KR100221623B1 - Cleaning system - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제작공정중 웨이퍼 표면에 잔존하는 이물질을 화학약품을 사용하여 제거하기 위한 세척 시스템에 관한 것으로 특히, 소정 개수의 화학약품을 중앙공급 시스템으로부터 공급받아 약품별로 각각 저장하는 버퍼탱크와, 상기 버퍼탱크에 저장되어 있는 화학약품을 입력받아 혼합하는 믹싱탱크와, 웨이퍼를 적재하고 있으며 건조시 회전하는 크레이들과, 상기 믹싱탱크에서의 혼합 동작 및 혼합되는 화학약품의 혼합비를 제어하기 위한 믹싱 제어 시스템과, 상기 믹싱 제어 시스템에 의해 상기 믹싱탱크에서 혼합되어진 화학약품을 상기 크레이들에 적재되어 있는 웨이퍼에 분사되는 분사막대, 및 화학약품 분사후 이를 린스하기 위한 초순수를 상기 분사막대를 통해 공급하는 초순수 공급 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 세척 시스템을 제공하면, 공정을 위해 필요한 화학약품을 사전에 미리 혼합하여 공급하기 때문에 화학약품 혼합비를 정확하게 제어할 수 있으며, 이를 통해 혼합비율의 변동으로 인한 웨이퍼의 손상을 주지 않는다는 효과가 있다.The present invention relates to a cleaning system for removing foreign substances remaining on the wafer surface using chemicals during a semiconductor fabrication process. In particular, a buffer tank for receiving a predetermined number of chemicals from a central supply system and storing each chemical by chemicals; A mixing tank for receiving and mixing chemicals stored in the buffer tank, a cradle that is loaded with wafers and rotates during drying, and mixing for controlling the mixing operation of the mixing tank and the mixing ratio of chemicals mixed. A control system, a spraying rod for spraying chemicals mixed in the mixing tank by the mixing control system onto a wafer loaded in the cradle, and ultrapure water for rinsing after chemical spraying are supplied through the spraying rod. When washing, characterized in that it comprises an ultrapure water supply system By providing a system, it is possible to accurately control the mixing ratio of chemicals because the feed to pre-mix the required chemical agents in advance to the process, there is an effect it does not give damage to the wafer due to a change in the mixture ratio via.
Description
제1도는 종래 세척 시스템의 간략 구성 예시도.1 is a simplified configuration example of a conventional cleaning system.
제2도는 본 발명에 따른 세척 시스템의 간략 구성 예시도.2 is a simplified configuration example of a cleaning system according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
BT : 버퍼탱크 MT : 믹싱탱크BT: Buffer Tank MT: Mixing Tank
MC : 믹싱 제어 시스템 JS : 분사막대MC: Mixing Control System JS: Spray Bar
CD : 크레이들 WP : 초순수 공급 시스템CD: Cradle WP: Ultrapure Water Supply System
본 발명은 반도체 제조공정 중 화학약품 세정 장치에 관한 것으로 특히, 2가지 이상의 화학약품을 일정비율로 혼합하여 웨이퍼 표면의 이물질을 제거하고 분사돤 화학약품을 2차적으로 초순수로 세정 및 웨이퍼 표면의 잔류 초순수를 건조시키는 일련의 반도체 웨이퍼 세정에 적당하도록 한 반도체 웨이퍼 세척 세스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical cleaning apparatus during a semiconductor manufacturing process. In particular, a mixture of two or more chemicals in a predetermined ratio removes foreign substances on the wafer surface, and secondly cleans the sprayed chemical with ultrapure water and remains on the wafer surface. A semiconductor wafer cleaning system adapted for cleaning a series of semiconductor wafers for drying ultrapure water.
일반적으로, 종래의 세척 시스템은 첨부한 제1도에 도시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼 세정을 하는 쳄버(chamber)(1)와, 화학약품을 저장하는 저장고(CANISTER)(2)와, 화학약품의 흐름을 일정하게 제어하는 흐름 제어부(FC) 및 니들 밸브(NV)와, 테브론 필터(TF)와, 웨이퍼를 적재하는 크레이들(cradle)(3)와, 제공받은 화학약품들을 상기 크레이들(3)내네 적재되어 있는 웨이퍼에 분사하기 위한 분사막대(SPRAY POST)(5), 및 상기 크레이들(3)을 회전시키는 모터(4)등으로 구성되어 있다.In general, conventional cleaning systems include a chamber (1) for wafer cleaning, a canister (2) for storing chemicals, and a chemicals, as shown in the accompanying FIG. The flow control unit FC and the needle valve NV, which control the flow constantly, the Tbronn filter TF, the cradle 3 for loading the wafer, and the chemicals supplied to the cradle 3) It is composed of a spray rod 5 for spraying on a wafer loaded inside, a motor 4 for rotating the cradle 3, and the like.
