KR100219446B1 - A low-voltage type amplitude modulation transmitter - Google Patents
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Abstract
본 발명은 저전원 진폭변조 송신기에 관한 것으로, 수정 진동자의 채배 주파수를 인가받아 발진 주파수를 수득하는 제 1 트랜지스터와 상기 제 1 트랜지스터의 컬렉터단에 병렬 접속되어 상기 발진 주파수를 인가받아 동조 주파수를 출력하는 제 1 인덕터 및 제 1 커패시터를 포함하여 구성된 발진 동조부와, 소정의 데이터신호를 입력하는 데이터 입력부로 이루어진 저전원 진폭변조 송신기에 있어서, 상기 발진 동조부의 동조 주파수 및 상기 데이터 입력부의 데이터 신호를 인가받아 진폭 변조시킴과 동시에 증폭기능을 함께 수행하는 변조 증폭부와, 상기 발진 동조부의 동조 주파중에 포함된 불요파를 제거하여 최적의 선택도로 상기 변조 증폭부에 전송시키는 매칭부를 포함하여 이루어지기 때문에, 3V의 전원전압만으로도 충분히 동조 주파수를 진폭 변조시킬 수 있게되어 송신기의 규격을 최소화시킬 수 있을뿐만 아니라 저전원으로 사용할 수 있게 되는 탁월한 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low power amplitude modulation transmitter, which is connected in parallel to a first transistor for obtaining an oscillation frequency by applying a frequency of crystal oscillation and outputs a tuning frequency by receiving the oscillation frequency in parallel. A low power amplitude modulation transmitter comprising an oscillation tuning unit including a first inductor and a first capacitor, and a data input unit for inputting a predetermined data signal, wherein the oscillation tuning unit has a tuning frequency and a data signal of the data input unit. It includes a modulation amplifier which is applied to the amplitude and at the same time performing the amplifier function, and a matching unit for removing the unwanted wave included in the tuning frequency of the oscillation tuning unit and transmitted to the modulation amplifier with the optimum selectivity. 3V supply voltage is enough to increase It is possible to modulate not only to minimize the size of the transmitter, but also an excellent effect of being able to use low power.
Description
본 발명은 저전원 진폭변조 송신기에 관한 것으로, 특히 발진부 및 1단으로된 증폭부의 구성으로 동조 주파수를 진폭변조시킴으로써 전력소비를 줄이고 칩의 면적을 줄인 저전원 진폭변조 송신기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low power amplitude modulation transmitter, and more particularly, to a low power amplitude modulation transmitter that reduces power consumption and reduces chip area by amplitude modulation of a tuning frequency with a configuration of an oscillator and a single stage amplifier.
도 1은 종래기술에 따른 진폭변조 송신기의 회로도로서, 발진부(10), 제 1증폭부(20), 제 2증폭부(30)로 구성되어 있다.1 is a circuit diagram of an amplitude modulation transmitter according to the prior art, and is composed of an oscillator 10, a first amplifier 20, and a second amplifier 30.
먼저, 상기 진폭변조 송신기로 전원전압(12V)이 인가되면, 발진부(10)의 크리스탈(X-tal)의 수정 진동자 발진으로 인덕터(L11)와 커패시터(C11)에 의해서 동조 주파수 출력이 얻어진다. 이때, 커패시터(C2)는 귀환 용량으로 작용하며, 출력된 주파수는 인덕터(L4)와 커패시터(C12)에 의해 동조되어 제 1증폭부(20)의 NPN형 바이폴라 트랜지스터(Tr20)에 전송된다. 상기 트랜지스터(Tr20)의 베이스에 인가된 데이터 신호는 트랜지스터(Tr20)의 베이스 전류를 제어하면서 발진 동조된 고주파 신호와 진폭 변조된 변조파 출력이 트랜지스터(Tr20)의 컬렉터에서 동조 출력된다. 그후, 동조 출력된 변조파 신호는 필터부(40)를 거쳐 상기 제 2증폭부(30)의 NPN형 바이폴라 트랜지서터(Tr30)에서 최종 증폭 신호로 출력된다.First, when the power supply voltage 12V is applied to the amplitude modulation transmitter, the tuning frequency output is obtained by the inductor L11 and the capacitor C11 by the crystal oscillator oscillation of the crystal X-tal of the oscillator 10. At this time, the capacitor C2 serves as a feedback capacitance, and the output frequency is tuned by the inductor L4 and the capacitor C12 and transmitted to the NPN type bipolar transistor Tr20 of the first amplifier 20. As the data signal applied to the base of the transistor Tr20, the oscillated tuned high frequency signal and the amplitude modulated modulated wave output are tuned and output from the collector of the transistor Tr20 while controlling the base current of the transistor Tr20. Thereafter, the tuned output modulated wave signal is output as the final amplified signal from the NPN type bipolar transistor Tr30 of the second amplifier 30 via the filter unit 40.
