KR100237093B1 - 패턴 형성 방법 - Google Patents

패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100237093B1
KR100237093B1 KR1019910009006A KR910009006A KR100237093B1 KR 100237093 B1 KR100237093 B1 KR 100237093B1 KR 1019910009006 A KR1019910009006 A KR 1019910009006A KR 910009006 A KR910009006 A KR 910009006A KR 100237093 B1 KR100237093 B1 KR 100237093B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phase shifter
pattern
reticle
phase
plate
Prior art date
Application number
KR1019910009006A
Other languages
English (en)
Korean (ko)
Inventor
도시히꼬 다나까
노리오 하세가와
도시아끼 야마나까
아끼라 이마이
히로시 시라이시
다꾸미 우에노
히로시 후꾸다
Original Assignee
가나이 쓰도무
가부시키가이샤 히다치 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 쓰도무, 가부시키가이샤 히다치 세이사꾸쇼 filed Critical 가나이 쓰도무
Application granted granted Critical
Publication of KR100237093B1 publication Critical patent/KR100237093B1/ko

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
KR1019910009006A 1990-06-11 1991-05-31 패턴 형성 방법 KR100237093B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2-149998 1990-06-11
JP2149998A JPH0443360A (ja) 1990-06-11 1990-06-11 ネガ型放射線感応材料及びこれを用いたパタン形成方法及びマスク製造方法及びマスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100237093B1 true KR100237093B1 (ko) 2000-01-15

Family

ID=15487235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910009006A KR100237093B1 (ko) 1990-06-11 1991-05-31 패턴 형성 방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH0443360A (ja)
KR (1) KR100237093B1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102280007A (zh) * 2011-01-25 2011-12-14 交通运输部公路科学研究院 网式崩塌灾害监测预警系统

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0443360A (ja) 1992-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5328807A (en) Method of forming a pattern
KR950002871B1 (ko) 포토마스크 및 그 제조방법
US5578422A (en) Manufacturing method or an exposing method for a semiconductor device or a semiconductor integrated circuit device and a mask used therefor
KR100256619B1 (ko) 포토마스크 및 그것을 사용한 레지시트 패턴 형성방법
JP3105234B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100258679B1 (ko) 감광층내에 피처를 패터닝하는 방법과 감광층내에 디바이스층을형성하는 방법
KR950008384B1 (ko) 패턴의 형성방법
KR19990045024A (ko) 2중노광방법 및 이것을 이용한 디바이스 제조방법
JPH04361521A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
KR100263900B1 (ko) 마스크 및 그 제조방법
US5725971A (en) Method of manufacturing phase shift masks and a method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US5756235A (en) Phase shift mask and method for fabricating the same
KR20030043587A (ko) 수차 계측용 포토 마스크, 수차 계측 방법, 수차 계측용장치 및 이 장치의 제조 방법
KR100237093B1 (ko) 패턴 형성 방법
KR0184277B1 (ko) 위상시프터를 갖는 마스크와 그 제조방법 및 그 마스크를 사용한 패턴형성방법
JPH03144453A (ja) 露光用マスク及び半導体装置の製造方法
JP3135508B2 (ja) パターン形成方法およびデバイス生産方法
JP2693805B2 (ja) レチクル及びこれを用いたパターン形成方法
KR950007477B1 (ko) 위상반전 마스크 및 그의 제조방법
US20080057410A1 (en) Method of repairing a photolithographic mask
JP3422054B2 (ja) 光学マスクおよびその製造方法
KR20010063593A (ko) 이유브이 노광장비용 반사 마스크
JP3417939B2 (ja) マスク及びマスクを用いたパターン形成方法
KR0146172B1 (ko) 노광장치의 렌즈 비점수차 측정방법
KR940005623B1 (ko) 패턴형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20031006

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee