KR100244976B1 - 산화물 함유 물질을 환원시키기 위한 방법 및 그 방법을 수행하기 위한 플랜트 - Google Patents

산화물 함유 물질을 환원시키기 위한 방법 및 그 방법을 수행하기 위한 플랜트 Download PDF

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칼-하인즈 짐머바우어
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파투치 알렉산더, 토이플아르민
뵈스트-알핀 인두스트리안라겐바우 게엠바하
오스카 케이. 마차도
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Abstract

본 발명은, 바닥으로부터 상부로의 기체 흐름은 환원시킴으로써, 입상 산화물 함유 물질을 와류층중에 보유시켜 상기 산화물 함유 물질을 환원시키는 소용돌이식 베드법을 이용하여 입상 산화물 함유 물질을 환원시키기 위한 방법에 관한 것이다.
점착 또는 막힘에 의해 야기된 환원 공정의 조작상 중단을 피하거나 상당히 감소시키기 위해, 와류층(24) 위를 제외하고, 환원 기체의 클리어 튜브 속도를 와류층(24)위에 연속적으로 존재되는 공간의 총 자유 횡단면(31, 32, 33)이상으로 감소시키면서 소용돌이의 형성을 회피시킨다

Description

산화물 함유 물질을 환원시키기 위한 방법 및 그 방법을 수행하기 위한 플랜트
상기 유형의 방법은 예컨대 미국 특허 제 2,909,423호, 국제특허출원공개 제 WO92/02458호 및 유럽 특허출원공개 제 0 571 358호에 공지되어 있다. 산화물 함유 물질 예를 들면, 미립 광석의 환원은 와류층 환원 반응기내의 환원 기체에 의해 유지되는 와류층에 의해 이루어지며, 송풍구 격자를 거쳐 와류층 환원 반응기내로 주입되는 상기 환원 기체는 환원 반응기를 통해 저부로부터 상부로 흐르는 반면, 산화물 함유 물질은 환원 지체 흐름에 대해 거의 횡방향으로 환원 반응기를 통과한다. 와류층을 유지시키기 위해 와류층 영역내의 환원 기체의 일정 속도가 요구된다.
환원 기체의 비교적 빠른 속도 때문에, 산화물 함유 물질 및 환원 과정에 의해 이미 환원된 산화물 함유 물질의 초미립자는 와류층으로부터 운반되며, 상기 초미립자는 환원 기체중에 포함된다. 환원 기체로부터 상기 초미립자를 제거하고, 한편으로는 부분 산화된 환원 기체가, 예를 들면 선행하는 환원 반응기를 위해 추가로 사용될 수 있고, 다른 한편으로는 소실된 산화물 함유 물질 또는 이미 환원된 물질이 회수되도록 하기 위하여, 상기 초미립자를 함유하는 환원 기체가 집진 장치와 같은 분진 분리기를 통해 유도되고, 분리된 분진은 와류층내로 재순환된다. 분진 분리기 또는 집진 장치는 반응기내에 설치되는 것이 바람직하지만(참조 : 미국 특허 제 2,909,423호), 반응기 외측에 설비될 수도 있다.
실제로, 산화물 함유 물질이 부분적으로 환원되거나 완전히 환원된 세립입자는 서로 및/또는 반응기 또는 집진 장치의 벽 뿐만 아니라 접속 도관 및 수송 도관의 벽에 점착되거나 고화되려는 경향이 있는 것으로 나타났다. 상기와 같은 현상을 각각 "접착 (sticking)" 또는 "막힘 (fouling)"이라 한다. 상기 점착 및 막힘 현상은 온도 및 산화물 함유 물질의 환원도에 좌우된다. 환원 반응기 또는 다른 플랜트 부재의 벽에 점착 또는 퇴적된 부분적으로 또는 완전 환원된 산화물 함유물질 때문에, 플랜트를 멈추지 않고 장기간에 걸쳐 계속해서 가동시킬 수 없는 경우가 있을 수 있다. 상기 플랜트는 3개월 내지 4개월 마다 정지시켜야만 되는 것으로 밝혀졌다.
