KR100197379B1 - Method for fabricating an optical projection system - Google Patents

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KR100197379B1
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Inventor
엄민식
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전주범
대우전자주식회사
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Abstract

본 발명은 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 그 표면에 상기 트랜지스터 각각과 전기적으로 연결된 패드를 갖는 구동기판의 상부에 상기 패드가 노출되도록 희생막을 형성하는 공정과, 상기 노출된 패드 및 희생막의 상부에 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 소정 부분에 상기 패드가 노출시키는 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구 내에서 상기 패드와 전기적으로 연결되는 플러그를 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부에 상기 플러그와 전기적으로 연결되도록 제 1 하부전극을 형성하는 공정과, 상기 제 1 하부전극의 소정 부분을 산화시켜 전극분리영역을 형성하는 공정과, 상기 제 1 하부전극과 상기 전극분리영역의 상부에 제 2 하부전극을 형성하고 상기 전극분리영역 상부의 제 2 하부전극을 제거하는 공정과, 상기 제 2 하부전극의 상부에 변형부와 상부전극을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 상부전극으로부터 상기 멤브레인 까지 상기 희생막이 노출되도록 식각하여 액츄에이터를 분리하는 공정과, 상기 상부전극의 표면 및 액츄에이터의 측면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비한다. 따라서, 멤브레인이 손상되는 것을 방지하면서 전극분리영역을 한정할 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing an optical path control device, comprising: forming a sacrificial layer such that a pad is exposed on an upper portion of a driving substrate having a pad embedded in a matrix and electrically connected to each of the transistors on a surface thereof; Forming a membrane on the exposed pad and the sacrificial layer, forming an opening to be exposed by the pad in a predetermined portion of the membrane, and forming a plug electrically connected to the pad in the opening; And forming a first lower electrode on the membrane to be electrically connected to the plug, oxidizing a predetermined portion of the first lower electrode to form an electrode isolation region; Forming a second lower electrode on the electrode isolation region, and forming a second lower electrode on the electrode isolation region Removing the lower electrode, sequentially forming the deformable portion and the upper electrode on the second lower electrode, etching the exposed sacrificial film from the upper electrode to the membrane, and separating the actuator; Forming a protective film on the surface of the upper electrode and on the side of the actuator; and removing the sacrificial film and the protective film. Thus, the electrode isolation region can be defined while preventing the membrane from being damaged.

Description

광로 조절 장치의 제조 방법Manufacturing method of optical path control device

제1도는 일반적인 광로 조절 장치를 도시한 평면도.1 is a plan view showing a general light path control device.

제2도는 제1도를 a-a선으로 자른 광로 조절 장치의 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view of the optical path adjusting device taken along the line a-a of FIG.

제3(a)도 내지 (d)도는 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 제조공정도.3 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the prior art.

제4(a)도 내지 (d)도는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도.4 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

41 : 구동 기판 43 : 패드41: drive substrate 43: pad

45 : 희생막 47 : 멤브레인45: sacrificial film 47: membrane

48 : 개구 49 : 플러그48: opening 49: plug

50 : 제 1 하부전극 51 : 제 2 하부전극50: first lower electrode 51: second lower electrode

52 : 전극분리영역 53 : 변형부52: electrode separation region 53: deformation portion

55 : 상부 전극 57 : 보호막55 upper electrode 57 protective film

59 : 에어갭 60 : 액츄에이터59: air gap 60: actuator

본 발명은 투사형 화상 표시장치에 사용되는 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 인접하는 액츄에이터들 사이를 전기적으로 분리하기 위해 하부전극을 분리하는 전극분리영역을 한정할 때 멤브레인이 손상되는 것을 방지할 수 있는 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical path adjusting device used in a projection image display device, and particularly to prevent the membrane from being damaged when defining an electrode separation region for separating the lower electrode for electrically separating adjacent actuators. It relates to a method for manufacturing an optical path control device that can be.

일반적으로 표시장치는 표시 방법에 따라 직시형 화상 표시장치와 투사형 화상 표시장치로 구분된다.In general, a display device is classified into a direct view type image display device and a projection type image display device according to a display method.

