KR100207408B1 - Fabrication method for lightpath modulation device - Google Patents

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KR100207408B1
KR100207408B1 KR1019950052081A KR19950052081A KR100207408B1 KR 100207408 B1 KR100207408 B1 KR 100207408B1 KR 1019950052081 A KR1019950052081 A KR 1019950052081A KR 19950052081 A KR19950052081 A KR 19950052081A KR 100207408 B1 KR100207408 B1 KR 100207408B1
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sacrificial layer
pad
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Inventor
엄민식
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전주범
대우전자주식회사
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Abstract

본 발명은 광로조절장치에 관한 것으로서, 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 상기 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결된 패드가 표면에 형성된 구동기판의 상부에 상기 패드가 노출되도록 희생막을 형성한 후, 상기 희생막을 패터닝하는 공정과, 상기 희생막 및 상기 희생막의 패터닝으로 노출된 구동기판의 상부에 멤브레인, 하부전극, 변형부 및 상부전극을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 패드 상부의 상부전극, 변형부, 하부전극 및 멤브레인을 2차의 포토리소그래피에 의해 제거하여 상기 패드를 노출시키는 개구를 형성하는 공정과, 리프트 오프 공정에 의해서 상기 개구 내에 상기 패드와 상기 하부 전극을 전기적으로 연결하는 연결부를 형성하는 공정과, 상기 상부전극으로 부터 상기 멤브레인 까지 상기 희생막이 노출되도록 식각하여 액츄에이터를 분리하는 공정과, 상기 상부전극의 표면 및 액츄에이터의 측면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비한다. 따라서, 변형부에 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다.The present invention relates to an optical path control apparatus, comprising: forming a sacrificial layer to expose a pad on an upper portion of a driving substrate having transistors embedded in a matrix and electrically connected to the transistors on a surface thereof, and then patterning the sacrificial layer; And sequentially forming a membrane, a lower electrode, a deformable portion, and an upper electrode on the exposed substrate by the sacrificial layer and the patterning of the sacrificial layer, the upper electrode, the deformable portion, the lower electrode, and the upper portion of the pad. Forming an opening for exposing the pad by removing the membrane by secondary photolithography; forming a connection portion in the opening electrically connecting the pad and the lower electrode by a lift-off process; Etch so that the sacrificial layer is exposed from the upper electrode to the membrane. And includes a step of separating the actuator, and a step of forming a protective film on the side surface of the actuator and of the upper electrode, the step of removing the sacrificial layer and the protective film. Therefore, cracks can be prevented from occurring in the deformed portion.

Description

광로 조절 장치의 제조방법Manufacturing method of optical path control device

제1도(a) 내지 (d)는 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도.1 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the prior art.

제2도(a) 내지 (e)는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도.2 (a) to (e) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

41 : 구동기판 43 : 패드41: drive substrate 43: pad

45 : 희생막 47 : 멤브레인45: sacrificial film 47: membrane

49 : 하부전극 51 : 변형부49: lower electrode 51: deformation part

53 : 상부전극 55 : 개구53: upper electrode 55: opening

57 : 감광막 59 : 연결부57: photosensitive film 59: connection portion

61 : 보호막 63 : 에어갭61: protective film 63: air gap

65 : 액츄에이터65: Actuator

본 발명은 투사형 화상 표시장치에 사용되는 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 변형부에 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있는 광로조절장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical path control device used in a projection type image display device, and more particularly, to a method for manufacturing an optical path control device that can prevent cracks from occurring in a deformable portion.

일반적으로 표시장치는 표시 방법에 따라 직시형 화상 표시장치와 투사형 화상 표시장치로 구분된다.In general, a display device is classified into a direct view type image display device and a projection type image display device according to a display method.

직시형 화상 표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube) 등이 있는 데, 이러한 CRT 화상 표시장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께가 증대되어 대화면을 구현하는 데 한계가 있고 가격이 비싸지는 문제점이 있다.The direct view type image display device has a CRT (Cathode Ray Tube), etc. The CRT image display device has good image quality, but the weight and thickness increase as the screen is enlarged, so that there is a limit in implementing a large screen and the price is expensive. have.

