KR100244476B1 - 입력버퍼 회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 입력버퍼의 설계기술에 관한 것으로, 노이즈에 적절히 대응할 수 있도록 하기 위하여, 입력단 인버터와 출력단 인버터로 구성된 입력버퍼회로에 있어서, 상기 입력신호(INPUT)와 내부신호단자(IS2)로 부터 피드백되는 신호를 이용하여, 상기 출력단 인버터에 별도의 경로를 통해 고전위를 공급하거나 접지단자로의 뮤팅경로를 제공하는 입력신호레벨 보상부(23)를 추가하여 구성하였다.
또한, 입력신호의 전달 속도를 향상시키기 위하여, 상기와 같이 입력단 인버터와 출력단 인버터로 구성된 입력버퍼회로에 있어서, 입력신호(INPUT) 및 입력단 인버터의 출력전압을 이용하여 상기 출력단 인버터에 소정시간동안 고전위 공급경로를 제공하거나 접지단자로의 뮤팅경로를 제공하는 전달속도 개선부(33)를 포함하여 구성한 것이다.
Description
본 발명은 입력버퍼의 설계기술에 관한 것으로, 특히 메모리 반도체 소자의 동작속도가 빨라져 전원이나 신호선에 노이즈가 발생되는 것에 적절히 대응할 수 있도록 안정된 마진을 부여하고,입력신호의 전달속도를 개선한 입력버퍼 회로에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 의한 입력버퍼 회로도로서 이에 도시한 바와 같이, 입력신호(INPUT)에 대한 로직 드레쉬홀드 전압을 설정하고, 그 로직 드레쉬홀드 전압을 기준으로 입력신호(INPUT)를 반전증폭하는 인버터(11)와; 상기 인버터(11)의 출력전압을 반전증폭하는 인버터(12)로 구성된 것으로, 이의 작용을 설명하면 다음과 같다.
입력버퍼 설계시 인버터(11)는 입력신호(INPUT)에 대해 소정의 로직 드레쉬홀드가 설정되어 있다.
따라서, 상기 입력신호(INPUT)가 기 설정된 "로우" 레벨로 공급되면 즉,소정의 로직 드레쉬홀드 전압보다 낮은 레벨로 공급되면 그 입력신호(INPUT)에 의해 상기 인버터(11)의 모스트랜지스터(PM11)가 온되는 반면, 모스트랜지스터(NM11)가 오프되므로 그 인버터(11)의 출력단자 즉, 노드(N1)에 "하이"가 출력된다. 이에 따라 다음 단 인버터(12)의 모스트랜지스터(PM12)가 오프되는 반면 모스트랜지스터(NM12)가 온되어 내부신호단자(IS1)에 "로우"가 출력된다.
한편, 상기 입력신호(INPUT)가 기 설정된 "하이" 레벨로 공급되면, 그 입력신호(INPUT)에 의해 상기 인버터(11)의 모스트랜지스터(PM1)가 오프되는 반면, 모스트랜지스터(NM11)가 온되므로 그 인버터(11)의 출력단자에 "로우"가 출력된다. 이에 따라 다음 단 인버터(12)의 모스트랜지스터(PM12)가 온되는 반면 모스트랜지스터(NM12)가 오프되어 상기 내부신호단자(IS1)에 전원단자전압(VCC) 레벨의 "하이"신호가 출력된다.
그러나, 이와 같은 종래의 입력버퍼 회로에 있어서는 입력신호에 대해 일정한 로직 드레쉬홀드가 설정되어 있어 메모리 반도체 소자의 동작속도에 의해 또는 주변의 환경변화에 의해 전원이나 신호선에 노이즈가 발생되는 경우 이에 적절히 대응할 수 없게 되고, 이로 인하여 안정된 출력을 보장할 수 없게 되는 결함이 있었다. 또한, 회로구성의 특성상 외부의 입력신호에 대한 전달속도가 늦어 고속동작을 요하는 시스템에 적용하는데 어려움이 있었다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 입력신호의 레벨 변동에 대해 적절히 대응할 수 있도록 어느정도의 마진을 줄 수 있는 간단한 구성의 회로를 부가한 입력버퍼를 제공함에 있다. 또한, 입력신호의 전달특성을 개선한 입력버퍼를 제공함에 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 입력버퍼 회로도.