직시형 화상 표시장치는 CTR(Cathode Ray Tube) 등이 있는데, 이러한 CRT 화상 표시장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께가 증대되어 대화면을 구현하는 데 한계가 있고 가격이 비싸지는 문제점이 있다.The direct view type image display device includes a CTR (Cathode Ray Tube), etc. The CRT image display device has good image quality but has a problem in that a large screen is increased and weight and thickness are increased, thereby limiting a large screen and cost. .

투사형 화상 표시장치는 액정표시장치 등이 있는데, 이는 박형화가 가능하여 중량을 감소시킬 수 있다. 그러나, 상기 액정표시장치는 편광판에 의한 광의 손실이 크고 구동소자인 박막 트랜지스터가 화소마다 형성되어야 하므로 개구율을 증가시키는 데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮으며 시야각이 작은 문제점이 있다.Projection type image display apparatuses include liquid crystal display apparatuses, which can be thinned to reduce weight. However, the liquid crystal display device has a problem in that light loss due to the polarizing plate is large and a thin film transistor, which is a driving element, must be formed for each pixel, thereby limiting an increase in the aperture ratio. Thus, the light efficiency is very low and the viewing angle is small.

따라서, 미합중국 Aura사에 의해 새로운 광로조절장치인 액츄에이터 미러 어레이(Actuated Mirror Array : 이하, AMA라 칭함)에 의해 광로를 조절하여 화상을 표시할 수 있는 투사형 화상 표시장치가 개발되었다. 상기 AMA는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹색 및 청색의 광으로 분리한 후, 이 색광을 액츄에이터들로 이루어진 광로조절장치의 구동에 의해 광로를 변경시킨다. 상기에서 액츄에이터들은 화상신호에 의해 개별적으로 구동되어 상부에 실장된 거울들을 경사지게 하므로 각각의 색광의 광로를 변경시키고 나이프 에지 등의 광량을 조절하는 장치에 의해 색광의 량을 조절하여 화면으로 투사시킨다. 상기 액츄에이터들은 압전 세라믹 또는 전왜 세라믹으로 형성되어 화상 신호로 인가되는 전압에 의해 발생되는 전계에 의해 변형되어 실장된 거울들을 경사지게 한다.Accordingly, the United States Aura has developed a projection type image display device that can display an image by adjusting the optical path by an actuator mirror array (hereinafter referred to as AMA), which is a new optical path control device. The AMA separates the white light emitted from the light source into red, green, and blue light, and then changes the light path by driving an optical path control device made of actuators. Since the actuators are individually driven by the image signal to incline the mirrors mounted on the upper part, the actuators change the light path of each color light and adjust the amount of color light by a device that adjusts the amount of light such as a knife edge to project onto the screen. The actuators are formed of piezoelectric ceramics or electrostrictive ceramics, and are inclined by an electric field generated by a voltage applied to an image signal to tilt the mounted mirrors.

상기 액츄에이터는 형태에 따라 벌크형(bulk type)과 박막형(thin type)으로 구별된다.The actuator is classified into a bulk type and a thin type according to the shape.

상기 벌크형은 내부에 금속 전극들이 형성된 다층 세라믹을 상기 금속전극들과 수직되는 방향으로 얇게 자른 세라믹 웨이퍼를 구동기판에 실장한 후 쏘잉(sawing) 등으로 가공하고 각각의 액츄에이터들에 거울들을 실장한다. 상기 벌크형은 각각의 액츄에이터들을 쏘잉에 의해 분리하여야 하므로 공정 시간이 길며, 또한, 액츄에이터들의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다.The bulk type mounts a ceramic wafer thinly cut in a direction perpendicular to the metal electrodes on a driving substrate after processing a multilayer ceramic having metal electrodes formed therein on a driving substrate, and processes the same by sawing, and mounts mirrors on the respective actuators. The bulk type has a long process time because the actuators must be separated by sawing, and there is a problem that the response speed of the actuators is slow.

