KR100244267B1 - 화면분할 전하 전송 소자 - Google Patents

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박용
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최선
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김영환
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Abstract

본 발명은 고체 촬상 소자에 관한 것으로 특히, 화면 분할이 가능하도록 한 화면분할 전하 전송 소자에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명에 의한 화면분할 CCD는 일정간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하여 영상 전하를 생성하는 복수개의 광전 변환 영역 및 그 영역의 사이에 각각 형성되어 광전 변환 영역에서 생성된 전하를 수직방향으로 전송하는 복수개의 수직 전하 전송 영역을 포함한 전하 전송 소자에 있어서, 상기 광전 변환 영역 및 수직 전하 전송 영역으로 이루어져 복수개의 영역으로 분할 구성되어 인가되는 클럭 레벨의 변화에 의해 전하를 서로 다른 방향으로 이동시키는 이미지 센싱 영역들과, 상기 이미지 센싱 영역들에 대응하게 구성되어 인가되는 클럭 레벨의 변화에 의해 전하를 서로 다른 방향으로 이동시키는 복수개의 수평 전하 전송 영역들과, 상기 수평 전하 전송 영역에서 전송된 전하를 센싱하는 복수개의 센싱 앰프들을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

Description

화면분할 전하 전송 소자{frame segmentation charge coupled device}
본 발명은 고체 촬상 소자에 관한 것으로 특히, 화면 분할이 가능하도록 한 화면분할 전하 전송 소자에 관한 것이다.
일반적으로 고체 촬상 소자는 광전 변환 소자와 전하 전송 소자(이하, CCD : Charge Coupled Device 라고 한다)를 사용하여 피사체를 촬상하여 전기적인 신호로 출력하는 장치를 말한다.
상기 CCD는 광전 변환 소자(PD : Photo Diode)에서 생성되어진 신호 전하를 기판내에서 전위의 변동을 이용하여 특정 방향으로 전송하는데 사용된다.
그리고 CCD는 다른 소자와 동작원리가 많이 다르다. 그 다른점 중에서 가장 중요한 것은 CCD는 포텐셜 웰(Potential Well)을 주로 사용하며, 전류의 흐름보다는 전압의 분포를 중요시 한다.
특히, CCD는 광소자, 아날로그(Analog), 디지탈(Digital) 소자의 성격을 가지고 있다는 점이 다르다.
여기서 CCD의 HCCD(Horizontal CCD)는 VCCD(Vertical CCD)가 병렬로 전해준 전하를 짧은 순간 다 읽어 내어야 하기 때문에 클럭킹(Clocking)이 빨라야 하므로 VCCD의 4 위상 클럭킹(4-Phase Clocking)과는 달리 2 위상 클럭킹을 하는게 일반적이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 CCD를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 CCD를 나타낸 블럭도이다.
종래의 CCD는 도 1에서와 같이 일정 간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 전환하여 영상 전하를 생성하는 복수개의 광전 변환 영역(PD)(11)과, 상기 수직 방향의 광전 변환 영역(11)의 사이에 각각 형성되어 광전 변환 영역(11)에서 생성된 전하를 수직 방향으로 전송하는 복수개의 수직 전하 전송 영역(VCCD)(12)과, 상기 수직 전하 전송 영역(12)에서 수직 전송된 영상 전하를 수평 방향으로 전송하는 수평 전하 전송 영역(HCCD)(13)과, 상기 수평 전하 전송 영역(13)에서 수평 방향으로 전송된 영상 전하를 센싱하는 센싱 앰프(S/A)(14)를 포함하여 구성된다.
상기 광전 변환 영역(11)은 1/60초 또는 1/30초 동안 빛에 의해 발생된 전하를 축적하고 트랜스퍼 게이트(Transfer Gate)에 의해서 바로 옆에 위치한 VCCD(12)에 이동시키고 수직으로 빼낸 다음 HCCD(13)에 의해서 수평으로 한 라인(Line)씩 스켈링(Scanning)하여 센싱 앰프(14)를 통해 센싱되어 영상신호를 읽어낸다.