퇴적물 및 고화물의 제거는 상당히 노동 집약적이며 고도의 비용, 즉 노동 비용 및 플랜트의 제조의 손실에 따른 비용을 요구한다. 상기 퇴적물은 자동적으로 분리되는 경우가 많으며, 따라서 와류층으로 떨어져 환원 공정을 방해하거나 집진 장치로부터 분리된 퇴적물인 경우, 집진 장치로부터 와류층으로 유도되는 분진재순환 채널을 막아 환원 기체로부터의 추가의 분진 분리를 전체적으로 불가능하게 한다.
본 발명은 저부로부터 정상부로 흐르는 환원 기체에 의해 산화물 함유 물질이 와류층내에 유지되고 환원되는 와류 베드법을 이용하는 입상 산화물 함유 물질, 구체적으로는 미립 광석의 환원방법 및 그 방법을 수행하기 위한 플랜트에 관한 것이다.
제1도는 본 발명의 첫 번째 실시예에 따른 공정 다이아그램
제2도는 제1도의 라인 Ⅱ-Ⅱ를 따른 제1도 와류층 화원 반응기의 단면도; 및
제3도는 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서 4개의 환원 반응기의 단계적 배치도.
본 발명은, 상기 단점 및 문제점을 회피하기 위해, 서두에 정의된 방법 뿐만아니라 입상 산화물 함유 물질을 환원시켜 점착 또는 막힘에 의해 야기되는 조작상의 중단 위험이 전혀 없이 상당히 장기간 동안 사용할 수 있는 상기 방법을 수행하기 위한 플랜트를 제공하는데 있다.
본 발명에 따르면, 상기의 목적은 환원 기체의 클리어 튜브 속도를 와류층 상부에 연속적으로 존재하는 공간의 총 자유 단면의 상부에서 와류가 형성되지 않는 조건하에서 와류층의 상부에서만 저하시킴으로써 달성된다.
상기 방법에 의해, 점착 및 막힘은 환원 기체에 의해 각각 부분적으로 또는 완전히 환원된 물질 또는 산화물 함유 물질의 방출을 정확히 감소시킴으로써, 와류층내의 환원 기체의 속도가 고속임에도 불구하고 효과적으로 회피한다. 이 때문에, 환원 기체에 의해 비말동반되는 입자의 양이 가동 중단을 회피할 수 있는 최대 수치 이하로 떨어지자마자 점착 및 막힘이 크게 감소되는 것으로 밝혀졌다.
와류층 위에서의 환원 기체의 흐름은 실질적으로 와류를 전혀 발생시키지 않는 방식으로 진행된다는 것이 매우 중요하다. 와류는 환원되는 초미입자의 방출을 방해한다. 따라서, 본 발명의 원리는 환원 기체의 흐름 속도 즉, 환원 기체의 클리어 튜브 속도가 와류층위에 존재되는 공간의 총 자유 횡단면 상부에서 감소되고, 그곳에서 와류가 전혀 일어나지 않아야 된다는데 있다.
환원 기체의 클리어 튜브 속도를 감소시킴으로써, 환원 반응기 뿐만 아니라 집진 장치, 점착 및 막힘의 경향이 있는 모든 다른 장치(수송관 등)를 중단시키지 않고 가동시키는 기간을 연장시킬 수 있는 것으로 예상된다. 본 발명의 다른 이점은 입상 산화물 함유 물질중에 함유된 미세 입자 부분이 공정을 방해하는 어떨한 위험없이 증가되며, 따라서 환원 공정이 더욱 유연성을 갖게 된다.
산화물 함유 물질이 이미 높은 환원도를 갖는 경우에는 점착 및 막힘 현상이 증가되므로, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 산화물 함유 물질의 환원이 연속적으로 배치된 와류층내에서 환원도가 단계적으로 증가되면서 단계적으로 수행되고, 환원 기체의 클리어 튜브 속도는 25%의 최소 환원도가 달성되는 단계로부터 감소된다.
바람직하게는, 환원 기체의 클리어 튜브 속도는 최소 환원도가 50%인 단계로 부터 단계적으로 감소된다.
