KR100189980B1 - Apparatus for removing photoresist of wafer edge - Google Patents
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Abstract
웨이퍼 에지(edge)의 감광막 제거장치에 대하여 기재하고 있다. 본 발명은 감광막이 도포된 웨이퍼의 배면을 흡착하여 고정시키는 웨이퍼척(wafer chuck); 상기 웨이퍼 척을 회전시킴으로써 상기 웨이퍼가 회전되도록 하는 스핀 모터(spin motor); 및 상기 감광막을 제거하기 위한 약액을 상기 웨이퍼의 에지(edge)에 분사하는 노즐(nozzle)을 구비하는 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치에 있어서, 상기 노즐은, 그 중심축을 기준으로 상기 웨이퍼의 에지 방향으로 45°∼ 60°를 이루는 제1각도와, 상기 웨이퍼 면과 상기 노즐의 중심축 연장선과의 교점과 상기 웨이퍼 면의 중심점을 연결한 선을 기준으로, 상기 웨이퍼 면에 대한 상기 노즐의 단부의 투영체가 상기 웨이퍼의 회전방향으로 30°∼ 45°를 이루는 제2각도를 갖는 노즐단부를 더 구비하며, 상기 노즐단부는 시작되는 부분으로부터 노즐끝까지 내경이 점차 감소하는 테이퍼 형인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치를 제공한다. 본 발명에 의하면 감광막의 과다 제거 및 제거 불량을 방지할 수 있으므로 결과적으로 반도체 소자의 수율 증대 효과를 얻을 수 있다.The photosensitive film removal apparatus of the wafer edge is described. The present invention is a wafer chuck (wafer chuck) for sucking and fixing the back surface of the wafer coated with a photosensitive film; A spin motor for rotating the wafer chuck to rotate the wafer; And a nozzle for injecting a chemical liquid for removing the photoresist film to the edge of the wafer, wherein the nozzle is in an edge direction of the wafer with respect to the central axis thereof. Projection of the end of the nozzle onto the wafer surface based on a first angle that forms a 45 ° to 60 ° angle and an intersection of the intersection point between the wafer plane and the central axis extension line of the nozzle and the center point of the wafer plane The nozzle further comprises a nozzle end having a second angle of 30 ° to 45 ° in the rotational direction of the wafer, wherein the nozzle end is tapered in that the inner diameter gradually decreases from the beginning to the nozzle end. It provides a photoresist removal device. According to the present invention, it is possible to prevent the excessive removal of the photoresist film and the removal failure, and as a result, the effect of increasing the yield of the semiconductor device can be obtained.
Description
제1도는 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a photosensitive film removing apparatus of a wafer edge according to the prior art.
제2도는 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지의 감광막 제거공정을 나타내는 상세도이다.2 is a detailed view showing a photosensitive film removing step of the wafer edge according to the prior art.
제3도는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a photosensitive film removing apparatus of the wafer edge according to the present invention.
제4도는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지의 감광막 제거공정을 나타내는 상세도이다.4 is a detailed view showing a photoresist removal process of the wafer edge according to the present invention.
제5도는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치의 노즐단부를 웨이퍼 상에 나타낸 평면도이다.5 is a plan view showing the nozzle end of the photosensitive film removing apparatus of the wafer edge on the wafer according to the present invention.
본 발명은 웨이퍼 에지(edge)의 감광막 제거장치에 관한 것으로, 특히 그 구조가 개선되어 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for removing photoresist at a wafer edge, and more particularly, to an apparatus for removing photoresist at a wafer edge, the structure of which can be improved to improve semiconductor yield.