따라서, 상기 벌크형의 문제점을 해결하기 위해 반도체공정을 이용하여 제조가 가능하며, 응답 속도가 빠른 박막형의 액츄에이터가 대한민국의 대우전자에 의해 개발되었다.Accordingly, in order to solve the problem of the bulk type, a thin film type actuator capable of manufacturing using a semiconductor process and having a fast response speed was developed by Daewoo Electronics of Korea.

제1도는 상술한 광로 조절 장치의 평면도이고, 제2도는 제1도를 a - a 선으로 자른 단면도이다.FIG. 1 is a plan view of the above-described optical path adjusting device, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line a-a of FIG.

광로 조절 장치는 구동기판(11) 및 액츄에이터(30)를 포함한다. 구동기판(11)은 유리 또는 알루미나(Al2O3)등의 절연물질, 또는, 실리콘 등의 반도체로 이루어지며 M ×N 개의 트랜지스터 (도시되지 않음)가 매트릭스 형태로 내장되어 있다. 또한, 구동기판 (11)의 표면에 트랜지스터와 전기적으로 연결된 패드(13)가 형성되어 있는데, 각 트랜지스터마다 패드(13)가 연결되도록 형성되어 있다.The optical path adjusting device includes a driving substrate 11 and an actuator 30. The driving substrate 11 is made of an insulating material such as glass or alumina (Al 2 O 3 ), or a semiconductor such as silicon, and includes M × N transistors (not shown) in a matrix form. In addition, a pad 13 electrically connected to a transistor is formed on the surface of the driving substrate 11, and the pad 13 is formed to be connected to each transistor.

액츄에이터(30)는 멤브레인(17), 플러그(19), 하부전극(21), 변형부(23) 및 상부전극(25)으로 이루어져 이웃하는 액츄에이터들과 분리되어 있다.The actuator 30 is composed of a membrane 17, a plug 19, a lower electrode 21, a deformable portion 23, and an upper electrode 25, and is separated from neighboring actuators.

멤브레인(17)은 절연물질로 0.1 ∼2㎛ 정도의 두께로 구동기판(11) 상부의 소정부분이 접촉되도록 형성된다. 멤브레인(17)은 액츄에이터(30)의 중앙을 중심으로 일측에 2개의 레그(leg)가, 타측에 돌출부가 형성되는 데, 레그는 타측이 액츄에이터(30)의 중앙에 일측 끝단과 일치되어 함께 '요(凹)'자의 형태를 이루고, 돌출부는 일측이 '철(凸)'자의 형태를 이룬다. 또한, 멤브레인(17)은 2개의 레그 사이의 오목한 부분에 일측에서 인접하는 액츄에이터의 돌출부가, 돌출부가 타측과 인접하는 액츄에이터의 레그들 사이의 오목한 부분에 끼어져 상보적으로 이루어진다.The membrane 17 is formed to be in contact with a predetermined portion of the upper portion of the driving substrate 11 to a thickness of about 0.1 ~ 2㎛ as an insulating material. Membrane 17 has two legs (leg) on one side around the center of the actuator (30), the protrusion is formed on the other side, the leg is on the other side of the actuator 30 and one end is matched together ' It forms the shape of yo (,), and the protrusion forms the form of 'iron (凸)' on one side. In addition, the membrane 17 is complementary by the protrusion of the actuator adjacent to one side of the recess between the two legs and the protrusion between the recesses of the legs of the actuator adjacent to the other side.

플러그(19)는 구동기판(11)의 패드(13)위에 적층되어 있는 멤브레인(17)의 소정 부분에 형성된 개구(18)의 내부에 텅스텐(W) 또는 티타늄(Ti) 등의 금속을 채워져 패드(13)와 전기적으로 연결되게 형성한다.The plug 19 is filled with metal such as tungsten (W) or titanium (Ti) in the opening 18 formed in a predetermined portion of the membrane 17 stacked on the pad 13 of the driving substrate 11. It is formed to be electrically connected with (13).