상기와 같이 구성되는 세척 시스템의 동작을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the operation of the cleaning system configured as described above are as follows.
각각 다른 화학 약품을 저장하고 있는 다수개의 저장고(2)에 질소(N2) 가스를 주입하여 가압하면 저장고(2)에 저장되어 있던 화학약품들이 해당 밸브를 통해 분사막대(5)로 공급된다.When nitrogen (N 2 ) gas is injected and pressurized into a plurality of reservoirs 2 each storing different chemicals, the chemicals stored in the reservoir 2 are supplied to the injection rod 5 through the corresponding valves.
이때, 화학약품이 상기 분사막대(5)로 공급되는 과정중에 통하는 밸브에 구비되어 있는 흐름 제어부(FC)가 화학약품의 흐름량을 일정하게 흐르게 조정한다. 상기 흐름 제어부(FC)는 각 화학약품의 혼합비를 결정하기 위하여 임의의 화학약품마다 고유의 흐름량을 설정하고 있어 그에 따라 흐름량에 제어하게 된다.At this time, the flow control unit (FC) provided in the valve through the process of the chemical is supplied to the injection rod (5) to adjust the flow rate of the chemical constant. The flow control unit FC sets a unique flow rate for each chemical in order to determine a mixing ratio of each chemical agent, and thus controls the flow rate.
이후, 상기 흐름 제어부(FC)를 경유한 각각의 화학약품은 테브론 필터(TF)에서 걸러진 후 에어밸브(AV)를 통하여 분사막대(5)로 가는 과정에서 믹서(6)에서 1차 혼합되어진 후 상기 분사막대(5)에 제1공급경로(a)를 통해 공급된다.Subsequently, the respective chemicals passed through the flow control unit FC are filtered out of the Tbron filter TF, and then mixed in the mixer 6 in the process of going to the injection rod 5 through the air valve AV. Thereafter, the injection rod 5 is supplied through a first supply path a.
상기 제1공급경로(a)를 통해 상기 분사막대(5)에 공급되는 화학약품은 제2종급경로(b)를 통해 상기 분사막대(5)에 공급되는 질소가스에 의해 안개처첨 분사되어 회전하는 크레이들(3)에 적재되어 있는 웨이퍼에 2차적으로 혼합분사된다.The chemicals supplied to the injection bar 5 through the first supply path a are sprayed by mist injection by the nitrogen gas supplied to the injection bar 5 through the second class path b. Secondly, the mixture is sprayed onto the wafer loaded on the cradle 3.
상기와 같은 과정을 통해 화학약품의 분사가 종료되면 제3공급경로(c)를 통해 상기 분사막대(5)로 초순수(超純水)를 공급하여 웨이퍼에 잔류하고 있는 화학약품을 싯어내게 된다. 이후, 모터(4)가 상기 크레이들(3)을 고속으로 회전시키면서 초순수가 공급되던 상기 제3공급경로(c)를 통해 질소개스를 공급하여 웨이퍼를 건조시킨다.When the injection of the chemical is terminated through the above process, ultrapure water is supplied to the injection bar 5 through the third supply path c to scoop the chemical remaining on the wafer. Thereafter, the motor 4 rotates the cradle 3 at a high speed to supply nitrogen gas through the third supply path c, through which ultrapure water was supplied, to dry the wafer.
상기와 같이 구성된 동작되는 종래의 세척 시스템에서는 흐름제어부와 니들밸브가 하나의 시스템으로 되어 있으므로 정해진 화학약품을 일정하게 유지시키기 위해서는 니들 밸브의 끝단에 저속 모터를 구비시켜 흐름을 변화에 따라 밸브의 개폐를 연속적으로 변화시키는 방식을 사용한다.In the conventional washing system configured as described above, since the flow control unit and the needle valve are formed as one system, a low-speed motor is provided at the end of the needle valve to maintain a predetermined chemical. It is used to change continuously.
그러나, 이와같은 방식의 제어로는 화학약품의 혼합비율이 정확하지 못하게 되고 그에따라 화학약품의 혼합 균일도가 낮아진다는 문제점이 발생되었다. 더욱이, 2가지 이상의 화학약품이 반드시 동시에 흘러야 할 경우 한 개의 화학약품 공급장치에 이상이 발생할 경우 제품에 치명적인 손상을 줄수 있다는 문제점이 발생되었다.However, this type of control causes a problem that the mixing ratio of the chemicals is not accurate and the mixing uniformity of the chemicals is lowered accordingly. Moreover, when two or more chemicals must flow at the same time, a problem arises that a product may cause fatal damage to one chemical supply device.
