydrogen fluoride for etching the muffle in a liquid state to etch the muffle, thereby reducing the etching time and other peripheral devices. There is an effect to prevent the contamination and corrosion of the.

Description

Muffle Etching Equipment

본 발명은 머플식각장치에 관한 것으로, 특히 비피에스지를 식각하는 식각용액이 저장된 탱크에 질소가압탱크를 설치하여 액상의 식각용액으로 상기 비피에스지를 식각할 수 있도록 함으로써 완전한 식각과 함께 식각시간의 절감하고, 또 장치의 부식 및 오염을 방지할 수 있도록 한 머플식각장치에 관한 것이다.The present invention relates to a muffle etching apparatus, and in particular, by installing a nitrogen pressure tank in the tank in which the etching solution for etching non-BP paper to be able to etch the BP paper with the liquid etching solution to reduce the etching time with complete etching In addition, the present invention relates to a muffle etching apparatus capable of preventing corrosion and contamination of the apparatus.

일반적으로, 반도체 웨이퍼를 증착하는 상압화학기상증착장비의 쳄버(1)의 내측에는 상기 도 1 에 도시된 바와 같이, 다수개의 관통공(2a) 이 형성된 머플(2)이 일정 간격으로 수개가 설치되어 있고, 그 머플(Muffle)(2) 의 상부면에는 반도체 웨이퍼(W)를 이동시키기 위한 벨트(3)가 설치되어 있다.In general, as shown in FIG. 1, a plurality of muffle holes 2 having a plurality of through holes 2a are installed at predetermined intervals inside the chamber 1 of the atmospheric vapor deposition apparatus for depositing a semiconductor wafer. The belt 3 for moving the semiconductor wafer W is provided on the upper surface of the muffle 2.

상기와 같이 구성된 머플(2)을 갖는 상압화학기상증착장치는 상기 도 2 에 도시된 바와 가이, 상기 벨트(3)의 상부면을 따라 반도체 웨이퍼(W)가 상기 머플(2) 에 위치하게 되면, 인젝터(4)이 주변에 질소막(5)이 형성되는 상태에서 그 인젝터(4)를 통하여 세퍼레이터 질소 등을 분사하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 증착하게 된다.In the atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus having the muffle 2 configured as described above, the semiconductor wafer W is located in the muffle 2 along the upper surface of the belt 3 as shown in FIG. 2. In the state in which the injector 4 has the nitrogen film 5 formed thereon, the nitrogen is injected through the injector 4 to deposit the semiconductor wafer W.

이때, 상기 머플(2)에 형성된 관통공(2a) 을 통하여 퍼지용 질소를 분사함으로써 상기 머플(2)에 공정가스가 증착되는 것을 방지하게 되는 것이다.At this time, by purging the purge nitrogen through the through hole (2a) formed in the muffle (2) it is to prevent the process gas is deposited on the muffle (2).

그러나, 상기와 같은 머플(2)이 구비된 상압화학기상증착장치를 사용하게 되면 그 머플(2)에 공정가스가 증착이 되는데, 이렇게 증착된 공정가스를 상기 머플(2)에서 제거하는 것이 머플식각장치아다.However, when using the atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus provided with the muffle (2) as described above, the process gas is deposited on the muffle (2), it is muffled to remove the process gas deposited in the muffle (2) It's an etcher.

상기 머플식각장치는 상기 도 3 에 도시된 바와 같이, 인젝터 하우징(6)(Injector Housing)이 설치되어 있고, 그 인젝터 하우징(6)에는 머플식각킷(kit)(7) 이 설치되어 있으며, 상기 인젝터 하우징(6)의 저부에는 식각할 상기 머플(2)이 위치한다.As shown in FIG. 3, the muffle etching apparatus is provided with an injector housing 6, and a muffle etching kit 7 is installed in the injector housing 6. At the bottom of the injector housing 6 is located the muffle 2 to be etched.

