KR100186304B1 - R.f dry etching apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 알.에프 접점부의 드라이 장치에 관한 것으로, 종래에는 헥소우드 및 페데스탈의 온도를 7℃ 정도로 유지시킴에 따라 알.에프인가부의 주변온도(약 20∼23℃)와의 차이로 인해 알.에프인가부에 습기가 발생하며, 이 습기로 인해 알.에프인가부와 알.에프로드 접점부에 습기가 형성되어 알.에프 파워의 손실 발생으로 인해 식각공정에 치명적 영향을 미치는 문제점을 가지고 있었다.[0001] The present invention relates to a dry apparatus for an aluminum oxide (AlF) contact portion, and conventionally, by keeping the temperature of hexo wood and pedestal at about 7 [deg.] C, Moisture is generated in the application area of the fuse, and moisture is formed in the contact area of the fuse and the fuse of the fuse due to the moisture, thereby causing the fuse damage to the etching process due to the loss of the fuse power .
그러나, 본 발명에서는 알.에프인가부와 알.에프로드 부위에 습기를 감지하는 습도감지센서를 부착하는 것과, 시스템 C.P.U가 인지하고 있는 습도세트값을 비교하여 습도제거를 제어하는 습도비교기와, 상기 습도비교기는 전자밸브를 제어하고, 상기 전자밸브는 뉴메틱밸브를 구동시켜 기체가스를 알.에프인가부와 알.에프로드에 공급하며, 상기 기체가스는 드라이 N2로 구성되어, 알.에프인가부와 알.에프로드 사이에 발생하는 습기현상을 완전제거하여 공정상의 알.에프 손실을 완벽하게 없앨 수 있으며, 이로 인한 식각공정의 신뢰성을 확보할 수 있다.However, in the present invention, a humidity comparator is provided for attaching a humidity sensor for detecting moisture to the AL / F applied portion and the AL / F-rod portion, and for comparing the humidity set value recognized by the system CPU to control the humidity removal, Wherein the humidity comparator controls the solenoid valve, the solenoid valve drives the pneumatic valve to supply a gas gas to the ALF and the ALF, wherein the gas comprises dry N 2 , It is possible to eliminate the moisture phenomenon occurring between the FPC and the FPC to completely eliminate the FPC loss in the process, thereby ensuring the reliability of the etching process.
Description
제1도는 종래 기술의 전체적인 식각공정을 보인 공정 순서도.FIG. 1 is a process flow diagram showing an overall etch process of the prior art; FIG.
제2도는 본 발명의 전체적인 식각공정의 공정 순서도를 보인 것으로, 알.에프 접점부의 드라이 장치를 보인 공정도.FIG. 2 is a process flow chart of the entire etching process of the present invention, and is a process diagram showing a dry apparatus of an AL contact.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
5 : 알.에프인가부 8 : 시스템 C.P.U5: AL. FEP authorization section 8: System C.P.U
11 : 습도감지센서 12 : 습도비교기11: Humidity sensor 12: Humidity comparator
13 : 전자밸브 14 : 뉴메틱밸브13: Solenoid valve 14: Pneumatic valve
19 : 알.에프로드19: Alfred Road
본 발명은 알.에프(R.F)인가 접점부의 드라이 장치에 관한 것으로, 특히 알.에프인가부와 알.에프로드 부위에 습기가 발생하여 알.에프파워에 손실이 발생하는 것을 방지하게, 습도감지센서와 습도비교기와 전자밸브와 뉴메틱밸브를 설치하여, 식각공정 챔버내에 일정하게 알.에프파워를 공급할 수 있도록 한, 알.에프 접점부의 드라이 장치에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to a dry apparatus of an RF (RF) contact part, and more particularly, to a dry apparatus capable of preventing moisture from being generated in an AL / The present invention relates to a dry device of an AL contact, in which a sensor, a humidity comparator, an electromagnetic valve, and a pneumatic valve are provided to supply ALF power uniformly into the etching process chamber.