하부전극(21)은 멤브레인(17)의 상부에 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 등으로 상기 플러그(19)와 전기적으로 연결되게 형성된다. 상기 하부전극(21)은 전극분리영역(22)에 의해 인접하는 하부전극과 분리되어 전기적으로 이격되므로 상기 액츄에이터(30)를 인접하는 액츄에이터와 분리시킨다.The lower electrode 21 is formed on the membrane 17 to be electrically connected to the plug 19 by platinum (Pt) or platinum / titanium (Pt / Ti). The lower electrode 21 is separated from the adjacent lower electrode by the electrode isolation region 22 to be electrically spaced from each other, thereby separating the actuator 30 from the adjacent actuator.

변형부(23)는 하부전극(21)의 상부에 적층된다. 변형부(23)는 압전세라믹이나 전왜세라믹으로 형성된다.The deformable part 23 is stacked on the lower electrode 21. The deformable portion 23 is formed of a piezoelectric ceramic or a total distortion ceramic.

상부전극(25)은 변형부(23)의 상부 표면에 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)등의 전기적 특성 및 반사특성이 양호한 금속으로 형성되며 인접하는 액츄에이터의 상부전극과 공통으로 연결된다. 상기에서, 상부전극(25)은 하부전극(21)과의 전압 차이에 변형부(23)를 변형되게 한다.The upper electrode 25 is formed of a metal having good electrical and reflective characteristics such as aluminum (Al) or silver (Ag) on the upper surface of the deformable portion 23 and is commonly connected to the upper electrodes of adjacent actuators. In the above, the upper electrode 25 causes the deformation portion 23 to be deformed due to the voltage difference from the lower electrode 21.

제3(a)도 내지 (d)는 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 제조공정도이다.3 (a) to (d) are manufacturing process diagrams of an optical path control apparatus according to the prior art.

제3(a)도를 참조하면, 표면에 트랜지스터들(도시되지 않음)이 매트릭스 형태로 내장되고, 이 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 패드(pad : 13)를 갖는 구동기판(11) 상부의 전 표면에 희생막(15)을 형성한다. 그리고, 상기 희생막(15)을 통상의 포토리쏘그래피 방법에 의해 제거하여 패드(13)를 노출시킨다.Referring to FIG. 3 (a), the entire surface of the upper portion of the driving substrate 11 having a pad (13) having transistors (not shown) embedded in the surface thereof and electrically connected to the transistors. A sacrificial film 15 is formed on the substrate. The sacrificial film 15 is then removed by a conventional photolithography method to expose the pad 13.

제3(b)도를 참조하면, 상기 구동기판(11)과 희생막(15)의 상부에 멤브레인(17)을 형성한다. 그리고, 상기 멤브레인(17)의 소정 부분을 패드(13)가 노출되도록 제거하여 개구(18)를 형성한 후, 이 개구(18)의 내부에 전도성금속을 채워 패드(13)와 전기적으로 연결되는 플러그(plug : 19)를 형성한다. 계속해서, 멤브레인(170의 상부 표면에 전도성금속을 증착하여 플러그(19)와 전기적으로 연결되는 하부전극(21)을 형성한다. 그리고, 상기 하부전극(21)을 통상의 포토리쏘그래피 방법으로 상기 멤브레인(17)이 노출되도록 소정 부분을 제거하여 인접하는 액츄에이터들의 하부 전극과 전기적으로 분리하는 전극분리영역(22)을 한정한다.Referring to FIG. 3B, a membrane 17 is formed on the driving substrate 11 and the sacrificial layer 15. Then, a predetermined portion of the membrane 17 is removed to expose the pad 13 to form the opening 18, and then filled with a conductive metal in the opening 18 to be electrically connected to the pad 13. A plug 19 is formed. Subsequently, a conductive metal is deposited on the upper surface of the membrane 170 to form a lower electrode 21 electrically connected to the plug 19. The lower electrode 21 is then subjected to the conventional photolithography method. A portion of the membrane 17 is removed to define an electrode isolation region 22 which is electrically separated from the lower electrodes of adjacent actuators.

