KR100207367B1 - Fabrication method for lightpath modulation device - Google Patents

Fabrication method for lightpath modulation device Download PDF

Info

Publication number
KR100207367B1
KR100207367B1 KR1019940014156A KR19940014156A KR100207367B1 KR 100207367 B1 KR100207367 B1 KR 100207367B1 KR 1019940014156 A KR1019940014156 A KR 1019940014156A KR 19940014156 A KR19940014156 A KR 19940014156A KR 100207367 B1 KR100207367 B1 KR 100207367B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
film
transistor
substrate
membrane
Prior art date
Application number
KR1019940014156A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR960003360A (en
Inventor
지정범
Original Assignee
전주범
대우전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전주범, 대우전자주식회사 filed Critical 전주범
Priority to KR1019940014156A priority Critical patent/KR100207367B1/en
Priority to CN95105544A priority patent/CN1062664C/en
Priority to US08/470,411 priority patent/US5579179A/en
Priority to JP16679095A priority patent/JP3797682B2/en
Publication of KR960003360A publication Critical patent/KR960003360A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100207367B1 publication Critical patent/KR100207367B1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0102—Constructional details, not otherwise provided for in this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/02—Function characteristic reflective

Abstract

본 발명은 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로 제1기판의 상부에 분리막을 형성하는 공정과, 상기 분리막의 상부에 반사막을 형성하는 공정과, 상기 반사막의 상부에 변형부를 형성하는 공정과, 상기 변형부의 상부에 신호전극을 형성하는 공정과, 상기 신호전극의 상부에 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부에 희생막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 플러그 첨단부에 다결정실리콘을 도포하는 공정과, 상기 희생막 소정부분을 제거하고 상기 변형부에 상기 신호전극이 노출되도록 홈을 형성하고 상기 홈의 내부에 상기 신호전극과 접촉하도록 플러그를 형성하는 공정과, 상기 다결정실리콘 소정부분에 트랜지스터를 매트릭스 형태로 형성하는 공정과, 상기 트랜지스터 상단표면에 비전도성 접착제를 사용하여 기판과 부착하는 공정과, 상기 분리막을 제거하여 기판을 반사막으로부터 분리하는 공정과, 상기 반사막으로부터 상기 멤브레인까지 상기 회생막이 노출되게 일측단이 상기 지지부의 일측단과 일치되도록 제거하여 화소를 분리하는 공정과, 상기 희생막을 제거하는 공정을 구비한다. 따라서, 별도의 구동기판 없이 다결정실리콘내에 트랜지스터를 형성하므로 다층형성에 의해 발생되는 구동기판의 열화를 방지할 수 있다.The present invention relates to a method for manufacturing an optical path control device, comprising: forming a separator on an upper portion of a first substrate, forming a reflective film on an upper portion of the separator, forming a deformable portion on the reflective film, and Forming a signal electrode on top of the deformable part, forming a membrane on top of the signal electrode, forming a sacrificial film on top of the membrane, and applying polysilicon to the sacrificial film and the plug tip Removing a predetermined portion of the sacrificial layer, forming a groove to expose the signal electrode in the deformable portion, and forming a plug in contact with the signal electrode in the groove; and forming a transistor in the predetermined portion of the polysilicon. Forming a matrix in a matrix form and attaching the substrate to a substrate using a non-conductive adhesive on the upper surface of the transistor. Separating the substrate from the reflective film by removing the separation film, separating the pixel by removing one end so that the regenerative film is exposed from the reflective film to the membrane to coincide with one end of the support part, and removing the sacrificial film. The process of removing is provided. Therefore, since the transistor is formed in the polysilicon without a separate driving substrate, deterioration of the driving substrate caused by the multilayer formation can be prevented.

Description

광로조절장치의 제조방법Manufacturing method of optical path control device

제1도 (a) 내지 (c)는 종래 기술에 따른 광로조절장치의 제조공정도.1 (a) to (c) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the prior art.