또한, 화학약품의 공급 개통의 매우 복잡하여 분사막대에 초순수를 제공하는 경로가 하나이기 때문에 잔류 화학약품의 리스 효과가 불량하며 제품을 손상을 줄 수 있다는 문제점이 발생되었다.In addition, there is a problem that the lease effect of the residual chemical is poor and may damage the product because there is only one path for supplying ultrapure water to the injection rod because the supply of the chemical is very complicated.
상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 본 발명의 목적은 2가지 이상의 화학약품을 일정비율로 혼합하여 웨이퍼 표면의 이물질을 제거하고 분사된 화학약품을 2차적으로 초순수로 세정 및 웨이퍼 표면의 잔류 초순수를 건조시키는 일련의 반도체 웨이퍼 세정에 적당하도록 한 반도체 웨이퍼 세척 시스템을 제공하는 데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to mix two or more chemicals in a certain ratio to remove foreign substances on the surface of the wafer, secondly cleaning the sprayed chemical with ultrapure water and drying the residual ultrapure water on the wafer surface The present invention provides a semiconductor wafer cleaning system suitable for cleaning a series of semiconductor wafers.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징을, 반도체 제작공정중 웨이퍼 표면에 잔존하는 이물질을 화학약품을 사용하여 제거하기 위한 세척 시스템에 있어서, 소정 개수의 화학약품을 중앙공급 시스템으로부터 공급받아 약품별로 각각 저장하는 버퍼탱크와, 상기 버퍼탱크에 저장되어 있는 화학약품을 입력받아 혼합하는 믹싱탱크와, 웨이퍼를 적재하고 있으며 건조시 회전하는 크레이들과, 상기 믹싱탱크에서의 혼합 동작 및 혼합되는 화학약품의 혼합비를 제어하기 위한 믹싱 제어 시스템과, 상기 믹싱 제어 시스템에 의해 상기 믹싱탱크에서 혼합되어진 화학약품을 상기 크레이들에 적재되어 있는 웨이퍼에 분사하는 분사막대와, 화학약품 분사후 이를 린스하기 위한 초순수를 상기 분사막대를 통해 공급하는 초순수 공급 시스템을 포함하는 데 있다.In the cleaning system for removing the foreign matter remaining on the wafer surface during the semiconductor manufacturing process using a chemical, to achieve the above object, a predetermined number of chemicals are supplied from the central supply system A buffer tank for storing each, a mixing tank for receiving and mixing chemicals stored in the buffer tank, a cradle that loads wafers and rotates during drying, and a mixing operation and mixing chemicals in the mixing tank. A mixing control system for controlling the mixing ratio of the mixture, an injection rod for injecting the chemicals mixed in the mixing tank by the mixing control system onto the wafer loaded in the cradle, and ultrapure water for rinsing the chemicals after the chemical injection. It includes an ultrapure water supply system for supplying through the injection rod The.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세척 시스템의 구성 예시도로서, 소정 개수의 화학약품 예를들면 과산화수소(H2O2)과 수산화암모늄(NH4OH) 등의 약품을 도시하지 않은 중앙공급 시스템으로부터 공급받아 약품별로 각각 1차 저장하는 버퍼탱크(BT)와, 상기 버퍼탱크(BT)에 저장되어 있는 화학약품을 입력받아 일정비율로 혼합하는 믹싱탱크(MT)와, 상기 믹싱탱크(MT)에서의 화학약품 혼합비를 제어하는 믹싱 제어 시스템(MC)와, 상기 믹싱 제어 시스템(MC)에 의해 상기 믹싱탱크(MT)에서 혼합되어진 화학약품을 적재되어 있는 웨이퍼에 분사하는 분사막대(JS)와, 웨이퍼를 적재하고 있으며 건조시 회전하는 크레이들(CD)과, 화학약품 분사후 이를 린스하기 위한 초순수 공급 시스템(WP) 및 도시하지는 않았지만 상술한 구성을 갖는 전체 시스템을 제어하는 제어 장치로 구성되어 있다.2 is an exemplary configuration diagram of a semiconductor wafer cleaning system according to the present invention, and a central supply system that does not show a predetermined number of chemicals such as hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and ammonium hydroxide (NH 4 OH) Received from the first storage tank (BT) for each of the chemicals, the mixing tank (MT) for receiving the chemicals stored in the buffer tank (BT) and mixing at a predetermined ratio, and the mixing tank (MT) A mixing control system (MC) for controlling a chemical mixing ratio in the air, a spray rod (JS) for spraying the chemicals mixed in the mixing tank (MT) on the loaded wafer by the mixing control system (MC); To control the cradle (CD), which loads the wafer and rotates during drying, the ultrapure water supply system (WP) for rinsing it after chemical injection, and the entire system having the above-described configuration, although not shown. It consists of a control device.