투사형 화상 표시장치는 액정표시장치 등이 있는 데, 이는 박형화가 가능하여 중량을 감소시킬 수 있다. 그러나, 상기 액정표시장치는, 편광판에 의한 광의 손실이 크고 구동소자인 박막 트랜지스터가 화소마다 형성되어야 하므로 개구율을 증가시키는 데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮으며 시야각이 작은 문제점이 있다.Projection type image display apparatuses include liquid crystal display apparatuses, which can be thinned and can reduce weight. However, the liquid crystal display device has a problem in that light loss due to the polarizing plate is large and a thin film transistor, which is a driving element, must be formed for each pixel, thereby limiting an increase in the aperture ratio. Thus, the light efficiency is very low and the viewing angle is small.

따라서, 미합중국 Aura사에 의해 새로운 광로조절장치인 액츄에이터 미러 어레이(Actuated Mirror Array : 이하, AMA라 칭함)에 의해 광로를 조절하여 화상을 표시할 수 있는 투사형 화상 표시장치가 개발되었다. 상기 AMA는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹색 및 청색의 광으로 분리한 후, 이 색광을 액츄에이터들로 이루어진 광로조절장치의 구동에 의해 광로를 변경시킨다. 상기에서 액츄에이터들은 화상 신호에 의해 개별적으로 구동되어 상부에 실장된 거울들을 경사지게 하므로 각각의 색광의 광로를 변경시키고 나이프 에지 등의 광량을 조절하는 장치에 의해 색광의 량을 조절하여 화면으로 투사시킨다. 상기 액츄에이터들은 압전 세라믹 또는 전왜 세라믹으로 형성되어 화상 신호로 인가되는 전압에 의해 발생되는 전계에 의해 변형되어 실장된 거울들을 경사지게 한다.Accordingly, the United States Aura has developed a projection type image display device that can display an image by adjusting the optical path by an actuator mirror array (hereinafter referred to as AMA), which is a new optical path control device. The AMA separates the white light emitted from the light source into red, green, and blue light, and then changes the light path by driving an optical path control device made of actuators. Since the actuators are individually driven by the image signal to incline the mirrors mounted on the upper part, the actuators change the light path of each color light and adjust the amount of color light by a device for adjusting the amount of light such as a knife edge to project onto the screen. The actuators are formed of piezoelectric ceramics or electrostrictive ceramics, and are inclined by an electric field generated by a voltage applied to an image signal to tilt the mounted mirrors.

상기 액츄에이터는 형태에 따라 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구별된다.The actuator is classified into a bulk type and a thin film type according to the shape.

상기 벌크형은 내부에 금속 전극들이 형성된 다층 세라믹을 상기 금속전극들과 수직되는 방향으로 얇게 잘른 세라믹 웨이퍼를 구동기판에 실장한 후 쏘잉(sawing) 등으로 가공하고 각각의 액츄에이터들에 거울들을 실장한다. 상기 벌크형은 각각의 액츄에이터들을 쏘잉에 의해 분리하여야 하므로 공정 시간이 길며, 또한, 액츄에이터들의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다.The bulk type mounts a ceramic wafer thinly cut in a direction perpendicular to the metal electrodes on a driving substrate by processing a multilayer ceramic having metal electrodes formed therein on a driving substrate, and processes the same by sawing, and mounts mirrors on the respective actuators. The bulk type has a long process time because the actuators must be separated by sawing, and there is a problem that the response speed of the actuators is slow.

따라서, 상기 벌크형의 문제점을 해결하기 위해 반도체공정을 이용하여 제조가 가능하며, 응답 속도가 빠른 박막형의 액츄에이터가 대한민국의 대우전자에 의해 개발되었다.Accordingly, in order to solve the problem of the bulk type, a thin film type actuator capable of manufacturing using a semiconductor process and having a fast response speed was developed by Daewoo Electronics of Korea.

제1도(a) 내지 (d)는 종래 기술에 따른 광로조절장치의 제조공정도이다.1 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the prior art.

제1도(a)를 참조하면, 표면에 트랜지스터들(도시되지 않음)이 매트릭스 형태로 내장되고, 이 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 패드(pad : 13)를 갖는 구동기판(11) 상부의 전 표면에 희생막(15)을 형성한다. 그리고, 상기 희생막(15)을 통상의 포토리쏘그래피 방법에 의해 제거하여 패드(13)를 노출시킨다.Referring to FIG. 1A, transistors (not shown) are embedded in a matrix, and the entire surface of the upper portion of the driving substrate 11 having pads 13 electrically connected to the transistors. A sacrificial film 15 is formed on the substrate. The sacrificial film 15 is then removed by a conventional photolithography method to expose the pad 13.

