KR100186502B1 - Rtp system for semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조를 위한 알·티·피 시스템에 복수개의 리액터를 설치하여 교대로 투입되도록 하므로써 투입된 웨이퍼가 리액터의 잔열이 주는 영향을 받지 않도록 하여 알·티·피 공정의 생산성 및 공정 재현성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.According to the present invention, a plurality of reactors are installed in alternating RTP systems for semiconductor manufacturing so that the wafers introduced are not affected by the residual heat of the reactor, thereby improving productivity and process reproducibility of the RTP processes. It is to help improve.
이를 위해, 본 발명은 알·티·피 공정을 제어하고 각종 공정 조건의 입·출력을 제어하기 위한 제어용 모니터(1)와, 상기 제어용 모니터(1) 일측에 설치되며 알·티·피 공정을 위한 웨이퍼의 로딩 및 언로딩용 캐리어를 제어하는 로드 록(2)과, 상기 로드 록(2) 일측에 설치되며 상기 로드 록(2)에 위치한 웨이퍼를 반송하는 반송아암(3)이 설치된 트랜스퍼 챔버(4)와, 상기 트랜스퍼 챔버(4) 외측에 설치되는 복수개의 리액터 챔버(5)와, 상기 리액터 챔버(5) 내에 각각 장착되며 웨이퍼의 열적 확산에 의한 산화막 형성 및 어닐링이 진행되는 복수개의 리액터(6)와, 상기 리액터(6)에 순차적으로 로딩되는 웨이퍼의 산화막 형성 공정 및 어닐링 공정에 사용되는 각종 도펀트 및 가스를 제어하기 위해 상기 리액터(6) 일측에 각각 설치되는 복수개의 가스 패널(7)로 구성된 반도체 제조 공정의 잔열 방지형 알·티·피 시스템이다.To this end, the present invention provides a control monitor (1) for controlling the RTP process and the I / O of various process conditions, and on one side of the control monitor (1). Transfer chamber is provided with a load lock (2) for controlling the carrier for loading and unloading the wafer for the wafer, and a carrier arm (3) installed on one side of the load lock (2) for conveying the wafer located in the load lock (2) (4), a plurality of reactor chambers 5 installed outside the transfer chamber 4, and a plurality of reactors respectively mounted in the reactor chamber 5, in which oxide film formation and annealing by thermal diffusion of a wafer are performed. (6) and a plurality of gas panels 7 respectively provided on one side of the reactor 6 for controlling various dopants and gases used in the oxide film formation process and the annealing process of the wafer sequentially loaded in the reactor 6. Phrase The residual heat is tolerant Al-Ti-blood system of a semiconductor manufacturing process.
Description
제1도는 종래의 알·티·피 장비를 나타낸 평면도1 is a plan view showing a conventional R-P equipment
제2도는 본 발명에 따른 알·티·피 장비를 나타낸 평면도2 is a plan view showing the R-P equipment according to the present invention
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
1 : 제어용 모니터 2 : 로드 록1: Control monitor 2: Load lock
3 : 반송아암 4 : 트랜스퍼 챔버3: carrier arm 4: transfer chamber
5 : 리액터 챔버 6 : 리액터5: reactor chamber 6: reactor
7 : 가스 패널7: gas panel
[발명의 상세한 설명]Detailed description of the invention
본 발명은 반도체 제조 공정의 잔열 방지형 알·티·피 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조를 위한 알·티·피 공정의 생산성 및 공정 재현성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a residual heat prevention type RTP system of a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to improve the productivity and process reproducibility of an RTP process for semiconductor manufacturing.
