KR100189778B1 - A cleaning apparatus of a wafer - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조공정에서 웨이퍼를 화학용액으로 세정한 후 그 화학용액과 파티클을 초순수로 제거하는 웨이퍼세정장치에 관한 것으로서, 프로세스조(10)의 저부에서 토출되는 초순수를 오버플로시키는 단계와 상기 프로세스조(10)의 상부에서 상기 웨이퍼를 향하여 초순수를 분사시키는 단계로 구분하여 웨이퍼를 세정공정에서, 상기 초순수분사단계에서 상기 프로세스조(10)의 덮개로서 기능하고 그리고 상기 프로세스조(10)의 상부로부터 웨이퍼를 향하여 수직적으로 초순수를 분사하는 초순수분사수단을 구비한다. 상기 초순수분사수단은 상기 프로세스조(10)에 대하여 수직하게 복수열로 설치된 복수의 분사노즐을 포함한다. 이와 같은 웨이퍼세정장치에 의하면, 웨이퍼를 향하여 상부에서 수직적으로 초순수를 분사할 수 있기 때문에, 초순수가 도달하지 않는 영역이 없기 때문에 충분한 웨이퍼의 세정효과를 얻을 수 있다.The present invention relates to a wafer cleaning apparatus for cleaning a wafer with a chemical solution in a semiconductor device manufacturing process and then removing the chemical solution and particles with ultrapure water, and overflowing the ultrapure water discharged from the bottom of the process tank 10. And spraying ultrapure water toward the wafer from the upper part of the process tank 10, and cleaning the wafer in the cleaning process, functioning as a cover of the process tank 10 in the ultrapure water spraying step, and the process bath 10 Ultrapure water injection means for injecting ultrapure water vertically from the top toward the wafer. The ultrapure water spraying means includes a plurality of injection nozzles installed in a plurality of rows perpendicular to the process tank 10. According to such a wafer cleaning apparatus, the ultrapure water can be injected vertically from the top toward the wafer, so that there is no region where the ultrapure water does not reach, so that a sufficient wafer cleaning effect can be obtained.

Description

웨이퍼세정장치Wafer cleaning device

제1도는 종래의 웨이퍼세정장치의 구조를 보여주고 있는 개략도;1 is a schematic view showing the structure of a conventional wafer cleaning apparatus;

제2a도와 제2b도는 제1도의 웨이퍼세정장치의 분사노즐로부터 분사된 초순수분사형상을 보여주고 있는 도면;2A and 2B show an ultrapure water injection shape injected from the injection nozzle of the wafer cleaning apparatus of FIG. 1;

제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼세정장치의 구조를 보여주고 있는 도면;3 is a view showing the structure of a wafer cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention;

제4도는 제3도의 웨이퍼세정장치의 분사부재에 적용된 분사노즐의 변형예를 보여주고 있는 도면;4 is a view showing a modification of the spray nozzle applied to the spray member of the wafer cleaning apparatus of FIG. 3;

제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼세정장치의 구조를 보여주고 있는 도면;5 is a view showing the structure of a wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention;

제6도는 본 발명의 제3실시예에 따른 웨이퍼세정장치의 구조를 보여주고 있는 도면.6 shows the structure of a wafer cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 프로세스조 12 : 웨이퍼캐리어10: process tank 12: wafer carrier

14 : 웨이퍼 18 : 오버플로우라인14 wafer 18 overflow line

20 : 밸브 22 : 초순수공급라인20: valve 22: ultrapure water supply line

24 : 밸브 40a, 40b, 42a, 42b, 44 : 분사부재24: valve 40a, 40b, 42a, 42b, 44: injection member

50a, 50b : 분사노즐50a, 50b: injection nozzle

본 발명은 반도체소자의 제조장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 웨이퍼를 화학용액으로 세정한 후 그 화학용액과 파티클을 초순수(deionized water)로 제거하는 웨이퍼세정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus for cleaning a wafer with a chemical solution and then removing the chemical solution and particles with deionized water.

반도체제조공정에 있어서 반도체소자의 고집적화에 따라 웨이퍼의 세정공정의 중요성이 더욱 증대되고 있다. 특히 파티클(particles)의 세정관리기준이 더욱 엄격해지고, 유기물, 무기물, 금속 등에 기인한 미세오염에 대한 세정공정의 최적화가 절실히 요구되고 있는 추세에 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION In the semiconductor manufacturing process, the importance of the wafer cleaning process is further increased due to the high integration of semiconductor devices. Particularly, the cleaning management standards for particles are becoming more stringent, and there is an urgent demand for optimization of the cleaning process for micro-contamination caused by organic materials, inorganic materials, and metals.

