KR100190768B1 - 유압실린더의 쿠션장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 연경화성 수지를 트랜스퍼성형할 시 사용되는 몰드금형에 관한 것으로, 상부 몰드금형(1)과 하부 몰드금형(21)으로 이루어져 대향되게 설치하되, 각각의 대형면에 캐비티(8a, 28a)와 컴파운드 공급라인이 형성되고, 일측 몰드금형(1)에 포트(10)가 구비되어, 트랜스퍼팁(12)이 구비된 트랜스퍼로드(11)를 매개로 포트에 삽입된 컴파운드(60)를 가압하면 융화된 컴파운드(60)가 컴파운드 공급라인을 통해 캐비티(8a, 28a)로 주입되도록 된 열경화성 수지를 성형하는 트랜스퍼성형용 몰드금형에 있어서, 상기 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)과, 컴파운드 공급라인의 표면이 각각 전기방전가공되어, 이 가공된 표면의 전면에 미세한 크레이터(90)가 형성되어진 구조로 되어, 융해된 컴파운드의 흐름이 원활하게 이루어지고, 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁의 가압면에 경화된 컴파운드가 고착되는 것이 방지되며, 기포에 의한 성형품의 제품불량이 방지되도록 된 것이다.

Description

트랜스퍼성형용 몰드금형

본 발명은 열경화성 수지를 트랜스퍼성형할 시 사용되는 몰드금형에 관한 것으로, 특히 컴파운드(열경화성 수지의 사출재료) 유입라인 표면과 트랜스퍼팁의 가압면에 경화된 컴파운득 고착되는 것이 방지되고, 융해된 컴파운드의 흐름이 원활하게 되며, 성형품에 기포가 형성되는 것이 방지되도록 된 트랜스퍼성형용 몰드금형에 관한 것이다.

주지된 바와 같이, 플라스틱은 열가소성 수지와 열경화성 수지의 두 가지로 대별되는데, 열가소성 수지는 고분자로서 가열에 의해서 유동성을 가지게 되는데 대하여, 열경화성 수지는 성형전에 저분자이지만 틀(型)에 넣어 가열하면 이들 작은 분자가 녹아서 유동상태가 되며 화학반응이 일어나 분자가 결합에 의해서 고분자로 변환한다. 이러한 형상을 경화 또는 큐어링(Curing) 등이라고 하며, 경화하여 생긴 성형품인 고분자는 가열해도 연화하지 않고 분해하거나 경화가 더 진행되므로, 틀 속에서 가압·가열에 의해 성형하는 것이 원칙이지만 최근에는 사출성형과 비슷한 트랜스퍼성형이 발명되어 보편적으로 사용되고 있다.

상기 트랜스퍼성형은 종래 압축성형법으로만 행해졌던 열경화성 수지의 성형을 위해서 발명된 것으로서,틀에 주입하는 1회분의 양만을 가열하여 부드럽게 하고, 사출성형과 같이 작은 구멍으로부터 틀 속으로 유입시켜 성형하는 것으로, 작업능률이 향상되어 대량생산이 가능하게 되는 장점이 있다.