반도체 소자의 노광공정에 있어서, 감광막이 도포된 웨이퍼의 에지부분에 감광막이 남아 있는 경우에는 노광장비의 웨이퍼 반송부에서의 마찰에 의해 상기 웨이퍼 에지 부분의 감광막이 가루 형태로 떨어지게 된다. 상기 감광막 가루는 연속적으로 이송되는 후속 웨이퍼의 배면에 묻어서 노광장비의 웨이퍼 척(wafer chuck)으로 옮겨진다. 상기 웨이퍼척에 상기 감광막 가루가 흡착되면, 노광될 웨이퍼의 평탄도가 나빠지므로 결국 노광공정에서 부분적으로 초점이 맞지 않는 문제가 발생한다. 따라서, 상기 문제를 해결하기 위하여 감광막의 도포공정후에, 웨이퍼 에지 부분의 감광막은 제거되게 된다.In the exposure process of a semiconductor element, when the photosensitive film remains in the edge part of the wafer on which the photosensitive film was apply | coated, the photosensitive film of the said wafer edge part will fall in powder form by the friction in the wafer conveyance part of an exposure apparatus. The photoresist powder is buried on the backside of subsequent wafers that are transferred continuously and transferred to a wafer chuck of the exposure equipment. When the photoresist powder is adsorbed on the wafer chuck, the flatness of the wafer to be exposed is deteriorated, which results in a problem that the focus is partially out of the exposure process. Therefore, in order to solve the above problem, after the application process of the photosensitive film, the photosensitive film of the wafer edge portion is removed.
제1도는 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a photosensitive film removing apparatus of a wafer edge according to the prior art.
구체적으로, 참조번호 1은 감광막이 도포된 웨이퍼, 2는 상기 웨이퍼(1)의 배면을 흡착하여 고정시키는 웨이퍼 척(wafer chuck), 3은 상기 웨이퍼 척(2)을 회전시킴으로써 상기 웨이퍼(1)가 회전되도록 하는 스핀 모터(spin motor), 4는 상기 웨이퍼(1)의 에지 부분의 감광막을 제거하기 위한 약액, 예컨대 시너(thinner) 또는 아세톤(acetone)을 분사하는 노즐을 각각 나타낸다. 상기 구조의 감광막 제거장치는 통상 노즐의 내경이 0.5㎜ 이상으로 이루어져 있다. 따라서, 웨이퍼(1)의 에지부분의 감광막이 과다하게 제거되며, 상기 약액의 분사 속도가 작은 경우에는 제거되어야 할 부분의 감광막이 불완전하게 제거되어 반도체 칩의 수율에 많은 손실을 준다. 또한, 상기 노즐(4)의 내경과 외경사이의 간격, 즉 노즐의 두께가 얇을 경우에는 외부 충격에 의해 위치가 쉽게 변하여 상기 웨이퍼(1) 에지의 감광막이 제거되지 않거나, 원하지 않는 부분의 감광막이 제거되는 문제점이 있다.Specifically, reference numeral 1 denotes a wafer coated with a photoresist film, 2 denotes a wafer chuck that absorbs and fixes the back surface of the wafer 1, and 3 denotes the wafer chuck 2 by rotating the wafer chuck 2. The spin motor 4, which causes the to rotate, denotes a nozzle for injecting a chemical liquid, for example thinner or acetone, for removing the photosensitive film of the edge portion of the wafer 1, respectively. In the photosensitive film removing apparatus having the above structure, the inner diameter of the nozzle is usually 0.5 mm or more. Therefore, the photoresist film at the edge portion of the wafer 1 is excessively removed, and when the injection speed of the chemical liquid is small, the photoresist film at the portion to be removed is incompletely removed, which causes a large loss in the yield of the semiconductor chip. In addition, when the interval between the inner diameter and the outer diameter of the nozzle 4, that is, the thickness of the nozzle is thin, the position is easily changed by an external impact so that the photoresist film at the edge of the wafer 1 is not removed or an undesired photoresist film There is a problem that is eliminated.
제2도는 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지의 감광막 제거공정을 나타내는 상세도이다.2 is a detailed view showing a photosensitive film removing step of the wafer edge according to the prior art.