제1도(b)를 참조하면, 상기 구동기판(11)과 희생막(15)의 상부에 멤브레인(17)을 형성한다. 그리고, 상기 멤브레인(17)의 소정 부분을 패드(13)가 노출되도록 제거하여 개구(19)를 형성하고, 상기 멤브레인(17)의 상부 표면에 전도성금속을 증착하여 개구(19)를 통해 패드(13)와 전기적으로 연결되는 하부 전극(21)을 형성한다.Referring to FIG. 1B, a membrane 17 is formed on the driving substrate 11 and the sacrificial layer 15. A portion of the membrane 17 is removed to expose the pad 13 to form the opening 19, and a conductive metal is deposited on the upper surface of the membrane 17 to form a pad (through the opening 19). A lower electrode 21 electrically connected to the 13 is formed.

제1도(c)를 참조하면, 상기 하부 전극(21)의 상부에 변형부(23) 및 상부 전극(25)을 순차적으로 형성한다. 그리고, 상부전극(25), 변형부(23), 하부전극(21) 및 멤브레인(17)을 순차적으로 식각하여 액츄에이터(30)를 한정한다. 계속해서 상부 전극(25)의 표면과 액츄에이터(30)들의 분리에 의해 생긴 측면들에 보호막(27)을 형성한다.Referring to FIG. 1C, the deformation part 23 and the upper electrode 25 are sequentially formed on the lower electrode 21. The upper electrode 25, the deformable portion 23, the lower electrode 21, and the membrane 17 are sequentially etched to define the actuator 30. Subsequently, the protective film 27 is formed on the surface of the upper electrode 25 and the side surfaces formed by the separation of the actuators 30.

제1도(d)를 참조하면, 상기 희생막(15)을 제거하여 에어갭(29)을 한정한다. 그리고, 상기 희생막(15)을 제거하고 남은 식각용액을 탈이온수로 세정하고 상기 보호막(27)을 제거한다.Referring to FIG. 1D, the sacrificial layer 15 is removed to define the air gap 29. The sacrificial layer 15 is removed and the remaining etching solution is washed with deionized water and the protective layer 27 is removed.

그러나, 상술한 종래의 광로조절장치의 제조방법은 멤브레인에 형성되는 개구를 통해 하부전극을 패드와 전기적으로 연결되도록 형성하고 그 상부에 변형부를 형성하는 데, 이 개구를 채우는 변형부에 보이드가 형성되며, 이에 의해 크랙이 발생되는 문제점이 있었다.However, the conventional method for manufacturing the optical path control apparatus described above is formed so that the lower electrode is electrically connected to the pad through an opening formed in the membrane, and a deformation portion is formed thereon, wherein a void is formed in the deformation portion filling the opening. Thereby, there was a problem that cracks are generated.

따라서, 본 발명의 목적은 변형부에 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있는 광로조절장치의 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an optical path control apparatus that can prevent the crack is generated in the deformable portion.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광로조절장치의 제조방법은 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 상기 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결된 패드가 표면에 형성된 구동기판의 상부에 상기 패드가 노출되도록 희생막을 형성한 후, 상기 희생막을 패터닝하는 공정과, 상기 희생막 및 상기 희생막의 패터닝으로 노출된 구동기판의 상부에 멤브레인, 하부전극, 변형부 및 상부전극을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 패드 상부의 상부전극, 변형부, 하부전극 및 멤브레인을 2차의 포토리소그래피에 의해 제거하여 상기 패드를 노출시키는 개구를 형성하는 공정과, 리프트 오프 공정에 의해서 상기 개구 내에 상기 패드와 상기 하부 전극을 전기적으로 연결하는 연결부를 형성하는 공정과, 상기 상부전극으로 부터 상기 멤브레인 까지 상기 희생막이 노출되도록 식각하여 액츄에이터를 분리하는 공정과, 상기 상부전극의 표면 및 액츄에이터의 측면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비한다.In another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical path control apparatus, in which a sacrificial layer is formed such that a pad is exposed on an upper portion of a driving substrate on which a pad is embedded in a matrix and electrically connected to each of the transistors. Thereafter, patterning the sacrificial layer, sequentially forming a membrane, a lower electrode, a deformation portion, and an upper electrode on the sacrificial layer and the driving substrate exposed by the patterning of the sacrificial layer, and the upper electrode on the pad Removing the deformable portion, the lower electrode and the membrane by secondary photolithography to form an opening for exposing the pad, and a connecting portion for electrically connecting the pad and the lower electrode in the opening by a lift-off process. Forming a, from the upper electrode to the membrane And a step and a step of forming a protective film on the side surface of the actuator and of the upper electrode, and removing the sacrificial layer and the protective film to remove the raw film is etched so as to expose the actuator.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