상기 머플식각킷(7)에는 상기 머플(2)을 식각할 불화수소가 공급되는 식각액 공급라인(8)이 설치되어 있고, 그 공급라인(8)은 불화수소가 들어있는 식각용액탱크(9)와 연결설치되며, 그 식각용액탱크(9)에는 상기 불화수소를 운반하는 캐리어(Carrier)가스인 질소가스를 공급하는 질소가스 공급라인(10)이 설치되어 있다.The muffle etching kit 7 is provided with an etching solution supply line 8 for supplying hydrogen fluoride for etching the muffle 2, and the supply line 8 includes an etching solution tank 9 containing hydrogen fluoride. It is installed in connection with the, the etching solution tank 9 is provided with a nitrogen gas supply line 10 for supplying nitrogen gas, which is a carrier gas to carry the hydrogen fluoride.

도면상의 미설명 부호 11은 차단막이며, 12는 첵밸브이고, 13은 밸브이다.Reference numeral 11 in the drawings is a blocking film, 12 is a check valve, 13 is a valve.

상기와 같이 구성된 머플식각장치는, 먼저 질소가스 공급라인(10)을 통하여 질소가스가 상기 식각용액탱크(9)에 공급되면, 그 식각용액탱크(9)에 들어있는 상기 불화수소가 기포상태로 상기 질소가스와 함께 상기 식각용액 공급라인(8)을 통하여 상기 머플식각킷(7)으로 공급되게 되어 상기 인젝터 하우징(6)의 저부에 있는 상기 머플(2)을 식각하게 되는 것이다.In the muffle etching apparatus configured as described above, when nitrogen gas is first supplied to the etching solution tank 9 through the nitrogen gas supply line 10, the hydrogen fluoride contained in the etching solution tank 9 is bubbled. It is supplied to the muffle etching kit 7 through the etching solution supply line 8 together with the nitrogen gas to etch the muffle 2 at the bottom of the injector housing 6.

그리고, 상기와 같이 인젝터 하우징(6)에 공급되어 상기 머플(2)을 식각한 식각용액인 불화수소와 질소가스는 상기 인젝터 하우징(6)의 상부로 배기되게 되는 것이다.As described above, hydrogen fluoride and nitrogen gas, which are supplied to the injector housing 6 and etched the muffle 2, are exhausted to the upper portion of the injector housing 6.

그러나, 상기와 같이 구성된 머플식각장치는 캐리어 가스인 질소를 이용하여 기포상태의 불화수소를 공급하여 상기 머플식각킷을 식각하게 되므로 많은 식각시간이 소요되게 되고, 또 상기 기포상태의 불화수소가 주위의 다른 장치를 오염시키거나 부식시키게 되는 문제점을 초래하였다.However, the muffle etching apparatus configured as described above uses a carrier gas nitrogen to supply hydrogen fluoride in a bubble state to etch the muffle etching kit, and thus requires a large amount of etching time, and the hydrogen fluoride in the bubble state is surrounding. This results in the problem of contaminating or corroding other devices.

따라서, 본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하여 머플식각킷의 식각시간을 단축함과 아울러 주위의 다른 장치의 오염 및 부식을 방지할 수 있는 머플식각장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a muffle etching apparatus that can solve the above problems, shorten the etching time of the muffle etching kit, and prevent contamination and corrosion of other surrounding devices.

제1도는 일반적인 상압화학기상증착장비의 내부 구성을 보인 평면도.1 is a plan view showing the internal configuration of a general atmospheric vapor deposition equipment.

제2도는 일반적인 상압화학기상증착장비에서 증착이 진행되는 동작을 보인 개략도.Figure 2 is a schematic diagram showing the operation of the deposition proceeds in a typical atmospheric chemical vapor deposition equipment.

제3도는 종래 기술에 의한 머플식각장치의 구조를 보인 개략도.Figure 3 is a schematic diagram showing the structure of a muffle etching apparatus according to the prior art.

