KR100236300B1

KR100236300B1 - 정전접합을 이용한 게터의 실링방법

Info

Publication number: KR100236300B1
Application number: KR1019960060106A
Authority: KR
Inventors: 우광제
Original assignee: 김영남; 오리온전기주식회사
Priority date: 1996-11-30
Filing date: 1996-11-30
Publication date: 1999-12-15
Also published as: KR19980040864A

Abstract

본 발명은 평판 디스플레이의 유리기판에 정전접합을 이용하여 게터를 활성화시켜 진공도를 높일 수 있는 평판 디스플레이용 게터 실링방법에 관한 것으로, 고진공으로 이루어진 챔버(6)상에 상판(4)과 하판(2) 사이에 실링 페이스트(16)으로 봉입된 패널(17)을 설치하고, 패널(17)의 하판(2)에 형성된 배기구(8)의 하부측에 게터(10)가 삽입고정된 ㄷ형상의 봉입부(10)사이에 Al필름(14)을 넣고, 봉입부(10)와 Al필름(14)에 전원을 인가하여 배기구(8)를 봉입하는 방법이 특징이다.

Description

정전접합을 이용한 게터의 실링방법

본 발명은 평판 디스플레장치에 있어서, 특히 평판 디스플레이의 유리기판에 정전접합을 이용하여 게터를 활성화시켜 진공도를 높일 수 있는 평판 디스플레이용 게터 실링방법에 관한 것이다.

일반적으로 FED장치 소자의 내부 진공 유지를 위해 게터를 형성시키는 바, 이에 사용되는 게터는 증발성 게터(Evaporable Getter)와 비증발성 게터(NEG : Non-Evaporable Getter)가 있다.

또한 게터의 활성화 방법으로는, 전류에 의한 저항 가열법, 증발성 게터에 사용되는 RF(Radio Frequency)가열법, 레이저 또는 적외선 가열법에 의해 게터를 활성화시키며, 또다른 활성화 방법으로는 FED판넬 전체를 가열시켜 활성화시키는 방법이 있다. 그중 많이 사용되는 방법으로 저항 가열법과 RF가열법이 편리하게 사용되고 있다.

예를 들어 증발성 게터를 사용할 경우에는, 이 게터를 형성시키기 위한 구조가 복잡해지고, 게터의 활성화시 내부 온도가 800∼1250℃까지 상승하는 고온 문제로, 글래스에 파손 문제가 발생되어 진공도를 유지 못하는 단점이 있고 또한 가공성도 어렵고 소자의 두께가 두터워지는 단점이 있다.

또한 증발성 게터는 마그네슘, 바륨, 알루미늄, 티타늄 등의 금속성으로 이루어져 있어 진공도를 높이기 위해 게터를 활성시킨 후에는 그 소자 내부 자체가 도전되는 문제도 발생하여 전극 컨트롤이 잘 않되는 문제도 생긴다.

따라서, 종래에는 비증발성 게터(NEG)를 이용하여 소자 내부의 진공을 유지하는 기술이 나왔으나 공정이 복잡하여 작업성이 떨어지는 단점이 있다.

그래서, 이러한 여러 가지 문제로 인하여 최근에는 고진공으로 배기하는 기술을 사용하는데, 이 방법은 하부기판에 세관을 부착하여 세관을 통해 배기함으로써 세관의 모양에 따라 결정되는 배기 컨덕턴스에 크게 영향을 받아왔고, 상기 세관을 진공봉입할 때 발생되는 가스가 패널의 진공도에 크게 영향을 미치게 되어 실제적으로 진공 봉입한 직후의 진공도는 거의 10^-3torr정도밖에 되지 않는다.

또한 세관배기 방식이기 때문에 게터의 설치이전 또한 상판과 하판의 실링이전에 이루어져야 하는 문제점 때문에 게터가 고온처리과정을 거치게 되어 심하게 손상되는 경우가 발생되었다.

본 발명은 종래와 같은 문제점을 감안하여 창안된 것으로, 본 발명은 목적은 베큠 챔버(Vacuum Chamber)내에서 패널의 두께를 최대한 줄일 수 있고, 고진공에서 진공봉입이 가능한 정전접합을 이용한 게터의 실링방법을 제공함을 목적으로 하고 있다.

