JP3455489B2 - Frequency multiplier - Google Patents

Frequency multiplier

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JP3455489B2
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浩季 森村
力 脇本
智志 重松
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【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、入力した信号の周
波数のn倍の周波数となる信号を出力する周波数逓倍器
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a frequency multiplier that outputs a signal having a frequency n times the frequency of an input signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の周波数逓倍器の回路図を図7に示
す。Q10はNchMOS電界効果トランジスタ、Cは
コンデンサ、Lはインダクタ、VDDは電源電圧であ
る。INは入力信号であり、その周波数はω0である。
OUTは出力信号であり、その周波数はnω0である
(nは自然数)。図7の周波数逓倍器によって入力信号
の周波数がn倍に逓倍できる理由を簡単に説明する。
2. Description of the Related Art A circuit diagram of a conventional frequency multiplier is shown in FIG. Q10 is an NchMOS field effect transistor, C is a capacitor, L is an inductor, and VDD is a power supply voltage. IN is an input signal and its frequency is ω0.
OUT is an output signal, and its frequency is nω0 (n is a natural number). The reason why the frequency of the input signal can be multiplied by n by the frequency multiplier of FIG. 7 will be briefly described.

【0003】入力信号INがトランジスタQ1のゲート
端子に入力されると、その信号に応じて周波数逓倍器の
信号出力端子2に出力信号OUTが出力される。トラン
ジスタQ1の入出力特性は非線形であるため、トランジ
スタQ1から信号出力端子2に出力される信号には、ω
0のn倍の周波数の信号が多重されてくる。ここで、コ
ンデンサCとインダクタLによって構成される同調回路
の発振周波数を所望の周波数nω0に設定することで、
この同調回路の発振周波数成分以外は減衰する。すなわ
ち、同調回路の発振周波数成分付近の信号が選択的に抽
出されて、信号出力端子2から出力信号OUTとして出
力される。例えば、n=3とすれば、入力信号INの周
波数を3逓倍した信号成分が主となって信号出力端子2
から出力される。結果として、入力信号INに対してn
倍の周波数の出力信号OUTを得ることができる。
When the input signal IN is input to the gate terminal of the transistor Q1, the output signal OUT is output to the signal output terminal 2 of the frequency multiplier according to the signal. Since the input / output characteristic of the transistor Q1 is non-linear, the signal output from the transistor Q1 to the signal output terminal 2 is ω
A signal having a frequency of n times 0 is multiplexed. Here, by setting the oscillation frequency of the tuning circuit constituted by the capacitor C and the inductor L to the desired frequency nω0,
Except for the oscillation frequency component of this tuning circuit, it is attenuated. That is, a signal near the oscillation frequency component of the tuning circuit is selectively extracted and output from the signal output terminal 2 as the output signal OUT. For example, when n = 3, the signal component obtained by multiplying the frequency of the input signal IN by 3 is mainly used as the signal output terminal 2
Is output from. As a result, for the input signal IN, n
It is possible to obtain the output signal OUT having the double frequency.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示す従来の周波数逓倍器では、周波数をn逓倍するトラ
ンジスタと信号出力端子2を駆動するトランジスタが同
一のトランジスタQ1であるため、周波数逓倍するため
の条件と出カインピーダンスを整合させるための条件を
同一のトランジスタQ1で調節しなければならなかっ
た。そのため、出力インピーダンスの整合を図ると、周
波数逓倍の条件から外れて周波数逓倍した出力信号OU
Tの振幅が小さくなり、また周波数逓倍の条件を満たす
と、駆動力が足らなくなるといった問題点があった。ま
た、トランジスタQ1のデバイス特性による信号の非線
形性だけを利用して周波数逓倍しているため、効率よく
周波数逓倍した出力信号OUTを得ることができないと
いう問題点があった。具体的には、トランジスタQ1の
非線形性はそれほど大きくないので、信号出力端子2に
は入力信号INと同じ周波数ω0の信号が大きなエネル
ギーをもって現れ、高次の周波数のエネルギーは小さい
というのが現状であった。これらの問題点の結果、周波
数逓倍器の周波数変換効率が小さく、所定の周波数逓倍
した信号を得るためには大きな電力を消費してしまう。
したがって、従来の周波数逓倍器では、周波数逓倍する
回路と出力する回路が同一であることと、回路で使用す
るデバイスの非線形性だけを利用して周波数逓倍してい
るため、周波数変換効率が悪く、結果として消費電力が
大きくなってしまうという問題点があった。本発明の目
的は、上述の問題を解決するべく、周波数変換効率が高
く消費電力の少ない周波数逓倍器を提供することであ
る。
However, in the conventional frequency multiplier shown in FIG. 7, since the transistor for multiplying the frequency by n and the transistor for driving the signal output terminal 2 are the same transistor Q1, the frequency is multiplied. The same transistor Q1 had to be adjusted under the conditions of (1) and the conditions for matching the output impedance. Therefore, when the output impedance is matched, the frequency-multiplied output signal OU deviates from the frequency-multiplication condition.
When the amplitude of T becomes small and the condition of frequency multiplication is satisfied, there is a problem that the driving force becomes insufficient. Further, since the frequency is multiplied by utilizing only the non-linearity of the signal due to the device characteristic of the transistor Q1, there is a problem that the output signal OUT whose frequency is multiplied cannot be efficiently obtained. Specifically, since the non-linearity of the transistor Q1 is not so large, the signal of the same frequency ω0 as the input signal IN appears with a large energy at the signal output terminal 2, and the energy of the higher order frequency is small at present. there were. As a result of these problems, the frequency conversion efficiency of the frequency multiplier is low, and a large amount of power is consumed to obtain a signal with a predetermined frequency multiplication.
Therefore, in the conventional frequency multiplier, since the circuit for frequency multiplication and the circuit for output are the same and the frequency is multiplied only by utilizing the nonlinearity of the device used in the circuit, the frequency conversion efficiency is poor, As a result, there is a problem that power consumption increases. An object of the present invention is to provide a frequency doubler with high frequency conversion efficiency and low power consumption in order to solve the above problems.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の周波数逓倍器
は、入力端子が信号入力端子(1)に接続され、第1の
出力端子が第1の電源に接続された第1のトランジスタ
(Q1,Q4,Q7)と、一端が第1のトランジスタの
第2の出力端子に接続され、他端が第2の電源に接続さ
れた第1のコンデンサ(C1)と、一端が第1のトラン
ジスタの第2の出力端子に接続され、他端が第2の電源
に接続された第1のインダクタ(L1)と、入力端子が
第1のトランジスタの第2の出力端子と第1のコンデン
サの一端と第1のインダクタの一端との接続点に接続さ
れ、第1の出力端子が第1の電源に接続され、第2の出
力端子が信号出力端子(2)に接続された第2のトラン
ジスタ(Q2,Q5,Q8)と、一端が信号出力端子に
接続され、他端が第2の電源に接続された第2のコンデ
ンサ(C2)と、一端が信号出力端子に接続され、他端
が第2の電源に接続された第2のインダクタ(L2)と
を有するものである。
A frequency multiplier according to the present invention comprises a first transistor (Q1) having an input terminal connected to a signal input terminal (1) and a first output terminal connected to a first power supply. , Q4, Q7), a first capacitor (C1) having one end connected to the second output terminal of the first transistor and the other end connected to the second power supply, and one end of the first transistor A first inductor (L1) connected to the second output terminal and the other end of which is connected to the second power source; an input terminal of the first output terminal of the first transistor and one end of the first capacitor; A second transistor (Q2) connected to a connection point with one end of the first inductor, having a first output terminal connected to the first power supply and a second output terminal connected to the signal output terminal (2). , Q5, Q8), one end of which is connected to the signal output terminal and the other end of which is A second capacitor connected to the power supply (C2), one end connected to the signal output terminal, the other end in which a second inductor connected to the second power source (L2).