제2도 (a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 광로조절장치의 제조공정도.2 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

31 : 제1기판 33 : 분리막31: first substrate 33: separator

35 : 반사막(바이어스 전극) 37 : 변형부35 reflection film (bias electrode) 37 deformation part

39 : 신호전극 41 : 멤브레인39: signal electrode 41: membrane

43 : 희생막 45 : 다결정실리콘43: sacrificial film 45: polycrystalline silicon

47 : 트랜지스터 49 : 접착제47: transistor 49: adhesive

51 : 제2기판51: second substrate

본 발명은 투사형표시기에 이용되는 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 멤브레인이나 변형부 제조시의 고온공정으로 인한 구동기판의 손상을 방지하는 광로조절장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical path control device for use in a projection display, and more particularly, to a method for manufacturing an optical path control device for preventing damage to a driving substrate due to a high temperature process in manufacturing a membrane or a deformation part.

화상표시장치는 표시방법에 따라 직시형표시장치와 투사형표시장치로 구분된다. 직시형화상표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT 화상표시장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께의 증대와, 가격이 비싸지는 등의 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다. 투사형화상표시장치는 대화면 액정표시장치(Liquid Crystal Display; 이하 LCD라 칭함)등이 있는데, 이러한 대화면 LCD의 박형화가 가능하여 중량을 작게 할 수 있다. 그러나, 이러한 LCD 는 편광판에 의한 광손실이 크고 LCD를 구동하기 위한 박막트랜지스터가 화소마다 형성되어 있어 개구율(광의 투과면적)을 높이는데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮다.The image display device is classified into a direct view display device and a projection display device according to a display method. Direct image display device includes CRT (Cathode Ray Tube), which has good image quality but it has problems such as increase of weight and thickness as the screen is enlarged and price is expensive. There is. Projection type image display apparatuses include a large crystal display (hereinafter referred to as an LCD), and such a large screen LCD can be thinned to reduce the weight. However, the LCD has a high light loss due to the polarizing plate, and a thin film transistor for driving the LCD is formed for each pixel, so that there is a limit in increasing the aperture ratio (light transmission area).

따라서, 미합중국 Aura사에 의해 액추에이티드 미러 어레이(Actuated Mirror Array; 이하 AMA라 칭함)를 이용한 투사형화상표시장치가 개발되었다.Accordingly, a projection image display device using an Actuated Mirror Array (hereinafter referred to as AMA) has been developed by Aura, United States.

AMA를 이용한 투사형화상표시장치는 1차원 AMA를 이용하는 것과 2차원 AMA를 이용하는 것으로 구별된다. 1차원 AMA는 거울면들이 M×1 어레이로 배열되고 있다. 따라서, 1차원 AMA를 이용하는 투사형화상표시장치는 주사거울을 이용하여 M×1개의 광속들을 선주사시키고, 2차원 AMA를 이용하는 투사형화상표시장치는 M×N개의 광속들을 투사시켜 M×N 화소의 어레이를 가지는 영상을 나타내게 된다.Projection image display apparatuses using AMA are classified into one-dimensional AMA and two-dimensional AMA. One-dimensional AMA has mirror surfaces arranged in an M × 1 array. Therefore, the projection image display device using the one-dimensional AMA pre-scans the M × 1 beams using the scanning mirror, and the projection image display device using the two-dimensional AMA projects the M × N beams to array M × N pixels. An image with a will be displayed.

제1도 (a) 내지 (c)는 종래 기술에 따른 광로조절장치의 제조공정도이다.1 (a) to (c) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the prior art.

제1도 (a)를 참조하면 트랜지스터들(도시되지 않음)이 매트릭스 형태로 내장되고, 상부에 트랜지스터들과 전기적으로 연결된 패드(13)들을 갖는 구동기판(11)의 표면에 희생막(15)을 형성한다. 그리고, 소정부분의 희생막(15)을 통상의 포토리쏘그래피(photolithography) 방법으로 제거하여 패드(13)들과 주위의 구동기판(11)을 노출시킨다. 그다음, 상술한 구조의 전 표면에 규화물을 침적한 후 포토리쏘그래피 방법에 의해 희생막(15) 상부에 침적된 것을 제거하여 지지부(17)들을 구동기판(11)의 노출된 부분에 패드(13)들을 에워싸도록 형성한다.Referring to FIG. 1A, transistors (not shown) may be embedded in a matrix, and a sacrificial layer 15 may be formed on a surface of a driving substrate 11 having pads 13 electrically connected to transistors thereon. To form. Then, the sacrificial film 15 of the predetermined portion is removed by a conventional photolithography method to expose the pads 13 and the driving substrate 11 around them. Then, after depositing the silicide on the entire surface of the above-described structure, by removing the deposit on the sacrificial film 15 by the photolithography method, the support portions 17 are padded on the exposed portion of the driving substrate 11. ) To surround them.