구체적으로, 노즐(4)로부터 분사되는 감광막 제거용 약액(5)이 고속회전하는 웨이퍼(1)의 에지에서 상기 웨이퍼(1)의 표면과 충돌을 일으킨다. 이 때, 상기 약액(5)은 상기 웨이퍼(1)의 외부로 되튀거나, 내부로 되튀게 된다. 참조번호 6a는 상기 웨이퍼(1)의 외부로 되튀는 약액, 6b는 내부로 되튀는 약액을 각각 나타낸다. 내부로 되튀는 상기약액(6b)은 감광막이 도포된 상기 웨이퍼(1) 내부면에 패턴 불량을 유발하게 된다. 한편, 상기 감광막 제거용 약액(5)이 고속 회전하는 상기 웨이퍼(1)의 에지에서 그 표면과 일으키는 마찰에 의해 약액의 증기(fume)(7)가 발생한다. 여기서, 상기 노즐(4)의 중심축선은 상기 웨이퍼(1)의 표면과 직각을 이루기 때문에, 상기 감광막 제거용 약액(5)은 상기 웨이퍼(1)의 회전 방향으로 아무런 분사 속도도 가지지 않는다. 따라서, 상기 마찰은 많은 약액의 증기를 발생하게 된다. 상기 약액의 증기가 많은 영역을 점유하게 되면 상기 웨이퍼(1)의 에지부분에서 과다한 영역의 감광막이 제거되므로 반도체 칩의 수율에 많은 손실을 준다.Specifically, the photosensitive film removal chemical 5 injected from the nozzle 4 collides with the surface of the wafer 1 at the edge of the wafer 1 rotating at high speed. At this time, the chemical liquid 5 bounces back to the outside of the wafer 1 or bounces back to the inside. Reference numeral 6a denotes a chemical liquid bounced back to the outside of the wafer 1, and 6b denotes a chemical liquid bounced back to the inside. The chemical liquid 6b bounced back may cause pattern defects on the inner surface of the wafer 1 to which the photoresist film is applied. On the other hand, a vapor 7 of chemical liquid is generated by friction generated with the surface of the wafer 1 at which the photosensitive film removing chemical liquid 5 rotates at high speed. Here, since the central axis of the nozzle 4 is perpendicular to the surface of the wafer 1, the photoresist removing chemical liquid 5 has no injection speed in the rotational direction of the wafer 1. Therefore, the friction generates a large amount of chemical vapor. When the chemical vapor occupies a large area, the photosensitive film of the excessive area is removed from the edge portion of the wafer 1, which causes a large loss in the yield of the semiconductor chip.
따라서, 본 발명의 목적은 감광막 제거용 약액의 증기 발생을 억제하여 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a photosensitive film removing apparatus at the edge of a wafer which can suppress the generation of vapor of the photosensitive film removing chemical liquid and improve the yield of the semiconductor.
또한, 본 발명의 다른 목적은 감광막이 제거되는 영역을 최소화하는 동시에, 감광막의 불완전한 제거를 방지하여 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치를 제공하는데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide an apparatus for removing a photosensitive film at the wafer edge which can minimize the area where the photosensitive film is removed and at the same time prevent the incomplete removal of the photosensitive film to improve the yield of the semiconductor.
본 발명의 또 다른 목적은 외부 충격이 가해져도 그 위치가 쉽게 변하지 않아 안정적으로 감광막을 제거할 수 있는 노즐을 구비한 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치를 제공하는데 있다.Still another object of the present invention is to provide a photosensitive film removing apparatus at the edge of a wafer having a nozzle capable of stably removing the photosensitive film even when its external impact is not easily changed.
상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명은, 감광막이 도포된 웨이퍼의 배면을 흡착하여 고정시키는 웨이퍼척(wafer chuck), 상기 웨이퍼 척을 회전시킴으로써 상기 웨이퍼가 회전되도록 하는 스핀 모터(spin motor), 및 상기 감광막을 제거하기 위한 약액을 상기 웨이퍼의 상부에서 상기 웨이퍼의 에지(edge)에 분사하는 노즐(nozzle)을 구비하는 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치에 있어서, 상기 노즐은, 그 중심축을 기준으로 상기 웨이퍼의 에지 방향으로 45°∼ 60°를 이루는 제1각도와, 상기 웨이퍼 면과 상기 노즐의 중심축 연장선과의 교점과 상기 웨이퍼 면의 중심점을 연결한 선을 기준으로, 상기 웨이퍼 면에 대한 상기 노즐의 단부의 투영체가 상기 웨이퍼의 회전방향으로 30°∼ 45°를 이루는 제2각도를 갖는 노즐단부를 더 구비하며, 상기 노즐단부는 시작되는 부분으로부터 노즐끝까지 내경이 점차 감소하는 테이퍼 형인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치를 제공한다.In order to achieve the above objects, the present invention provides a wafer chuck for absorbing and fixing the back surface of a wafer coated with a photoresist film, a spin motor for rotating the wafer chuck, and a spin motor. In the photosensitive film removing apparatus of the wafer edge having a nozzle for injecting a chemical liquid for removing the photosensitive film from the upper portion of the wafer to the edge of the wafer, the nozzle is a reference to the center axis of the wafer The angle of the nozzle with respect to the wafer surface based on a first angle of 45 ° to 60 ° in an edge direction and a line connecting the intersection of the wafer plane and the central axis extension line of the nozzle and the center point of the wafer plane The projection of the end further comprises a nozzle end having a second angle to form a 30 ° to 45 ° in the rotational direction of the wafer, the nozzle end is started An apparatus for removing a photosensitive film at a wafer edge, the taper type having an inner diameter gradually decreasing from the portion to the nozzle tip.