【0006】また、本発明の周波数逓倍器は、入力端子
が信号入力端子(1)に接続された第1のトランジスタ
(Q1a,Q4a,Q7a)と、入力端子が信号入力端
子に接続され、第1の出力端子が第1の電源に接続さ
れ、第2の出力端子が第1のトランジスタの第1の出力
端子に接続された第2のトランジスタ(Q3,Q6,Q
9)と、一端が第1のトランジスタの第2の出力端子に
接続され、他端が第2の電源に接続された第1のコンデ
ンサ(C1)と、一端が第1のトランジスタの第2の出
力端子に接続され、他端が第2の電源に接続された第1
のインダクタ(L1)と、入力端子が第1のトランジス
タの第2の出力端子と第1のコンデンサの一端と第1の
インダクタの一端との接続点に接続され、第1の出力端
子が第1の電源に接続され、第2の出力端子が信号出力
端子に接続された第3のトランジスタ(Q2,Q5,Q
8)と、一端が信号出力端子に接続され、他端が第2の
電源に接続された第2のコンデンサ(C2)と、一端が
信号出力端子に接続され、他端が第2の電源に接続され
た第2のインダクタ(L2)とを有するものである。
In the frequency multiplier of the present invention, the first transistor (Q1a, Q4a, Q7a) having an input terminal connected to the signal input terminal (1) and the input terminal connected to the signal input terminal A second transistor (Q3, Q6, Q) whose first output terminal is connected to the first power supply and whose second output terminal is connected to the first output terminal of the first transistor.
9), a first capacitor (C1) having one end connected to the second output terminal of the first transistor and the other end connected to the second power supply, and one end of the second capacitor of the first transistor. A first terminal connected to an output terminal and the other end connected to a second power source
Of the inductor (L1), the input terminal thereof is connected to a connection point of the second output terminal of the first transistor, one end of the first capacitor and one end of the first inductor, and the first output terminal is connected to the first output terminal. Of the third transistor (Q2, Q5, Q) connected to the power supply of the second output terminal and the second output terminal connected to the signal output terminal.
8), a second capacitor (C2) having one end connected to the signal output terminal and the other end connected to the second power supply, and one end connected to the signal output terminal and the other end connected to the second power supply. And a second inductor (L2) connected thereto.

【0007】また、本発明の周波数逓倍器の1構成例
は、第1、第2、第3のトランジスタをMOS電界効果
トランジスタとするものである。また、本発明の周波数
逓倍器の1構成例は、第1、第2、第3のトランジスタ
をMES電界効果トランジスタとするものである。ま
た、本発明の周波数逓倍器の1構成例は、第1、第2、
第3のトランジスタをバイポーラトランジスタとするも
のである。また、本発明の周波数逓倍器の1構成例は、
第1、第2、第3のトランジスタの入力端子をゲート端
子とし、第1の出力端子をソース端子とし、第2の出力
端子をドレイン端子とするものである。また、本発明の
周波数逓倍器の1構成例は、第1、第2、第3のトラン
ジスタの入力端子をベース端子とし、第1の出力端子を
エミッタ端子とし、第2の出力端子をコレクタ端子とす
るものである。
Further, in one configuration example of the frequency multiplier of the present invention, the first, second and third transistors are MOS field effect transistors. Further, in one configuration example of the frequency multiplier of the present invention, the first, second and third transistors are MES field effect transistors. Moreover, one configuration example of the frequency multiplier of the present invention is as follows:
The third transistor is a bipolar transistor. Further, one configuration example of the frequency multiplier of the present invention is
The input terminals of the first, second, and third transistors are gate terminals, the first output terminal is a source terminal, and the second output terminal is a drain terminal. Further, in one configuration example of the frequency multiplier of the present invention, the input terminals of the first, second and third transistors are base terminals, the first output terminal is an emitter terminal, and the second output terminal is a collector terminal. It is what

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】[実施の形態の1]次に、本発明
の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の第1の実施の形態となる周波数逓倍器の
構成を示す回路図である。図1において、Q1,Q2は
NchMOS電界効果トランジスタ、C1,C2はコン
デンサ、L1,L2はインダクタ、VDDは電源電圧、
1は信号入力端子、2は信号出力端子である。また、G
はゲート端子、Sはソース端子、Dはドレイン端子であ
る。INは入力信号であり、その周波数はω0である。
OUTは出力信号であり、その周波数はnω0である
(nは自然数)。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [First Embodiment] Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a frequency multiplier according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, Q1 and Q2 are NchMOS field effect transistors, C1 and C2 are capacitors, L1 and L2 are inductors, VDD is a power supply voltage,
Reference numeral 1 is a signal input terminal, and 2 is a signal output terminal. Also, G
Is a gate terminal, S is a source terminal, and D is a drain terminal. IN is an input signal and its frequency is ω0.
OUT is an output signal, and its frequency is nω0 (n is a natural number).