제1도 (b)를 참조하면, 상기 지지부(17)들과 희생막(15)의 상부에 멤브레인(19)은 상기 지지부(17)들을 이루는 물질과 동일한 물질로 형성한다. 그 다음, 패드(13)들 상부 소정부분의 멤브레인(19)들의 지지부(17)들을 제거하여 홈들을 형성한다. 그리고, 홈들 내부에 전도성금속을 채워 패드(13)들과 전기적으로 연결되는 플러그(plug:21)들을 형성한다. 계속해서, 멤브레인(19)의 표면에 신호전극(23)을 전기적으로 연결되도록 형성하여 플러그(21)들에 의해 패드(13)들과 신호전극(23)을 전기적으로 연결시킨다.Referring to FIG. 1B, the membrane 19 is formed on the support 17 and the sacrificial layer 15 of the same material as the material forming the support 17. Then, the supports 17 of the membranes 19 at the upper portions of the pads 13 are removed to form grooves. Then, the conductive metal is filled in the grooves to form plugs 21 electrically connected to the pads 13. Subsequently, the signal electrodes 23 are electrically connected to the surface of the membrane 19 to electrically connect the pads 13 and the signal electrodes 23 by the plugs 21.

제1도 (c)를 참조하면, 신호전극(23)의 표면에 변형부(25) 반사막(27)을 순차적으로 도포한다. 상기에서 변형부(25)는 압전세라믹이나, 또는 전왜세라믹을 도포함으로써 형성된다. 상기에서 변형부(25)가 얇게 형성되므로 별도의 분극을 하지 않고도 구동시 인가되는 화상신호에 의해 분극된다. 반사막(27)은 반사특성 뿐만아니라 전기전도도가 좋은 금속으로 형성된다. 그 다음, 반사막(27)부터 멤브레인(19)까지 희생막(15)이 노출되도록 소정부분을 레이저에 의한 절단이나 포토리쏘그래피 방법으로 제거하여 액츄에이터들을 분리하고 희생막(15)을 습식 방법으로 제거한다.Referring to FIG. 1C, the deformed portion 25 and the reflective film 27 are sequentially applied to the surface of the signal electrode 23. In the above, the deformable portion 25 is formed by applying piezoceramic or total distortion ceramic. Since the deformable portion 25 is thinly formed, the deformable portion 25 is polarized by an image signal applied during driving without a separate polarization. The reflective film 27 is formed of a metal having good electrical conductivity as well as reflective characteristics. Then, the predetermined portions are removed by laser cutting or photolithography so that the sacrificial film 15 is exposed from the reflective film 27 to the membrane 19 to separate the actuators, and the sacrificial film 15 is removed by a wet method. do.

상술한 바와 같이 구동기판표면의 소정부분에 지지부들을, 나머지 부분에 희생막을 형성하고 지지부들과 희생막의 상부에 별도의 분극을 하지 않은 변형부를 형성한 후 패드들의 상부가 노출되도록 홈들을 형성하고 플러그를 형성한다. 그리고, 상술한 구조의 전표면에 신호전극, 변형부, 바이어스 전극 및 반사막을 박막 공정으로 형성한 후 희생막들이 노출되도록 반사막부터 멤브레인까지 제거하여 액츄에이터들을 분리하고 희생막을 제거한다.As described above, the support parts are formed on a predetermined portion of the surface of the driving substrate, and the sacrificial film is formed on the remaining parts, and the deformed parts are not formed on the support parts and the sacrificial film without polarization. To form. The signal electrode, the deformable part, the bias electrode, and the reflective film are formed on the entire surface of the above-described structure by a thin film process, and then the actuators are separated and the sacrificial film is removed from the reflective film to the membrane so that the sacrificial films are exposed.

그러나, 상술한 종래의 광로조절장치의 제조방법은 지지부 및 변형부를 고온공정에 의해 형성하므로 구동기판의 배선이 열화되는 문제점이 있었다.However, the conventional method for manufacturing the optical path control apparatus described above has a problem in that the wiring of the driving substrate is deteriorated because the support part and the deformation part are formed by a high temperature process.