제1도는 트랜스퍼성형용 몰드금형의 일예로서, 반도체 성형용 몰드금형의 정면도이고, 제2도는 제1도의 몰드금형의 평면도이며, 제3도는 제1도의 상부 몰드금형의 저면도인 바, 이에 따르면, 상부 지지블록(2)의 상면에 단열판(4)이 삽입된 상판(3)이 고정되고, 상부 지지블록(2)의 하면에 상부 지지필라(13)를 매개로 상부 몰드베이스(5)가 연결되고, 이 상부 몰드베이스(5)의 하면에 상부 센터블록(6)과 상부 측면블록(7), 상부 캐비티블록(8) 및 상부 런너블록(9)이 조합되어 상부 체이스(19)를 매개로 고정되며, 또한 상기 상부 몰드베이스(5)에 관통된 포트(10)가 상부 센터블록(6)에 설치되고, 상부 몰드베이스(5)에 상부 스프링슬리브(17)와 보울트(17a) 및 스프링(18)을 매개로 다수의 상부 이젝터핀(15)이 구비된 상부 이젝터플레이트(14)가 하방향으로 탄력적으로 고정되며, 상부 지지블록(2)의 포트(10) 개구부 둘레에는 더스트커버(45)가 설치되어 있다. 한편, 하부 지지블록(22)의 하면에 단열판(24)이 삽입된 하판(23)이 고정되고, 하부 지지블록(22)의 상면에 하부 지지필라(33)를 매개로 하부 몰드베이스(25)가 연결되고, 하부 몰드베이스(25)의 상면에 하부 센터블록(26)과 하부 측면블록(27), 하부 캐비티블록(28) 및 하부 런너블록(29)이 조합되어 하부 체이스(39)를 매개로 고정되며, 이 하부 몰드베이스(25)의 양측에 로드프레인(50)이 안착되는 로드프레임 리프터레일(30)이 고정되고, 또한 상기 하부 몰드베이스(25)에 하부 스프링슬리브(37)와 보울트(37a)이 고정되고, 또한 상기 하부 몰드베이스(25)에 하부 스프링슬리브(37)와 보울트(37a) 및 스프링(38)을 매개로 다수의 하부 이젝터핀(35)이 구비된 하부 이젝터블레이트(34)가 상방향으로 탄력적으로 고정되어 있다. 상기 상부 몰드금형(1)은 별도의 지지부재(도시안됨)에 고정되고, 하부 몰드금형(21)은 별도의 프레스장치(도시안됨)에 고정되며, 상부 몰드금형(1)의 상부 몰드베이스(5)에는 홀이 형성되어 가이드부시(20)가 삽입되고, 하부 몰드금형(21)의 하부 몰드베이스(25)에는 가이드부시(20)에 이동가능하게 삽입되는 가이드핀(40)이 구비되며, 하부 이젝터플에트(34)의 일단에 하부 사이드 리턴핀(36)이 구비되고, 상부 이젝터플레이트(14)의 일단에 상부 사이드 리턴핀(16)이 구비되고, 상기 포트(10)에는 트랜스퍼팁(12)이 구비된 트랜스퍼로드(11)가 탈착가능하게 삽입되어 있다.

따라서, 반도체칩이 안착된 리드프레임(도시안됨)의 양측을 로드프레임(50)에 고정하고, 이 로드프레임(50)을 하부 몰드금형(21)의 로드프레임 리프터레일(30)에 얹은 후, 프레스장치를 작동하여 하부 몰드금형(21)을 상방향으로 이동시키면, 하부 사이드 리턴핀(36)의 의해 상부 사이드 리턴핀(16)이 들어올려지므로 이에 연결된 상부 이젝터플레이트(14)와 상부 이젝터핀(15)이 들어올려지고, 상부 몰드베이스(5)에 설치된 각각의 블록(6, 7, 8, 9)에 이에 대향되게 하부 몰드베이스(25)에 설치된 각각의 블록(26, 27, 28, 29)이 압착되는데, 이때 리드프레임의 반도체칩은 상·하부 캐비티(8a, 28a)에 위치되므로, 컴파운드(60)를 포트(10)에 넣고 상·하부 몰드금형(1, 21)을 가열하여 융해시키며 트랜스퍼로드(11)로 가압하게 되면, 상기 포트저면(10a)과 상·하부의 센터블록(6, 26), 런너블록(9, 29) 및 캐비티블록(8, 28)의 컴파운드 공급라인을 따라 융해된 컴파운드(60)가 주입되어 상·하부 캐비티(8a, 28a)에 공급된다. 이후 상·하부 몰드금형(1, 21)을 큐어(가압후 일정 시간동안 유지하는 것)하여 액상의 컴파윤드(60)를 응고시킨 후, 프레스 장치를 작동하여 하부 몰드금형(21)을 하방향으로 이동시키면, 상부 몰드베이스(5)에 설치된 각각의 블록(6, 7, 8. 9)으로부터 하부 몰드베이스(25)에 설치된 각각의 블록(26, 27, 28, 29)이 분리되는데, 이때 하부 사이드 리턴핀(36)이 하방향으로 이동되므로 스프링(18)의 탄력에 의해 상부 사이드 리턴핀(16)과 상부 이젝터플레이트(14) 및 상부 이젝터핀(15)이 하방향으로 이동되어, 상부 몰드금형(1)으로부터 경화된 컴파운드(60)가 강제적으로 분리되는 한편, 위치가 고정된 스토퍼로드(도시안됨)에 하부 이젝터플레이트(34)가 압착되어 하부 이젝터플레이트(34)의 하방향으로의 이동이 저지되므로 스프링(38)이 눌려지며 하부 이젝터핀(35)이 상방향으로 돌출되어, 경화된 컴파운드(60)가 들어올려지며 하부 몰드금형(21)으로부터 강제적으로 분리되는 바, 이후 작업자가 하부 몰드금형(21)의 로드프레임 리프터레일(30)에 얹혀진 로드프레임(50)을 끄집어 내는 것으로 트랜스퍼성형 작업이 완료된다.

상기 포트저면 (10a : 도 4 참조)과 하부 센터블록(26) 사이에 간극이 형성되고 상·하부 센터블록(6, 26)에는 컨파운드 가이드(6a, 26a)가 형성되며, 상·하부 런너블록(9, 29)에는 런너(9a, 29a)가 형성되고, 하부 캐비티블록(28)에는 게이트(28b)가 형성되되, 각각 순차적으로 연통되게 배치되어 컴파운드 공급라인을 이룬다.

도 4A·4B·4C는 제1도의 트랜스퍼로드에 의해 컴파운드가 가압되는 상태도인 바, 이에 따르면, 트랜스퍼로드(11)를 포트(10)로부터 분리하여 저분자상태의 컴파운드(60)를 포트(10)에 넣은 후, 상·하부 몰드금형(1, 21)을 가열하면 저분자상태의 컴파운드(60)가 융해되는 바, 이를 트랜스퍼로드 (11)로 가압하게 되면, 포트저면(10)과 하부 센터블록(26) 사이의 간극을 통해 상·하부 센터블록(6, 26)의 캄파운드 가이드(6a, 26a)로 융해된 컴파운드(60)가 주입되므로, 이에 연통된 상·하부 런너블록(9, 29)의 런너(9a, 29a)과 하부 캐비티블록(28)의 게이트(28b)를 따라 유동되어 상·하부 캐비티(8a, 28a)에 공급된다.

한편, 상기 트랜스퍼성형은 열경화성 수지를 재료로 하는 특성상 몰드금형의 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁의 가압면에 경화된 컴파운드가 고착되지 않도록 하는 것이 성형품의 품질을 결정하는데 있어서 크게 영향을 미치므로 몰드금형의 성형기능을 판단하는 중요한 용인이 되는데, 이는 컴파운드 공급라인과 트랜스퍼팁에 각각 경화된 컴파운드가 고착된 상태에서 재성형이 이루어질 경우, 고착된 컴파운드에 의해 융해된 컴파운드의 흐름이 방해되어 상·하부 캐비티블록의 캐비티홈으로의 융해된 컴파운드의 공급이 원활하게 이루어지지 못하고, 고착된 컴파운드 융해된 컴파운드에 포함되어 상·하부 캐비티블록의 캐비티홈으로 유입됨에 따라 성형품의 품질이 크게 저하되는 것에 기인한다.

상기와 같은 문제를 해소하기 위하여 종래에는 몰드금형의 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가입면(12a)을 기계적으로 폴리싱(Polishing)처리하여 표면거칠기를 Ra 0.05∼0.1㎛로 매우 매끄럽게 가공하고 있는데, 이와 같이 컴파운드 공급라인의 표면을 매끄럽게 가공하게 되면, 성형시 융해된 컴파운드와 컴파운드 공급라인의 마찰이 감소되어 흐름의 저항이 줄어들고, 접촉면이 최대한 감소되어 고착현상이 억제된다.

그러나, 상기 종래 기술에 따라 몰드금형의 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)을 기계적인 연마가공으로 표면처리하게 되면 표면을 아무리 매끄럽게 가공하더라도 도 5에 도시된 바와 같이 표면의 전면(全面) ; 이하 동일)에 미세한 쐐기(80)가 형성되는 것을 피할 수 없게 된다.