본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 노즐은 상기 노즐단부가 시작되는 부분으로부터 상기 노즐의 상부쪽으로 소정 간격 이격되어, 소정의 증가된 외경을 가지는 노즐강화부를 가지는 것이 바람직하다.In one embodiment of the present invention, it is preferable that the nozzle has a nozzle reinforcing part having a predetermined increased outer diameter, spaced apart from the starting portion of the nozzle by a predetermined interval to the upper portion of the nozzle.
상기한 본 발명에 의하면 노즐이 그 중심축을 기준으로 웨이퍼의 에지 방향으로 제1각도, 및 기판에 대한 상기 노즐의 투영체가 상기 노즐의 중심축선과 상기 웨이퍼 면이 만나는 교점과 상기 웨이퍼의 중심점을 연결한 선을 기준으로 상기 웨이퍼의 회전방향으로 제2각도를 이루는 구조로 되어 있으므로, 상기 노즐로부터 분사되는 감광막 제거용 약액이 상기 웨이퍼의 내부로 되튀는 현상이 방지된다. 또한, 상기 약액은 상기 웨이퍼의 회전방향으로 분사속도 성분을 가지므로 약액과 웨이퍼 면과의 마찰이 줄어든다. 따라서, 상기 마찰에 의해 발생하는 약액 증기의 발생 역시 줄어들게 되므로, 상기 웨이퍼의 에지 부분에서 과다한 영역의 감광막이 제거되는 문제점이 해결된다.According to the present invention, the nozzle connects the first angle in the edge direction of the wafer with respect to the center axis, and the intersection point where the projection of the nozzle with respect to the substrate meets the center axis of the nozzle and the wafer surface and the center point of the wafer. Since the second angle is formed in the rotational direction of the wafer with respect to one line, the phenomenon that the photoresist removing chemical liquid sprayed from the nozzle is prevented from bounce back into the wafer. In addition, since the chemical liquid has an injection speed component in the rotational direction of the wafer, friction between the chemical liquid and the wafer surface is reduced. Therefore, the generation of the chemical vapor generated by the friction is also reduced, so that the problem of removing the excess photoresist film at the edge portion of the wafer is solved.
한편, 상기 노즐의 내경은 상기 노즐단부가 시작되는 부분으로부터 노즐끝까지 그 구경이 점차 감소하는 테이퍼 형으로 이루어져 있으므로, 베르누이 원리에 의해 빠른 속도로 감광막 제거용 약액을 분사할 수 있다. 따라서, 감광막이 불완전하게 제거되는 문제점을 해결할 수 있다.On the other hand, since the inner diameter of the nozzle is made of a tapered type whose diameter gradually decreases from the beginning of the nozzle end to the nozzle end, the chemical solution for removing the photoresist film can be sprayed at high speed by the Bernoulli principle. Therefore, the problem that the photosensitive film is incompletely removed can be solved.
또한, 상기 노즐은 상기 노즐단부가 시작되는 부분으로부터 상부쪽으로 소정 간격 이격되어, 소정의 증가된 외경을 가지는 노즐강화부를 가지는 구조로 되어 있으므로 외부의 물리적 충격이 상기 노즐에 가해져도 쉽게 휘어지지 않는다. 따라서, 안정적으로 감광막을 제거할 수 있다.In addition, the nozzle is spaced apart by a predetermined interval from the beginning of the nozzle end to the upper portion, and has a structure having a nozzle reinforcement portion having a predetermined increased outer diameter, so that an external physical shock is not easily bent even when applied to the nozzle. Therefore, the photosensitive film can be removed stably.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치의 바람직한 일실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the photosensitive film removing apparatus of the wafer edge according to the present invention.