따라서, 본 발명은 별도의 구동기판 없이 다결정실리콘에 트랜지스터를 형성하므로 다층 형성에 의해 발생되는 구동기판의 열화를 방지할 수 있는 광로조절장치의 제도방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention provides a method of drafting an optical path control apparatus capable of preventing deterioration of a driving substrate caused by multilayer formation since transistors are formed in polycrystalline silicon without a separate driving substrate.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광로조절장치 제조 방법은 상기 제1기판의 상부에 분리막을 형성하는 공정과, 상기 분리막의 상부에 반사막을 형성하는 공정과, 상기 반사막의 상부에 변형부를 형성하는 공정과, 상기 변형부의 상부에 신호전극을 형성하는 공정과, 상기 신호전극의 상부에 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부에 희생막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 플러그 첨단부에 다결정실리콘을 도포하는 공정과, 상기 희생막 소정부분을 제거하고 상기 변형부에 상기 신호전극이 노출되도록 홈을 형성하고 상기 홈의 내부에 상기 신호전극과 접촉하도록 플러그를 형성하는 공정과, 상기 다결정실리콘 소정부분에 트랜지스터를 매트릭스 형태로 형성하는 공정과, 상기 트랜지스터 상단표면에 비전도성 접착제를 사용하여 제2기판과 부착하는 공정과, 상기 분리막을 제거하여 상기 제1기판을 반사막으로 부터 분리하는 공정과, 상기 반사막으로부터 상기 멤브레인까지 상기 희생막이 노출되게 일측단이 상기 지지부의 일측단과 일치되고록 제거하여 화소를 분리하는 공정과, 상기 희생막을 제거하는 공정을 구비한다.The optical path control apparatus manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is a step of forming a separator on top of the first substrate, a process of forming a reflective film on top of the separator, and forming a deformable portion on top of the reflective film And forming a signal electrode on the deformable portion, forming a membrane on the signal electrode, forming a sacrificial film on the membrane, and forming the sacrificial film and the plug tip. Applying a polysilicon, removing a predetermined portion of the sacrificial layer, forming a groove to expose the signal electrode in the deformable portion, and forming a plug in contact with the signal electrode in the groove; Forming a transistor in a matrix on a predetermined portion of silicon; and using a non-conductive adhesive on an upper surface of the transistor. Attaching the second substrate to the second substrate; removing the separator; separating the first substrate from the reflecting film; and one end of the support part being exposed to the sacrificial film from the reflecting film to the membrane. And removing the pixels to remove the sacrificial layer.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도 (a) 내지 (d)는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 광로조절장치의 제조공정도이다.2 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to an embodiment of the present invention.