도 2는 본 발명에 의한 입력버퍼 회로의 일실시 예시도.
도 3은 본 발명에 의한 입력버퍼 회로의 다른 실시 예시도.
도 4는 본 발명에 의한 입력신호 전달속도의 개선효과를 보인 설명도.
도 5는 본 발명에 의한 입력버퍼 회로의 또 다른 실시 예시도.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
21,22,31,32 : 인버터23 : 입력신호레벨 보상부
33 : 전달속도 개선부
도 2는 본 발명의 제1목적을 달성하기 위한 입력버퍼 회로의 일실시 예시도로서 이에 도시한 바와 같이, 입력신호(INPUT)에 대한 로직 드레쉬홀드 전압을 설정하고, 그 로직 드레쉬홀드 전압을 기준으로 입력신호(INPUT)를 반전증폭하는 인버터(21)와; 상기 인버터(21)의 출력전압을 반전증폭하여 이를 내부신호단자(IS2)에 출력하는 인버터(22)와; 상기 입력신호(INPUT)와 내부신호단자(IS2)로 부터 피드백되는 신호를 이용하여, 상기 인버터(22)에 별도의 경로를 통해 고전위를 공급하거나 접지단자로의 뮤팅경로를 제공하는 입력신호레벨 보상부(23)로 구성하였다.
상기 도 2에서 인버터(21)는 전원단자(VCC)와 접지단자(VSS) 사이에 모스트랜지스터(PM21),(NM21)를 직렬접속하고, 그 모스트랜지스터(PM21),(NM21)의 게이트를 상기 입력신호(INPUT) 단자에 공통접속한 형태로 구성하였다.
상기 도 2에서 인버터(22)는 전원단자(VCC)와 접지단자(VSS) 사이에 모스트랜지스터(PM22),(NM22)를 직렬접속하고, 그 모스트랜지스터(PM22),(NM22)의 게이트를 상기 입력신호(INPUT) 단자에, 드레인 공통접속점을 상기 내부신호단자(IS2)에 각기 접속한 형태로 구성하였다.
상기 도 2에서 입력신호레벨 보상부(23)는 전원단자(VCC)와 접지단자(VSS) 사이에 모스트랜지스터(PM23),(PM24),(NM23),(NM24)를 병렬접속하고, 그 모스트랜지스터(PM24),(NM23)의 게이트를 상기 인버터(21)의 출력단자에, 모스트랜지스터(PM23),(NM24)의 게이트를 상기 내부신호단자(IS2)에 각기 접속한 형태로 구성한 것으로, 이의 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
입력신호(INPUT)가 기 설정된 레벨 이하의 "로우"로 공급되면, 이에 의해 인버터(21)의 모스트랜지스터(PM21)가 온되는 반면, 모스트랜지스터(NM21)가 오프되므로 그 인버터(21)의 출력노드(N21)에서 "하이"가 출력된다.
또한, 상기 출력노드(N21)에서 출력되는 "하이" 전압에 의해 인버터(22)의 모스트랜지스터(PM22)가 오프되는 반면 모스트랜지스터(NM22)가 온되므로 내부신호단자(IS2)에 "로우" 전압이 출력된다.
이때, 상기 내부신호단자(IS2)에서 출력되는 "로우" 전압에 의해 입력신호레벨 보상부(23)의 모스트랜지스터(PM23)가 온되는 반면, 모스트랜지스터(NM24)가 오프된다. 또한, "로우" 상태로 공급되는 상기 입력신호(INPUT)에 의해 모스트랜지스터(PM24)가 온된다.