【0009】図1の周波数逓倍器は、図7に示す従来の
周波数逓倍器にトランジスタQ2、コンデンサC2、イ
ンダクタL2を付加したものである。図1の周波数逓倍
器により効率よく周波数がn倍に逓倍できる理由を簡単
に説明する。入力信号INが信号入力端子1からトラン
ジスタQ1のゲート端子Gに入力されると、この信号に
応じて節点N1に信号が出力される。トランジスタQ1
の入出力特性は非線形であるため、トランジスタQ1か
ら節点N1に出力される信号には、ω0のn倍の周波数
の信号が多重されてくる。
The frequency multiplier shown in FIG. 1 is obtained by adding a transistor Q2, a capacitor C2 and an inductor L2 to the conventional frequency multiplier shown in FIG. The reason why the frequency can be efficiently multiplied by n by the frequency multiplier of FIG. 1 will be briefly described. When the input signal IN is input from the signal input terminal 1 to the gate terminal G of the transistor Q1, a signal is output to the node N1 according to this signal. Transistor Q1
Since the input / output characteristic of is non-linear, the signal output from the transistor Q1 to the node N1 is multiplexed with a signal having a frequency n times ω0.

【0010】ここで、コンデンサC1とインダクタL1
によって構成される同調回路(LC発振回路)の発振周
波数を所望の周波数nω0に設定することで、この同調
回路の発振周波数成分以外は減衰する。結果として、コ
ンデンサC1とインダクタL1によって構成される同調
回路により入力信号INに対してn倍の周波数の信号が
抽出され、この信号がトランジスタQ2のゲート端子G
に入力され、この信号によりトランジスタQ2が駆動さ
れる。
Here, the capacitor C1 and the inductor L1
By setting the oscillating frequency of the tuning circuit (LC oscillating circuit) configured by the desired frequency nω0, components other than the oscillating frequency component of this tuning circuit are attenuated. As a result, the tuning circuit composed of the capacitor C1 and the inductor L1 extracts a signal having a frequency n times that of the input signal IN, and this signal is extracted from the gate terminal G of the transistor Q2.
, And the signal drives the transistor Q2.

【0011】そして、コンデンサC2とインダクタL2
によって構成される同調回路により前記所望の周波数成
分の信号がさらに強められて信号出力端子2へ出力され
る。このように、本実施の形態では、周波数逓倍する回
路(Q1,C1,L1)と周波数逓倍した信号を出力す
る回路(Q2,C2,L2)を別回路構成としたため、
それぞれの回路定数を最適化できる。
Then, the capacitor C2 and the inductor L2
The signal of the desired frequency component is further strengthened by the tuning circuit constituted by and output to the signal output terminal 2. As described above, in the present embodiment, the circuit (Q1, C1, L1) for frequency multiplication and the circuit (Q2, C2, L2) for outputting a signal for frequency multiplication have different circuit configurations.
Each circuit constant can be optimized.

【0012】すなわち、周波数逓倍するための条件をト
ランジスタQ1、コンデンサC1、インダクタL1で調
節することができ、出カインピーダンスを整合させるた
めの条件をトランジスタQ2、コンデンサC2、インダ
クタL2で調節することができる。なお、コンデンサC
1,C2、インダクタL1,L2の個々の値は、前記同
調回路の発振周波数が所望の周波数nω0になるという
条件を満たす限り、自由に設定することができる。以上
のように、本実施の形態では、周波数逓倍する回路と周
波数逓倍した信号を出力する回路を分離したので、周波
数の変換効率を高めることができ、結果として、従来の
周波数逓倍器に比べて消費電力を低減することができ
る。
That is, the condition for frequency multiplication can be adjusted by the transistor Q1, the capacitor C1, and the inductor L1, and the condition for matching the output impedance can be adjusted by the transistor Q2, the capacitor C2, and the inductor L2. it can. The capacitor C
The individual values of 1, C2 and the inductors L1, L2 can be freely set as long as the condition that the oscillation frequency of the tuning circuit becomes the desired frequency nω0 is satisfied. As described above, in the present embodiment, the circuit for frequency multiplication and the circuit for outputting the frequency-multiplied signal are separated, so that the frequency conversion efficiency can be increased, and as a result, compared with the conventional frequency multiplier. Power consumption can be reduced.