그런데, 상기 구성에 의한 종래의 진폭변조 송신기에 있어서는, 상기 수정 진동자(X-tal) 발진으로 인한 고조파 발생 성분을 억제하기 위해 발진부(10)와 제 1증폭부(20), 제 1증폭부(20)와 제 2증폭부(30)에 필터의 구현으로 고조파 성분을 억제하려 했으나 트랜지스터의 입출력 임피던스 미스매칭(Mismatching) 및 필터에 의한 출력 주파수 감쇄를 감당할 수 없어 2단 증폭단 구성으로 감쇄 출력을 보정하려 하였다. 하지만, 2단 증폭단 구성으로 소비 전류가 증가되어 건전지의 수명을 단축시키고 회로가 차지하는 면적이 커지는 문제점이 있었다.By the way, in the conventional amplitude modulation transmitter according to the above configuration, in order to suppress the harmonic generation component due to the oscillation of the crystal oscillator (X-tal), the oscillator 10, the first amplifier 20, the first amplifier ( 20) and the second amplification unit 30 attempt to suppress the harmonic components, but the input / output impedance mismatching of the transistor and the output frequency attenuation by the filter cannot be handled. Tried to. However, there is a problem that the current consumption is increased by the two-stage amplification stage configuration, which shortens the life of the battery and increases the area occupied by the circuit.
이에, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 발진부 및 1단으로 된 증폭부의 구성으로 동조 주파수를 진폭변조시킴으로써 전력소비를 줄이고 칩의 면적을 줄인 저전원 진폭변조 송신기를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, the present invention provides a low power amplitude modulation transmitter that reduces the power consumption and chip area by amplitude modulation of the tuning frequency in the configuration of the oscillator and the first stage amplifier. Its purpose is to.
제1도는 종래 기술에 따른 진폭변조 송신기의 회로도1 is a circuit diagram of an amplitude modulation transmitter according to the prior art.
제2도는 본 발명에 의한 저전원 진폭변조 송신기의 회로도2 is a circuit diagram of a low power amplitude modulation transmitter according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10,100 : 발진부 20 : 제 1증폭부10,100: oscillator 20: first amplifier
30 : 제 2증폭부 200 : 증폭부30: second amplifier 200: amplifier
300 : 매칭부 400 :데이터 입력부300: matching unit 400: data input unit
500 : 로우패스 필터부500: low pass filter unit
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 저전원 진폭변조 송신기는,In order to achieve the above object, the low power amplitude modulation transmitter of the present invention,
전원전압에 의해 동조 주파수를 발생시키는 발진부와,An oscillator for generating a tuning frequency by the power supply voltage;
소정의 데이터 신호를 입력하는 데이터 입력부와,A data input unit for inputting a predetermined data signal,
상기 발진부의 동조 주파수 및 상기 데이터 입력부의 데이터 신호를 입력으로하여 진폭변조 및 증폭하는 증폭부와,An amplifier which modulates and amplifies the tuning frequency of the oscillation unit and the data signal of the data input unit;
상기 발진부로부터 출력된 동조 주파수를 입력하고 여기에 포함된 불요파를 제거한 후 상기 증폭부로 출력하는 매칭부와,A matching unit for inputting the tuning frequency output from the oscillator and removing the unwanted wave included in the oscillator, and outputting it to the amplifier;
상기 데이터 입력부 및 증폭부 사이에 접속된 저역 통과 필터부를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.And a low pass filter connected between the data input section and the amplification section.
여기서, 상기 증폭부는 상기 매칭부의 출력단자에 베이스가 접속되고 컬렉터가 출력단자에 접속되며 소오스가 접지단자에 연결된 제 1NPN형 바이폴라 트랜지스터와, 상기 제 1NPN형 바이폴라 트랜지스터의 베이스 단자와 상기 로우 패스 필터부의 출력단자 사이에 접속된 제 1저항과, 상기 제 1NPN형 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터단자와 전원전압측 단자 사이에 병렬접속된 인덕터 및 제 1커패시터로 구성된 것이 바람직하다.Here, the amplifying unit includes a first NPN bipolar transistor having a base connected to an output terminal of the matching unit, a collector connected to an output terminal, and a source connected to a ground terminal, a base terminal of the first NPN type bipolar transistor, and the low pass filter unit. It is preferable that the first resistor is connected between the output terminals, the inductor and the first capacitor connected in parallel between the collector terminal of the first NPN type bipolar transistor and the power supply voltage side terminal.
또한, 상기 매칭부는, 상기 발진부의 출력단자와 상기 증폭부의 입력단자 사이에 접속된 트리머 커패시터인 것이 바람직하다.The matching unit may be a trimmer capacitor connected between an output terminal of the oscillation unit and an input terminal of the amplifying unit.