제2도(a) 내지 (e)는 본 발명에 따른 광로조절장치의 제조공정도이다.2 (a) to (e) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the present invention.

제2도(a)를 참조하면, 표면에 트랜지스터들(도시되지 않음)이 매트릭스 형태로 내장되고, 이 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 패드(43)를 갖는 구동기판(41) 상부의 전 표면에 PSG(Phospho-Silicate Glass) 등을 0.1~2㎛ 정도의 두께로 증착하여 희생막(45)을 형성한다. 상기에서, 구동기판(41)은 유리나 알루미나 등의 절연물질, 또는 실리콘 등의 반도체기판으로 이루어진다. 그리고, 상기 희생막(45)을 통상의 포토리쏘그래피 방법에 의해 제거하여 패드(43)를 노출시킨다.Referring to FIG. 2 (a), a PSG is formed on the entire surface of a driving substrate 41 having a pad 43 having a transistor 43 (not shown) embedded in the surface thereof and electrically connected to the transistors. (Phospho-Silicate Glass) or the like is deposited to a thickness of about 0.1 ~ 2㎛ to form a sacrificial film 45. In the above, the driving substrate 41 is made of an insulating material such as glass or alumina, or a semiconductor substrate such as silicon. The sacrificial film 45 is removed by a conventional photolithography method to expose the pad 43.

제2도(b)를 참조하면, 상기 구동기판(41)과 희생막(45)의 상부에 멤브레인(47), 하부전극(49), 변형부(51) 및 상부전극(53)을 순차적으로 형성한다. 상기에서, 멤브레인(47)은 질화실리콘 또는 탄화실리콘 등의 규화물을 스퍼터링 또는 화학기상 침적법 등의 방법으로 0.1~2㎛ 정도의 두께로 증착하여 형성한다. 그리고, 하부전극(49)은 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 등을 스퍼터링 또는 진공증착 등의 방법으로 0.1~2㎛ 정도의 두께로 증착하여 형성한다. 상기 변형부(51)는 BaTiO3, PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 또는 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti) O3) 등의 압전세라믹, 또는, PMN(Pb(Mg, Nb)O3) 등의 전왜세라믹을 졸-겔 도포법(sol-gel method) 또는 스퍼터링 등에 의해 0.1~2㎛ 정도의 두께로 형성한다. 그리고, 상부전극(53)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등의 전기적 특성 및 반사특성이 양호한 금속을 500~2000Å 정도의 두께로 스퍼터링 또는 진공 증착하여 형성한다. 상기에서, 변형부(51)가 얇게 형성되므로 별도의 분극을 하지 않고도 구동시 화상신호에 의해 분극된다.Referring to FIG. 2B, the membrane 47, the lower electrode 49, the deformable portion 51, and the upper electrode 53 are sequentially formed on the driving substrate 41 and the sacrificial layer 45. Form. In the above, the membrane 47 is formed by depositing a silicide such as silicon nitride or silicon carbide to a thickness of about 0.1 to 2 μm by a method such as sputtering or chemical vapor deposition. The lower electrode 49 is formed by depositing platinum (Pt) or platinum / titanium (Pt / Ti) to a thickness of about 0.1 to 2 μm by a method such as sputtering or vacuum deposition. The deformation part 51 is a piezoelectric ceramic such as BaTiO 3 , PZT (Pb (Zr, Ti) O 3 ) or PLZT ((Pb, La) (Zr, Ti) O 3 ), or PMN (Pb (Mg, A total distortion ceramic such as Nb) O 3 ) is formed to a thickness of about 0.1 to 2 μm by a sol-gel method or sputtering. In addition, the upper electrode 53 is formed by sputtering or vacuum depositing a metal having good electrical and reflective properties such as aluminum (Al) or silver (Ag) to a thickness of about 500 to 2000 kPa. In the above, since the deformation part 51 is formed thin, it is polarized by the image signal at the time of driving, without performing additional polarization.