【0013】[実施の形態の2]図2は本発明の第2の
実施の形態となる周波数逓倍器の構成を示す回路図であ
り、図1と同一の構成には同一の符号を付してある。図
2において、Q1a,Q2,Q3はNchMOS電界効
果トランジスタである。本実施の形態の周波数逓倍器
は、図1の周波数逓倍器にトランジスタQ3を付加した
ものである。
[Second Embodiment] FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a frequency multiplier according to a second embodiment of the present invention. The same components as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. There is. In FIG. 2, Q1a, Q2 and Q3 are NchMOS field effect transistors. The frequency multiplier of the present embodiment is obtained by adding a transistor Q3 to the frequency multiplier shown in FIG.

【0014】図2の周波数逓倍器により効率よく周波数
がn倍に逓倍できる理由を簡単に説明する。入力信号I
Nが信号入力端子1からトランジスタQ1aのゲート端
子Gに入力されると、この信号に応じて節点N1に信号
が出力される。トランジスタQ1aの入出力特性は非線
形であるため、トランジスタQ1aから節点N1に出力
される信号には、ω0のn倍の周波数の信号が多重され
てくる。
The reason why the frequency can be efficiently multiplied by n by the frequency multiplier of FIG. 2 will be briefly described. Input signal I
When N is input from the signal input terminal 1 to the gate terminal G of the transistor Q1a, a signal is output to the node N1 according to this signal. Since the input / output characteristic of the transistor Q1a is non-linear, the signal output from the transistor Q1a to the node N1 is multiplexed with a signal having a frequency n times ω0.

【0015】一方、同一の入力信号INがトランジスタ
Q1aと縦積みに接続されたトランジスタQ2のゲート
端子Gにも入力される。この場合、トランジスタQ2は
可変抵抗として扱うことができる。すなわち、可変抵抗
がトランジスタQ1aのソース端子Sに接続されたこと
になり、トランジスタQ1aの実効ゲート−ソース電圧
が非線形になるため、トランジスタQ1aの非線形性は
増長され、高次の周波数成分のエネルギーを大きくする
ことができる。
On the other hand, the same input signal IN is also input to the gate terminal G of the transistor Q2 which is vertically connected to the transistor Q1a. In this case, the transistor Q2 can be treated as a variable resistor. That is, the variable resistor is connected to the source terminal S of the transistor Q1a, and the effective gate-source voltage of the transistor Q1a becomes non-linear, so that the non-linearity of the transistor Q1a is increased and energy of higher-order frequency components is increased. Can be large.

【0016】トランジスタQ2、コンデンサC1,C
2、インダクタL1,L2による動作は実施の形態の1
と同じである。すなわち、節点N1に出力される信号か
らコンデンサC1とインダクタL1によって構成される
同調回路によりnω0の周波数の信号が抽出され、この
信号によりトランジスタQ2が駆動される。そして、コ
ンデンサC2とインダクタL2によって構成される同調
回路により前記nω0の周波数の信号がさらに強められ
て信号出力端子2へ出力される。
Transistor Q2, capacitors C1 and C
2. The operation by the inductors L1 and L2 is the same as in the first embodiment.
Is the same as. That is, a signal having a frequency of nω0 is extracted from the signal output to the node N1 by the tuning circuit composed of the capacitor C1 and the inductor L1, and the transistor Q2 is driven by this signal. Then, the signal having the frequency of nω0 is further strengthened by the tuning circuit composed of the capacitor C2 and the inductor L2 and is output to the signal output terminal 2.

【0017】以上のように、本実施の形態によれば、ト
ランジスタQ1aの非線形性を回路的に増長するように
工夫したので、効率よく高次の周波数を発生させること
ができる。その結果、実施の形態の1の周波数逓倍器に
比べて、消費電力をさらに低減することができる。
As described above, according to the present embodiment, the non-linearity of the transistor Q1a is devised so as to be increased in a circuit manner, so that high-order frequencies can be efficiently generated. As a result, it is possible to further reduce the power consumption as compared with the frequency multiplier of the first embodiment.

【0018】[実施の形態の3]実施の形態の1,2で
は、MOS電界効果トランジスタを用いたが、これに限
るものではなく、その他のトランジスタを用いても同様
の構成を実現できる。以下、このような実施の形態につ
いて説明する。図3は本発明の第3の実施の形態となる
周波数逓倍器の構成を示す回路図であり、Q4,Q5は
NchMES電解効果トランジスタである。本実施の形
態の周波数逓倍器は、図1の周波数逓倍器のMOS電界
効果トランジスタQ1,Q2の代わりに、MES電解効
果トランジスタQ4,Q5を用いたものである。
[Third Embodiment] In the first and second embodiments, the MOS field effect transistor is used. However, the present invention is not limited to this, and the same structure can be realized by using other transistors. Hereinafter, such an embodiment will be described. FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a frequency doubler according to a third embodiment of the present invention, and Q4 and Q5 are NchMES field effect transistors. The frequency multiplier of the present embodiment uses MES field effect transistors Q4 and Q5 instead of the MOS field effect transistors Q1 and Q2 of the frequency multiplier of FIG.