현재의 세정공정에 사용되고 있는 화학용액의 종류는 다양해지면서, 효율적이고도 최적화된 세정공정을 개발하고 있다. 또한 여러 화학용액의 혼합에 의한 세정효과를 극대화하는 세정방식으로서, 초순수(deionized water)가 프로세스조(process bath)에 넘치도록하여 1차적으로 세정하고, 이어 샤워노즐(shower nozzle)로 초순수를 분사하는 방식이 널리 사용되어 왔다.Various types of chemical solutions used in the current cleaning process are being developed, and efficient and optimized cleaning processes are being developed. In addition, it is a cleaning method that maximizes the cleaning effect by mixing various chemical solutions, and the ultra-pure water is first washed by overflowing the process bath, followed by spraying the ultra-pure water with a shower nozzle. The way of doing this has been widely used.

그러나 이러한 세정방식은 샤워노즐에 기인하여 웨이퍼표면과의 사이에 정전기가 발생하고 그리고 샤워 스프레이분사시 사각지대가 발생하여 파티클이 세정되지 못하는 문제점을 야기한다. 결국 웨이퍼의 세정공정에서 세정안된 파티클은 후속하는 공정에서 소자의 특성에 악영향을 미친다.However, this cleaning method causes a problem that static electricity is generated between the wafer surface due to the shower nozzle and blind spots are generated during the shower spray spray, and the particles are not cleaned. As a result, the particles which are not cleaned in the wafer cleaning process adversely affect the characteristics of the device in subsequent processes.

상술한 세정방식을 사용하는 종래의 웨이퍼세정장치의 구조가 제1도에 도시되어 있다. 제1도에 도시된 바와 같이, 종래의 웨이퍼세정장치는 웨이퍼(14)가 수납된 웨이퍼캐리어(a wafer carrier ; 12)를 수용하는 프로세스조(10)를 구비하고 있다. 상기 프로세스조(10)의 저부에는 오버플로우라인(18)이 연결되어 있고, 밸브(20)의 조작에 따라 초순수가 화살표(16)의 방향으로, 즉 상기 프로세스조(10)의 바닥에서 상부로 향하여 분사되어 그 프로세스조(10)를 넘쳐 흐르도록 하면서 상기 웨이퍼(14)를 세정한다. 이어, 상기 프로세스조(10)의 양측상부에 설치된 분사노즐인 샤워노즐(30a, 30b)에는 초순수공급라인(22)이 연결되어 있고, 밸브(24)의 조작에 따라 초순수가 상기 샤워노즐(30a, 30b)로부터 상기 웨이퍼(14)를 향하여 분사된다. 상기 샤워 노즐은 초순수의 분사모양에 따라 부채형 샤워노즐과 꼬깔형 샤워노즐로 구분한다. 부채형 샤워노즐에 의하면 제2a도에 도시된 바와 같이 초순수가 부채꼴(52a)로 분사되고, 그리고 꼬깔형 샤워노즐에 의하면 제2b도에 도시되어 있는 바와 같이 초순수가 나사상(52b)으로 분사되는 분사노즐이다.The structure of a conventional wafer cleaning apparatus using the cleaning method described above is shown in FIG. As shown in FIG. 1, the conventional wafer cleaning apparatus includes a process tank 10 for receiving a wafer carrier 12 in which the wafer 14 is housed. An overflow line 18 is connected to the bottom of the process tank 10, and ultrapure water is in the direction of the arrow 16, that is, from the bottom of the process bath 10 to the top according to the operation of the valve 20. The wafer 14 is cleaned while being sprayed toward it to flow over the process tank 10. Subsequently, an ultrapure water supply line 22 is connected to the shower nozzles 30a and 30b which are spray nozzles provided on both sides of the process tank 10, and the ultrapure water is operated by the valve 24. 30b) is sprayed toward the wafer 14. The shower nozzle is divided into a fan-shaped shower nozzle and a cocked shower nozzle according to the spraying shape of ultrapure water. According to the fan-shaped shower nozzle, ultrapure water is injected into the fan shape 52a as shown in FIG. 2a, and the ultra-pure water is sprayed into the screw-like 52b as shown in FIG. Injection nozzle.