일반적으로, 알·티·피(R.T.P : Rapid Thermal Process) 장비는 열적 확산에 의한 산화막 형성 및 각종 어닐링(annealing) 공정에 사용되는 장비로서, 종래의 알·티·피 장비는 제1도에 나타낸 바와 같이, 알·티·피 공정을 제어하고 각종 공정 조건의 입·출력을 제어하기 위한 제어용 모니터(1)와, 알·티·피 공정을 위한 웨이퍼의 로딩 및 언로딩용 캐리어를 제어하는 로드 록(2)과, 상기 로드 록(2)에 위치한 웨이퍼를 반송아암(3)을 이용하여 리액터(Reactor)(6)로 이송하거나 리액터 챔버(Reactor ChamberIn general, RTP equipment is used for oxide film formation and various annealing processes by thermal diffusion, and conventional RTP equipment is shown in FIG. As described above, a control monitor 1 for controlling the RTP process and the I / O of various process conditions, and a rod for controlling the carrier for loading and unloading wafers for the RTP process The lock 2 and the wafer located in the load lock 2 are transferred to the reactor 6 using the transfer arm 3 or the reactor chamber.
)(5)내의 웨이퍼를 로드 록(2)으로 이송하는 트랜스퍼 챔버(4)와, 상기 리액터 챔버(5) 내에 설치되며 웨이퍼가 로딩되어 열적 확산에 의한 산화막 형성 공정이 진행되는리액터(6)와, 상기 리액터(6)에 로딩된 웨이퍼의 산화막 형성 공정 및 어닐링 공정에 진행되는 리액터(6)와, 상기 리액터(6)에 로딩된 웨이퍼의 산화막 형성 공정 및 어닐링 공정에 사용되는 각종 도펀트 및 가스를 제어하기 위해 가스 패널(Gas Pannel)(7)로 구성된다.A transfer chamber (4) for transferring the wafers in the wafer (5) to the load lock (2), a reactor (6) installed in the reactor chamber (5), in which the wafer is loaded and an oxide film forming process by thermal diffusion is performed And various dopants and gases used in the oxide film formation process and annealing process of the wafer loaded on the reactor 6 and the oxide film formation process and annealing process of the wafer loaded in the reactor 6. It consists of a gas panel 7 for control.
따라서, 종래의 알·티·피 공정시에는, 먼저 제어용 모니터(1)에 입력된 프로그램을 선택하고, 로드 록(2)의 옵셔널 스테이션(8)에 웨이퍼를 로딩시킨 후, 제어용 모니터(1)의 작업시작 스위치를 온(ON)시키게 된다.Therefore, in the conventional RTP process, the program input to the control monitor 1 is first selected, the wafer is loaded into the optional station 8 of the load lock 2, and then the control monitor 1 Turn on the job start switch of).
이와 같이, 작업시작 스위치를 온시킴에 따라 리액터 챔버(5)가 개방되면, 트랜스퍼 챔버(4)의 반송아암(3)은 로드 록(2)의 옵셔널 스테이션(8)에 위치한 웨이퍼를 리액터 챔버(5) 내로 반송하여 리액터(6)에 로딩시키게 되며, 그 후 리액터 챔버(5)가 닫힌 상태에서 알·티·피 공정이 수행된다.In this way, when the reactor chamber 5 is opened by turning on the start switch, the transfer arm 3 of the transfer chamber 4 moves the wafer positioned at the optional station 8 of the load lock 2 to the reactor chamber. (5) It is conveyed into the reactor 6, and it loads in the reactor 6, and after that, an R-T process is performed in the state in which the reactor chamber 5 was closed.
또한, 알·티·피 공정이 완료된 후에 리액터 챔버(5)가 개방됨에 따라 트랜스퍼 챔버(4)의 반송아암(3)은 리액터(6)에 로딩된 웨이퍼를 다시 로드 록(2)으로 이송하게 되며, 리액터 챔버(5)의 도어는 다시 닫히게 된다.In addition, as the reactor chamber 5 is opened after the RTP process is completed, the transfer arm 3 of the transfer chamber 4 causes the wafer loaded in the reactor 6 to be transferred to the load lock 2 again. The door of the reactor chamber 5 is closed again.
한편, 상기와 같이 이루어지는 웨이퍼의 알·티·피 공정은 주로 연속적으로 진행된다.On the other hand, the Al-T p process of the wafer comprised as mentioned above is mainly advanced continuously.
그러나, 이와 같은 종래의 알·티·피 장비는 연속 작업시, 먼저 행해진 알·티·피 공정에 기인한 리액터(6) 내의 잔열로 인해 웨이퍼 투입시 웨이퍼의 공정 재현성이 나쁘게 되는 문제점이 있었다.However, such conventional R-P equipment has a problem in that the process reproducibility of the wafer at the time of wafer input becomes poor due to the residual heat in the reactor 6 caused by the R-P process performed first during continuous operation.
즉, 리액터(6) 내의 잔열로 인해 웨이퍼의 투입시, 원치 않는 산화막이 형성되는 초기 이상산화가 발생하는 문제점이 있었다.That is, due to the residual heat in the reactor 6, there was a problem that initial abnormal oxidation occurs when an unwanted oxide film is formed when the wafer is inserted.
또한, 연속 작업시에도 하나의 리액터(5)에서 알·티·피 공정을 진행시켜야 하므로 웨이퍼의 작업 대기 시간이 길어짐에 따라 생산성이 저하되는 등 많은 문제점이 있었다.In addition, since the AL T-P process must be performed in one reactor 5 during continuous operation, there are many problems such as productivity decreases as the work waiting time of the wafer becomes longer.
본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 제조를 위한 알·티·피 시스템에 복수개의 리액터를 설치하여 투입된 웨이퍼가 리액터의 잔열이 주는 영향을 받지 않도록 하므로써 알·티·피 공정의 생산성 및 공정 재현성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 제조 공정의 잔열 방지형 알·티·피 시스템을 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the plurality of reactors are installed in the RTP system for semiconductor manufacturing so that the wafers introduced are not affected by the residual heat of the reactor. An object of the present invention is to provide a residual heat prevention type RF system for a semiconductor manufacturing process capable of improving productivity and process reproducibility.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 알·티·피 공정을 제어하고 각종 공정 조건의 입·출력을 제어하기 위한 제어용 모니터와, 상기 제어용 모니터 일측에 설치되며 알·티·피 공정을 위한 웨이퍼의 로딩 및 언로딩용 캐리어를 제어하는 로드 록과, 상기 로드 록 일측에 설치되며 상기 로드 록에 위치한 웨이퍼를 반송하는 반송아암이 설치된 트랜스퍼 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버 외측에 설치되는 복수개의 리액터 챔버와, 상기 리액터 챔버 내에 각각 장착되며 웨이퍼의 열적 확산에 의한 산화막 형성 및 어닐링이 진행되는 복수개의 리액터와, 상기 리액터에 순차적으로 로딩되는 웨이퍼의 산화막 형성 공정 및 어닐링 공정에 사용되는 각종 도펀트 및 가스를 제어하기 위해 상기 리액터 일측에 각각 설치되는 복수개의 가스 패널로 구성된 반도체 제조 공정의 잔열 방지형 알·티·피 시스템이다.In order to achieve the above object, the present invention provides a control monitor for controlling the R-T process and controlling the input / output of various process conditions, and installed on one side of the control monitor for the R-T process. A transfer chamber having a load lock for controlling a carrier for loading and unloading a wafer, a transfer arm installed at one side of the load lock and carrying a wafer located at the load lock, and a plurality of reactor chambers provided outside the transfer chamber. And a plurality of reactors, each of which is mounted in the reactor chamber and undergoes oxide film formation and annealing by thermal diffusion of the wafer, and various dopants and gases used in the oxide film formation process and annealing process of the wafer sequentially loaded in the reactor. Semiconductor consisting of a plurality of gas panels respectively installed on one side of the reactor for controlling The residual heat-proof Al-Ti-blood system of the manufacturing process.
이하, 본 발명의 일 실시예를 첨부되면 제2도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 as follows.