상기 구성중 상기 버퍼탱크(BT)는 2개의 이상의 화학약품을 개별적으로 공급받아 일정량이 되었는가를 측정하는 기능이 포함되어 있으며, 상기 믹싱 제어 시스템(MC)에는 상기 믹싱탱크(MT)에서 혼합된 화학약품의 균일도를 높이기 위한 순환 펌퍼와 필터등이 구비되어 있다. 또한, 상기 믹싱탱크(MT)에는 혼합된 화학약품을 분사막대로 공급하기 위하여 질소개스로 가압 할 수 있게 구성되어 있다.The buffer tank BT in the configuration includes a function for measuring whether a predetermined amount by receiving two or more chemicals individually, the mixing control system (MC) is a chemical mixed in the mixing tank (MT) A circulation pump and a filter are provided to increase the uniformity of the chemicals. In addition, the mixing tank (MT) is configured to be pressurized with nitrogen gas in order to supply the mixed chemicals to the injection rod.
상기와 같이 구성되어 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세척 시스템의 동작을 살펴보면, 중앙 공급 시스템으로부터 공급 받은 화학약품을 버퍼탱크(BT)에 우선적으로 저장된다. 이때, 각 약품별로 저장되는 양이 제어되어 혼합하고자하는 량만이 저장되게 된다.Looking at the operation of the semiconductor wafer cleaning system according to the present invention configured as described above, the chemicals supplied from the central supply system is preferentially stored in the buffer tank (BT). At this time, the amount stored for each drug is controlled so that only the amount to be mixed is stored.
이후, 믹싱 제어 시스템(MC)의 제어에 따라 상기 버퍼탱크(BT)에 저장되어 있는 화학약품은 믹싱탱크(MT)로 이동되어 혼합되어진다. 이때, 혼합되는 화학약품의 량은 미리 버퍼탱크(BT)에서 측정되어진 후 혼합되어 지므로 혼합비는 희망하는 비율로 정확하게 혼합된다.Subsequently, the chemicals stored in the buffer tank BT are moved to the mixing tank MT and mixed under the control of the mixing control system MC. At this time, since the amount of chemicals to be mixed is measured in advance in the buffer tank (BT) and then mixed, the mixing ratio is accurately mixed in the desired ratio.
이렇게, 상기 믹싱탱크(MT)에서 충분히 온합된 화학약품은 가압되는 질소가스에 의해 챔버의 분사막대(JS)에 공급하여 분사시킨다.In this way, the chemicals sufficiently warmed in the mixing tank MT are supplied to the injection bar JS of the chamber by pressurized nitrogen gas and injected.
이때, 상기 챔버내에서는 웨이퍼를 적재하고 있는 크레이들(CD)이 구비되어 있어 화학약품의 분사과정을 통해 각 웨이퍼에 해당 화학약품이 닿게 된다. 상술한 과정을 통해 웨이퍼 표면에 잔존하는 이물질이 제거되며 이러한 화학약품의 분사 과정이 종료되면 상기 분사막대(JS)을 통해 초순수가 공급되어진다.In this case, a cradle (CD) for loading a wafer is provided in the chamber, and the corresponding chemicals come into contact with each wafer through a chemical injection process. The foreign matter remaining on the surface of the wafer is removed through the above-described process, and when the injection process of the chemical is finished, ultrapure water is supplied through the spray rod JS.
공급되는 초순수는 웨이퍼 표면에 잔류하는 화학약품을 린스하게되고, 상기 크레이들(CD)이 고속 회전하는 동안 질소개스가 분사되어 웨이퍼를 건조 시키게 된다.The ultrapure water supplied rinses the chemical remaining on the wafer surface, and nitrogen gas is injected during the high speed rotation of the cradle CD to dry the wafer.
이러한 일련과정은 종래의 세척 시스템과 크게 달라진 것이 없으나, 본 발명에서는 공정을 위해 필요한 화학약품을 사전에 미리 혼합하여 공급하기 때문에 화학약품 혼합비를 정확하게 제어할 수 있으며, 이를 통해 혼합비율의 변동으로 인한 웨이퍼의 손상을 주지 않는다는 효과가 있다.This serial process is not significantly different from the conventional washing system, but in the present invention, since the chemicals required for the process are pre-mixed and supplied in advance, the chemical mixing ratio can be precisely controlled, and thus, due to the variation of the mixing ratio There is an effect of not damaging the wafer.
Claims (5)
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| KR1019960053982A KR100221623B1 (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Cleaning system |
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|---|---|---|---|
| KR1019960053982A KR100221623B1 (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Cleaning system |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010025249A (en) * | 2000-11-18 | 2001-04-06 | 김동관 | a quantitative mixing of a chemical and a removing system |
-
1996
- 1996-11-14 KR KR1019960053982A patent/KR100221623B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010025249A (en) * | 2000-11-18 | 2001-04-06 | 김동관 | a quantitative mixing of a chemical and a removing system |
Also Published As
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|---|---|
| KR19980035602A (en) | 1998-08-05 |
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