제1도는 종래의 전체적인 식각공정을 보인 공정 순서도를 나타낸 것으로, 도시한 바와 같이, 종래의 식각공정 구성은, 공정을 진행할 수 있는 프로세스쳄버(1)내에는 헥소우드(3), 페데스탈(2), 가스튜브(4)가 있으며, 챔버(1)의 진공유지를 위한 버터플라이밸브(15), 터보게이트밸브(16), 터보펌프(17) 및 터핑펌프(18)로 구성되어 있다.FIG. 1 is a flowchart showing a conventional overall etching process. As shown in FIG. 1, a conventional etching process includes a process chamber 1 in which a process chamber 1 is provided with a hexowood 3, a pedestal 2, And a gas tube 4 and is constituted by a butterfly valve 15, a turbo gate valve 16, a turbo pump 17 and a tamping pump 18 for maintaining the vacuum of the chamber 1.
또한 헥소우드(3) 및 페데스탈(2)에 알.에프파워 공급을 위한 알.에프발생기(7), 알.에프메치박스(6), 알.에프인가부(5), 알.에프로드(19)등이 있으며 헥소우드(3)의 내부온도를 일정하게 유지시켜 주는 역할을 하는 냉각기(10)로 구성되어 있다. 도면중 미설명부호 8은 시스템 C.P.U, 9는 헥소우드(3)와 냉각기(10)를 연결해 주는 배관을 나타낸 것이다.In addition, an ALF generator 7, an ALF box 6, an ALF application unit 5, an ALF power supply (not shown) for supplying ELF power to the hexoward 3 and the pedestal 2, 19), and a cooler (10) serving to keep the internal temperature of the hexwood (3) constant. In the figure, reference numeral 8 denotes a system C.P.U, and 9 denotes a piping connecting the hector (3) and the cooler (10).
이와 같이 구성된 종래의 알.에프 접점부의 드라이 장치에 있어서, 공정진행을 위해 챔버(1)내의 일정한 압력을 버터플라이밸브(15), 터보게이트밸브(16), 터보펌프(17), 터핑펌프(18)로 유지시키면서 공정을 위한 특정 가스를 가스튜브(4)에 통하여 공정 진행 조건을 만족시킨다.In the dry etching apparatus of the conventional artifact having such a structure, the constant pressure in the chamber 1 is supplied to the butterfly valve 15, the turbo gate valve 16, the turbo pump 17, the tamping pump 18) and the specific gas for the process is passed through the gas tube 4 to satisfy the process progress condition.
또한 알.에프파워 공급은 시스템 C.P.U(8)에서 알.에프 세트값을 주면, 알.에프발생기(7)와 알.에프메칭박스(6) 및 알.에프인가부(5)를 통하여 헥소우드(3)에 부착된 페데스탈(2)의 온도를 일정하게 유지시켜 준다.In addition, the ALF power supply is supplied to the system CPU 8 via the ALF generator 7, the ALF box 6 and the ALF application unit 5, The temperature of the pedestal 2 attached to the pedestal 3 is kept constant.
상기의 이와 같은 공정조건으로 공정을 실시하여 식각공정을 진행한다.The etching process is carried out under the above-mentioned process conditions.
그러나 이러한 종래의 알.에프 접점부의 드라이 장치는, 헥소우드 및 페데스탈의 온도를 7℃ 정도로 유지시킴에 따라 알.에프인가부의 주변온도(약 20∼23℃)와의 차이로 인해 알.에프인가부에 습기가 발생하며 이 습기로 인해 알.에프인가부와 알.에프로드 접점부에 습기가 형성되어 알.에프파워의 손실 발생으로 인해 식각공정에 치명적인 영향을 미치는 문제점을 가지고 있었다.However, in such a conventional dry-type dry etching apparatus, since the temperature of the heptool and the pedestal is maintained at about 7 ° C, the drying time of the dry etching apparatus is shortened due to the difference from the ambient temperature (about 20 to 23 ° C) And the moisture is generated in the contact portion of the AlF, the AlF, and the AlF due to the moisture, which has a problem that the etching process is severely affected by the loss of the AlF power.
따라서, 본 발명의 목적은 알.에프인가부와 알.에프로드 부위에 습기가 발생하여 알.에프파워에 손실이 발생하는 것을 방지하게, 습도감지센서와 습도비교기와 전자밸브와 뉴메틱밸브를 설치하여, 식각공정 챔버내에 일정하게 알.에프파워를 공급할 수 있도록 한, 알.에프 접점부의 드라이 장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a humidity sensor, a humidity comparator, an electromagnetic valve and a pneumatic valve in order to prevent moisture from being generated in the region of the electrode, So that the AlF power can be constantly supplied into the etching process chamber.