제2도 (a)를 참조하면, 유리 또는 알루미나(Al2O3) 등의 절연물로 이루어진 제1기판(31)의 상부에 염화나트륨(NaCl) 등의 수용성 물질이나 제거가 용이한 물질을 스퍼터링 또는 진공증착에 의해 1000-3000정도의 두께로 분리막(33)을 형성한다. 상기 분리막(33)의 표면에 반사막(35), 변형부(37), 멤브레인(41) 및 희생막(43)을 순차적으로 도포한다. 상기에서 반사막(35)을 은(Ag) 또는 백금 등의 반사특성 및 전기전도도가 좋은 물질을 스퍼터링 또는 진공증착 등의 방법에 의해 500-1000정도의 두께로 형성한다. 상기에서 반사막(35)은 전기전도도가 양호하므로 바이어스전극으로도 이용된다. 상기에서 변형부(37)을 BaTiO3, PZT(Pb(Zr,Ti)O3, PLZT(Pb,La)(Zr,Ti)O3) 등의 압전 세라믹이나, 또는 PMN(Pb(Mg,Nb)O3) 등의 전왜세리믹을 Sol-Gel법, 스퍼터링 또는 CVD법 등에 의해 0.7∼2정도의 두께로 도포하여 형성한다. 상기에서, 변형부(37)가 매우 얇게 형성되므로 이 변형부(37)가 압전세라믹으로 형성되어도 별도의 분극을 하지 않고 구동시 인가되는 화상신호에 의해 분극되도록 한다. 신호전극(39)은 변형부(37) 표면에 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 등이 진공증착 또는 스퍼터링 등에 의해 500∼2000정도의 두께로 도포되어 형성된다. 멤브레인(41)은 탄화실리콘, 질화실리콘(Si3N4) 또는 산화실리콘(SiO2)으로 형성된다. 그리고, 희생막(43)을 Mo, Cu, Fe, 또는 Al 등의 금속물질이나, PSG(Phospho-Sillicate Glass)으로 1∼2정도 두께로 형성하는데, 금속물질로 형성할 때는 회전도포(spin coating)법으로 형성한다.Referring to FIG. 2 (a), sputtering a water-soluble material such as sodium chloride (NaCl) or an easily removable material on the first substrate 31 made of an insulating material such as glass or alumina (Al 2 O 3 ) 1000-3000 by vacuum deposition Separation membrane 33 is formed to a thickness of about. The reflective film 35, the deformable portion 37, the membrane 41, and the sacrificial film 43 are sequentially applied to the surface of the separator 33. The reflective film 35 is 500-1000 by a method such as sputtering or vacuum deposition of a material having good reflectivity and electrical conductivity such as silver (Ag) or platinum. It is formed to a thickness of about. Since the reflective film 35 has good electrical conductivity, it is also used as a bias electrode. In the above-described deformation portion 37, piezoelectric ceramics such as BaTiO 3 , PZT (Pb (Zr, Ti) O 3 , PLZT (Pb, La) (Zr, Ti) O 3 ), or PMN (Pb (Mg, Nb) 0.7-2 to the whole distortion ceramic such as) O 3 ) by Sol-Gel method, sputtering or CVD method It is formed by applying to a thickness of about. In the above, since the deformable portion 37 is formed very thinly, the deformable portion 37 is polarized by an image signal applied during driving without additional polarization even when the deformable portion 37 is formed of a piezoelectric ceramic. The signal electrode 39 is formed on the surface of the deformable portion 37 by platinum (Pt) or platinum / titanium (Pt / Ti) by vacuum deposition or sputtering. It is formed by applying to a thickness of about. The membrane 41 is formed of silicon carbide, silicon nitride (Si 3 N 4 ) or silicon oxide (SiO 2 ). The sacrificial film 43 is made of metal such as Mo, Cu, Fe, or Al, or 1 to 2 of PSG (Phospho-Sillicate Glass). It is formed to a thickness of a precision, when forming a metal material by a spin coating method.

제2도 (b)를 참조하면, 상기 희생막(43)의 소정부분을 통상의 포토리쏘그래피(photolithography)방법에 의해 제거하여 멤브레인(41)을 노출시키고, 다결정실리콘(45)을 화학기상침적법(Chemical Vapor Deposition) 등에 의해 1.4∼2정도의 두깨로 두껍게 형성한다. 계속해서, 소정부분의 다결정실리콘(45)과 멤브레인(41)을 제거하여 신호전극(39)이 노출되도록 구멍을 형성한다. 그리고, 홈의 내부에 텅스텐(W) 또는 티타늄(Ti) 등의 도전성물질을 채워 신호전극(39)과 접촉하는 플러그(plug:47)를 형성한다. 상기에서 홈에 도전성물질을 채울 때 다결정실리콘(45) 및 희생막(41)의 표면에도 침적되는 데, 인접하는 화소들(도시되지 않음)이 단락되는 것을 방지하기 위해 이를 남기지 않고 모두 제거하여야 한다.Referring to FIG. 2 (b), a predetermined portion of the sacrificial film 43 is removed by a conventional photolithography method to expose the membrane 41, and the polycrystalline silicon 45 is chemically vapor deposited. 1.4 to 2 by Chemical Vapor Deposition Form thick with enough thickness. Subsequently, the polysilicon 45 and the membrane 41 of the predetermined portion are removed to form holes so that the signal electrode 39 is exposed. In addition, a plug 47 is formed in the groove to fill a conductive material such as tungsten (W) or titanium (Ti) to contact the signal electrode 39. When the conductive material is filled in the grooves, they are also deposited on the surfaces of the polysilicon 45 and the sacrificial film 41. All of the adjacent pixels (not shown) should be removed without leaving them to prevent short circuits. .

제2도 (c)를 참조하면, 상기 다결정실리콘(45) 위에 트랜지스터(47)를 매트릭스 형태로 형성한다. 상기 트랜지스터(47)는 통상의 박막트랜지스터(Thin Film Transister)나 MOS(Metal Oxide Semiconductor)트랜지스터로 구성한다.Referring to FIG. 2C, the transistor 47 is formed on the polysilicon 45 in a matrix form. The transistor 47 is formed of a conventional thin film transistor or a metal oxide semiconductor (MOS) transistor.