도 6은 종래 기술로서, 도 4C의 A부를 확대도시한 도면이고, 도 7은 종래 기술로서, 도 4C의 B부를 확대도시한 도면이며, 도 8은 도 7의 C부를 확대도시한 도면인 바, 이를 참조로 하여 종래 기술을 좀더 상세히 설명하면, 컴파운드(60)를 포트(10)에 넣고 상·하부 몰드금형(1, 21)을 가열하여 융해시키며 트랜스퍼로드(11)로 가압하게 되면, 포트저면(10)과 하부 센터블록(26) 사이의 간극을 통해 상·하부 센터블록(6, 26)의 컴파운드 가이드(6a, 26a)으로 융해된 컴파운드(60)가 주입되므로, 이에 연통된 상·하부 런너블록(9, 29)의 런너(9a, 29a)와 하부 캐비티블록(28)의 게이트(28b)를 따라 유동되어 상·하부 캐비티(8a, 28a)에 공급되는데, 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)에는 미세한 쐐기(80)가 형성되어 있으므로 융해된 컴파운드(60)가 접촉면의 전면에 걸쳐 형성된 쐐기(80)를 감싸며 유동되어, 가압이 완료된 후 상·하부 몰드금형(1, 21)을 냉각하면 컴파운드(60)가 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)에 형성된 쐐기를 감싸며 응고되므로, 프레스장치를 작동하여 몰드금형으로부터 성형품을 분리하더라도 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가압면에 경화된 컴파운드가 고착되는 것을 피할 수 없었다.

또한, 트랜스퍼로드(11)를 매개로 포토(10)에 삽입된 컴파운드(60)를 가압할시 포트(10) 내에는 이미 외부 공기가 유입된 상태이므로, 트랜스퍼로드(11)로 가압하게 되면, 컴파운드 공급라인을 따라 유동되는 융해된 컴파운드(60)에 공기(70)가 포함되는데, 상기 종래 기술에 따르면 융해된 컴파운드(60)와 함께 기포(70)가 캐비티(8a, 28a)까지 유입되는 경우가 빈번하게 발생되어 이 기포(70)에 의해 성형품이 제품 불량이 되는 문제가 있었다.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제저를 해소하기 위하여 안출된 것으로, 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁의 가압면에 쐐기가 형성되지 않도록 표면처리하여 융해된 컴파운드의 흐름이 원활하게 이루어지도록 하고, 경화된 컴파운드가 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁의 가압면에 고착되는 것이 방지되며, 기포에 의한 성형품의 제품불량이 방지되도록 하는 트랜스퍼성형용 몰드금형을 제공함에 그 목적이 있다.

제1도는 트랜스퍼성형용 몰드금형의 일예로서, 반도체 성형용 몰드금형의 정면도,

제2도는 제1도의 하부 몰드금형의 평면도,

제3도는 제1도의 상부 몰드금형의 저면도,

제 4A·4B·4C도는 제1도의 트랜스퍼로드에 의해 컴파운드가 가압되는 상태도,

제5도는 종래 기술에 따라 폴리싱처리된 면을 확대한 사시도,

제6도는 종래 기술로서, 제4C도의 A부를 확대도시한 도면,

제7도는 종래 기술로서, 제4C도의 B부를 확대도시한 도면,

제8도는 제7도의 C부를 확대도시한 도면,

제9도는 본 발명에 따라 전기방전전가공된 면을 확대한 사시도,

제10도는본 발명에 따른 도면으로서, 도 6에 대한 대응도,

제11도는 본 발명에 따른 도면으로서, 도 7에 대한 대응도,

제12도는 제11도의 D부를 확대도시한 도면이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 상부 몰드금형 2 : 상부 지지즐록