이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 알.에프인가부와 알.에프로드 부위에 습도를 감지하는 습도감지센서를 부착하는 것과, 시스템 C.P.U가 인지하고 있는 습도 세트값을 비교하여 습도제거를 제어하는 습도 비교기와, 상기 습도 비교기는 전자밸브를 제어하며, 상기 전자밸브는 뉴메틱밸브를 구동시켜 기체가스를 알.에프인가부와 알.에프로드에 공급하기 위해 알.에프(R.F) 접점부의 드라이 장치를 제공한다.In order to accomplish the object of the present invention, it is necessary to attach a humidity sensor for detecting humidity to the area of the ALF and the ELF rod, and to compare the humidity set value recognized by the system CPU, And the humidity comparator controls the solenoid valve, and the solenoid valve drives the pneumatic valve to supply the gas gas to the RF application unit and the RF power supply, Thereby providing a negative dry device.
상기 기체가스는 드라이 N2로 구성되어 있다.The gaseous gas is composed of dry N 2 .
이하, 본 발명에 의한 알.에프 접점부의 드라이 장치를 첨부도면에 의거하여 설명하면 다음과 같다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a dry apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
제2도는 본 발명의 전체적인 식각공정의 공정 순서도를 보인 것으로, 알.에프 접점부의 드라이 장치를 보인 공정도를 나타낸 것으로, 이에 도시한 바와 같이, 알.에프인가부(5)와 알.에프로드(19) 부위에 습기를 감지하는 습도감지센서(11)를 부착시키고 습도비교기(12)에 의해서 시스템 C.P.U(8)가 인지하고 있는 습도세트값을 비교하여 습도제거를 제어하는 습도비교기(12)와, 상기 습도비교기(12)는 전자밸브(13)를 제어하며, 상기 전자밸브(13)는 뉴메틱밸브(14)를 구동시켜 기체가스인 드라이 N2를 알.에프인가부(5)와 알.에프로드(19)에 공급하여 습기를 제거하게 구성되어 있다.FIG. 2 is a process flow diagram of the entire etching process according to the present invention, and shows a process drawing showing a dry apparatus of the AL contact portion. As shown in FIG. 2, the ALF application portion 5, A humidity comparator 12 for attaching a humidity sensor 11 for detecting humidity to the humidity sensor 12 and comparing the humidity set value recognized by the system CPU 8 by the humidity comparator 12 to control the humidity elimination the humidity comparator 12 controls the electromagnetic valve 13, the electromagnetic valve 13 to drive the pneumatic valve 14 to know the base gas is a dry N 2. F. applying unit 5 and the Al To the EF rod 19 to remove moisture.
상기 기체가스는 드라이 N2로 구성한다.The gaseous gas is composed of dry N 2 .
상기와 같이 구성되는 본 발명에 의한 알.에프 접점부의 드라이 장치의 작용효과를 설명하면 다음과 같다. 종래 기술과 동일한 것은 동일 부호를 붙여 설명하기로 한다.Hereinafter, the operation and effect of the dry-etching apparatus of the present invention will be described. The same reference numerals are given to the same components as those in the prior art.
종래의 알.에프인가부(5)와 알.에프로드(19) 부위에 습기가 생기는 것을 해결하기 위해서, 알.에프인가부(5)와 알.에프로드(19) 부위에 습도감지센서(11)를 부착하여 항상 습도를 감지하게 되며, 이 습도정도(程度)는 습도비교기(12)에서 알.에프파워 손실을 발생시키지 아니하는 수준의 기준습도를 인지하고 있는 시스템 C,P,U(8)의 습도 세트값과 비교를 하게 된다.It is necessary to provide a humidity sensor (not shown) at the site of the AL / F applying section 5 and the AL / F-rod 19 in order to prevent moisture from being generated at the site of the conventional AL / 11) is attached to detect the humidity at all times, and the degree of humidity is detected by the system C, P, U () which recognizes the reference humidity level that does not cause the A / F power loss in the humidity comparator 12 8). ≪ / RTI >
그러므로 습도감지센서(11)에서 감지되는 습도의 값이 습도 세트값 이상일 경우, 전자밸브(13)에 온 시그날을 주어 뉴메틱밸브(14)를 동작시켜 자동적으로 알.에프인가부(5)와 알.에프로드(19)에 기체가스인 드라이 N2를 공급하여 습기를 완전 제거하게 된다.Therefore, when the humidity detected by the humidity sensor 11 is equal to or greater than the humidity set value, an on signal is given to the solenoid valve 13 to operate the pneumatic valve 14 to automatically apply the ON / Dry N 2 , which is a gaseous gas, is supplied to the ALF rod 19 to completely remove moisture.