플랜트의 중단없이 가동되는 기간의 실질적인 증가는 와류층 위에서의 환원 기체의 클리어 튜브 속도가 최소 25%, 바람직하게는 최소 50% 감소될 때 이루어지고, 환원 기체의 클릴어 튜브 속도는 양호하게는 유입구측에서 0.8m/s 내지 1.5m/s, 출구측에서 0.4m/s 내지 0.75m/s로 감소된다.
바람직하기로는 와류층 및 환원 기체의 클리어 튜브 속도가 감소되는 공간의 상방 공간내에서 클리어 튜브 속도는 실질적으로 일정하게 유지된다.
상기 방법을 수행하기 위한 본 발명 플랜트는 적어도 하나 이상의 와류층 환원 반응기를 포함하는 입상 산화물 함유 물질의 환원을 수행하기 위한 플랜트로서, 상기 와류층 환원 반응기는, 와류층을 수용하고 기체 분배저부, 환원 기체용 공급 도관 및 기체 분배 저부상에 제공되는 산화물 함유 물질용 공급 도관 및 방출 도관을 포함하는 원통형 하부 와류층 섹션; 상기 와류층 섹션상에 배치되고, 계속하여 원뿔형으로 상향쪽으로 넓어지며, 태퍼링 섹션 벽의 경사가 반응기의 중심축에 대해 최대 10°인 태퍼링 섹션; 및 태퍼링 섹션 후속되고, 상부가 밀폐되어 있으며, 이곳으로부터 환원 기체 방출 도관이 분지되는 하나 이상의 부분적 원통형의 카밍 섹션을 포함하는 것을 특징으로 한다.
적합하기로는 태퍼링 섹션내 클리어 튜브 횡단면이 태퍼링 섹션의 유입구 횡단면 및 출구 횡단면 사이에서 최소 25%, 바람직하게는 50% 증가된다.
바람직하기로, 적어도 하나 이상의 분진 분리기가 상기 환원 반응기내에 배치되고, 분진이 있는 환원 기체용 유입구가 카밍 (calming) 섹션의 영역내에 제공되며, 분진 분리기의 분진 재순환 도관이 와류층 섹션내로 도달된다.
태퍼링 섹션내의 환원 기체의 흐름 중단 즉 와류의 형성은, 상기 태퍼링 섹션 벽의 경사가 반응기의 중심축에 대해 최대 8°, 접합하게는 6°내지 8°의 범위 내에 있다면 완전히 회피된다.
만약 상기 플랜트가 환원 기체 도관 및 하나의 반응기로부터 다른 하나의 반응기로 산화물 함유 물질을 수송하는 수송 도관에 의해 연결되는 연속적으로 배치된 다수의 와류층 환원 반응기를 포함한다면, 산화물 함유 물질의 유동 방향으로 볼 때 뒤에 배치된 반응기, 바람직하게는 최종적으로 배치된 반응기만 태퍼링 섹션으로 제공된다.
이하, 본 발명을 첨부 도면에 의해 더욱 상세히 설명한다.
본 발명에 있어서의 플랜트는 연속해서 일렬로 배치된 4개의 와류층 환원 반응기(1 내지 4)를 포함하며, 여기서 미립 광석과 같은 철-산화물 함유 물질은 광석 공급 도관(5)을 통해 제 1 와류층 환원 반응기(1)로 공급되며 하나의 와류층 환원 반응기로부터 수송 도관(6)을 거쳐 다른 하나의 와류층 환원 반응기로 인도되고, 완전히 환원된 물질(해면철)은 브리케팅(briquetting) 장치(7)중에서 고온 브리케팅된다. 만약 필요하다면, 예시되어 있지는 않지만 환원된 철은 불활성 기체 시스템에 의해 브리케팅되는 동안에 재산화로부터 보호된다.
상세히 예시되어 있지는 않지만, 미세 광석은 제 1 환원 반응기내에 주입되기에 앞서, 건저 및 선별(sieving)과 같은 처리로 광석이 준비된다.
환원 기체는 기체 흐름 방향의 관점에서 볼 때, 상부 기체 방출 도관(8)을 통한 상부 기체로서 하나의 환원 반응기(4)로부터 다른 하나의 환원 반응기(3 내지 1)로 광석 흐름에 대해 역류되게 인도되어 마지막 환원 반응기(1)로 이끌어 져서 냉각되어 왯 스크루버(9)내에서 스크루빙된다.