제3도는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a photosensitive film removing apparatus of the wafer edge according to the present invention.
구체적으로, 참조번호 11은 감광막이 도포된 웨이퍼, 12는 상기 웨이퍼(11)의 배면을 흡착하여 고정시키는 웨이퍼 척, 13은 상기 웨이퍼 척(12)을 회전시킴으로써 상기 웨이퍼(11)가 회전되도록 하는 스핀 모터, 14a는 상기 웨이퍼(11)의 에지방향 및 회전방향으로 각도를 가지고 감광막 제거용 약액을 분사하는 노즐 단부, 14b는 상기 노즐단부(14a)가 시작되는 부분으로부터 상부쪽으로 소정 간격 이격되어, 소정의 증가된 외경을 가지는 노즐강화부를 각각 나타낸다. 본 실시예에서는, 약액공급경로의 외경(c)이 2㎜인 경우에 그 내경(b)은 약 0.5㎜ 정도로 이루어져 있으며, 이 경우에 상기 내경(b)은 상기 노즐단부(14a)가 시작되는 부분까지 일정하게 유지된다. 한편, 상기 노즐강화부(14b)는 그 외경(d)이 약 5㎜이고 내경(b)이 0.5㎜로서, 종래의 장치보다 두께가 증가되었으므로 외부의 물리적 충격이 가해져도 쉽게 휘어지지 않는다. 또한, 상기 노즐단부(14a)의 내경은 상기 노즐단부(14a)가 시작되는 부분으로부터 노즐끝까지 그 구경이 점차 감소하는 테이퍼 형으로 이루어져 있으며, 상기 내경(b)이 0.5㎜일 때, 상기 노즐끝의 내경은 약 0.2㎜∼0.4㎜인 것이 적당하다.Specifically, reference numeral 11 is a wafer coated with a photoresist film, 12 is a wafer chuck for adsorbing and fixing the back surface of the wafer 11, and 13 is for rotating the wafer chuck 12 so that the wafer 11 is rotated. The spin motor 14a is an nozzle end for injecting a photosensitive film removal chemical liquid at an angle in the edge direction and the rotational direction of the wafer 11, and 14b is spaced a predetermined distance upward from a portion where the nozzle end 14a starts. Represent each nozzle reinforcement part having a predetermined increased outer diameter. In the present embodiment, when the outer diameter c of the chemical liquid supply path is 2 mm, the inner diameter b is about 0.5 mm, and in this case, the inner diameter b is the starting point of the nozzle end 14a. It remains constant up to the part. On the other hand, the nozzle reinforcing portion 14b has an outer diameter (d) of about 5 mm and an inner diameter (b) of 0.5 mm, which is thicker than a conventional device, and thus does not easily bend even when external physical impact is applied. In addition, the inner diameter of the nozzle end 14a is formed in a tapered shape whose diameter gradually decreases from the portion where the nozzle end 14a starts to the nozzle end. When the inner diameter b is 0.5 mm, the nozzle end The inner diameter of is preferably about 0.2 mm to 0.4 mm.
또한, 상기 노즐은 그 중심축을 기준으로 상기 웨이퍼(11)의 에지방향으로 45° ∼ 60°, 상기 웨이퍼(11) 면과 상기 노즐의 중심축 연장선과의 교점과 상기 웨이퍼(11) 면의 중심점을 연결한 선을 기준으로, 상기 웨이퍼(11) 면에 대한 상기 노즐의 단부의 투영체가 상기 웨이퍼의 회전방향으로 30°∼ 45°를 각각 이루는 노즐단부를 구비한다.Further, the nozzle is 45 ° to 60 ° in the edge direction of the wafer 11 with respect to the center axis thereof, the intersection of the wafer 11 surface with the central axis extension line of the nozzle and the center point of the wafer 11 surface. The projections of the end portions of the nozzles with respect to the wafer 11 surface are provided with nozzle end portions forming 30 ° to 45 ° in the rotational direction of the wafer, respectively, based on the line connecting the.
제4도는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지의 감광막 제거공정을 나타내는 상세도이다.4 is a detailed view showing a photoresist removal process of the wafer edge according to the present invention.