그러나 이와 같은 종래의 CCD에 있어서 전하 전송 방향이 한 방향으로만 전송되어지기 때문에 다른 방향으로 전하 전송시 별도의 장치를 통해야만 하는 번거로운 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 서로 다른 방향으로 전하 전송 방향이 가능하도록 한 화면분할 CCD를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 전하 전송 소자를 나타낸 블럭도
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 전하전송 방향에 따른 포텐셜 프로파일
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 의한 전하 전송 소자의 화면 분할 형태를 나타낸 구성도
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
31 : 이미지 센싱 영역 32 : HCCD
33 : 센싱 앰프
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 화면분할 CCD는 일정간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하여 영상 전하를 생성하는 복수개의 광전 변환 영역 및 그 영역의 사이에 각각 형성되어 광전 변환 영역에서 생성된 전하를 수직방향으로 전송하는 복수개의 수직 전하 전송 영역을 포함한 전하 전송 소자에 있어서, 상기 광전 변환 영역 및 수직 전하 전송 영역으로 이루어져 복수개의 영역으로 분할 구성되어 인가되는 클럭 레벨의 변화에 의해 전하를 서로 다른 방향으로 이동시키는 이미지 센싱 영역들과, 상기 이미지 센싱 영역들에 대응하게 구성되어 인가되는 클럭 레벨의 변화에 의해 전하를 서로 다른 방향으로 이동시키는 복수개의 수평 전하 전송 영역들과, 상기 수평 전하 전송 영역에서 전송된 전하를 센싱하는 복수개의 센싱 앰프들을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 화면분할 CCD에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 의한 CCD의 전하 전송 방향에 따른 포텐셜 프로파일이다.
도 2a는 VCCD의 포텐션 프로파일로써 먼저, 전압입력 단자에 입력되는 Vø1, Vø2, Vø3, Vø4의 클럭 레벨을 변화시키기 위한 전압을 인가하면 도 2a에서와 같이 전하가 좌측에서 우측으로 전송된다.
즉, t = 1일 때 제 1,2 폴리 게이트 및 제 4,5 폴리 게이트 HIGH 전압이 걸리므로 이곳의 에너지 레벨이 내려가는 하측이 포텐셜 웰의 바닥이 된다.
이어, t = 2가 되면 제 3,7 폴리 게이트에 HIGH 전압이 걸리므로 이곳의 에너지 레벨이 내려가고, t = 3이 되면 제 1,5 폴리 게이트에 LOW 전압이 걸리므로 에너지 레벨이 올라온다.
한편, t = 4가 되면 제 4,8 폴리 게이트에 HIGH 전압이 걸리므로 에너지 레벨이 내려가고, t = 5가 되면 제 2,6 폴리 게이트에 LOW 전압이 걸리어 에너지 레벨이 올라온다.
그리고 t = 6이 되면 제 1,5 폴리 게이트에 HIGH 전압이 걸리어 에너지 레벨이 내려가고, t = 7이 되면 제 3,7 폴리 게이트에 LOW 전압이 걸리므로 에너지 레벨이 올라온다.
이어, 상기 t = 8이 되면 제 2,6 폴리 게이트에 HIGH 전압이 걸리어 에너지 레벨이 내려가고, t = 9가 되면 t = 1의 경우와 동일하게 되어 다음번 일련의 VCCD 클럭 펄스를 대기하게 된다.
도 2b는 VCCD의 포텐셜 프로파일로써, 전압입력 단자에 입력되는 Vø1, Vø2, Vø3, Vø4의 클럭 레벨을 변화시키기 위한 전압을 인가하면 도 2b에서와 같이 전하가 우측에서 좌측으로 전송된다.
즉, t = 1일 때 제 7,8 폴리 게이트 및 제 3,4 폴리 게이트 HIGH 전압이 걸리므로 이곳의 에너지 레벨이 내려가는 하측이 포텐셜 웰의 바닥이 된다.