【0019】[実施の形態の4]図4は本発明の第4の
実施の形態となる周波数逓倍器の構成を示す回路図であ
り、Q4a,Q5,Q6はNchMES電解効果トラン
ジスタである。本実施の形態の周波数逓倍器は、図2の
周波数逓倍器のMOS電界効果トランジスタQ1a,Q
2,Q3の代わりに、MES電解効果トランジスタQ4
a,Q5,Q6を用いたものである。
[Fourth Embodiment] FIG. 4 is a circuit diagram showing the structure of a frequency multiplier according to a fourth embodiment of the present invention, in which Q4a, Q5 and Q6 are NchMES field effect transistors. The frequency multiplier according to the present embodiment is the MOS field effect transistors Q1a and Q1 of the frequency multiplier shown in FIG.
2, Q3 instead of MES field effect transistor Q4
a, Q5, Q6 are used.

【0020】[実施の形態の5]図5は本発明の第5の
実施の形態となる周波数逓倍器の構成を示す回路図であ
る。図5において、Q7,Q8はNPNバイポーラトラ
ンジスタ、Bはベース端子、Eはエミッタ端子、Cはコ
レクタ端子である。本実施の形態の周波数逓倍器は、図
1の周波数逓倍器のMOS電界効果トランジスタQ1,
Q2の代わりに、バイポーラトランジスタQ7,Q8を
用いたものである。
[Fifth Embodiment] FIG. 5 is a circuit diagram showing a structure of a frequency multiplier according to a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 5, Q7 and Q8 are NPN bipolar transistors, B is a base terminal, E is an emitter terminal, and C is a collector terminal. The frequency multiplier of the present embodiment is the same as the MOS field effect transistor Q1 of the frequency multiplier of FIG.
Instead of Q2, bipolar transistors Q7 and Q8 are used.

【0021】[実施の形態の6]図6は本発明の第6の
実施の形態となる周波数逓倍器の構成を示す回路図であ
り、Q7a,Q8,Q9はNPNバイポーラトランジス
タである。本実施の形態の周波数逓倍器は、図2の周波
数逓倍器のMOS電界効果トランジスタQ1a,Q2,
Q3の代わりに、バイポーラトランジスタQ7a,Q
8,Q9を用いたものである。
[Sixth Embodiment] FIG. 6 is a circuit diagram showing the structure of a frequency multiplier according to a sixth embodiment of the present invention, in which Q7a, Q8 and Q9 are NPN bipolar transistors. The frequency multiplier of the present embodiment is the MOS field effect transistors Q1a, Q2, of the frequency multiplier shown in FIG.
Instead of Q3, bipolar transistors Q7a, Q
8 and Q9 are used.

【0022】なお、実施の形態の1〜4では、Nchト
ランジスタを用い、第1の電源をGND(接地)、第2
の電源をVDDとしているが、これに限るものではな
く、Pchトランジスタを用いてもよい。この場合に
は、第1の電源をVDD、第2の電源をGNDとすれば
よい。また、実施の形態の5,6では、NPNバイポー
ラトランジスタを用いているが、これに限るものではな
く、PNPバイポーラトランジスタを用いてもよい。こ
の場合にも、第1の電源をVDD、第2の電源をGND
とすればよい。
In the first to fourth embodiments, an Nch transistor is used, the first power source is GND (ground), and the second power source is
Although the power source of the above is VDD, it is not limited to this, and a Pch transistor may be used. In this case, the first power source may be VDD and the second power source may be GND. Further, although the NPN bipolar transistor is used in the fifth and sixth embodiments, the present invention is not limited to this, and a PNP bipolar transistor may be used. Also in this case, the first power source is VDD and the second power source is GND.
And it is sufficient.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明によれば、第1のトランジスタ、
第1のコンデンサ及び第1のインダクタからなる周波数
逓倍する回路と、第2のトランジスタ、第2のコンデン
サ及び第2のインダクタからなる周波数逓倍した信号を
出力する回路を分離したので、効率よく高次の周波数の
信号を発生させることができ、結果として、従来の周波
数逓倍器に比べて消費電力を低減することができる。し
たがって、電池等のバッテリを有する携帯型無線機器に
本発明の周波数逓倍器を用いれば、長寿命化、またはバ
ッテリの小型化に伴う携帯型無線機器の小型化が図れ、
効果大である。
According to the present invention, the first transistor,
Since the frequency multiplying circuit composed of the first capacitor and the first inductor and the circuit outputting the frequency multiplied signal composed of the second transistor, the second capacitor and the second inductor are separated from each other, the high-order efficient It is possible to generate a signal having a frequency of, and as a result, it is possible to reduce power consumption as compared with the conventional frequency multiplier. Therefore, if the frequency multiplier of the present invention is used for a portable wireless device having a battery such as a battery, the life of the portable wireless device can be extended, or the portable wireless device can be downsized as the battery is downsized.
It is very effective.