제2도(c)를 참조하면, 상기 상부 전극(53), 변형부(51), 하부 전극(49), 멤브레인(47)을 식각 공정에 의하여 각각 패터닝시킨다. 즉, 상기 상부전극(53)과 변형부(51)를 1차 포토리쏘그래피 방법으로, 상기 하부전극(49)과 멤브레인(47)을 2차 포토그쏘그래피 방법으로 개구(55)를 형성하여 상기 패드(43)를 노출시킨다. 상기에서, 2차 포토리쏘그래피시 1차 포토리쏘그래피시 보다 제거하는 부분의 폭을 크게한다. 그러므로, 개구(55) 주위의 하부전극(49)은 변형부(51)가 형성되지 않고 노출된다. 그리고, 상술한 구조의 전 표면에 감광막(57)을 형성하고, 노광 및 현상하여 상기 패드(43)를 노출시킨다. 그 다음, 백금(Pt) 또는 티타늄(Ti) 등을 스퍼터링 또는 진공증착 등의 방법으로 0.1~2㎛ 정도의 두께로 증착하여 패드(43)와 하부전극(49)을 전기적으로 연결하는 연결부(59)를 형성한다. 이 때, 상기 감광막(57)의 상부에도 연결부(59)를 형성하는 도전성 금속이 증착된다.Referring to FIG. 2C, the upper electrode 53, the deformable part 51, the lower electrode 49, and the membrane 47 are patterned by an etching process. That is, the opening 55 is formed by forming the upper electrode 53 and the deformable portion 51 by the primary photolithography method and the lower electrode 49 and the membrane 47 by the secondary photolithography method. The pad 43 is exposed. In the above, the width of the portion to be removed is increased in the second photolithography than in the first photolithography. Therefore, the lower electrode 49 around the opening 55 is exposed without forming the deformable portion 51. Then, the photoresist film 57 is formed on the entire surface of the above-described structure, and the pad 43 is exposed by exposure and development. Then, the connection portion 59 for depositing platinum (Pt) or titanium (Ti) to a thickness of about 0.1 ~ 2㎛ by sputtering or vacuum deposition method to electrically connect the pad 43 and the lower electrode 49 ). At this time, a conductive metal for forming the connecting portion 59 is also deposited on the photosensitive film 57.

제2도(d)를 참조하면, 상기 감광막(57)을 리프트-오프(lift-off)하여 제거한다. 이 때, 상기 감광막(53) 상부의 연결부(59)를 형성하는 도전성 금속도 제거된다. 그리고, 상기 상부전극(53), 변형부(51), 하부전극(49) 및 멤브레인(47)을 순차적으로 식각하여 액츄에이터(65)를 한정한다. 계속해서, 상부전극(53)의 표면과 액츄에이터(65)들의 분리에 의해 생긴 측면들에 포토레지스트를 도포하고 노광 및 현상하여 보호막(61)을 형성한다.Referring to FIG. 2D, the photosensitive film 57 is lifted off to be removed. At this time, the conductive metal forming the connection portion 59 on the photosensitive film 53 is also removed. In addition, the upper electrode 53, the deformable portion 51, the lower electrode 49, and the membrane 47 are sequentially etched to define the actuator 65. Subsequently, a photoresist is applied to the surface of the upper electrode 53 and the side surfaces formed by the separation of the actuators 65, and the photoresist is exposed and developed to form the protective film 61.

제2도(e)를 참조하면, 상기 희생막(45)을 불산 등의 식각용액으로 제거하여 에어갭(63)을 한정한다. 그리고, 상기 탈이온수로 세정하여 상기 희생막(45)을 제거하고 남은 식각용액을 제거한 후 건조한다. 그리고, 상기 보호막(61)을 산소 플라즈마에 의해 건식 식각 방법으로 제거한다.Referring to FIG. 2E, the sacrificial layer 45 is removed with an etching solution such as hydrofluoric acid to define the air gap 63. The sacrificial layer 45 is removed by washing with deionized water, and the remaining etching solution is removed, followed by drying. Then, the protective film 61 is removed by a dry etching method by oxygen plasma.