환원 기체의 생성은 도관(11)을 통해 공급된 천연 기체를 개질기(reformer )(10)내에서 개질시킴에 의해 영향을 받으며 탈황화기(12)중에서 탈황화된다. 천연 기체 및 증기로 형성된 개질 기체는 근본적으로 H2, CO, CH4, H2O 및 CO2로 이루어진다. 이 개질된 천연 기체는 개질 기체 도관(13)을 통해 수개의 열 교환기(14)로 공급되어, 여기서 냉각되며, 따라서 물은 기체에 의해 응축된다.
개질 기체 도관(13)은 상부 기체 방출 도관(8)으로 연결되며, 그 후 상부 기체는 압축기(15)에 의해 압축되어 진다. 이렇게 해서 형성된 혼합 기체는 CO2스크루버(16)를 통해 이송되어 CO2가 제거됨으로써 환원 기체로서 활용될 수 있게 된다. 환원 기체 공급 도관(17)을 거친 상기 환원 기체는 기체 흐름 방향으로 볼 때, CO2스크루버(16)의 후속으로 배치되는 기체 가열기(18)내에서 약 800℃의 환원 기체 온도로 가열되어, 제 1 와류층 반응기(4)로 공급되며, 여기서 미세 광석과 반응되어 직접적으로 환원된 철이 제조된다. 환원 반응기(4 내지 1)는 일렬로 연결되며, 환원 기체는 환원 반응기로부터 연결 도관(19)을 통해 다른 하나의 환원 반응기로 인도된다.
상부 기체의 일부는 N2와 같은 불활성 기체의 풍부화를 피하기 위해 기체 순환 시스템(8, 17, 19)밖으로 세광(sluice)된다. 세광된 상부 기체는 분관(20)을 통해 환원 기체를 가열하기 위한 기체 가열기(18)로 공급되어 거기서 연소된다. 가능한 에너지 결핍은 공급 도관(21)을 통해 공급된 천연 기체에 의해 보충된다.
개질기(10)로부터 생성된 개질 기체 뿐만 아니라 개질된 연기 기체의 엔탈피는 복열 장치(recuperator)(22)내에서 활용되어 이송시 공급 기체(=천연 기체-수증기 혼합물)를 예열하고 개질을 위해 필요한 증기를 제조한다. 개질기(10)로 공급된 연소 공기 또한 예열한다.
도 1에 예시된 환원 장치의 실시예에 있어서, 미립 광석의 수송 방향에서 볼 때, 2개의 마지막으로 배치된 환원 반응기(3 및 4)는 하기의 방식으로 구성된다(도 2참조): 환원 반응기(3 및 4)의 각각은 와류층(24)을 수용하고, 환원 기체를 공급 및 균일하게 분포시키기 위한 송풍 격자(26)로서 설계된 기체 분배저부를 갖는 소정수준으로 제공된 원통형의 하부 와류층 섹션(25)을 포함한다. 환원 기체는 환원 반응기(3 및 4)를 통해 각각 송풍 격자(26)로부터 출발하여 바닥부로부터 상부로 흐른다. 원통형 와류층 섹션(25)내에 여전히 위치하는 상기 송풍 격자(26) 위로, 미세 광석용 수송 도관(6)(공급 및 방출 도관)이 들어간다. 와류층(24)은 송풍 격자(26)로부터 미세 광석용 공급 및 방출 도관(6)의 수준 위로까지의 층 높이(27)를 갖는다.
상향으로 넓어지는 원뿔형의 태퍼링 섹션(28)은 원통형 와류층 섹션(25)위에 위치되며, 이 태퍼링 섹션(28)의 벽(29)의 경사는 반응기의 중심축(30)에 관련하여 최대 10°, 바람직하게는 6°내지 8°에 해당된다. 이 영역에 있어서, 상향으로 흐르는 환원 기체의 클리어 튜브 속도의 낮춤을 계속해서 점차로 증가시키는 것은 횡단면(31)의 연속 확장에 의해 영향을 받는다. 횡단면 공간의 확장은 유입구 횡단면(32)으로부터 출구 횡단면(33)까지의 태퍼링 섹션(28)내의 클리어 튜브 횡단면이 최소한 25%, 바람직하게는 최소한 50%인 방식으로 실현될 것이다.