이에 따라 상기 모스트랜지스터(PM22),(NM22)의 게이트에는 상기 인버터(21)의 출력노드(N21)에서 공급되는 "하이" 전압과 별도로 경로 즉, 상기 모스트랜지스터(PM23),(PM24)를 통해 전원단자전압(VCC)이 공급되므로 설령, 상기 "로우" 상태로 공급되는 입력신호(INPUT) 노이즈가 발생되더라도 개선된 응답특성을 보이게 된다.
한편, 상기와 반대로 입력신호(INPUT)가 기 설정된 레벨 이상의 "하이"로 공급되면, 이에 의해 인버터(21)의 모스트랜지스터(PM21)가 오프되는 반면, 모스트랜지스터(NM21)가 온되므로 그 인버터(21)의 출력노드(N21)에서 "로우"가 출력된다.
또한, 상기 출력노드(N21)에서 출력되는 "로우" 전압에 의해 인버터(22)의 모스트랜지스터(PM22)가 온되는 반면 모스트랜지스터(NM22)가 오프되므로 내부신호단자(IS2)에 "하이" 전압이 출력된다.
이때, 상기 내부신호단자(IS2)에서 출력되는 "하이" 전압에 의해 입력신호레벨 보상부(23)의 모스트랜지스터(PM23)가 오프되는 반면 모스트랜지스터(NM24)가 온된다. 또한, "하이" 상태로 공급되는 상기 입력신호(INPUT)에 의해 모스트랜지스터(NM23)가 온된다.
이에 따라 상기 모스트랜지스터(PM22),(NM22)의 게이트전압이 더욱 로우 상태로 떨어지므로 설령, 상기 "하이" 상태로 공급되는 입력신호(INPUT)에 노이즈가 발생되더라도 개선된 응답특성을 보이게 된다.
한편, 도 3은 본 발명의 제2목적을 달성하기 위한 입력버퍼 회로의 일실시 예시도로서 이에 도시한 바와 같이, 입력신호(INPUT)에 대한 로직 드레쉬홀드 전압을 설정하고, 그 로직 드레쉬홀드 전압을 기준으로 입력신호(INPUT)를 반전증폭하는 인버터(31)와; 상기 인버터(31)의 출력전압을 반전증폭하여 이를 내부신호단자(IS2)에 출력하는 인버터(32)와; 상기 입력신호(INPUT)의 전달속도를 향상시키기 위하여, 그 입력신호(INPUT) 및 인버터(31)의 출력전압을 이용하여 상기 인버터(32)에 소정시간동안 고전위 공급경로를 제공하거나 접지단자로의 뮤팅경로를 제공하는 전달속도 개선부(33)로 구성한 것으로, 이와 같이 구성한 본 발명의 작용을 도 4를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 입력신호(INPUT)가 "로우"에서 "하이"로 천이될 때 그 천이속도가 종래에 비하여 빨라지는 이유를 설명한다.
입력신호(INPUT)가 기 설정된 "로우"로 공급될 때, 이에 의해 인버터(31)의 모스트랜지스터(PM31)가 온되고, 모스트랜지스터(NM31)가 오프되어 노드(N36)측으로 "하이"가 공급된다. 이로 인하여 모스트랜지스터(PM32)가 오프되는 반면 모스트랜지스터(NM32)가 온되어 내부신호단자(IS2)에 "로우"가 출력된다.
이때, 상기 노드(N36)의 "하이" 전압에 의해 모스트랜지스터(PM36)가 오프되는 반면, 상기 "로우"로 공급되는 입력신호(INPUT)에 의해 모스트랜지스터(PM35)가 온되므로 그 모스트랜지스터(PM35)를 통해 모스트랜지스터(NM34)의 게이터에 "하이" 전압이 공급되어 그가 온상태로 된다.