도1은 본 발명의 정전접합을 이용한 게터의 실링방법을 나타내는 도면.

도2는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

2 : 하판 4 : 상판

6 : 챔버 8 : 배기구

12 : 게터 14 : Al필름

16 : 실링페이스트 17 : 패널

20 : 실리콘 22 : 유리기판

본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 고진공으로 이루어진 챔버상에 상판과 하판 사이에 실링 페이스트로 봉입된 패널을 설치하고, 패널의 하판에 형성된 배기구의 하부측에 게터가 삽입고정된 ㄷ형상의 봉입부 사이에 Al필름을 넣고, 봉입부와 Al필름에 정전접합을 이용하는 것으로 전원을 인가하여 배기구를 봉입하는 것이 특징이다.

상기와 같이 구성된 본 발명의 정전접합을 이용한 게터의 실링방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도1은 본 발명의 정전접합을 이용한 게터의 실링방법을 나타내는 도면이고, 도2는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.

유리기판으로 이루어진 상판(4)과 하판(2) 사이에 실링 페이스트(16)으로 봉입된 패널(17)의 내부에 진공을 시키기 위하여 챔버(6)내에 넣고 고진공으로 챔버를 배기한다.

상기 고진공의 챔버(6)상에 넣어져 있는 패널(17)의 하판(2)에 형성된 배기구(8)의 하부측에 게터(10)가 실장된 ㄷ형상으로 몰딩이 되어 있는 봉입부(10)사이에 얇은 Al필름(14)을 넣고, 봉입부(10)와 Al필름(14)에 애노딕본딩법에 의해 전원을 인가하므로 Al필름(14)이 녹게되어 하판(2)상에 봉입부(10)가 부착된다.

상기 애노딕본딩법은 종래의 세관을 이용할 때에 사용되는 고온의 열이 발생되는 것이 아니라 상온정전접합을 이용하기 때문에 게터(12)와 패널(17)에 무리를 주는 경우는 발생되지 않는다.

또한 다른 예로써, 도2에 도시된 바와 같이 진공챔버(6)에 설치된 패널(17)의 하판(2)에 형성된 배기구(8) 하부측에 몰딩으로 형성되어 있는 것이 아니라 평판의 유리기판(22)상에 게터(12)를 실장한다.

상기 유리기판(22)상에 게터(12)가 실장된 유리기판(22)상에 실리콘(20)을 게터(12)가 실장된 형성두께보다 두껍게 형성한다.

상기 유리기판(22)에 형성된 실리콘(20)에 애노딕본딩법에 의해 전류를 인가하여 실리콘(20)을 하판(2)의 배기구(8)를 쉽게 봉입을 할 수 있는 것으로 실리콘을 게테가 실장된 높이보다 두껍게 설치하는 것으로 유리기판을 몰딩시킬 필요가 없는 것이 특징이다.

따라서, 본 발명은 베큠 챔버(Vacuum Chamber)내에서 패널의 두께를 최대한 줄일 수 있고, 고진공에서 진공봉입이 가능한 것으로 게터가 고온에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있는 불량율을 낮추고, 게터의 선택에 있어서 크게 제한을 받지않는 효과가 있다.

Claims

평판 디스플레이장치에 있어서, 고진공으로 이루어진 챔버(6)상에 상판(4)과 하판(2) 사이에 실링 페이스트(16)으로 봉입된 패널(17)을 설치하고, 패널(17)의 하판(2)에 형성된 배기구(8)의 하부측에 게터(10)가 삽입고정된 ㄷ형상의 봉입부(10)사이에 Al필름(14)을 넣고, 봉입부(10)와 Al필름(14)에 전원을 인가하여 배기구(8)를 봉입하는 것을 특징으로 정전접합을 이용한 게터의 실링방법.
제1항에 있어서, 진공챔버(6)에 설치된 패널(17)의 하판(2)에 형성된 배기구(8)의 하부측에 유리기판(22)상에 게터(12)를 고정한 후, 유리기판(22)상에 실리콘(20)을 게터(12)의 형성두께보다 두껍게 형성하여 유리기판(22)과 실리콘(20)에 전류를 인가하여 배기구(8)를 봉입하는 것을 특징으로 하는 정전접합을 이용한 게터의 실링방법.