상술한 바와 같이 본 발명은 구동기판과 희생막의 상부에 멤브레인, 하부전극, 변형부 및 상부전극을 순차적으로 형성한 후, 2차의 포토리쏘그래피 방법에 의해 패드를 노출시키는 개구를 형성하되, 상기 개구 주위의 하부전극 상부에 변형부가 형성되지 않고 노출되도록 2차 포토리쏘그래피시 1차 포토리쏘그래피시 보다 제거하는 부분의 폭을 크게하고 패드와 하부전극을 연결하는 연결부를 리프트-오프 방법으로 형성한다.As described above, the present invention sequentially forms a membrane, a lower electrode, a deformable portion, and an upper electrode on the driving substrate and the sacrificial layer, and then forms an opening for exposing the pad by a secondary photolithography method. Forming a connection part connecting the pad and the lower electrode by increasing the width of the portion removed in the first photolithography in the second photolithography so that the deformation portion is not formed in the upper portion of the lower electrode around the opening. do.

따라서, 본 발명에 따르면, 변형부에서 크랙이 발생되는 것을 방지하고, 결과적으로 그 크랙을 통해서 상부 전극과 하부 전극이 단락(short)되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of cracks in the deformed portion, and as a result, to prevent the short circuit between the upper electrode and the lower electrode through the crack.

Claims (4)

트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 상기 트랜지스터 각각에 전기적으로 연결된 패드가 표면에 형성된 구동기판의 상부에 상기 패드가 노출되도록 희생막을 형성한 후, 상기 희생막을 패터닝하는 공정과, 상기 희생막 및 상기 희생막의 패터닝으로 노출된 구동기판의 상부에 멤브레인, 하부전극, 변형부 및 상부전극을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 패드 상부의 상부전극, 변형부, 하부전극 및 멤브레인을 2차 포토리소그래피에 의해 제거하여 상기 패드를 노출시키는 개구를 형성하는 공정과, 리프트 오프 공정에 의해서 상기 개구 내에 상기 패드와 상기 하부 전극을 전기적으로 연결하는 연결부를 형성하는 공정과, 상기 상부전극으로 부터 상기 멤브레인 까지 상기 희생막이 노출되도록 식각하여 액츄에이터를 분리하는 공정과, 상기 상부전극의 표면 및 액츄에이터의 측면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비하는 광로조절장치의 제조방법.Forming a sacrificial layer so that the pad is exposed on an upper portion of a driving substrate having a transistor embedded in a matrix and electrically connected to each of the transistors, and then patterning the sacrificial layer, and forming the sacrificial layer and the sacrificial layer. Sequentially forming a membrane, a lower electrode, a deformable portion, and an upper electrode on the driving substrate exposed by patterning; and removing the upper electrode, the deformable portion, the lower electrode, and the membrane on the pad by secondary photolithography. Forming an opening for exposing the pad, forming a connecting portion electrically connecting the pad and the lower electrode in the opening by a lift-off process, and exposing the sacrificial film from the upper electrode to the membrane. Etching to separate the actuator so that the upper portion A step of forming a protective film on the side surface of the actuator and the electrode, method for producing the optical path control device comprising a step of removing the sacrificial layer and the protective film. 제1항에 있어서, 상기 개구를 상부전극 및 변형부를 1차 포토리쏘그래피 하고, 하부전극 및 멤브레인을 2차 포토리쏘그래피하여 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the opening is formed by first photolithography of the upper electrode and the deformable part and second photolithography of the lower electrode and the membrane. 제1항에 있어서, 상기 연결부를 백금(Pt) 또는 티타늄(Ti)으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the connection part is formed of platinum (Pt) or titanium (Ti). 제3항에 있어서, 상기 연결부를 500~2000Å의 두께로 스퍼터링 또는 진공증착하여 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 3, wherein the connecting portion is formed by sputtering or vacuum deposition to a thickness of 500 to 2000 kPa.
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