이와 같은 상태에서 상기 입력신호(INPUT)가 "하이"로 천이되면, 이에 의해 모스트랜지스터(PM31)가 오프되는 반면 모스트랜지스터(NM31)가 온되고, 이로인하여 상기 노드(N36)의 전압이 점차 "로우"로 천이되는데, 그 전압에 의해 모스트랜지스터(PM36)가 충분히 오프될때까지 모스트랜지스터(NM33),(NM34)가 온상태를 유지하므로 결국, 상기 모스트랜지스터(NM31)와 상기 모스트랜지스터(NM33)가 병렬로 동작하게 되고, 이에 의해 그 모스트랜지스터(NM31)의 채널(사이즈)이 증가된 효과가 나타난다.
이로인하여, 상기 노드(N36)의 전압이 상기 모스트랜지스터(NM31) 및 모스트랜지스터(NM33),(NM34)를 통해 급속히 로우 레벨로 천이되어 상기 내부신호(IS2)가 "로우"에서 "하이"상태로 천이되는 시간이 그만큼 빨라지게 된다. 다시말해서 내부신호(IS2)의 전달속도가 도 4에서와 같이 빨라지게 된다.
여기서, 노드(N35)와 모스트랜지스터(PM36)의 게이트 사이에 지연기(D32)를 사용한 이유는 상기와 같이 입력신호(INPUT)가 "로우"에서 "하이"로 천이되거나, "하이"에서 "로우"로 천이될 때 그 모스트랜지스터(PM36)의 턴온시간을 지연시키고 턴오프시간을 빠르게 하여 상기 모스트랜지스터(NM33)의 온시간이 그만큼 연장되도록 하기 위함이며, 이와 같은 지연기(D32)는 낸드게이트와 인버터 소자 등을 이용하여 용이하게 구현할 수 있다.
한편, 입력신호(INPUT)가 "하이"에서 "로우"로 천이될 때 그 천이속도가 종래에 비하여 빨라지는 이유를 설명한다.
입력신호(INPUT)가 기 설정된 "하이"로 공급될 때, 이에 의해 인버터(31)의 모스트랜지스터(PM31)가 오프되고, 모스트랜지스터(NM31)가 온되어 노드(N36)측에 "로우"가 공급된다. 또한, 상기 "하이"로 공급되는 입력신호(INPUT)에 의해 모스트랜지스터(NM36)가 온되고, 이로 인하여 모스트랜지스터(PM33)의 게이트에 "로우"가 공급되므로 그가 온상태로 된다.
이와 같은 상태에서, 상기 입력신호(INPUT)가 "로우"로 천이되면, 이에 의해 모스트랜지스터(PM31)가 온되는 반면 모스트랜지스터(NM31)가 온되고, 이로인하여 상기 노드(N36)의 전압이 점차 "하이"로 천이되는데, 그 전압에 의해 모스트랜지스터(NM35)가 온되고, 상기 "로우"로 공급되는 입력신호(INPUT)에 의해 모스트랜지스터(NM36)가 오프되어 모스트랜지스터(PM33)가 충분히 오프될때까지 모스트랜지스터(PM34)가 온상태를 유지하므로 결국, 상기 모스트랜지스터(PM31)와 상기 모스트랜지스터(PM34)가 병렬로 동작하게 되고, 이에 의해 그 모스트랜지스터(PM31)의 채널(사이즈)이 증가된 효과가 나타난다.
이로인하여, 상기 노드(N36)의 전압이 상기 모스트랜지스터(PM31),(PM34)를 통해 급속히 "하이" 레벨로 천이되어 상기 내부신호(IS2)가 "하이"에서 "로우"상태로 천이되는 시간이 그만큼 빨라지게 된다. 다시말해서 내부신호(IS2)의 전달속도가 도 4에서와 같이 빨라지게 된다.
여기서, 노드(N35)와 모스트랜지스터(NM35)의 게이트 사이에 지연기(D31)를 사용한 이유는 상기와 같이 입력신호(INPUT)가 "로우"에서 "하이"로 천이되거나, "하이"에서 "로우"로 천이될 때 그 모스트랜지스터(NM35)의 턴온시간을 지연시키고 턴오프시간을 빠르게 하여 상기 모스트랜지스터(PM33)의 온시간이 그만큼 연장되도록 하기 위함이며, 이와 같은 지연기(D31)도 낸드게이트와 인버터 소자 등을 이용하여 용이하게 구현할 수 있다.