이러한 웨이퍼세정장치는 샤워노즐(30a, 30b)이 프로세스조(10)의 양측 상부에만 나란히 설치되어서 웨이퍼(14)를 향하여 초순수를 경사지게 분사하기 때문에, 분사된 초순수가 닿지 않게 되는 사각영역이 있게 되고, 그리고 이 사각영역에서는 세정액으로서의 화학용액과 파티클이 충분히 제거되지 않게 되는 문제점을 갖는다.In the wafer cleaning apparatus, since shower nozzles 30a and 30b are installed side by side only on both sides of the process tank 10 to inject ultrapure water inclined toward the wafer 14, there is a rectangular area where the injected ultrapure water does not touch. In addition, this rectangular area has a problem that the chemical solution and the particles as the cleaning solution are not sufficiently removed.

따라서 본 발명의 목적은 여러 화학용액을 사용하여 웨이퍼를 세정할 때 웨이퍼표면에 대한 사각지대가 발생되지 않도록하여 웨이퍼를 충분히 세정할 수 있는 웨이퍼세정장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a wafer cleaning apparatus capable of sufficiently cleaning a wafer by preventing blind spots on the surface of the wafer when the wafer is cleaned using various chemical solutions.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 웨이퍼세정장치는 화학용액을 세정액으로하여 웨이퍼를 세정한 다음, 프로세스조의 저부에서 토출되는 초순수를 오버플로시키는 단계와 상기 프로세스조의 상부에서 상기 웨이퍼를 향하여 초순수를 분사시키는 단계로 구분하여 웨이퍼를 세정하는 구성을 갖고, 상기 초순수분사단계에서 상기 프로세스조의 상부를 덮기 위한 덮개 및 ; 외부로부터 공급되는 초순수를 상기 프로세스조의 상부로부터 웨이퍼를 향하여 수직적으로 분사하는 초순수분사수단을 구비하되, 상기 초순수분사수단은 상기 덮개에 설치되고, 상기 프로세스조에 대하여 수직하게 복수열로 설치된 복수의 분사노즐들을 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the wafer cleaning apparatus cleans the wafer using a chemical solution as a cleaning liquid, and then overflows the ultrapure water discharged from the bottom of the process bath and the wafer at the top of the process bath. A cover configured to clean the wafer by dividing the ultrapure water toward the cover, and covering the upper portion of the process tank in the ultrapure water spraying step; Ultrapure water injection means for vertically injecting ultrapure water supplied from the outside from the top of the process tank toward the wafer, wherein the ultrapure water injection means is installed on the cover, a plurality of injection nozzles installed in a plurality of rows perpendicular to the process tank Include them.

이 장치에 있어서, 상기 복수의 분사노즐들은 복수의 꼬깔분사형 노즐들로 이루어진 열과 복수의 안개분사형 노즐들로 이루어진 열이 교대로 형성되어 있다.In this apparatus, the plurality of injection nozzles are alternately formed with a row of a plurality of nozzles and a plurality of fog nozzles.

이 장치에 있어서, 상기 덮개는 상기 프로세스조의 양측중간부분에 위치한 회전축에서 회전에 의해 그 프로세스조의 상부를 덮는 제1 및 제2덮개를 포함한다.In this apparatus, the cover includes first and second covers which cover the top of the process bath by rotation on a rotational shaft located at both middle portions of the process bath.

이 장치에 있어서, 상기 제1 및 제2덮개의 각각은 복수의 꼬깔분사형 노즐들로 이루어진 열과 복수의 안개분사형 노즐들로 이루어진 열이 교대로 형성되어 있다.In this apparatus, each of the first and second lids is alternately formed with a row of a plurality of nozzles and a plurality of mist-jet nozzles.

이 장치에 있어서, 상기 덮개는 상기 프로세스조의 상부양측에 위치한 회전축에서 회전에 의해 그 프로세스조의 상부를 덮는 제1 및 제2덮개를 포함한다.In this apparatus, the cover includes first and second covers which cover the top of the process bath by rotation on a rotation axis located on both sides of the top of the process bath.

이하 본 발명의 실시예를 첨부도면 제3도 내지 제6도에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6.

(실시예 1)(Example 1)

제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼세정장치의 구조를 보여주고 있다. 제3도에 있어서, 제1도에 도시된 종래의 웨이퍼세정장치의 구성부품과 동일한 기능을 갖는 구성부품에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.3 shows the structure of a wafer cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 3, the same reference numerals are given together about the components which have the same function as the components of the conventional wafer cleaning apparatus shown in FIG.