제4도는 본 발명에 의한 머플식각장치의 구조를 보인 개략도.Figure 4 is a schematic diagram showing the structure of a muffle etching apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

21 : 머플 22 : 식각용액탱크21: muffle 22: etching solution tank

23 : 머플조립체 24 : 식각용액 공급라인23: muffle assembly 24: etching solution supply line

25 : 질소가스 가압라인 26 : 삼방향 밸브25: nitrogen gas pressurized line 26: three-way valve

27 : 순수공급라인 28 : 공기공급라인27: pure water supply line 28: air supply line

29 : 헹굼건조라인 30 : 머플식각킷29: rinse drying line 30: muffle etching kit

31 : 오링 32 : 드레인 홀31: O-ring 32: drain hole

본 발명의 목적은 불화수소가 순수에 희석된 식각용액이 저장되는 식각용액저장탱크와 그 식각용액저장탱크에 질소가스를 공급하여 가압할 수 있는 가압라인과 식각할 머플이 설치된 머플조립체에 상기 식각용액을 공급하는 공급라인으로 되어 액상의 식각용액을 공급할 수 있는 식각용액공급장치와, 상기 머플조립체에 설치되는 머플식각킷과, 상기 식각용액 공급라인에 연결되어 각각 순수와 공기를 공급하는 헹굼장치와 건조장치를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 머플식각장치에 의하여 달성된다.An object of the present invention is an etching solution storage tank for storing an etching solution diluted with hydrogen fluoride and a pressurized line capable of supplying pressurized nitrogen gas to the etching solution storage tank and the muffle assembly to which the muffle to be etched is installed. Etching solution supply device for supplying a liquid etching solution to the supply line for supplying a solution, a muffle etching kit installed in the muffle assembly, and a rinsing device connected to the etching solution supply line to supply pure water and air, respectively And achieved by a muffle etching apparatus characterized in that it comprises a drying device.

다음은, 본 발명에 의한 머플식각장치의 일실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.Next, an embodiment of the muffle etching apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4 는 본 발명에 의한 머플식각장치의 구조를 보인 개략도.Figure 4 is a schematic view showing the structure of a muffle etching apparatus according to the present invention.

상기 도 4 에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 머플식각장치는 상기 머플(21)을 식각하는 식각액인 불화수소와 순수가 1 : 10 의 비율로 희석되어 저장된 식각용액탱크(22)가 설치되어 있고, 그 식각용액탱크(22)는 상기 머플(21)이 설치되 머플조립체(23)의 후부에 상기 식각용액을 공급할 수 있도록 식각용액 공급라인(24)으로 연결되어 있으며, 또 상기 식각용액탱크에는 상기 식각용액에 압력을 가하여 상기 머플조립체(23)에 그 식각용액을 공급할 수 있는 질소가스 가압라인(25)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 4, in the muffle etching apparatus according to the present invention, an etching solution tank 22 is formed by storing hydrogen fluoride and pure water, which is an etching solution for etching the muffle 21, in a ratio of 1: 10. The etch solution tank 22 is connected to an etch solution supply line 24 to supply the etch solution to the rear of the muffle assembly 23 in which the muffle 21 is installed, and the etch solution tank 22. The nitrogen gas pressurizing line 25 is provided to supply the etching solution to the muffle assembly 23 by applying pressure to the etching solution.

그리고, 상기 식각용액 공급라인(24)에는 삼방향 밸브(26)가 설치되어 있고, 그 삼방향 밸브(26)는 상기 식각용액탱크(22)와 상기 머플조립체(23) 그리고 식각한 머플(22)을 헹굼과 아울러 건조시킬 수 있는 헹굼장치인 순수공급라인(27)과 건조장치인 공기공급라인(28)이 연결설치된 헹굼건조라인(29)으로 연결되어 있다.In addition, a three-way valve 26 is installed in the etching solution supply line 24, and the three-way valve 26 is the etching solution tank 22, the muffle assembly 23, and the etched muffle 22. The rinsing unit and the rinsing apparatus for supplying a pure water supply line 27 and an air supply line 28 for drying the rinse drying line 29 are connected to each other.