만약, 습도감지센서(11)에서 감지되는 습도의 값이 습도 세트값 이하로 낮아질 경우에는, 자동적으로 습도비교기(12)에 의해 전자밸브(13)에 오프 시그날을 보내 뉴메틱밸브(14)를 구동시키지 않아 알.에프인가부(5)와 알.에프로드(19)에 기체가스인 드라이 N2의 공급을 중단시킨다.If the value of the humidity detected by the humidity sensor 11 is lower than the humidity set value, the humidity comparator 12 automatically sends an OFF signal to the solenoid valve 13 to transmit the pneumatic valve 14 The supply of the dry gas N 2 , which is the gas gas, is stopped to the ALF applying section 5 and the ALF load 19 without being driven.
상기의 설명한 바와 같이, 알.에프인가부(5)와 알.에프로드(19)에 습기가 차면 알.에프파워에 손실이 발생하게 되는데, 알.에프인가부(5)와 알.에프로드(19)의 부위에 습도감지센서(11)를 설치하여 습도비교기(12)가 시스템 C.P.U(8)의 습도값과 비교하여, 습기정도(程度)에 따라 기체가스인 드라이 N2를 공급 및 중단 역할을 반복하여 알.에프 접점부의 습기를 제거하는 알.에프 접점부의 드라이 장치이다.As described above, if moisture is present in the ALF applying section 5 and the ALF load 19, a loss is generated in the ALF power. However, if the ALF application section 5 and the ALF- A humidity sensor 11 is provided at a position of the humidity sensor 19 and the humidity comparator 12 compares the humidity value with the humidity value of the system CPU 8 to supply and stop the dry gas N 2 , It is the dry device of the AL contact which removes the moisture of the AL contact by repeating the role.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 알.에프 접점부의 드라이 장치는, 알.에프인가부와 알.에프로드 부위에 습기를 감지하는 습도 감지센서를 부착하는 것과, 시스템 C.P.U가 인지하고 있는 습도세트값을 비교하여 습도제거를 제어하는 습도비교기와, 상기 습도비교기는 전자밸브를 제어하며, 상기 전자밸브는 뉴메틱밸브를 구동시켜 기체가스를 알.에프인가부와 알.에프로드에 공급하고, 상기 기체가스는 드라이 N2로 구성되어, 알.에프인가부와 알.에프로드사이에 발생하는 습기현상을 완전 제거하여 공정상의 알.에프파워 손실을 완벽하게 없앨 수 있으며, 이로 인한 식각공정의 신뢰성을 확보할 수 있다.As described above, according to the present invention, the dry apparatus of the O.F. point of contact section is characterized by attaching a humidity sensor for detecting moisture to the O.F. application section and the O.F. rod section, The humidity comparator controls the solenoid valve. The solenoid valve drives the pneumatic valve to supply the gas to the AlF excitation part and the AlF , The gas is composed of dry N 2 , thereby completely eliminating the wetting phenomenon occurring between the AlF applied portion and the AlF sputtering rod to completely eliminate the AlF power loss in the process, and the etching process Can be secured.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012613A KR100186304B1 (en) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | R.f dry etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012613A KR100186304B1 (en) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | R.f dry etching apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072142A KR970072142A (en) | 1997-11-07 |
| KR100186304B1 true KR100186304B1 (en) | 1999-04-15 |
Family
ID=19456524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012613A KR100186304B1 (en) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | R.f dry etching apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100186304B1 (en) |
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1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012613A patent/KR100186304B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970072142A (en) | 1997-11-07 |
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