다시 제3도에 의하면, 본 발명의 웨이퍼세정장치는 웨이퍼(14)가 수납된 웨이퍼캐리어(12)를 수용하는 프로세스조(10)를 구비하고 있다. 상기 프로세스조(10)의 저부에는 오버플로우라인(18)이 연결되어 있고, 밸브(20)의 조작에 따라 초순수가 화살표(16)의 방향으로, 즉 상기 프로세스조(10)의 바닥에서 상부로 향하여 분사되어 그 프로세스조(10)를 넘쳐 흐르도록 하면서 상기 웨이퍼(14)를 세정한다. 또한 복수의 분사노즐(50a, 50b)이 교대로 설치되어 있는 제1덮개(40a)와 이와 마찬가지로 복수의 분사노즐(50a, 50b)이 교대로 설치되어 있는 제2덮개(40b)가 프로세스조(10)의 양측으로부터 회전에 의해서 그 프로세스조(10)의 상부를 덮을 수 있도록 설치되어 있다. 상기 각 덮개(40a, 40b)는 각진 ㄱ형상으로 되어 있어서, 각 덮개의 회전축이 있는 프로세스조(10)의 중간부분에서 회전되어 상기 프로세스조(10)를 덮는다. 각각의 덮개에 대한 상기 복수의 분사노즐(50a, 50b)의 배열은, 실질적으로 제4도에 도시되어 있는 바와 같이, 안개모양으로 분사하는 복수의 분사노즐(50a)로 이루어진 열과 꼬깔모양으로 분사하는 복수의 분사노즐(50b)로 이루어진 열이 교대로 배열되어 있다.Referring again to FIG. 3, the wafer cleaning apparatus of the present invention includes a process tank 10 for receiving a wafer carrier 12 in which a wafer 14 is housed. An overflow line 18 is connected to the bottom of the process tank 10, and ultrapure water is in the direction of the arrow 16, that is, from the bottom of the process bath 10 to the top according to the operation of the valve 20. The wafer 14 is cleaned while being sprayed toward it to flow over the process tank 10. In addition, the first cover 40a, in which the plurality of injection nozzles 50a, 50b are alternately installed, and the second cover 40b, in which the plurality of injection nozzles 50a, 50b are alternately installed, is provided in the process tank ( It is provided so that the upper part of the process tank 10 may be covered by rotation from both sides of 10). The lids 40a and 40b are angled a-shapes so as to be rotated in the middle portion of the process tub 10 with the rotating shaft of each lid to cover the process tub 10. The arrangement of the plurality of injection nozzles 50a, 50b for each cover is sprayed in the shape of a row with a plurality of injection nozzles 50a spraying in a mist, as shown substantially in FIG. The rows of the plurality of injection nozzles 50b are alternately arranged.

이어, 상기 프로세스조(10)의 양측상부에 설치된 분사노즐인 분사노즐(50a, 50b)에는 초순수공급라인(22)이 연결되어 있고, 밸브(24)의 조작에 따라 초순수가 상기 분사노즐(50a, 50b)로부터 상기 웨이퍼(14)를 향하여 수직적으로 분사된다.Subsequently, an ultrapure water supply line 22 is connected to the injection nozzles 50a and 50b, which are injection nozzles installed on both sides of the process tank 10, and the ultrapure water is supplied to the injection nozzle 50a according to the operation of the valve 24. 50b is vertically ejected toward the wafer 14.

따라서, 상기 프로세스조(10)의 상부에서 웨이퍼를 향하여 초순수를 분사시키는 단계에서 웨이퍼를 세정할 때, 상기 복수의 분사노즐(50a, 50b)에서 분사되는 초순수는 프로세스조(10)내의 웨이퍼(14)를 향하여 수직적으로 향하기 때문에, 초순수가 닿지 않게 되는 영역이 없다. 그 결과, 웨이퍼의 전부분을 충분히 세정할 수 있다.Therefore, when cleaning the wafer in the step of spraying the ultrapure water toward the wafer from the top of the process tank 10, the ultrapure water sprayed from the plurality of injection nozzles (50a, 50b) is the wafer 14 in the process tank 10 Since it faces vertically toward), there is no area where ultrapure water does not reach. As a result, the entire part of the wafer can be sufficiently cleaned.