제2도 (d)를 참조하면, 트랜지스터(47)가 매트릭스로 구성된 상기 다결정실리콘(45)에 상기 제1기판(31)과 같은 물질로 된 제2기판(51)으로 비전도성 접착제(49)를 사용하여 부착한다. 그러므로, 상기 다결정실리콘(45)내의 상기 트랜지스터를 손상시키지 않고 다층을 형성한다. 그리고, 물 등의 수용액으로 분리막(33)을 제거하여 제1기판(31)과 반사막(35)을 분리한다. 이때 반사도를 높이기 위하여 Al 등을 반사막위에 코팅할 수도 있다. 그 다음, 반사막(35)으로부터 멤브레인(41)까지 희생막(43)이 노출되도록 레이저에 의한 절단이나 통상의 포토리쏘그래피방법에 의해 패터닝하여 화소들을 한정한다. 계속해서 상기 희생막(43)을 습식방법으로 제거한다.Referring to FIG. 2 (d), the non-conductive adhesive 49 includes a second substrate 51 made of the same material as the first substrate 31 on the polysilicon 45 in which the transistor 47 is formed in a matrix. Use to attach. Therefore, a multilayer is formed without damaging the transistor in the polysilicon 45. Then, the separation membrane 33 is removed with an aqueous solution such as water to separate the first substrate 31 and the reflection membrane 35. At this time, Al and the like may be coated on the reflective film in order to increase the reflectivity. Next, the pixels are defined by cutting by a laser or by a conventional photolithography method so that the sacrificial film 43 is exposed from the reflective film 35 to the membrane 41. Subsequently, the sacrificial layer 43 is removed by a wet method.

따라서, 본 발명은 별도의 구동기판 없이 다결정실리콘내에 트랜지스터를 형성하므로 다층형성에 의해 발생되는 구동기판의 열화를 방지할 수 있는 장점이 있다.Therefore, the present invention has the advantage of preventing the deterioration of the driving substrate caused by the multilayer formation because the transistor is formed in the polysilicon without a separate driving substrate.

Claims (11)

제1기판의 상부에 분리막을 형성하는 공정과, 상기 분리막의 상부에 반사막을 형성하는 공정과, 상기 반사막의 상부에 변형부를 형성하는 공정과, 상기 변형부의 상부에 신호전극을 형성하는 공정과, 상기 신호전극의 상부에 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부에 희생막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 플러그 첨단부에 다결정실리콘을 도포하는 공정과, 상기 희생막 소정부분을 제거하고 상기 변형부에 상기 신호전극이 노출되도록 홈을 형성하고 상기 홈의 내부에 상기 신호전극과 접촉하도록 플러그를 형성하는 공정과, 상기 다결정실리콘 소정부분에 트랜지스터를 매트릭스 형태로 형성하는 공정과, 상기 트랜지스터 상단표면에 비전도성 접착제를 사용하여 제2기판과 부착하는 공정과, 상기 분리막을 제거하여 상기 제1기판을 반사막으로부터 분리하는 공정과, 상기 반사막으로부터 상기 멤브레인까지 상기 희생막이 노출되게 일측단이 상기 지지부의 일측단과 일치되도록 제거하여 화소를 분리하는 공정과, 상기 희생막을 제거하는 공정을 구비하는 광로조절장치 제조방법.Forming a separator on top of the first substrate, forming a reflective film on top of the separator, forming a strain on top of the reflective film, forming a signal electrode on top of the strain, Forming a membrane over the signal electrode, forming a sacrificial film over the membrane, applying polysilicon to the sacrificial film and the plug tip, and removing a predetermined portion of the sacrificial film Forming a groove to expose the signal electrode in a deformable part and forming a plug in contact with the signal electrode in the groove, forming a transistor in a predetermined portion of the polysilicon in a matrix form, and forming an upper end of the transistor. Attaching to the second substrate using a non-conductive adhesive on the surface, and removing the separator to remove the first substrate. Manufacturing an optical path control device comprising a step of separating from the reflective film, a step of removing one side end so that the sacrificial film is exposed from the reflective film to the membrane so as to coincide with one side end of the support part, and separating the pixel; Way. 제1항에 있어서, 상기 분리막을 수용성 물질로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the separator is formed of a water-soluble material. 제2항에 있어서, 상기 수용성물질이 염화나트륨(NaCl)인 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 2, wherein the water-soluble substance is sodium chloride (NaCl). 제1항에 있어서, 상기 변형부를 압전 또는 전왜세라믹으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of manufacturing an optical path control device according to claim 1, wherein the deformation part is formed of piezoelectric or electrodistoric ceramic. 제4항에 있어서, 상기 변형부를 Sol-Gel법, 스퍼터링, 또는 CVD법으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of manufacturing an optical path control apparatus according to claim 4, wherein the deformable portion is formed by a Sol-Gel method, a sputtering method, or a CVD method. 제1항에 있어서, 상기 멤브레인을 탄화실리콘, 질화실리콘, 또는 산화실리콘으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the membrane is formed of silicon carbide, silicon nitride, or silicon oxide. 제1항에 있어서, 상기 다결정실리콘을 화학기상침적법으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the polysilicon is formed by chemical vapor deposition. 제7항에 있어서, 상기 다결정실리콘을 1.4∼2의 두께로 두껍게 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method according to claim 7, wherein the polysilicon is 1.4 to 2 Method of manufacturing an optical path control device to form thick with the thickness of. 제1항에 있어서, 상기 다결정실리콘에 트랜지스터를 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein a transistor is formed in the polysilicon. 제9항에 있어서, 상기 트랜지스터를 박막트랜지스터나 MOSTFT로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.10. The method of claim 9, wherein the transistor is formed of a thin film transistor or a MOSTFT. 제1항에 있어서, 상기 희생막을 습식방법으로 제거하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the sacrificial layer is removed by a wet method.
KR1019940014156A 1994-06-22 1994-06-22 Fabrication method for lightpath modulation device KR100207367B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940014156A KR100207367B1 (en) 1994-06-22 1994-06-22 Fabrication method for lightpath modulation device
CN95105544A CN1062664C (en) 1994-06-22 1995-06-05 Improved method for manufacturing array of thin film actuated mirrors
US08/470,411 US5579179A (en) 1994-06-22 1995-06-06 Method for manufacturing an array of thin film actuated mirrors
JP16679095A JP3797682B2 (en) 1994-06-22 1995-06-08 Manufacturing method of M × N thin film actuated mirror arrays