이어, t = 2가 되면 제 2,6 폴리 게이트에 HIGH 전압이 걸리므로 이곳의 에너지 레벨이 내려가고, t = 3이 되면 제 4,8 폴리 게이트에 LOW 전압이 걸리므로 에너지 레벨이 올라온다.
한편, t = 4가 되면 제 1,5 폴리 게이트에 HIGH 전압이 걸리므로 에너지 레벨이 내려가고, t = 5가 되면 제 3,7 폴리 게이트에 LOW 전압이 걸리어 에너지 레벨이 올라온다.
그리고 t = 6이 되면 제 4,8 폴리 게이트에 HIGH 전압이 걸리어 에너지 레벨이 내려가고, t = 7이 되면 제 2,6 폴리 게이트에 LOW 전압이 걸리므로 에너지 레벨이 올라온다.
이어, 상기 t = 8이 되면 제 3,7 폴리 게이트에 HIGH 전압이 걸리어 에너지 레벨이 내려가고, t = 9가 되면 t = 1의 경우와 동일하게 되어 다음번 일련의 VCCD 클럭 펄스를 대기하게 된다.
도 2c는 HCCD의 포텐셜 프로파일로써, 전압입력 단자에 입력되는 Hø1, Hø2의 클럭 레벨을 변화시키기 위한 전압을 인가하면 전하가 좌측에서 우측으로 전송된다.
전자는 포텐셜 웰의 바닥이 에너지 레벨이 낮은 상태이므로 이곳에 모이게 된다. 즉, t = 1일 때 Hø2가 인가되는 제 4 폴리 게이트의 하측 포텐셜 웰에 전하가 모이게 된다.
그리고 t = 2일 때 제 1,2 폴리 게이트에 HIGH 전압이 인가되어, 상기 제 1,2 폴리 게이트 하측의 에너지 레벨이 내려가고 제 3,4 폴리 게이트에는 LOW 전압이 인가되므로 에너지 레벨이 올라간다.
그러나 제 4 폴리 게이트 하측 포텐셜 웰에 모인 전자는 제 3 폴리 게이트 하측의 베리어 영역에 의해 왼쪽으로 이동할 수 없다.
그리고 제 5,6 폴리 게이트의 에너지 레벨이 점점 낮아져서 제 4 폴리 게이트의 오른편 베리어층이 제거되면 전자는 에너지 레벨이 낮은 제 5,6 폴리 게이트 하측으로 이동한다.
그리고 제 5,6 폴리 게이트의 바이어스가 충분히 높아지면 다시 계단식 포텐셜 웰을 형성하여 전자가 모여 있는 위치는 제 4 폴리 게이트 하측에서 제 6 폴리 게이트 하측으로 바뀌게 된다.
이어, t = 3이 되면 제 1,2,5,6 폴리 게이트에 LOW 전압이 제 3,4,7,8 폴리 게이트에 HIGH 전압이 인가되어 t = 1의 경우와 같게 된다.
여기서 t = 1부터 t = 3까지가 클럭 펄스의 한 주기가 되는데, 이동안에 전자는 제 4 폴리 게이트 하측에서 제 8 폴리 게이트 하측으로 이동된다.
도 2d는 HCCD의 포텐셜 프로파일로써, 전압입력 단자에 입력되는 Hø1, Hø2의 클럭 레벨을 변화시키기 위한 전압을 인가하면 전하가 우측에서 좌측으로 전송된다.
즉, t = 1일 때 Hø2에 HIGH가 인가되어 제 5 폴리 게이트 하측 포텐셜 웰에 전하가 모이게 된다.
그리고 t = 2일 때 제 3,4 폴리 게이트에 HIGH 전압이 인가되어 제 3,4 폴리 게이트 하측의 에너지 레벨이 내려가고 제 5,6 폴리 게이트에는 LOW 전압이 인가되므로 에너지 레벨이 올라간다.
그러나 제 5 폴리 게이트 하측 포텐셜 웰에 모인 전자는 제 4 폴리 게이트 하측의 베리어 영역에 의해 왼쪽으로 이동할 수 없다.