제3(c)도를 참조하면, 상기 하부전극(21)의 상부에 변형부(23) 및 상부전극(25)을 순차적으로 형성한다. 그리고, 상부전극(25), 변형부(23), 하부전극(21) 및 멤브레인(17)을 순차적으로 식각하여 액츄에이터(30)를 한정한다. 계속해서, 상부전극(25)의 표면과 액츄에이터(30)들의 분리에 의해 생긴 측면들에 보호막(27)을 형성한다.Referring to FIG. 3 (c), the deformation part 23 and the upper electrode 25 are sequentially formed on the lower electrode 21. The upper electrode 25, the deformable portion 23, the lower electrode 21, and the membrane 17 are sequentially etched to define the actuator 30. Subsequently, the protective film 27 is formed on the surface of the upper electrode 25 and the side surfaces formed by the separation of the actuators 30.

제3(d)도를 참조하면, 상기 희생막(15)을 제거하여 에어갭(29)을 한정한다. 그리고 상기 희생막(15)을 제거하고 남은 식각용액을 탈이온수로 세정하고 상기 보호막(27)을 제거한다.Referring to FIG. 3 (d), the sacrificial layer 15 is removed to define the air gap 29. After removing the sacrificial layer 15, the remaining etching solution is washed with deionized water and the protective layer 27 is removed.

그러나, 상술한 종래의 광로 조절 장치의 제조방법은 희생막에 의해 형성된 단차에 의해 하부전극을 분리하여 액츄에이터를 인접하는 액츄에이터와 전기적으로 분리하기 위한 전극분리영역을 한정할 때 희생막 상부에 종착된 하부전극이 과식각(overetch)되 멤브레인이 손상되는 문제점이 있었다.However, the conventional method for manufacturing the optical path control apparatus described above is terminated at the top of the sacrificial film when defining the electrode separation region for separating the lower electrode by the step formed by the sacrificial film to electrically separate the actuator from the adjacent actuator. There was a problem in that the lower electrode overetched (damaged) the membrane is damaged.

따라서, 본 발명의 목적은 하부전극을 분리하는 전극분리영역 한정시 멤브레인이 손상되는 것을 방지할 수 있는 광로 조절 장치의 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an optical path control apparatus that can prevent the membrane from being damaged when defining the electrode separation region for separating the lower electrode.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조방법은 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 그 표면에 상기 트랜지스터 각각과 전기적으로 연결된 패드를 갖는 구동기판의 상부에 상기 패드가 노출되도록 희생막을 형성하는 공정과, 상기 노출된 패드 및 희생막의 상부에 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 소정 부분에 상기 패드가 노출시키는 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구 내에서 상기 패드와 전기적으로 연결되는 플러그를 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부에 상기 플러그와 전기적으로 연결되도록 제 1 하부전극을 형성하는 공정과, 상기 제 1 하부전극의 소정 부분을 산화시켜 전극분리영역을 형성하는 공정과, 상기 제 1 하부전극과 상기 전극분리영역의 상부에 제 2 하부전극을 형성하고 상기 전극분리영역 상부의 제 2 하부전극을 제거하는 공정과, 상기 제 2 하부전극의 상부에 변형부와 상부전극을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 상부전극으로부터 상기 멤브레인 까지 상기 희생막이 노출되도록 식각하여 액츄에이터를 분리하는 공정과, 상기 상부전극의 표면 및 액츄에이터의 측면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical path control apparatus, in which a sacrificial layer is formed such that a pad is exposed on an upper portion of a driving substrate having a pad embedded in a matrix and electrically connected to each of the transistors on its surface. Forming a membrane on top of the exposed pad and the sacrificial film, forming an opening through which the pad is exposed in a predetermined portion of the membrane, and a plug electrically connected to the pad in the opening. Forming a first lower electrode to be electrically connected to the plug at an upper portion of the membrane, oxidizing a predetermined portion of the first lower electrode to form an electrode isolation region, and A first lower electrode and a second lower electrode are formed on the electrode separation region, and the electrode portion Removing the second lower electrode over the region, sequentially forming the deformable portion and the upper electrode on the second lower electrode, and etching the exposed sacrificial layer from the upper electrode to the membrane to expose the actuator. And a step of forming a protective film on the surface of the upper electrode and the side of the actuator, and a step of removing the sacrificial film and the protective film.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제4(a)도 내지 (d)도는 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 제조공정도이다.4 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the prior art.