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940014156A KR100207367B1 (en) 1994-06-22 1994-06-22 Fabrication method for lightpath modulation device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960003360A KR960003360A (en) 1996-01-26
KR100207367B1 true KR100207367B1 (en) 1999-07-15

Family

ID=19385849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940014156A KR100207367B1 (en) 1994-06-22 1994-06-22 Fabrication method for lightpath modulation device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100207367B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR960003360A (en) 1996-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0178192B1 (en) Method for manufacturing lightpath modulation device
KR100209401B1 (en) Fabrication method for lightpath modulation device
KR0151453B1 (en) Optical path adjusting device and manufacturing process
KR0151457B1 (en) Optical path adjusting device and manufacturing process
KR100209398B1 (en) Fabrication method for lightpath modulation device
KR100207367B1 (en) Fabrication method for lightpath modulation device
KR100229781B1 (en) Lightpath modulation device fabrication method
JP2000513460A (en) Thin-film optical path adjusting device and method of manufacturing the same
KR100209402B1 (en) Fabrication method for lightpath modulation device
KR0179618B1 (en) Manufacturing method for light modulation device
KR100209400B1 (en) Thin film lightpath modulation device and its fabrication method
KR100213268B1 (en) A fabrication method of the optical projection system
KR100209399B1 (en) Fabrication method for lightpath modulation device
KR100207369B1 (en) Lightpath modulation device and its fabrication method
KR100207366B1 (en) Lightpath modulation device and its fabrication method
KR100271000B1 (en) Thin flim actuatred mirror array and method for manufacturing the same
KR0154959B1 (en) Method for manufacturing optical path control device
KR0159393B1 (en) Method for fabricating optical projection system
KR0145913B1 (en) The manufacturing method of optical path regulating apparatus
KR100237605B1 (en) Fabrication method for thin film actuated mirror array actuator
KR0170952B1 (en) Method for fabricating optical projection system
KR100220688B1 (en) Test pattern structure for thin film actuated mirror array
KR100192608B1 (en) Method for fabricating an optical projection system
KR0154923B1 (en) Method for manufacturing optical path control apparatus
KR0159415B1 (en) Method for fabricating optical projection system

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee