KR100186931B1 - 텅스텐 중합금의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 텅스텐 중합금의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 텅스텐, 니켈, 철, 망간을 혼합하여 성형하고, 그 성형품을 소결하여 제조하였으나, 망간의 중량이 0.5% 이상에 되면 기공이 발생하는 문제점이 있었다. 본 발명은 망간을 함유한 텅스텐 중합금의 경우에 기공의 형성이 텅스텐, 니켈, 철 분말의 표면에 있는 산화물들이 환원되면서 산화망간을 만들기 때문이라는 사실을 고려하여, 망간을 제외한 성분만으로 구성된 성형체 또는 소결체를 먼저 제조하고, 그 위에 망간을 얹어서 소결하는 방법으로 제조함으로서, 기공의 생성을 억제하여, 비이론 밀도 100%의 텅스텐 중합금을 얻을 수 있는 효과가 있다.

Description

텅스텐 중합금의 제조방법
제1도는 종래 텅스텐 중합금의 소결공정을 설명하기 위한 공정도.
제2도는 종래 제조방법에 의해 제조된 텅스텐 중합금의 광학현미경 미세조직 사진으로, (a)는 93W-5.5Ni-1.4Fe-0.1Mn계 중합금, (b)는 93W-3.6Ni-0.9Fe-2.5Mn계 중합금.
제3도는 본 발명의 성형체 위에 망간이 얹혀진 상태를 보인 상태도.
제4도는 본 발명의 텅스텐 중합금의 제조순서를 보인 플로우 챠트.
제5도는 본 발명 텅스텐 중합금의 소결공정을 설명하기 위한 공정도.
제6도는 본 발명 텅스텐 중합금의 광학현미경 미세조직 사진으로, (a)는 성형품 모재에 망간을 용침한 경우, (b)는 소결품 모재에 망간을 용침한 경우.
본 발명은 텅스텐 중합금(W heavy alloy)의 제조방법에 관한 것으로, 특히 망간(Mn)을 함유하면서 기공(pores)이 없는 텅스텐 중합금의 제조방법에 관한 것이다.
텅스텐 중합금은 90중량% 이상의 텅스텐을 주로 하고, 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 및 망간으로 구성된다.
운동에너지탄(kinetic energy penetrator)의 관통자 재료로 주로 이용되는 W-Ni-Fe계와 W-Ni-Co계 텅스텐 중합금에 망간을 첨가하면 텅스텐의 입자를 미세화 시키며, 단열전단변형(adiabatic shear band)을 촉진시키는 것으로 알려져 있다 [A. Bose, H. Couque, J. Lankford, Jr., Influence of Microstructure on Shear Localization in Tungsten Heavy Alloys, ed. by A. Bose and R. J. Dowding, Proc. Tungsten and Tungsten Alloys, MPIF, Princeton Nj, 1992, pp 291-298. ]. 텅스텐 입자의 미세화와 단열전단변형의 촉진은 텅스텐 중합금의 기계적 성질(mechanical property)과 에너지 집중도를 증가시켜 관통력 증대에 기여하게 된다.
따라서, 최근에 운동에너지탄의 관통력 증대를 위해서, W-Ni-Fe계 및 W-Ni-Co계 중합금에 미량의 망간을 첨가하여 공지의 W-Ni-Fe-Mn계 및 W-Ni-Co-Mn계 중합금이 개발되었다. 이들 공지의 망간을 함유한 중합금은 텅스텐, 니켈, 철, 코발트, 및 망간 분말을 원하는 조성으로 혼합(mixing)한 후, 성형(compacting)하여 제1도에 나타낸 공지의 소결공정도와 같이 수소 분위기(hydrogen atnmosphere)에서 액상소결(liquid phase sintering)하는 방법에 의하여 제조되고 있다.
제2a, b도는 위와 같은 공지의 방법에 의하여 제조된 W-Ni-Fe-Mn의 조성을 갖는 중합금의 광학현미경 미세조직 사진이다. 그림에서 보는 바와 같이, (a)의 0.1% 망간이 포함된 경우에는 둥근 텅스텐 입자가 기지상에 균일하게 잘 분포하고 있음을 알 수 있다.
그러나, (b)와 같이 망간의 함량이 증가하여 중량으로 0.5% 이상이 되면 검은 잔류 기공들(pores )이 생성되는 단점이 있다.
이러한 잔류 기공의 형성은 망간의 함량을 제한하게 되어 중합금의 기계적 강도를 현저히 낮추게 되고, 운동에너지탄의 관통자 소재로의 사용을 제한한다.
따라서, 망간을 함유하는 텅스텐 중합금을 운동에너지탄에 이용하기 위해서는 잔류 기공의 생성을 억제하면서 망간의 함량을 높일 수 있는 제조방법의 개발이 필수적이다.
이에 따라 본 발명은 잔류 기공이 없으면서 망간을 0.5% 이상 함유하는 텅스텐 중합금을 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 90중량% 이상의 텅스텐에 니켈, 철, 코발트 중 1종 이상이 선택된 중합금 성형체를 제조하는 단계와, 그 성형체의 상면에 일정중량의 망간을 얹어놓은 상태로 수소분위기의 소결노의 내측에 넣고 1350℃-1500℃로 유지하여 망간이 녹아서 상기 성형체의 기공속으로 스며들면서 소결되어 망간산화물의 생성 및 환원에 의하여 생성되는 잔류기공의 생성을 억제하는 단계의 순서로 진행하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 중합금의 제조방법이 제공된다.
상기 망간의 함량은 0.1%-5%의 범위를 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 90중량% 이상의 텅스텐에 티켈, 철, 코발트 중 1종 이상이 선택된 중합금의 소결체를 제조하는 단계와, 그 소결체의 상면에 망간을 얹어 놓은 상태로 수소분위기인 소결노의 내측에 넣고 1350℃-1500℃에서 유지하여 망간이 녹아서 상기 소결체의기공속으로 스며들어서 망간산화물의 생성 및 환원에 의해 생성되는 잔류기공의 생성을 억제하는 단계의 순서로 진행하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 중합금의 제조방법이 제공된다.
상기 망간의 함량은 0.1%-5%의 범위를 가지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기와 같은 소결방법들에서 각기 소결온도를 1350℃-1500℃로 한정한 이유는 망간의 용융온도인 1246℃ 이상에서는 항상 적용가능하나 소결온도가 1350℃ 보다 낮은 경우에는 액상소결이 진행되지 않고 고상소결이 진행되므로 운동에너지탄 재료로 사용되기에는 매우낮은 강도를 갖기 때문이고, 1500℃로 제한한 이유는 망간의 경우에 증기압이 매우 높아서 1500℃ 이상이 되면 휘발되어 없어지기 때문에 실제 적용시 어려움이 있기 때문이다.
그리고, 망간의 함량을 각기 0.1%-5%로 한정하는 이유는 망간의 함량에 관계없이 적용할 수 있으나, 본 발명의 목적이 망간이 첨가되었을 때 잔류기공이 생성되는 단점을 없애고자 하는 것이기 때문에 망간이 0.1%이하가 첨가되는 것은 의미가 없으며 망간의 함량을 5%로 제한하는 이유는 망간의 함량이 5%이상인 경우에는 실험적으로(표 1) 비이론밀도가 99.8%가 되어 잔류기공이 생성되는 것을 의미하므로 망간의 함량을 5%로 제한한 것이다.
이하, 상기와 같은 방법으로 제조되는 본 발명 텅스텐 중합금의 제조방법을 첨부된 도면을 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 발명의 성형체 위에 망간이 얹혀진 상태를 보인 상태도로서, 도시된 바와 같이, 본 발명은 90중량% 이상의 텅스텐 분말에 니켈, 철, 코발트 분말 중 1종 이상이 선택된 중합금 성형체(green compact) 위에 망간을 올려놓고, 수소 분위기에서 1350℃-1500℃의 온도 구간에서 소결하는 방법으로 이루어진다. 이 경우에 융점이 낮은 망간이 먼저 녹아 모세관력(capillary force)에 의해 성형체의 내부로 빨려들어 감으로서 산화에 의한 기공의 형성을 억제할 수 있다.
또한, 위와 동일한 방법에 의하여 제조되나 다만 망간을 성형체가 아니라 소결체 위에 올려서 소결하는 방법으로 이루어 진다. 여기서 초기 소결체의 제조는 제1도에 나타낸 공지의 방법으로 행하였다. 이 경우에는, 초기 소결체의 소결과정중에 망간을 제외한 중합금 구성 원소들의 환원 및 소결이 이루어져, 후에 첨가되는 망간이 산화될 수 있는 기회가 없으며 확산(diffusion)에 의하여 초기 소결체 내로 침투됨으로서 기공의 생성을 억제할 수 있다.
제4도는 본 발명 텅스텐 중합금의 제조순서를 보인 플로우 차트로서, 도시된 바와 같이, 먼저 90중량% 이상의 텅스텐(W)과 니켈(Ni) 및 철(Fe)의 분말을 일정한 조성이 되도로 혼합한 후 성형하고, 이 성형체 위에 중량으로 3%의 함량이 되도록 망(Mn)을 평량하여 성형체를 만들어, 제3도와 같이 W-Ni-Fe 성형체 위에 올려서 제5도와 같은 소결공정을 수행한다.
상기와 같은 두가지 방법의 텅스텐 중합금의 제조방법을 실험예를 통하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 텅스텐 분말에 니켈, 철, 코발트 분말중 1종이 선택되어 이루어진 성형체 위에 망간을 얹어놓고 소결하는 방법을 설명한다.
중량%로서 93W-4.8Ni-1.2Fe의 분말조성이 되도록 평량하여 혼합하고, 10㎜×10㎜×750㎜의 플로팅 다이(floating die)에 넣어 성형체를 제조한 다음, 그 위에 중량으로 1%가 되도록 순수 망간 분말을 성형하여 제4도와 같이 얹어서, 제5도에 나타낸 소결공정에 의하여 아래 표 1의 시편1을 제조하였다. 위에 나타낸 공정의 특징은, 산소에 대한 친화력이 상대적으로 큰 망간 분말을 텅스텐, 니켈 및 철 분말에서 분리하여 소결함으로서 기공의 생성을 억제하는 것이다.
위의 시편1과 동일한 과정의 제조공정을 수행하되 다만 망간분말의 함량을 중량%로 3과 5로 증가시켜 시편2,3을 제조하였다.
이와 같은 본 발명의 망간 첨가방법에 의하여 얻어진 시편들에 대한 측정밀도, 이론밀도 및 비이론 밀도를 표 1에 나타내었다.
여기서, 측정밀도는 수중 부유법(Archimeean method)을 이용하여 구하였으며, 각 조건당 5개 이상의 실험결과로 부터 평균값을 구하였다. 이론밀도는 기공이 없다고 가정하여 중합금 구성원소들의 이론밀도로 부터 중합급의 조성(composition)을 고려하여 계산하였다.
표 1에서 보는 바와 같이 본 발명의 소결법에 의하여 얻어진 시편들은 종래의 방법에 의하여 얻어진 시편(시편4,5,6)에 비하여 망간의 함량이 많음에도 불구하고 거의 100%의 이론밀도를 나타내고 있음을 알 수 있다. 이는 상대적으로 산화성이 큰 망간을 텅스텐, 니켈 및 철 분말과 분리시킴으로서 소결시 미환원된 망간에 의한 기공의 생성을 억제하였기 때문이다.
위의 과정에 의하여 소결된 시편의 미세조직 사진은 W-Ni-Fe-Mn계 중합금 내에 기공의 생성을 보다 명확하게 보여준다. 제6a도는 시편3에 대한 미세조직을 나타낸 사진으로서, 본 발명의 제조방법에 의하여 제조된 시편3은 망간(Mn)의 함량이 많음에도 불구하고 기공이 거의 없음을 알 수 있다.
다음은, 텅스텐 분말에 니켈, 철, 코발트 분말중 1종이 선택되어 이루어진 소결체 위에 망간을 얹어놓고 소결하는 방법을 설명한다.
상기 표 1의 시편1,2와 동일한 방법으로 시편을 제조하되 다만 W-Ni-Fe 성형체 대신에, 성형체를 제1도와 같은 공지의 방법에 의하여 소결하고, 이 소결체를 성형체 대신에 사용하여 시편을 제조하여 밀도 및 미세조직을 조사하였다.
이와 같은 망간 첨가방법을 통하여 얻어진 연구결과를 표 2에 나타내었다.
표 2에서와 같이 망간을 소결체 위에 얹어서 첨가하는 방법을 사용하여도 비이론 밀도의 100%를 갖는 W-Ni-Fe-Mn계 중합금을 제조할 수 있음을 알 수 있다. 제6b도는 상기와 같은 방법에 의해 제조된 표 2이 시편중에 시편8의 광학 현미경 미세조직 사진으로 기공이 거의 없음을 알 수 있다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명 텅스텐 중합금의 제조방법에 의하면 기공이 거의 없고, 이론 밀도가 100%인 중합금의 제조가 가능하며, 이와 같은 제조방법은 다른 조성을 갖는 텅스텐 중합금계의 망간 첨가방법으로도 이용될 수 있다.
즉, W-Ni-Cu, W-Ni-Co및 W-Ni-Fe-Co 계 중합금이 그 예가 될 수 있으며, 따라서 W-Ni-Fe-Mn계 중합금의 제조에만 한정하지 않는다.

Claims (4)

  1. 90중량% 이상의 텅스텐에 니켈, 철, 코발트 중 1종 이상이 선택된 중합금 성형체를 제조하는 단계와, 그 성형체의 상면에 일정중량의 망간을 얹어놓은 상태로 수소분위기의 소결노의 내측에 넣고 1350℃-1500℃로 유지하여 망간이 녹아서 상기 성형체의 기공속으로 스며들면서 소결되어 망간산화물의 생성 및 환원에 의하여 생성되는 잔류기공의 생성을 억제하는 단계의 순서로 진행하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 중합금의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 망간의 함량은 0.1%-5%의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 텅스텐 중합금의 제조방법.
  3. 90중량% 이상의 텅스텐에 니켈, 철, 코발트 중 1종 이상이 선택된 중합금의 소결체를 제조하는 단계와, 그 소결체의 상면에 망간을 얹어 놓은 상태로 수소분위기인 소결노의 내측에 넣고 1350℃-1500℃에서 유지하여 망간이 녹아서 상기 소결체의 기공속으로 스며들어서 망간산화물의 생성 및 환원에 의해 생성되는 잔류기공의 생성을 억제하는 단계의 순서로 진행하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 중합금의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 망간의 함량은 0.1%-5%의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 텅스텐 중합금의 제조방법.
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