태퍼링 섹션(28)의 벽(29)의 거의 약간의 경사 때문에, 태퍼링 섹션(28) 내에서의 횡단면(31)이 넓어짐에도 불구하고 와류 형성 및 벽으로부터의 분리 없는 흐름이 얻어질 수 있다. 그 때문에 환원 기체의 속도를 국부적으로 증가시킬 수 있는 와류는 형성되지 않는다. 따라서, 환원 기체의 클리어 튜브 속도를 균일하면서 연속적으로 낮추는 것은 그 어떠한 수준으로든 태퍼링 섹션(28)의 유입구 횡단면(31)상에서 확실해진다.
태퍼링 섹션(28)의 상단부에 카밍 섹션(35)이 후속되는데, 원통형 벽(34)이 제공되며 일부 구형으로 설계된 천장(ceiling)(36)으로 상부가 밀폐되어 있다. 천장(36)위에 위치된 반응기 천장(36')중에, 환원 기체를 인도하기 위한 구멍(37)이 중앙에 제공되고, 이 환원 기체는 구멍(37)위에 후속되는 연결 도관(19)을 통해 처리용 환원 반응기(3 및 2)에 각각 공급되게 된다.
집진 장치(38)는 카밍 섹션(35)의 원통형 부분내에 배치된 환원 반응기의 내부에 제공되며 환원 기체로부터 분진을 분리하는 작용을 한다. 집진 장치(38)로부터 시작되는 분진 재순환 도관(39)은 수직으로 하향하여, 와류층(24)과 만난다. 집진 장치(38)의 기체 방출 도관은 천장(36)과 반응기 천장(36')사이에 제공된 공간으로 인도된다.
환원 반응기(1)에서의 미세 광석의 환원도는 약 8%이고, 환원 반응기(2)에서는 약 31%이고, 환원 반응기(3)에서는 약 72%이며 환원 반응기(4)에서는 약 95%이다.
2개의 환원 반응기(3 및 4)중의 환원 기체 속도를 와류층 섹션(25)중에서의 1.2m/s로부터 태퍼링 섹션(28)의 상단부상에서 0.6m/s로 낮춤으로써, 집진 장치(38)의 분진 하중은 약 3,000g/㎥으로 감소될 수 있다. 그 결과로서, 플랜트가 중단없이 가동될 수 있는 기간이 평균 6개월 이상으로 연장될 수 있게 된다.
환원 장치의 일부인 도 3에 도시된 실시예에 있어서, 3개의 환원 반응기(1 내지 3)는 연속적으로 연결되도도록 다시 배치되지만, 미세 광석의 흐름 방향으로 끝으로 배치된 하나의 반응기(4)만을 태퍼링 섹션(28)에 제공된다. 상기 끝으로 배치된 환원 반응기가 반응기의 바닥부까지 원추형이 되도록 설계된 금속성 외벽을 가질지라도, 와류층 섹션(25)이 또한 제공되며, 환원 반응기(4)의 내벽(40)을 나타내는 파선으로부터 명백해지는 것처럼 원통형 벽으로 구획된다. 마지막 환원 반응기 내로 주입된 미세 광석의 환원도는 72% 이상이다. 이 경우에 있어서도 또한, 플랜트를 중단없이 가동시키는 기간을 평균 6개월로 연장시킬 수 있었다.

Claims (16)

  1. 저부로부터 정상부로 흐르는 환원 기체에 의해 산화물 함유 물질이 와류층(24)내에 유지되고 환원되는 와류 베드법을 이용하는 입상 산화물 함유 물질의 환원방법에 있어서, 환원 기체의 클리어 튜브 속도가 와류층(24) 상부에 연속적으로 존재하는 공간의 총 자유 횡단면(31, 32, 33)의 상부에서 와류가 형성되지 않는 조건하에서 와류층(24)의 상부에서만 감소되는 것을 특징으로 하는 환원방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산화물 함유 물질의 환원은 연속적으로 배치된 와류층(24)내에서 환원도가 단계적으로 증가되면서 단계적으로 수행되고, 상기 환원 기체의 클리어 튜브 속도는 25%의 최소 환원도가 달성되는 단계로부터 감소되어 지는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 환원 기체의 클리어 튜브 속도가 50%의 최소 환원도가 달성되는 단계로부터 감소되는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원방법.