구체적으로, 노즐단부(14a)로부터 분사되는 감광막 제거용 약액(15)이 고속 회전하는 웨이퍼(11)의 에지에서 상기 웨이퍼(11)의 표면과 충돌을 일으킨다. 이 때, 상기 노즐단부(14a)가 상기 웨이퍼(11)의 에지방향 및 회전방향으로 각도를 가지고 있으므로, 상기 노즐단부(14a)로부터 분사되는 감광막 제거용 약액(15)은 주로 상기 웨이퍼(11)의 의부로 되튀게 된다. 여기서, 참조번호 16은 외부로 되튀는 약액을 나타낸다. 또한, 상기 약액(15)은 상기 웨이퍼(11)의 회전방향으로 분사속도 성분을 가지므로 약액과 웨이퍼 면과의 마찰이 줄어든다. 따라서, 상기 마찰에 의해 발생하는 약액 증기(17)의 발생 역시 줄어들게 되므로, 상기 웨이퍼(11)의 에지 부분에서 과다한 영역의 감광막이 제거되는 문제점이 해결된다.Specifically, the photoresist removal chemical liquid 15 injected from the nozzle end 14a collides with the surface of the wafer 11 at the edge of the wafer 11 which rotates at high speed. At this time, since the nozzle end 14a has an angle in the edge direction and the rotational direction of the wafer 11, the photoresist removal chemicals 15 sprayed from the nozzle end 14a are mainly the wafer 11. Will be bounced back. Here, reference numeral 16 denotes a chemical liquid that bounces back to the outside. In addition, since the chemical liquid 15 has a jet velocity component in the rotational direction of the wafer 11, friction between the chemical liquid and the wafer surface is reduced. Therefore, since the generation of the chemical vapor 17 generated by the friction is also reduced, the problem that the photosensitive film of the excessive region is removed from the edge portion of the wafer 11 is solved.
제5도는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치의 노즐단부를 웨이퍼 상에 나타낸 평면도이다.5 is a plan view showing the nozzle end of the photosensitive film removing apparatus of the wafer edge on the wafer according to the present invention.
여기서, 노즐강화부(14b)에 연결된 노즐단부(14a)는 상기 노즐강화부(14b)의 중심축을 기준으로 상기 웨이퍼(11)의 에지 방향으로 45°∼ 60°의 각도를 이루며, 상기 웨이퍼(11) 면에 대한 상기 노즐단부(14a)의 투영체는, 상기 웨이퍼(11)면과 상기노즐강화부(14b)의 중심축 연장선과의 교점(N)과 상기 웨이퍼(11) 면의 중심점(0)을 연결한 선(직선ON)을 기준으로 30°∼ 45°의 각도(α)를 이루는 구조로 되어 있다.Here, the nozzle end portion 14a connected to the nozzle reinforcing portion 14b forms an angle of 45 ° to 60 ° in the edge direction of the wafer 11 with respect to the central axis of the nozzle reinforcing portion 14b. 11) The projection of the nozzle end 14a with respect to the surface is the intersection point N between the wafer 11 surface and the central axis extension line of the nozzle reinforcing portion 14b and the center point of the wafer 11 surface ( It has a structure which forms the angle (alpha) of 30 degrees-45 degrees with respect to the line (linear ON) which connected 0).
그러면, 감광막이 도포된 웨이퍼가 ω의 균일한 각속도로 회전하는 경우, 상기 웨이퍼에 대한 감광막 제거용 약액의 상대속도를 알아보자.Then, when the wafer coated with the photoresist film is rotated at a uniform angular velocity of ω, let's find out the relative speed of the photoresist removal chemical liquid with respect to the wafer.
상기 약액이 상기 웨이퍼의 중심(O)에서 r 위치에 있는 점에 분사된다고 하자. 이 때, 상기 r 위치에 있는 점의 속도는 v = ω×r = ｜ω×r｜θ이다. 여기서, θ는 웨이퍼 회전에 따른 방위각 증가 방향의 단위 벡터를 표시한다.Assume that the chemical liquid is injected at the point r in the center O of the wafer. At this time, the velocity of the point at the r position is v = ω × r = | ω × r | θ. Here, θ denotes a unit vector in the direction of increasing azimuth angle according to wafer rotation.