3 : 상판 4 : 단열판

5 : 상부 몰드베이스 6 : 상부 센터블록

6a : 컴파운드 가이드 7 : 상부 측면블록

8 : 상부 캐비티블록 8a : 캐비티

9 : 상부 런너블록 9a : 런너

10 : 포트 10a : 포트저면

11 : 트랜스퍼로드 12 : 트랜스퍼팁

12a : 가압면 13 : 상부 지지필라

14 : 상부 이젝터플레이트 15 : 상부 이젝터핀

16 : 상부 사이드 리턴핀 17 : 상부 스프링스리브

17a : 보울트 18 : 스프링

19 : 상부 체이스 20 : 가이드부시

21 : 하부 몰드금형 22 : 하부 지지블록

23 : 하판 24 : 단열판

25 : 하부 몰드베이스 26 : 하부 센터블록

26a : 컴파운드 가이드 27 : 하부 측면블록

28 : 하부 캐비티블록 28a : 캐비티

28b : 게이트 29 : 하부 런너블록

29a : 런너 30 : 로드프레임 리프터래일

33 : 하부 지지필라 34 : 하부 이젝터플레이트

35 : 합 이젝터핀 36 : 하부 사이드 리턴핀

37 : 하부 스트링슬리브 37a : 보울트

38 : 스프링 39 : 하부 체이스

40 : 가이드핀 45 : 더스트커버

50 : 로드프레임 60 : 컴파운드

70 : 공기 80 : 쐐기

90 : 크레이터

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상부 몰드금형과 하부 몰드금형으로 이루어져 대향되게 설치되되, 각각의 대향면에 캐비티와 컴파운드 공급라인이 형성되고, 일측 몰드금형에 포트가 구비되어, 트랜스퍼팁이 구비된 트랜스퍼로드를 매개로 포트에 삽입된 컴파운드를 가압하면 융화된 컴파운드가 컴파운드 공급라인을 통해 캐비티로 주입되도록 된 열경화성 수지를 성형하는 트랜스퍼성형용 몰드금형에 있어서, 상기 트랜스퍼팁의 가압면과, 컴파운드 공급라인의 표면이 각각 전기방전가공되어, 이 가공된 표면의 전면에 미세한 크레이터가 형성되어진 구조도 되어 있다.

이하 본 발명을 첨부된 예시도면에 의거하여 실시예를 상세히 설명한다.

도 9는 본 발명에 따라 전기방전가공된 면을 확대한 사시도이고, 도 10은 본 발명에 따른 도면으로서, 도 6에 대한 대응도이며, 도 11은 본 발명에 따른 도면으로서, 도 7에 대한 대응도이고, 도 12는 도 11의 D부를 확대도시한 도면인 바, 상기 제1도∼4를 참조로 하되, 동일한 부위에는 동일한 참조부호를 붙이며 그 설명을 생략한다.

도 9에 따르면, 금속의 표면을 전기방전가공하면 아아크에 의해 표면이 순간적으로 용융되어 크레이터(90 ; Crater)가 표면의 전면에 걸쳐 형성됨을 알 수 있다.

도 10·11·12에 따르면, 컴파운드(60)를 포트(10)에 넣고 상·하부 몰드금형(1, 21)을 가열하여 저분자상태의 컴파운드(60)을 융해시키며 트랜스퍼로드(11)로 가압하게 되면, 포트저면(10a)과 하부 센터블록(26) 사이의 간극을 통해 상·하부 센터블록(6, 26)의 컴파운드 가이드(6a, 26a)으로 융해된 컴파운드(60)가 주입되므로, 이에 연통된 상·하부 런너블록(9, 29)의 런너(9a, 29a)와 하부 캐비티블록(28)의 게이트(28b)를 따라 유동되어 상·하부 캐비티(8a, 28a)에 공급되는데, 전기방전가공되어진 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가압면에는 크레이터(90)가 형성되어 있으므로, 융해된 컴파운드(60)와 함께 컴파운드 공급라인을 따라 기포(70)가 이동되면, 컴파운드 공급라인의 표면의 전면에 형성된 크레이터(90)에 기포(70)가 고르게 분포되어 안착됨에 따라 접촉면이 감소되어, 컴파운드(60)의 흐름이 마치 미끄러지듯 자연스럽게 이루어 진다.

따라서, 캐비티(8a, 28a)에 공급되는 융해된 컴파운드(60)에는 기포(70)가 포함되지 않으므로, 기포(70)가 고르게 분포되어 안착됨에 따라 접촉면이 감소되어, 컴파운드(60)의 흐름이 마치 미끄러지듯 자연스럽게 이루어 진다.