제4(a)도를 참조하면, 표면에 트랜지스터들(도시되지 않음)이 매트릭스 형태로 내장되고, 이 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 패드(43)를 갖는 구동기판(41) 상부의 전 표면에 PSG(Phospho-Silicate Glass) 등을 1 ∼ 2㎛ 정도의 두께로 증착하여 희생막(45)을 형성한다. 상기에서, 구동기판(41)은 유리나 알루미나 등의 절연물질, 또는, 실리콘 등의 반도체기판으로 이루어진다. 그리고, 상기 희생막(45)을 통상의 포토리쏘그래피 방법에 의해 제거하여 패드(43)를 노출시킨다.Referring to FIG. 4 (a), the PSG is formed on the entire surface of the driving substrate 41 having the pads 43 embedded therein in a matrix form and having pads 43 electrically connected to the transistors. A sacrificial film 45 is formed by depositing (Phospho-Silicate Glass) or the like to a thickness of about 1 to 2 μm. In the above, the driving substrate 41 is made of an insulating material such as glass or alumina, or a semiconductor substrate such as silicon. The sacrificial film 45 is removed by a conventional photolithography method to expose the pad 43.

제4(b)도를 참조하면, 상기 구동기판(41)과 희생막(45)의 상부에 질화실리콘 또는 탄화실리콘 등의 규화물을 스퍼터링 또는 화학기상침적법 등의 방법으로 0.1 ~ 2㎛ 정도의 두께로 증착하여 멤브레인(47)을 형성한다. 그리고, 상기 패드(43)가 노출되도록 상기 멤브레인(47)의 소정 부분을 제거하여 개구(48)를 형성한 후, 이 개구(48)의 내부에 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 등의 전도성금속을 채워 패드(43)와 전기적으로 연결되는 플러그(49)를 형성한다. 계속해서, 상술한 구조의 전표면에 탄탈륨(Ta) 등과 같은 전도성금속을 스퍼터링 또는 진공증착 등의 방법으로 500~2000Å의 두께로 증착하여 제 1 하부전극(50)을 형성한다. 이 때, 상기 제 1 하부전극(50)은 플러그(49)와 전기적으로 연결된다. 그리고, 상기 제 1 하부전극(50)의 상부에 감광막(도시되지 않음)을 마스크로 형성하고 상기 제 1 하부전극(50)의 노출된 부분에 산소(O2)를 이온 주입하고 열처리하여 산화시켜 인접하는 액츄에이터들의 하부 전극과 전기적으로 분리하는 전극분리영역(52)을 한정한다. 계속해서, 상기 제 1 하부전극(50)과 전극분리영역(52)의 상부에 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 등을 스퍼터링 또는 진공증착 등의 방법으로 500~5000Å 정도의 두께로 증착하여 제 2 하부전극(51)을 형성한다. 그 다음 상기 제 2 하부전극(51)을 전극분리영역(52)이 노출되도록 통상의 포토리쏘그래피 방법으로 제거한다. 이 때, 상기 제 2 하부전극(51)과 전극분리영역(52)의 식각 선택비가 다르므로 식각 종료점으로 이용되며, 이에 의해, 전극분리영역(50)은 제 2 하부전극(51)을 식각할 때 과식각되는 것을 방지하여 상기 멤브레인(47)은 손상으로 부터 보호한다.Referring to FIG. 4 (b), 0.1 to 2 μm of silicide such as silicon nitride or silicon carbide is sputtered on the driving substrate 41 and the sacrificial layer 45 by a method such as sputtering or chemical vapor deposition. Deposition to thickness forms membrane 47. Then, a predetermined portion of the membrane 47 is removed to form the opening 48 so that the pad 43 is exposed, and then platinum (Pt) or platinum / titanium (Pt / Ti) inside the opening 48. The plug 49 may be electrically connected to the pad 43 by filling a conductive metal such as). Subsequently, the first lower electrode 50 is formed by depositing a conductive metal such as tantalum (Ta) or the like on the entire surface of the above structure to a thickness of 500 to 2000 kPa by a method such as sputtering or vacuum deposition. In this case, the first lower electrode 50 is electrically connected to the plug 49. Then, a photoresist film (not shown) is formed on the first lower electrode 50 as a mask, and oxygen (O 2 ) is ion-implanted on the exposed portion of the first lower electrode 50 and heat-treated to oxidize it. Define an electrode isolation region 52 that electrically separates the lower electrodes of adjacent actuators. Subsequently, platinum (Pt) or platinum / titanium (Pt / Ti) or the like is deposited on the upper portion of the first lower electrode 50 and the electrode isolation region 52 by a method such as sputtering or vacuum deposition. Deposition to form a second lower electrode 51. Then, the second lower electrode 51 is removed by a conventional photolithography method to expose the electrode isolation region 52. At this time, since the etching selectivity of the second lower electrode 51 and the electrode isolation region 52 is different, it is used as an etching end point, whereby the electrode isolation region 50 can etch the second lower electrode 51. The membrane 47 protects from damage by preventing over-etching.