(실시예 2)(Example 2)

제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼세정장치의 구조를 보여주고 있다. 제2실시예의 웨이퍼세정장치는, 프로세스조(10)를 덮으면서 초순수를 분사하는 덮개가 일자형으로 되어 있고 그리고 회전축이 상기 프로세스조(10)의 상부양측에 있는 것을 제외하고는 제1실시예의 웨이퍼세정장치(제3도의 구조)와 동일한 구조를 갖는다. 제4도에 있어서, 제3도에 도시된 구성부품과 동일한 기능을 갖는 구성부품에 대해서는 동일한 참조번호를 병기하고, 그에 대한 중복설명은 생략한다.5 shows the structure of a wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention. In the wafer cleaning apparatus of the second embodiment, the wafer of the first embodiment is covered except that the cover for spraying ultrapure water while covering the process tank 10 has a straight line, and the rotating shaft is on both sides of the upper part of the process tank 10. It has the same structure as the washing apparatus (structure of FIG. 3). In FIG. 4, components having the same functions as those shown in FIG. 3 are given the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

제5도에 의하면, 복수의 분사노즐(50a, 50b)이 교대로 설치되어 있는 제1덮개(42a)와 마찬가지로 복수의 분사노즐(50a, 50b)이 교대로 설치되어 있는 제2덮개(42b)가 프로세스조(10)의 상부양측으로부터 회전에 의해서 그 프로세스조(10)의 상부를 덮을 수 있도록 설치되어 있다. 상기 각 덮개(42a, 42b)는 일자형으로 형성되어 있어서, 각 덮개의 회전축이 있는 프로세스조(10)의 상부양단에서 회전되어 상기 프로세스조(10)를 덮는다. 각각의 덮개에 대한 상기 복수의 분사노즐(50a, 50b)의 배열은, 실질적으로 제4도에 도시되어 있는 바와 같이, 안개모양으로 분사하는 복수의 분사노즐(50a)로 이루어진 열과 꼬깔모양으로 분사하는 복수의 분사노즐(50b)로 이루어진 열이 교대로 배열되어 있다.According to FIG. 5, the 2nd cover 42b in which the some injection nozzles 50a and 50b are alternately provided similarly to the 1st cover 42a in which the some injection nozzles 50a and 50b are alternately provided. It is provided so that the upper part of the process tank 10 may be covered by rotation from the upper both sides of the process tank 10. Each of the lids 42a and 42b is formed in a straight shape, and is rotated at both ends of the upper portion of the process tank 10 having the rotating shaft of each of the lids to cover the process tank 10. The arrangement of the plurality of injection nozzles 50a, 50b for each cover is sprayed in the shape of a row with a plurality of injection nozzles 50a spraying in a mist, as shown substantially in FIG. The rows of the plurality of injection nozzles 50b are alternately arranged.

(실시예 3)(Example 3)

제6도는 본 발명의 제3실시예에 따른 웨이퍼세정장치의 구조를 보여주고 있다. 제3실시예의 웨이퍼세정장치는 프로세스조(10)를 덮으면서 초순수를 분사하는 분사수단이 일자형으로 되어 있고 그리고 하나의 덮개로 되어 있는 것을 제외하고는 제1실시예의 웨이퍼세정장치(제3도의 구조)와 동일한 구조를 갖는다. 제6도에 있어서, 제3도에 도시된 구성부품과 동일한 기능을 갖는 구성부품에 대해서는 동일한 참조번호를 병기하고, 그에 대한 중복설명은 생략한다.6 shows the structure of a wafer cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention. The wafer cleaning apparatus of the third embodiment is the wafer cleaning apparatus of the first embodiment except that the injection means for injecting ultrapure water while covering the process tank 10 is a straight line and has a single cover (the structure of FIG. 3). Have the same structure as In FIG. 6, components having the same functions as those shown in FIG. 3 are given the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