그리고 제 3,4 폴리 게이트의 에너지 레벨이 점점 낮아져서 제 5 폴리 게이트의 왼쪽 베리어층이 제거되면 전자는 에너지 레벨이 낮은 제 3,4 폴리 게이트 하측으로 이동한다.
그리고 제 3,4 폴리 게이트의 바이어스가 충분히 높아지면 다시 계단식 포텐셜 웰을 형성하여 전자가 모여 있는 위치는 제 5 폴리 게이트 하측에서 제 3 폴리 게이트 하측으로 바뀌게 된다.
이어, t = 3이 되면 제 3,4,7,8 폴리 게이트에 LOW 전압이 제 1,2,5,6 폴리 게이트에 HIGH 전압이 인가되어 t = 1의 경우와 같게 된다.
여기서 t = 1부터 t = 3까지가 클럭 펄스의 한 주기가 되는데, 이동안에 전자는 제 5 폴리 게이트 하측에서 제 1 폴리 게이트 하측으로 이동된다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 의한 CCD의 화면 분할 형태를 나타낸 구성도이다.
먼저, 도 3a의 CCD는 일정간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하여 영상 전하를 생성하는 복수개의 광전 변환 영역 및 그 사이에 각각 형성되어 광전 변환 영역에서 생성된 전하를 수직방향으로 전송하는 VCCD로 이루어진 이미지 센싱 영역(Image Sensing Area)(31)이 상하대칭으로 제 1 이미지 센싱 영역(31a)과 제 2 이미지 센싱 영역(31b)으로 분할되어 구성됨으로써 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 각기 다른 방향으로 전하를 이동시킨다.
즉, 상기 제 1 이미지 센싱 영역(31a)은 도 2b에서와 같이 전하가 좌측으로 이동하고, 상기 제 2 이미지 센싱 영역(31b)은 도 2a에서와 같이 전하가 우측으로 이동한다.
그리고 상기 제 1 이미지 센싱 영역(31a) 및 제 2 이미지 센싱 영역(31b)에서 수직으로 전송된 전하는 일방향으로 구성된 제 1, 제 2 HCCD(32a,32b)에 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 도 2c에서와 같이 전하가 우측으로 이동하여 각각에 연결된 제 1, 제 2 센싱 앰프(33a,33b)에 전달되어 출력된다.
도 3b의 CCD는 일정간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하여 영상 전하를 생성하는 복수개의 광전 변환 영역 및 그 사이에 각각 형성되어 광전 변환 영역에서 생성된 전하를 수직으로 전하를 전송하는 VCCD로 이루어진 이미지 센싱 영역(31)이 상하대칭으로 제 1 이미지 센싱 영역(31a)과 제 2 이미지 센싱 영역(31)으로 분할되어 구성됨으로써 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 서로 다른 방향으로 전하를 전송한다.
즉, 상기 제 1 이미지 센싱 영역(31a)은 도 2b에서와 같이 전하가 좌측으로 이동하고, 상기 제 2 이미지 센싱 영역(31b)은 도 2a에서와 같이 전하가 우측으로 이동한다.
그리고 상기 제 1, 제 2 이미지 센싱 영역(31a,31b)에서 전송된 전하를 수평으로 전송하는 HCCD(32)가 서로 다른 방향인 제 1 HCCD(32a)와 제 2 HCCD 영역(32b)으로 분할하여 전하를 전송하여 각각의 제 1, 제 2 센싱 앰프(33a,33b)에 의해 출력된다.
즉, 상기 제 1 HCCD(32a)에 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 도 2d에서와 같이 전하가 좌측으로 이동되고, 상기 제 2 HCCD(32b)에 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 도 2c에서와 같이 전하가 우측으로 이동된다.
도 3c의 CCD는 일정간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하여 영상 전하를 생성하는 복수개의 광전 변환 영역 및 그 사이에 각각 형성되어 광전 변환 영역에서 생성된 전하를 수직으로 전하를 전송하는 VCCD로 이루어진 이미지 센싱 영역(31)이 좌우대칭으로 제 1 이미지 센싱 영역(31a)과 제 2 이미지 센싱 영역(31b)으로 분할되어 전하를 전송한다.