제4(c)도를 참조하면, 상기 제 2 하부전극(51) 및 전극분리영역(50)의 상부에 변형부(53) 및 상부전극(55)을 순차적으로 형성한다. 그리고, 상기 변형부(53)는 BaTiO3, PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 또는 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti) O3) 등의 압전세라믹, 또는 PMN(Pb(Mg, Nb)O3) 등의 전왜세라믹을 0.1 ~ 2㎛ 정도의 두께로 형성한다. 이때, 변형부(53)가 얇게 형성되므로 별도의 분극을 하지않고도 구동시 화상신호에 의해 분극된다. 그리고, 상부전극(55)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)등의 전기적 특성 및 반사특성이 양호한 금속을 0.1~2㎛ 정도의 두께로 스퍼터링 또는 진공 증착하여 형성한다. 그리고, 상기 상부전극(55), 변형부(53), 하부전극(51) 및 멤브레인(47)을 순차적으로 식각하여 액츄에이터(60)를 한정한다. 계속해서, 상부전극(55)의 표면과 액츄에이터(60)들의 분리에 의해 생긴 측면들에 포토레지스트를 도포하고 노광 및 현상하여 보호막(57)을 형성한다.Referring to FIG. 4 (c), the deformation part 53 and the upper electrode 55 are sequentially formed on the second lower electrode 51 and the electrode isolation region 50. The deformable portion 53 may include piezoelectric ceramics such as BaTiO 3 , PZT (Pb (Zr, Ti) O 3 ), or PLZT ((Pb, La) (Zr, Ti) O 3 ), or PMN (Pb (Mg). , Nb) O 3 ), etc., are formed to a thickness of about 0.1 to 2 μm. At this time, since the deformation part 53 is thinly formed, it is polarized by the image signal at the time of driving, without a separate polarization. The upper electrode 55 is formed by sputtering or vacuum depositing a metal having good electrical and reflective properties such as aluminum (Al) or silver (Ag) to a thickness of about 0.1 to 2 μm. In addition, the upper electrode 55, the deformable portion 53, the lower electrode 51 and the membrane 47 are sequentially etched to define the actuator 60. Subsequently, a photoresist is applied to the surface of the upper electrode 55 and the side surfaces formed by the separation of the actuators 60, and is exposed and developed to form a protective film 57.