그리고 또, 상기 머플조립체(23)의 상부에는 식각할 상기 머플(21)을 감쌀 수 있는 머플식각킷(30)이 설치되고, 그 머플식각킷(30)은 상기 식각용액이 누출되지 않도록 상기 머플조립체(23)와 접촉하는 부위에 오링(31)이 설치되어 있으며, 또 상기 머플식각킷(30)에는 상기 머플(21)을 식각한 식각용액이 일정량 이상 공급되게 되면 그 식각용액이 배출될 수 있는 드레인 홀(32)이 형성되어 있다.In addition, a muffle etching kit 30 may be installed on the muffle assembly 23 to wrap the muffle 21 to be etched, and the muffle etching kit 30 may have the muffle so that the etching solution does not leak. The O-ring 31 is installed at the contact area with the assembly 23, and the etching solution may be discharged when the etching solution obtained by etching the muffle 21 is supplied to the muffle etching kit 30. A drain hole 32 is formed.

도면상의 미설명 부호 33a, 33b, 33c는 밸브이고, 34는 차단막이며, 35a, 35b는 첵밸브이다.Reference numerals 33a, 33b, and 33c in the drawings denote valves, 34 denotes a blocking film, and 35a and 35b denote a check valve.

상기와 같이 구성된 머플식각장치는, 먼저 식각할 머플(21)이 설치되어 있는 머플조립체(23)에 상기 머플식각킷(30)을 설치하고, 상기 질소가스 가압라인(25)을 통해 식각용액탱크(22)에 질소가스를 가압공급하면 식각용액탱크(22)내의 식각용액이 상기머플(21)이 설치되어 있는 머플조립체(23)의 후부에 공급되어 상기 머플(21)이 식각되며, 또 상기 머플(21)이 적당하게 식각되면 상기 식각용액의 공급을 차단하고, 상기 순수공급라인(27)을 통해 머플(21)에 헹굼용 순수를 공급하여 상기 머플(21)을 헹군후, 상기 공기공급라인(28)을 통해 머플(21)에 머플 건조용 공기를 공급하여 상기 머플(21)을 건조함으로써, 상기 머플(21)의 식각과 헹굼 및 건조가 완료되는 것이다.In the muffle etching apparatus configured as described above, the muffle etching kit 30 is installed in the muffle assembly 23 on which the muffle 21 to be etched is first installed, and the etching solution tank is provided through the nitrogen gas pressurizing line 25. When pressurized and supplied nitrogen gas to the 22, the etching solution in the etching solution tank 22 is supplied to the rear of the muffle assembly 23 in which the muffle 21 is installed, and the muffle 21 is etched. When the muffle 21 is properly etched, the supply of the etching solution is interrupted and the rinsing pure water is supplied to the muffle 21 through the pure water supply line 27 to rinse the muffle 21, and then the air is supplied. By supplying the muffle drying air to the muffle 21 through the line 28 to dry the muffle 21, the etching, rinsing and drying of the muffle 21 is completed.

상기와 같이 머플을 식각하는 불화수소를 액상으로 공급하여 그 머플을 식각할 수 있도록 함으로써, 식각시간이 절감됨과 아울러 주위의 다른 장치의 오염과 부식을 방지할 수 있는 효과가 있다.By supplying hydrogen fluoride for etching the muffle in the liquid phase as described above, the muffle can be etched, thereby reducing the etching time and preventing contamination and corrosion of other devices around.

Claims

Supplying the etching solution to the etching solution storage tank for storing the etching solution diluted with hydrogen fluoride in the pure water, the pressurizing line for supplying pressurized nitrogen gas to the etching solution storage tank and the muffle assembly with muffle to be etched An etching solution supply device capable of supplying liquid etching solution in a line, a muffle etching kit installed in the muffle assembly, and a rinsing device and a drying device connected to the etching solution supply line to supply pure water and air, respectively. Muffle etching apparatus, characterized in that configured to.

The muffle etching apparatus according to claim 1, wherein the muffle etching kit is provided with an o-ring for preventing leakage of the supplied food solution.

According to claim 1, The rinsing apparatus is composed of a pure water supply line is connected to the etching solution supply line to supply pure water, and an air supply line is connected to the etching solution supply line to supply air, the etching solution supply Muffle etching apparatus, characterized in that the three-way valve is installed in the connection portion of the line and the pure water supply line and the air supply line.

The muffle etching apparatus according to claim 1 or 3, wherein the muffle etching kit has a drain hole which can be discharged when a predetermined amount of etching solution is supplied.