한편, 분사액의 속도 벡터를 vp라고 하면 상기 웨이퍼의 회전방향에 대한 속도는 (vpㆍθ)θ이므로 상기 웨이퍼에 대한 감광막 제거용 약액의 상대속도는 (vpㆍθ)θ-｜ω× r｜θ가 된다. 여기서, vpㆍθ 0 이라면, 즉 약액의 분사속도가 상기 웨이퍼의 회전방향과 같은 방향의 속도성분을 가진다면 상대속도의 절대값이 작아진다. 따라서, 상기 약액과 상기 웨이퍼 면의 마찰이 감소하게 되어 상기 약액의 증기 발생이 줄어든다.On the other hand, assuming that the velocity vector of the liquid jet velocity v p to the rotation direction of the wafer (v p and θ) θ Because the relative rate of chemical solution for removing the photoresist on the wafer (v p and θ) θ- | ω × r | θ. Here, if v p θ θ 0, that is, if the injection speed of the chemical liquid has a velocity component in the same direction as the rotational direction of the wafer, the absolute value of the relative speed becomes small. Therefore, friction between the chemical liquid and the wafer surface is reduced, so that the vapor generation of the chemical liquid is reduced.
상기 실시예와 같은 웨이퍼 에지의 감광막 제거장치는 웨이퍼의 에지방향 및 회전방향으로 소정의 각도를 가지는 노즐단부를 구비함으로써, 분사 약액과 웨이퍼 면과의 마찰을 감소시킴과 동시에 약액의 증기 발생을 저감시키므로 감광막의 과다 제거가 방지된다. 또한, 약액이 웨이퍼의 내부로 되튀는 것이 방지되어 패턴 불량이 발생하지 않는다. 한편, 상기 노즐단부는 상기 노즐단부가 시작되는 부분으로부터 노즐끝까지 내경이 점차 감소하는 테이퍼 형이므로 빠른 속도로 약액이 분사된다. 따라서, 감광막이 불완전하게 제거되는 문제점을 해결할 수 있다. 그리고, 상기 노즐은 상기 노즐단부가 시작되는 부분으로부터 상기 노즐의 상부쪽으로 소정 간격 이격되어, 소정의 증가된 외경을 가지는 노즐강화부를 가지므로 외부의 물리적 충격이 상기 노즐에 가해져도 쉽게 휘어지지 않는다. 따라서, 안정적으로 감광막을 제거할 수 있다. 이상과 같은 본 발명의 실시예의 효과는 긍극적으로 반도체 소자의 수율 증대에 기여하게 된다.The photosensitive film removing device of the wafer edge as in the above embodiment has a nozzle end having a predetermined angle in the edge direction and the rotation direction of the wafer, thereby reducing friction between the sprayed chemical and the wafer surface and at the same time reducing the generation of chemical vapor. Therefore, excessive removal of the photoresist film is prevented. In addition, the chemical liquid is prevented from bounce back into the wafer, and no pattern defect occurs. On the other hand, since the nozzle end is a tapered type in which the inner diameter gradually decreases from the beginning of the nozzle end to the nozzle end, the chemical liquid is injected at a high speed. Therefore, the problem that the photosensitive film is incompletely removed can be solved. In addition, the nozzle is spaced apart a predetermined distance from the beginning of the nozzle end toward the upper portion of the nozzle, and has a nozzle reinforcing part having a predetermined increased outer diameter, so that the external physical shock is not easily bent even when applied to the nozzle. Therefore, the photosensitive film can be removed stably. The effects of the embodiment of the present invention as described above will ultimately contribute to the increase in the yield of the semiconductor device.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상내에서 많은 변형이 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 실시가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications can be made by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.
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- 1995-11-20 KR KR1019950042354A patent/KR100189980B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7608435B2 (en) | 2003-12-10 | 2009-10-27 | Cj Cheiljedang Corp. | Microorganism producing 5′-xanthylic acid |
| KR20160036380A (en) * | 2014-09-25 | 2016-04-04 | 주식회사 이피코리아 | peeling device for dry film photoresist of metal sheet material |
| KR101656747B1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-09-13 | 주식회사 이피코리아 | peeling device for dry film photoresist of metal sheet material |
Also Published As
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|---|---|
| KR970025857A (en) | 1997-06-24 |
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