제2도는 본 발명에 따른 알·티·피 장비를 나타낸 평면도로서, 본 발명은 알·티·피 공정을 제어하고 각종 공정 조건의 입·출력을 제어하기 위한 제어용 모니터(1)가 설치되고, 상기 제어용 모니터(1) 일측에는 알·티·피 공정을 위한 웨이퍼의 로딩 및 언로딩용 캐리어를 제어하는 로드 록(2)이 설치되며, 상기 로드 록(2) 일측에는 상기 로드 록(2)에 위치한 웨이퍼를 반송하는 반송아암(3)이 설치된 트랜스퍼 챔버(4)가 설치된다.2 is a plan view showing the RTP equipment according to the present invention, the present invention is provided with a control monitor 1 for controlling the RTP process and controlling the input / output of various process conditions. One side of the control monitor (1) is provided with a load lock (2) for controlling the carrier for loading and unloading the wafer for R-T process, the load lock (2) on one side of the load lock (2) The transfer chamber 4 provided with the transfer arm 3 which conveys the wafer located in is provided.
또한, 상기 트랜스퍼 챔버(4) 외측에는 복수개의 리액터 챔버(5)가 설치되고, 상기 리액터 챔버(5) 내에는 웨이퍼의 열적 확산에 의한 산화막 형성 및 어닐링이 진행되는 복수개의 리액터(6)가 각각 장착되며, 상기 리액터 챔버(5) 일측에는 리액터 챔버(5)의 각 리액터(6)에 순차적으로 로딩되는 웨이퍼의 산화막 형성 공정 및 어닐링 공정에 사용되는 각종 도펀트 및 가스를 제어하기 위한 복수개의 가스 패널(7)이 설치되어 구성된다.In addition, a plurality of reactor chambers 5 are provided outside the transfer chamber 4, and a plurality of reactors 6 in which oxide film formation and annealing are performed in the reactor chamber 5 by thermal diffusion of a wafer are respectively performed. A plurality of gas panels mounted on one side of the reactor chamber 5 to control various dopants and gases used in an oxide film formation process and an annealing process of a wafer sequentially loaded in each reactor 6 of the reactor chamber 5; (7) is installed and configured.
이와 같이 구성된 본 발명의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and effects of the present invention configured as described above are as follows.
알·티·피 공정의 진행시, 먼저 제어용 모니터(1)에 입력된 프로그램을 선택하고, 로드 록(2)의 옵셔널 스테이션(8)에 웨이퍼를 로딩시킨 후, 제어용 모니터(1)의 작업시작 스위치를 온(ON)시키게 된다.At the time of the RTP process, the program input to the control monitor 1 is first selected, the wafer is loaded into the optional station 8 of the load lock 2, and the operation of the control monitor 1 is performed. The start switch will be turned ON.
이와 같이, 작업시작 스위치를 온시킴에 따라 리액터 챔버(5)가 개방된 후에는, 트랜스퍼 챔버(4)의 반송아암(3)은 로드 록(2)의 옵셔널 스테이션(8)에 위치한 웨이퍼를 리액터 챔버(5) 내로 반송하여 리액터(6)에 로딩시키게 되며, 그 후 리액터 챔버(5)가 닫힌 상태에 알·티·피 공정이 수행된다.Thus, after the reactor chamber 5 is opened by turning on the start switch, the transfer arm 3 of the transfer chamber 4 removes the wafer located at the optional station 8 of the load lock 2. The reactor is transported into the reactor chamber 5 and loaded into the reactor 6, and thereafter, the RTP process is performed in the state where the reactor chamber 5 is closed.
또한, 알·티·피 공정이 완료되어 리액터 챔버(5)가 개방됨에 따라 트랜스퍼 챔버(4)의 반송아암(3)은 리액터(6)에 로딩된 웨이퍼를 다시 로드 록(2)으로 이송하게 되며, 리액터 챔버(5)의 도어는 다시 닫치게 된다.In addition, as the R / T process is completed and the reactor chamber 5 is opened, the transfer arm 3 of the transfer chamber 4 causes the wafer loaded in the reactor 6 to be transferred to the load lock 2 again. The door of the reactor chamber 5 is closed again.