제4(d)도를 참조하면, 상기 희생막(45)을 불산 등의 식각용액으로 제거하여 에어갭(59)을 한정한다. 그리고 상기 탈이온수로 세정하여 상기 희생막(45)을 제거하고 남은 식각용액을 제거한 후 건조한다. 그리고, 상기 보호막(57)을 산소 플라즈마에 의한 건식 식각 방법으로 제거한다.Referring to FIG. 4 (d), the sacrificial film 45 is removed with an etching solution such as hydrofluoric acid to define the air gap 59. The sacrificial layer 45 is removed by washing with deionized water, and the remaining etching solution is removed, followed by drying. In addition, the protective layer 57 is removed by a dry etching method using an oxygen plasma.

상술한 바와 같이 본 발명은 멤브레인 상부에 제 1 하부 전극을 형성하고, 이 제 1 하부 전극의 소정 부분을 산소 이온 주입 열처리에 의해 산화시켜 전극분리영역을 형성한 후, 상기 제 1 하부전극과 전극분리영역의 상부에 제 2 하부전극을 형성하고 상기 전극분리영역 상부의 제 2 하부전극을 식각하여 이웃하는 액츄에이터와 전기적으로 분리한다.As described above, in the present invention, a first lower electrode is formed on the membrane, and a predetermined portion of the first lower electrode is oxidized by an oxygen ion implantation heat treatment to form an electrode separation region. A second lower electrode is formed on the separation region, and the second lower electrode on the electrode isolation region is etched to electrically separate the neighboring actuator.

따라서, 본 발명은 멤브레인이 손상되는 것을 방지하면서 전극분리영역을 한정할 수 있는 잇점이 있다.Therefore, the present invention has the advantage of defining the electrode separation region while preventing the membrane from being damaged.

Claims (3)

트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 그 표면에 상기 트랜지스터 각각과 전기적으로 연결된 패드를 갖는 구동기판의 상부에 상기 패드가 노출되도록 희생막을 형성하는 공정과, 상기 노출된 패드 및 희생막의 상부에 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 소정 부분에 상기 패드가 노출시키는 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구 내에서 상기 패드와 전기적으로 연결되는 플러그를 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부에 상기 플러그와 전기적으로 연결되도록 제 1 하부전극을 형성하는 공정과, 상기 제 1 하부전극의 소정 부분을 산화시켜 전극분리영역을 형성하는 공정과, 상기 제 1 하부전극과 상기 전극분리영역의 상부에 제 2 하부전극을 형성하고 상기 전극분리영역 상부의 제 2 하부전극을 제거하는 공정과, 상기 제 2 하부전극의 상부에 변형부와 상부전극을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 상부전극으로부터 상기 멤브레인 까지 상기 희생막이 노출되도록 식각하여 액츄에이터를 분리하는 공정과, 상기 상부전극의 표면 및 액츄에이터의 측면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비하는 광로 조절 장치의 제조방법.Forming a sacrificial layer so that the pad is exposed on an upper portion of a driving substrate having transistors embedded in a matrix and electrically connected to the transistors on a surface thereof, and forming a membrane on the exposed pad and the sacrificial layer. Forming an opening through which the pad is exposed in a predetermined portion of the membrane, forming a plug electrically connected to the pad in the opening, and electrically connecting the plug to an upper portion of the membrane. Forming a first lower electrode to form an electrode, oxidizing a predetermined portion of the first lower electrode to form an electrode isolation region, and forming a second lower electrode on the first lower electrode and the electrode isolation region Removing the second lower electrode over the electrode separation region; Forming a deformable portion and an upper electrode in order, etching the sacrificial layer from the upper electrode to the membrane to expose the actuator, and forming a protective film on the surface of the upper electrode and the side of the actuator. And removing the sacrificial film and the protective film. 제1항에 있어서, 상기 제 1 하부전극은 탄탈륨(Ta)으로 형성하고, 상기 제 2 하부 전극은 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 중 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조방법.The apparatus of claim 1, wherein the first lower electrode is formed of tantalum (Ta), and the second lower electrode is formed of one of platinum (Pt) or platinum / titanium (Pt / Ti). Manufacturing method. 제2항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 하부전극은 각각 500~2000Å의 두께 범위 내에서 증착하는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조방법.The method of claim 2, wherein the first and second lower electrodes are deposited in a thickness range of 500 to 2000 micrometers, respectively.
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