제6도에 의하면, 복수의 분사노즐(50a, 50b)이 교대로 설치되어 있는 덮개(44)가 프로세스조(10)의 일측으로부터 회전에 의해서 그 프로세스조(10)의 상부를 덮을 수 있도록 설치되어 있다. 상기 덮개(44)는 일자형으로 형성되어 있어서, 상기 덮개의 회전축이 있는 프로세스조(10)의 상부일측단에서 회전되어 상기 프로세스조(10)를 덮는다. 상기 덮개에 대한 상기 복수의 분사노즐(50a, 50b)의 배열은, 실질적으로 다른 실시예와 마찬가지로 제4도에 도시되어 배열구조를 갖는다. 즉, 안개모양으로 분사하는 복수의 분사노즐(50a)로 이루어진 열과 꼬깔모양으로 분사하는 분사노즐(50b)로 이루어진 열이 교대로 배열되어 있다.According to FIG. 6, the cover 44 in which the plurality of injection nozzles 50a and 50b are alternately installed is installed so as to cover the upper part of the process tank 10 by rotation from one side of the process tank 10. It is. The cover 44 is formed in a straight shape, and is rotated at one end of the upper portion of the process tank 10 with the rotating shaft of the cover to cover the process tank 10. The arrangement of the plurality of injection nozzles 50a, 50b with respect to the lid is shown in FIG. 4 substantially as in other embodiments, and has an arrangement structure. That is, a row of a plurality of injection nozzles 50a for spraying mist and a row of injection nozzles 50b for spraying a corkscrew are alternately arranged.

이 실시예의 효과는 상기 제1,2실시예의 효과와 마찬가지로 동일한 효과를 갖는다. 예를 들어, 웨이퍼를 향하여 상부에서 수직적으로 초순수를 분사할 수 있기 때문에, 초순수가 도달하지 않는 영역이 없기 때문에 충분한 웨이퍼의 세정효과를 얻을 수 있다.The effects of this embodiment have the same effects as those of the first and second embodiments. For example, since the ultrapure water can be injected vertically from the top toward the wafer, since there is no area where the ultrapure water does not reach, sufficient cleaning effect of the wafer can be obtained.

Claims (5)

(정정) 화학용액을 세정액으로하여 웨이퍼를 세정한 다음, 프로세스조의 저부에서 토출되는 초순수를 오버플로시키는 단계와 상기 프로세스조의 상부에서 상기 웨이퍼를 향하여 초순수를 분사시키는 단계로 구분하여 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼세정장치에 있어서, 상기 초순수분사단계에서 상기 프로세스조의 상부를 덮기 위한 덮개 및 ; 외부로부터 공급되는 초순수를 상기 프로세스조의 상부로부터 웨이퍼를 향하여 수직적으로 분사하는 초순수분사수단을 구비하되, 상기 초순수분사수단은 상기 덮개에 설치되고, 상기 프로세스조에 대하여 수직하게 복수열로 설치된 복수의 분사노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼세정장치.(Correction) A wafer for cleaning the wafer by dividing the wafer with the chemical solution as a cleaning liquid and then overflowing the ultrapure water discharged from the bottom of the process tank and spraying the ultrapure water toward the wafer from the top of the process bath. A washing apparatus comprising: a cover for covering an upper portion of the process tank in the ultrapure water spraying step; Ultrapure water injection means for vertically injecting ultrapure water supplied from the outside from the top of the process tank toward the wafer, wherein the ultrapure water injection means is installed on the cover, a plurality of injection nozzles installed in a plurality of rows perpendicular to the process tank Wafer cleaning apparatus comprising a. 제1항에 있어서, 상기 복수의 분사노즐들은 복수의 꼬깔분사형 노즐들로 이루어진 열과 복수의 안개분사형 노즐들로 이루어진 열이 교대로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼세정장치.The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the plurality of injection nozzles are alternately formed of rows of a plurality of nozzles and nozzles of a plurality of mist jet nozzles. 제1항에 있어서, 상기 덮개는 상기 프로세스조의 양측중간부분에 위치한 회전축에서 회전에 의해 상기 프로세스조의 상부를 덮는 제1 및 제2덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼세정장치.The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the cover comprises first and second covers covering the upper part of the process bath by rotation on a rotation axis located at both middle portions of the process bath. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2덮개의 각각은 복수의 꼬깔분사형 노즐들로 이루어진 열과 복수의 안개분사형 노즐들로 이루어진 열이 교대로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼세정장치.4. The wafer cleaning apparatus according to claim 3, wherein each of the first and second lids is formed by alternately forming rows of a plurality of nozzles and nozzles of a plurality of mist jet nozzles. 제1항에 있어서, 상기 덮개는 상기 프로세스조의 상부양측에 위치한 회전축에서 회전에 의해 그 프로세스조의 상부를 덮는 제1 및 제2덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼세정장치.The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the cover includes first and second covers covering the upper part of the process bath by rotation on a rotation shaft located at both sides of the upper part of the process bath.
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