또한, 상기 로우 패스 필터부는, 상기 데이터 입력부의 출력단자와 상기 증폭부의 제 1저항의 일측단자 사이에 접속된 제 2저항과, 상기 제 1저항 및 제 2저항 사이의 노드와 접지단 사이에 접속된 제 2커패시터로 이루어진 것이 바람직하다.The low pass filter may include a second resistor connected between an output terminal of the data input unit and one terminal of the first resistor of the amplifying unit, and a node between the first resistor and the second resistor and a ground terminal. It is preferred that the second capacitor is made.
이하, 본 발명에 따른 저전원 진폭변조 송신기의 바람직한 실시예를 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the low power amplitude modulation transmitter according to the present invention will be described with reference to FIG. 2.
도 2는 본 발명에 의한 저전원 진폭변조 송신기의 회로도로서, 발진부(100), 증폭부(200), 매칭부(300), 데이터 입력부(400), 로우패스 필터부(500)로 구성된다.2 is a circuit diagram of a low power amplitude modulation transmitter according to the present invention, and includes an oscillator 100, an amplifier 200, a matching unit 300, a data input unit 400, and a low pass filter unit 500.
상기 도면을 참조하면, 전원전압(3V)을 입력하는 전원전압 입력단자와 노드(N1) 사이에 접속된 저항(R3)과, 상기 전원전압 입력단자와 접지전압(Vss) 사이에 접속된 커패시터(C9)와, 상기 전원전압 입력단자와 노드(N6) 사이에 접속된 저항(R6)으로 구성된다.Referring to the drawing, a resistor R3 connected between a power supply voltage input terminal for inputting a power supply voltage 3V and a node N1, and a capacitor connected between the power supply voltage input terminal and a ground voltage Vss ( C9) and a resistor R6 connected between the power supply voltage input terminal and the node N6.
그리고, 상기 발진부(100)는 상기 노드(N2)와 접지전압(Vss) 사이에 접속된 커패시터(C7)와, 상기 노드(N2)와 노드(N2) 사이에 접속된 저항(R12)과, 상기 노드(N2)와 노드(N3) 사이에 직렬접속된 인덕터(L3) 및 X-크리스탈(X-tal)과, 상기 노드(N3)와 접지전압(Vss) 사이에 병렬접속된 변환커패시터(C4) 및 커패시터(C5)와, 상기 노드(N2)에 베이스가 연결된 제 1 NPN형 바이폴라 트랜지스터(Trl)와, 상기 노드(N1) 및 상기 제 1트랜지스터(Tr1)의 컬렉터 사이에 병렬접속된 인덕터(L1)및 커패시터(C1)와, 상기 노드(N2) 및 상기 제 1트랜지스터(Tr1)의 소오스 사이에 접속된 커패시터(C6)와, 상기 제 1트랜지스터(Trl)의 소오스 및 접지전압(Vss) 사이에 병렬접속된 인덕터(L4) 및 커패시터(C8)로 구성된다.The oscillator 100 includes a capacitor C7 connected between the node N2 and the ground voltage Vss, a resistor R12 connected between the node N2 and the node N2, and Inductor L3 and X-crystal X-tal connected in series between node N2 and N3, and conversion capacitor C4 connected in parallel between node N3 and ground voltage Vss. And an inductor L1 connected in parallel between a capacitor C5, a first NPN type bipolar transistor Trl having a base connected to the node N2, and a collector of the node N1 and the first transistor Tr1. And a capacitor C1 connected between the source of the node N2 and the first transistor Tr1, and a source and ground voltage Vss of the first transistor Trl. It consists of an inductor L4 and a capacitor C8 connected in parallel.
그리고, 상기 증폭부(200)는, 상기 노드(N6)와 제 2NPN형 바이폴라 트랜지스터(Tr2)의 컬렉터 사이에 병렬접속된 인덕터(L2) 및 커패시터(C2)와, 상기 제 2트랜지스터(Tr2)의 컬렉터와 출력 단자 사이에 접속된 커패시터(C10)와, 상기 제 2트랜지스터(Tr2)의 베이스 및 노드(N5) 사이에 접속된 저항(R4)으로 구성된다.The amplifier 200 includes an inductor L2 and a capacitor C2 connected in parallel between the node N6 and a collector of the second NPN bipolar transistor Tr2, and the second transistor Tr2. A capacitor C10 connected between the collector and the output terminal, and a resistor R4 connected between the base of the second transistor Tr2 and the node N5.
상기 매칭부(300)는 상기 제 1트랜지스터(Tr1)의 컬렉터와 상기 제 2트랜지스터(Tr2)의 베이스 사이에 접속된 변환커패시터(CTr)으로 구성된다.The matching unit 300 includes a conversion capacitor C Tr connected between the collector of the first transistor Tr1 and the base of the second transistor Tr2.