한편, 알·티·피 공정이 웨이퍼의 계속적인 투입에 따라 연속적으로 이루어질 때, 본 발명의 알·티·피 장비에서는 종래와는 달리 하나의 리액터(6)에서 알·티·피 공정이 수행되고 나서 공정이 완료된 웨이퍼가 언로딩된 다음, 이에 이어서 투입되는 웨이퍼는 다른 리액터(6)에 로딩된다.On the other hand, when the R.T.P. process is continuously performed according to the continuous loading of the wafer, the R.T.P. process is performed in one reactor 6 unlike the conventional one in the R.T.P. Then, the wafer whose process is completed is unloaded, and then the wafer to be loaded is loaded into another reactor 6.
즉, 알·티·피 공정을 위해 투입되는 웨이퍼는 투입 순서대로 번갈아가며 서로 다른 리액터(6)에 각각 로딩된다.That is, the wafers to be loaded for the R / T process are loaded in different reactors 6 alternately in the order of loading.
따라서, 웨이퍼에 대한 알·티·피 작업이 연속적으로 진행됨에도 불구하고 웨이퍼는 먼저 알·티·피 공정이 행해진 리액터(6) 내로 투입되지 않으므로 인해 리액터(6)의 잔열로 인해 발생하는 이상산화 등의 현상을 방지할 수 있게 된다.Therefore, the wafer is not introduced into the reactor 6 in which the R-P process is first performed even though the R-P operation is continuously performed. Therefore, abnormal oxidation occurs due to the residual heat of the reactor 6. This phenomenon can be prevented.
즉, 바로 직전에 공정이 수행된 리액터(6) 내의 잔열로 인해 투입된 웨이퍼에 원치않는 산화막이 형성되어 웨이퍼의 공정 재현성이 나쁘게 되는 문제점을 해소할 수 있게 된다.That is, an unwanted oxide film is formed on the injected wafer due to the residual heat in the reactor 6 in which the process was performed immediately before, so that the problem of poor process reproducibility of the wafer can be solved.
또한, 연속 작업시 복수개의 리액터 챔버(5)에서 알·티·피 공정을 진행시켜 웨이퍼의 작업 대기 시간을 단축시킬 수 있으므로 인해 생산성이 향상되는 효과를 가져오게 된다.In addition, since the R.T.P. process may be performed in the plurality of reactor chambers 5 during the continuous operation, the work waiting time of the wafer may be shortened, resulting in the effect of improving productivity.
이상에서와 같이, 본 발명은 반도체 제조를 위한 알·티·피 시스템에 복수개의 리액터(6)를 설치하여 투입되는 웨이퍼가 다른 리액터(6)에 교대로 투입되게 하므로써 리액터(6)의 잔열이 주는 영향을 받지 않고 공정이 진행되도록 하여 알·티·피 공정의 생산성 및 공정 재현성을 향상시킬 수 있도록 한 매우 유용한 발명이다.As described above, in the present invention, a plurality of reactors 6 are installed in an RTP system for semiconductor manufacturing so that the residual wafers of the reactor 6 are alternately introduced into the other reactors 6. It is a very useful invention that can improve the productivity and process reproducibility of the Al-T process by allowing the process to proceed without being affected.
Claims (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100805843B1 (en) * | 2001-12-28 | 2008-02-21 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | Method of forming copper interconnection, semiconductor device fabricated by the same and system for forming copper interconnection |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960026093A patent/KR100186502B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100805843B1 (en) * | 2001-12-28 | 2008-02-21 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | Method of forming copper interconnection, semiconductor device fabricated by the same and system for forming copper interconnection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980005862A (en) | 1998-03-30 |
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