한편, 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예를 보인 것으로, 전반적인 동작과정은 도 4와 동일하다. 단, 도 4와 비교할 때 내부신호(IS2)를 인버터(I51)를 통해 피드백시켜 전달속도 개선부(43)의 모스트랜지스터(NM55),(PM56)의 동작을 제어하도록 한 것이 다른 점이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 입력신호와 내부신호단자로 부터 피드백되는 신호를 이용하여, 입력단의 인버터에 별도의 경로를 통해 고전위를 공급하거나 접지단자로의 뮤팅경로를 제공하는 입력신호레벨 보상부를 추가함으로써 입력신호의 레벨 변동에 대해 적절히 대응할 수 있게 되고, 이로 인하여 시스템의 동작을 안정화 시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 입력신호 및 출력단 인버터의 출력전압을 이용하여 입력단 인버터에 소정시간동안 고전위 공급경로를 제공하거나 접지단자로의 뮤팅경로를 제공함으로써 입력신호를 전달속도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (5)
- 입력신호(INPUT)에 대한 로직 드레쉬홀드 전압을 설정하고, 그 로직 드레쉬홀드 전압을 기준으로 입력신호(INPUT)를 반전증폭하는 인버터(21)와; 상기 인버터(21)의 출력전압을 반전증폭하여 이를 내부신호단자(IS2)에 출력하는 인버터(22)와; 상기 입력신호(INPUT)와 내부신호단자(IS2)로 부터 피드백되는 신호를 이용하여, 상기 인버터(22)에 별도의 경로를 통해 고전위를 공급하거나 접지단자로의 뮤팅경로를 제공하는 입력신호레벨 보상부(23)로 구성한 것을 특징으로 하는 입력버퍼 회로.
- 제1항에 있어서, 입력신호레벨 보상부(23)는 전원단자(VCC)와 접지단자(VSS) 사이에 모스트랜지스터(PM23),(PM24),(NM23),(NM24)를 병렬접속하고, 그 모스트랜지스터(PM24),(NM23)의 게이트를 상기 인버터(21)의 출력단자에, 모스트랜지스터(PM23),(NM24)의 게이트를 상기 내부신호단자(IS2)에 각기 접속하여 구성한 것을 특징으로 하는 입력버퍼 회로.
- 입력신호(INPUT)에 대한 로직 드레쉬홀드 전압을 설정하고, 그 로직 드레쉬홀드 전압을 기준으로 입력신호(INPUT)를 반전증폭하는 인버터(31)와; 상기 인버터(31)의 출력전압을 반전증폭하여 이를 내부신호단자(IS2)에 출력하는 인버터(32)와; 상기 입력신호(INPUT)의 전달속도를 향상시키기 위하여, 그 입력신호(INPUT) 및 인버터(31)의 출력전압을 이용하여 상기 인버터(32)에 소정시간동안 고전위 공급경로를 제공하거나 접지단자로의 뮤팅경로를 제공하는 전달속도 개선부(33)로 구성한 것을 특징으로 하는 입력버퍼 회로.
- 제3항에 있어서, 고전위 공급경로와 접지단자로의 뮤팅경로는 입력신호(INPUT) 천이시 상기 인버터(31)의 모스트랜지스터와 병렬로 연결되는 모스트랜지스터(PM34),(NM33)를 포함하여 구성한 것을 특징으로 하는 입력버퍼 회로.
- 제3항에 있어서, 고전위 공급경로와 접지단자로의 뮤팅경로가 온되는 시간을 연장시키기 위하여, 지연기(D31),(D32)를 더 포함하여 구성한 것을 특징으로 하는 입력버퍼 회로.
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