상기 로우 패스 필터부(500)는 상기 데이터 입력부(400)와 노드(N5) 사이에 접속된 저항(R1)과, 상기 노드(N5)와 접지전압(Vss) 사이에 접속된 커패시터(C3)로 구성된다.The low pass filter 500 is a resistor R1 connected between the data input unit 400 and the node N5 and a capacitor C3 connected between the node N5 and the ground voltage Vss. It is composed.
상기 구성으로 이루어진 본 발명의 저전원 진폭변조 송신기의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the low power amplitude modulation transmitter of the present invention having the above configuration is as follows.
먼저 전원전압(Vcc)이 각 블럭에 인가되면, 발진부(100)의 수정 진동자(X-tal)의 진동에 의한 채배 주파수의 생성으로 발진부(100)의 발진은 엑티브 영역에서 동작이 시작된다. 이때, 상기 인덕터(L2)는 트랜지스터(Trl)의 입력 임피던스 매칭(Matching)용으로 작용되며, 상기 인덕턴스(L1)와 커패시터(C1)에 의해 동조 주파수가 출력된다. 그리고, 상기 커패시터(C6)는 귀환 용량이고, 인턱터(L3)와 커패시터(C8)은 불필요한 채배 주파수를 트래핑(Trapping)시키고 전위차 감소를 통한 발진 안정을 유도한다.First, when the power supply voltage Vcc is applied to each block, the oscillation of the oscillator 100 starts to be generated in the active region due to the generation of a drain frequency by the vibration of the crystal oscillator X-tal of the oscillator 100. In this case, the inductor L2 is used for matching the input impedance of the transistor Trl, and a tuning frequency is output by the inductance L1 and the capacitor C1. In addition, the capacitor C6 is a feedback capacitance, and the inductor L3 and the capacitor C8 trap an unnecessary sampling frequency and induce oscillation stability by reducing the potential difference.
출력된 동조 주파수는 C-트리머(C4)에 의해서 트랜지스터(Trl)와 트랜지스터(Tr2)의 임피던스 매칭용으로 감쇄없이 동조 주파수를 전송시키며 최적의 주파수 선택으로 불요파만을 전송한다.The output tuning frequency transmits the tuning frequency without attenuation by the C-trimer C4 for impedance matching between the transistors Trl and Tr2, and transmits only the unwanted waves with the optimal frequency selection.
한편, 데이터는 저항(R1)과 커패시터(C3)로 구성된 로우 패스 필터부(500)를 통과하면서 트랜지스터(Tr2)의 베이스에 유입되어 트랜지스터(Tr2)의 베이스 전류를 제어하면서 트랜지스터(Tr2)의 동작점 시프트(Shift)로 인한 진폭 변조된 신호로 최종 출력한다.Meanwhile, the data flows into the base of the transistor Tr2 while passing through the low pass filter 500 including the resistor R1 and the capacitor C3 to control the base current of the transistor Tr2 while operating the transistor Tr2. The final output is an amplitude modulated signal due to the point shift.
이상에서와 같이, 본 발명의 저전원 진폭변조 송신기에 의하면, 발진부와 1단으로 된 증폭부의 구성으로 동조 주파수를 진폭변조시킴으로써, 3V의 전원전압만으로도 충분히 동조 주파수를 진폭 변조시킬 수 있게 되어 송신기의 규격을 최소화시킬 수 있을뿐만 아니라 저전원으로 사용할 수 있게 되는 탁월한 효과가 있다.As described above, according to the low-power amplitude modulation transmitter of the present invention, by amplitude-modulating the tuning frequency by the configuration of the oscillation unit and the first stage amplification unit, it is possible to sufficiently amplitude-modulate the tuning frequency even with a power supply voltage of 3V. Not only can the specification be minimized, but it can also be used with low power.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가등이 가능할 것이며, 이러한 수정, 변 경등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.In addition, preferred embodiments of the present invention are disclosed for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to various modifications, changes, additions, etc. within the spirit and scope of the present invention, such modifications, changes, etc. belong to the following claims. You will have to look.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960066787A KR100219446B1 (en) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | A low-voltage type amplitude modulation transmitter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960066787A KR100219446B1 (en) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | A low-voltage type amplitude modulation transmitter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980048229A KR19980048229A (en) | 1998-09-15 |
| KR100219446B1 true KR100219446B1 (en) | 1999-09-01 |
Family
ID=19488468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960066787A KR100219446B1 (en) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | A low-voltage type amplitude modulation transmitter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100219446B1 (en) |
-
1996
- 1996-12-17 KR KR1019960066787A patent/KR100219446B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980048229A (en) | 1998-09-15 |
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