  4. 제1항에 있어서, 와류층(24) 상부에서의 환원 기체의 클리어 튜브 속도는 최소 25% 감소되는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 환원 기체의 클리어 튜브 속도는 유입구측에서 0.8m/s 내지 1.5m/s, 출구측에서 0.4m/s 내지 0.75m/s로 감소되는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원방법.
  6. 제1항에 있어서, 와류층(24) 및 환원 기체의 클리어 튜브 속도가 감소되는 공간의 상방 공간내에서 클리어 튜브 속도가 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원방법.
  7. 적어도 하나 이상의 와류층 환원 반응기(1 내지 4)를 포함하는 입상 산화물 함유 물질의 환원을 수행하기 위한 플랜트에 있어서, 상기 와류층 환원 반응기(3,4)는, 와류층(24)을 수용하고 기체 분배저부(26), 환원 기체용 공급 도관(17,19)및 기체 분배 저부(26)상에 제공되는 산화물 함유 물질용 공급 도관 및 방출 도관(6)을 포함하는 원통형 하부 와류층 섹션(25); 상기 와류층 섹션(25)상에 배치되고, 계속하여 원뿔형으로 상향쪽으로 넓어지며, 태퍼링 섹션(28) 벽의 경사가 반응기의 중심축(30)에 대해 최대 10°인 태퍼링 섹션(28); 및 태퍼링 섹션(28)에 후속되고, 상부가 밀폐되어 있으며, 이곳으로부터 환원기체 방출 도관(19)이 분지되는 하나 이상의 부분적 원통형의 카밍 섹션(35)을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랜트.
  8. 제7항에 있어서, 태퍼링 섹션(28)내 클리어 튜브 횡단면이 태퍼링 섹션(28)의 유입구 횡단면(32) 및 출구 횡단면(33)사이에서 최소 25% 증가되는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원을 수행하기 위한 플랜트.
  9. 제7항에 있어서, 하나 이상의 분진 불리기(38)가 상기 환원 반응기내에 배치되고, 분진이 있는 환원 기체용 유입구가 카밍 섹션(35)의 영역내에 제공되며, 분진 분리기(38)의 분진 재순환 도관(39)이 와류층 섹션(25)내로 도달되는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원을 수행하기 위한 플랜트.
  10. 제7항에 있어서, 상기 태퍼링 섹션(28) 벽(29)의 경사가 반응기의 중심축(30)에 대해 최대 8°인 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원을 수행하기 위한 플랜트.
  11. 제10항에 있어서, 상기 태퍼링 섹션(28) 벽(29)의 경사가 반응기의 중심축(30)에 대해 6°내지 8°의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원을 수행하기 위한 플랜트.
  12. 제7항에 있어서, 상기 플랜트는 환원 기체 도관(19) 및 하나의 반응기로부터 다른 하나의 반응기로 산화물 함유 물질을 수송하는 수송 도관(6)에 의해 연결되는 연속적으로 배치된 다수의 와류층 환원 반응기(1 내지 4)를 포함하고, 산화물 함유 물질의 유동 방향으로 볼 때 최종적으로 배치된 반응기(3,4)가 태퍼링 섹션으로 제공되는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원을 수행하기 위한 플랜트.
  13. 제1항에 있어서, 상기 입상 산화물 함유 물질은 미립 광석인 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원방법.
  14. 제4항에 있어서, 와류층(24) 상부에서의 환원 기체의 클리어 튜브 속도는 최소 50% 감소되는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원방법.
  15. 제8항에 있어서, 태퍼링 섹션(28)내 클리어 튜브 횡단면이 태퍼핑 섹션(28)의 유입구 횡단면(32) 및 출구 횡단면(33)사이에서 최소 50% 증가되는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원을 수행하기 위한 플랜트.
  16. 제12항에 있어서, 상기 최종적으로 배치된 반응기(4)가 태퍼링 섹션으로 제공되는 것을 특징으로 하는 입상 산화물 함유 물질의 환원을 수행하기 위한 플랜트.
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