【0024】また、第1のトランジスタと縦積みに接続
された第2のトランジスタを設けることにより、第1の
トランジスタの非線形性を回路的に増長するようにした
ので、効率よく高次の周波数の信号を発生させることが
できる。その結果、周波数逓倍器の消費電力をさらに低
減することができる。
Further, by providing the second transistor which is vertically connected to the first transistor, the non-linearity of the first transistor is increased in a circuit manner. A signal can be generated. As a result, the power consumption of the frequency multiplier can be further reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施の形態となる周波数逓倍
器の構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a frequency multiplier according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第2の実施の形態となる周波数逓倍
器の構成を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a frequency multiplier which is a second embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第3の実施の形態となる周波数逓倍
器の構成を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a frequency doubler according to a third embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第4の実施の形態となる周波数逓倍
器の構成を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a frequency doubler according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第5の実施の形態となる周波数逓倍
器の構成を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a frequency multiplier which is a fifth embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第6の実施の形態となる周波数逓倍
器の構成を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a frequency doubler according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】 従来の周波数逓倍器の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional frequency multiplier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Q1〜Q3、Q1a…NchMOS電界効果トランジス
タ、Q4〜Q6、Q4a…NchMES電解効果トラン
ジスタ、Q7〜Q9、Q7a…NPNバイポーラトラン
ジスタ、C1、C2…コンデンサ、L1、L2…インダ
クタ、1…信号入力端子、2…信号出力端子。
Q1 to Q3, Q1a ... NchMOS field effect transistor, Q4 to Q6, Q4a ... NchMES field effect transistor, Q7 to Q9, Q7a ... NPN bipolar transistor, C1, C2 ... Capacitor, L1, L2 ... Inductor, 1 ... Signal input terminal, 2 ... Signal output terminal.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−284942(JP,A) 特開 平4−294637(JP,A) 米国特許4864636(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03B 19/14 H03K 5/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-10-284942 (JP, A) JP-A-4-294637 (JP, A) US Pat. No. 4864636 (US, A) (58) Fields investigated (Int .Cl. 7 , DB name) H03B 19/14 H03K 5/00