즉, 상기 제 1 이미지 센싱 영역(31a)에 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 도 2b에서와 같이 전하가 좌측으로 이동하고, 상기 제 2 이미지 센싱 영역(31b)에 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 도 2a에서와 같이 전하가 우측으로 이동한다.
그리고 상기 제 1, 제 2 이미지 센싱 영역(31a,31b)에서 전송된 전하를 수평으로 전송하는 HCCD(32)가 서로 반대방향인 제 1 HCCD(32a)와 제 2 HCCD(32b)으로 분할하여 전하를 전송하여 각각의 제 1, 제 2 센싱 앰프(33a,33b)를 통해 출력한다.
즉, 상기 제 1 HCCD(32a)에 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 도 2d에서와 같이 전하가 좌측으로 이동되고, 상기 제 2 HCCD(32b)에 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 도 2c에서와 같이 전하가 우측으로 이동된다.
도 3d의 CCD는 일정간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하여 영상 전하를 생성하는 복수개의 광전 변환 영역 및 그 사이에 각각 형성되어 광전 변환 영역에서 생성된 전하를 수직으로 전하를 전송하는 VCCD로 이루어진 이미지 센싱 영역(31)이 상하좌우 대칭방향인 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 이미지 센싱 영역(31a,31b,31c,31d)로 분할되어 구성됨으로써 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 전하를 각기 다른 방향으로 이동한다.
즉, 상기 제 1, 제 2 이미지 센싱 영역(31a,31b)은 도 2a에서와 같이 전하가 우측으로 이동되고, 상기 제 3, 제 4 이미지 센싱(31c,31d)은 도 2b에서와 같이 전하가 좌측으로 이동한다.
그리고 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 이미지 센싱 영역(31a,31b,31c,31d)에서 전송된 전하는 각각에 연결된 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 HCCD(32a,32b,32c,32d)로 분할되어 구성됨으로써 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 각기 다른 방향으로 전하를 이동하여 제 1, 제 2 , 제 3, 제 4 센싱 앰프(33a,33b,33c,33d)을 통해 출력된다.
즉, 상기 제 1, 제 3 HCCD(32a,32c)는 도 2d에서와 같이 전하가 좌측으로 이동되고, 상기 제 2, 제 4 HCCD(32b,32d)는 도 2c에서와 같이 전하가 우측으로 이동된다.
도 3e의 CCD는 일정간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하여 영상 전하를 생성하는 복수개의 광전 변환 영역 및 그 사이에 각각 형성되어 광전 변환 영역에서 생성된 전하를 수직으로 전하를 전송하는 VCCD로 이루어진 이미지 센싱 영역(31)이 일방향의 제 1 이미지 센싱 영역(31a) 및 상기 제 1 이미지 센싱 영역(31a)과 타방향으로 제 2, 제 3 이미지 센싱 영역(31b,31c)으로 분할되어 구성됨으로써 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 전하가 서로 다른 방향으로 이동한다.
즉, 상기 제 1 이미지 센싱 영역(31a)은 도 2a에서와 같이 우측으로 전하가 전송되고, 상기 제 2, 제 3 이미지 센싱 영역(31b,31c)은 도 2b에서와 같이 전하가 좌측으로 전송된다.
그리고 상기 제 1, 제 2, 제 3 이미지 센싱 영역(31a,31b,31c)에서 전송된 전하는 각각의 제 1, 제 2, 제 3 HCCD(32a,32b,32c)에 전송됨으로써 클럭 레벨을 변화시켜 인가하면 서로 다른 방향으로 전하를 이동시키어 각각에 연결된 제 1, 제 2, 제 3 센싱 앰프(33a,33b,33c)를 통해 출력된다.