따라서, 캐비티(8a, 28a)에 공급되는 융해된 컴파운드(60)에는 기포(70)가 포함되지 않으므로, 기포(70)로 인한 성형품의 제품 불량이 방지되는 한편, 크리에터(90)에 안착된 기포(70)에 의해 접촉면이 크게 감소하게 되므로, 상·하부 몰드금형(1, 21)을 큐어(가압후 일정 시간동인 유지하는 것)하여 액상의 컴파운드(60)를 응고시킨 후, 상·하부 몰드금형(1, 21)으로부터 경화된 컴파운드(60)를 분리하게 되면, 크레이터(90)에 안착된 기포(70)에 의해 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)으로부터 경화된 컴파운드(60)가 쉽게 분리되어, 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)에 경화된 컴파운드(60)가 고착되는 것이 방지된다. 여기서, 종래 기술이 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)에 경화된 컴파운드(60)가 고착된 것을 방지하고, 융해된 컴파운드(60)의 흐름을 원활하게 하기 위하여 컴파운드 접촉면을 보다 매끄럽게 기계적으로 연마하고 있지만, 이와 같이 단순하게 표면거칠기를 줄이는 방법은 그 한계가 있는데 반하여, 본 발명은 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)이 전기방전가공되어 표면의 전면에 크레이터(90)가 형성되므로, 성형시 발생되는 기포(70)가 이 크레이트(90)에 고르게 분포되어 안착됨에 따라 상기 제반문제가 근본적으로 해소된다는 점에 주목할 필요가 있다.

본 발명에 따라 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)을 전기방전으로 처리할 경우, 표면거칠기는 탑플런저방식 또는 바텀플런저방식에 따라, 혹은 몰드금형 내에 유입되는 공기의 양 등의 가타 조건들을 고려하여 가장 적합하게 조정하는데, 상기 실시예와 같은 탑플런저방식의 반도체 성형용 몰드금형인 경우에는 표면거칠기 값으로도 적용 가능하다.

한편, 상기 전기방전가공은 공지된 기술로서, +전극과 -전극에 의한 아아크를 이용하여 금속표면을 순간적으로 용융하여 표면처리하는 것을 말한다.

이상 상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁의 가압면을 전기방전가공하는데, 이와 같이 전기방전가공으로 표면을 처리할 경우에는 표면의 전면에 미세한 크레이터가 형성되므로, 비록 기계적인 가공인 폴리싱보다 표면거칠기가 매끄럽지는 못하더라도 성형시 발생되는 기포가 고르게 분포되어 크레이터에 안착됨에 따라, 융해된 컴파운드의 흐름이 원활하게 이루어지고, 캐비티에 기포가 유입되는 것이 방지되며, 컴파운드 공급라인의 표면과 트랜스퍼팁의 가압면에 경화된 컴파운드가 고착되는 것이 방지된다.

따라서, 트랜스퍼성형용 몰드금형의 성형기능이 향상되고, 이에 따라 성형품의 제품 불량이 감소되는 한편, 몰드금형으로부터 고착된 컴파운드를 제거해야 하는 번거로움이 불필요하게 되어 편이성과 생산성이 향상되는 효과가 있다.

이상에서 설명한 것과 본 발명의 하나의 실시예에 불과한 것으로, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든디 다양한 변경·실시가 가능할 것이다.

Claims (3)

1. 상부 몰드금형(1)과 하부 몰드금형(21)으로 이루어져 대향되게 설치되되, 각각의 대향면에 캐비티(8a, 28b)와 컴파운드 공급라인이 형성되고, 일측 몰드금형(1)에 포트(10)가 구비되어, 트랜스퍼팁(12)이 구비된 트랜스퍼로드(11)를 매개로 포트에 삽입된 컴파운드(60)를 가압하면 융화된 컴파운드(60)가 컴파운드 공급라인을 통해 캐비티(8a, 28a)로 주입되도록 된 열경화성 수지를 성형하는 트랜스퍼성형용 몰드금형에 있어서,

   상기 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)과, 컴파운드 공급라인의 표면이 각각 전기방전가공되어, 이 가공된 표면의 전면에 미세한 크레이터(90)가 형성되어진 것을 특징으로 하는 트랜스퍼성형용 몰드금형.
2. 제 1항에 있어서, 반도체 성형용 몰드금형의 포트저면(10a)과, 상·하부 센터블록(6, 26)의 컴파운드 가이드(6a, 26a), 상·하부 런너블록(9, 29)의 런너(9a, 29a), 하부 캐비티블록(28)의 게이트(28b) 및, 트랜스퍼팁(12)의 가압면(12a)이 전기방전가공되어, 이 가공된 표면의 전면에 미세한 크레이터(90)가 형성되어진 것을 특징으로 하는 트랜스퍼성형용 몰드금형.
3. 제 1항 내지 제 2항에 있어서, 상기 전기방전가공된 표면의 표면거칠기가 Ra 0.5∼6.58㎛로 되어진 것을 특징으로 하는 트랜스퍼성형용 몰드금형.

Images