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 入力端子が信号入力端子に接続され、第
1の出力端子が第1の電源に接続された第1のトランジ
スタと、 一端が前記第1のトランジスタの第2の出力端子に接続
され、他端が第2の電源に接続された第1のコンデンサ
と、 一端が前記第1のトランジスタの第2の出力端子に接続
され、他端が前記第2の電源に接続された第1のインダ
クタと、 入力端子が前記第1のトランジスタの第2の出力端子と
前記第1のコンデンサの一端と前記第1のインダクタの
一端との接続点に接続され、第1の出力端子が前記第1
の電源に接続され、第2の出力端子が信号出力端子に接
続された第2のトランジスタと、 一端が前記信号出力端子に接続され、他端が前記第2の
電源に接続された第2のコンデンサと、 一端が前記信号出力端子に接続され、他端が前記第2の
電源に接続された第2のインダクタとを有することを特
徴とする周波数逓倍器。
1. A first transistor having an input terminal connected to a signal input terminal, a first output terminal connected to a first power supply, and one end connected to a second output terminal of the first transistor. A first capacitor having the other end connected to the second power supply, and a first capacitor having one end connected to the second output terminal of the first transistor and the other end connected to the second power supply. And an input terminal are connected to a connection point between the second output terminal of the first transistor, one end of the first capacitor and one end of the first inductor, and the first output terminal is connected to the first output terminal. 1
A second transistor having a second output terminal connected to the signal output terminal and a second output terminal connected to the signal output terminal; and a second transistor having one end connected to the signal output terminal and the other end connected to the second power source. A frequency multiplier comprising a capacitor and a second inductor having one end connected to the signal output terminal and the other end connected to the second power supply.
【請求項2】 入力端子が信号入力端子に接続された第
1のトランジスタと、 入力端子が前記信号入力端子に接続され、第1の出力端
子が第1の電源に接続され、第2の出力端子が前記第1
のトランジスタの第1の出力端子に接続された第2のト
ランジスタと、 一端が前記第1のトランジスタの第2の出力端子に接続
され、他端が第2の電源に接続された第1のコンデンサ
と、 一端が前記第1のトランジスタの第2の出力端子に接続
され、他端が前記第2の電源に接続された第1のインダ
クタと、 入力端子が前記第1のトランジスタの第2の出力端子と
前記第1のコンデンサの一端と前記第1のインダクタの
一端との接続点に接続され、第1の出力端子が前記第1
の電源に接続され、第2の出力端子が信号出力端子に接
続された第3のトランジスタと、 一端が前記信号出力端子に接続され、他端が前記第2の
電源に接続された第2のコンデンサと、 一端が前記信号出力端子に接続され、他端が前記第2の
電源に接続された第2のインダクタとを有することを特
徴とする周波数逓倍器。
2. A first transistor having an input terminal connected to a signal input terminal, an input terminal connected to the signal input terminal, a first output terminal connected to a first power supply, and a second output. The terminal is the first
A second transistor connected to the first output terminal of the transistor, and a first capacitor having one end connected to the second output terminal of the first transistor and the other end connected to the second power supply. A first inductor having one end connected to the second output terminal of the first transistor and the other end connected to the second power supply; and an input terminal of the second output of the first transistor. A first output terminal connected to a connection point between the terminal, one end of the first capacitor, and one end of the first inductor;
A third transistor having a second output terminal connected to the signal output terminal and a second output terminal connected to the signal output terminal; and a second transistor having one end connected to the signal output terminal and the other end connected to the second power source. A frequency multiplier comprising a capacitor and a second inductor having one end connected to the signal output terminal and the other end connected to the second power supply.
【請求項3】 請求項1または2記載の周波数逓倍器に
おいて、 前記第1、第2、第3のトランジスタをMOS電界効果
トランジスタとすることを特徴とする周波数逓倍器。
3. The frequency multiplier according to claim 1, wherein the first, second and third transistors are MOS field effect transistors.
【請求項4】 請求項1または2記載の周波数逓倍器に
おいて、 前記第1、第2、第3のトランジスタをMES電界効果
トランジスタとすることを特徴とする周波数逓倍器。
4. The frequency multiplier according to claim 1, wherein the first, second and third transistors are MES field effect transistors.
【請求項5】 請求項1または2記載の周波数逓倍器に
おいて、 前記第1、第2、第3のトランジスタをバイポーラトラ
ンジスタとすることを特徴とする周波数逓倍器。
5. The frequency multiplier according to claim 1, wherein the first, second and third transistors are bipolar transistors.
【請求項6】 請求項3または4記載の周波数逓倍器に
おいて、 前記第1、第2、第3のトランジスタの入力端子をゲー
ト端子とし、第1の出力端子をソース端子とし、第2の
出力端子をドレイン端子とすることを特徴とする周波数
逓倍器。
6. The frequency multiplier according to claim 3, wherein the input terminals of the first, second, and third transistors are gate terminals, the first output terminal is a source terminal, and the second output is the second output. A frequency multiplier having a terminal as a drain terminal.
【請求項7】 請求項5の周波数逓倍器において、 前記第1、第2、第3のトランジスタの入力端子をベー
ス端子とし、第1の出力端子をエミッタ端子とし、第2
の出力端子をコレクタ端子とすることを特徴とする周波
数逓倍器。
7. The frequency multiplier according to claim 5, wherein the input terminals of the first, second, and third transistors are base terminals, the first output terminal is an emitter terminal, and the second output terminal is an emitter terminal.
A frequency multiplier characterized in that the output terminal of is used as a collector terminal.
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