즉, 상기 제 1, 제 3 HCCD(32a,32c)는 도 2c에서와 같이 전하가 우측으로 이동되고, 상기 제 2 HCCD(32b)는 도 2d에서와 같이 전하가 좌측으로 이동된다.
도 3f는 도 3e와 서로 반대로 구성되어 전하를 서로 다른 방향으로 이동시킨다.
즉, 제 1, 제 2 이미지 센시 영역(31a,31b)은 도 2a에서와 같이 전하를 우츨으로 이동시키고, 제 3 이미지 센싱 영역(31c)은 도 2b에서와 같이 전하를 좌측으로 이동시킨다.
그리고 제 1, 제 3 HCCD(32a,32c)는 도 2d에서와 같이 전하를 좌측으로 이동시키고, 제 2 HCCD(32b)는 도 2c에서와 같이 전하를 우측으로 이동시킨다.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명에 의한 화면분할 전하 전송 소자에 있어서 인가되는 클럭의 조정으로 전하 전송 방향을 임의로 바꿀수 있기 때문에 다른 공정이 필요없이 서로 다른 방향의 전하 전송 소자를 필요로 하는 곳에 효율적으로 적용이 가능하다는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 일정간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하여 영상 전하를 생성하는 복수개의 광전변환영역 및 그 영역의 사이에 각각 형성되어 광전변환영역에서 생성된 전하를 수직방향으로 전송하는 복수개의 수직전하전송영역을 포함한 전하전송소자에 있어서,
    상기 광전변환영역 및 수직전하전송영역으로 이루어진 복수개의 영역으로 분할 구성되어 인가되는 클럭 레벨의 변화에 의해 전하를 서로 다른 방향으로 이동시키는 이미지 센싱 영역들과,
    상기 이미지 센싱영역들에 대응하게 구성되어 인가되는 클럭레벨의 변화에 의해 전하를 서로 다른 방향으로 이동시키는 복수개의 수평전하전송영역들과,
    상기 수평전하전송영역에서 전송된 전하를 센싱하는 복수개의 센싱앰프들을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 화면분할 전하전송소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이미지 센싱영역은 상하대칭인 두 개의 영역으로 분할되어 구성됨으로써 인가되는 클럭레벨의 변화에 의해 전하를 서로 다른 방향으로 전송하는 것을 특징으로 하는 화면분할 전하전송소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 이미지 센싱영역은 좌우대칭인 두 개의 영역으로 분할되어 구성됨으로써 인가되는 클럭 레벨의 변화에 의해 전하를 서로 다른 방향으로 전송되는 것을 특징으로 하는 화면분할 전하전송소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 이미지 센싱영역은 상하 두 개 및 좌우 두 개인 네 개의 영역으로 분할되어 구성됨으로써 인가되는 클럭 레벨의 변화에 의해 전하를 서로 다른 방향으로 전송되는 것을 특징으로 하는 화면분할 전하전송소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 이미지 센싱영역은 상(上)은 한 개 하(下)는 두 개의 영역 또는 상(上)은 두 개 및 하(下)는 한 개인 세 개의 영역으로 분할되어 구성됨으로써 인가되는 클럭 레벨의 변화에 의해 전하를 서로 다른 방향으로 전송되는 것을 특징으로 하는 화면분할 전하전송소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 수평전하전송영역 및 센싱앰프는 서로 동일한 수로 구성되는 것을 특징으로 하는 화면분할 전하전송소자.
KR1019970006685A 1997-02-28 1997-02-28 화면분할 전하 전송 소자 KR100244267B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4280141A (en) * 1978-09-22 1981-07-21 Mccann David H Time delay and integration detectors using charge transfer devices
US5291294A (en) * 1989-09-14 1994-03-01 Sony Corporation Charge coupled device imager with horizontal charge transfer sections in an imaging section

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4280141A (en) * 1978-09-22 1981-07-21 Mccann David H Time delay and integration detectors using charge transfer devices
US5291294A (en) * 1989-09-14 1994-03-01 Sony Corporation Charge coupled device imager with horizontal charge transfer sections in an imaging section

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