KR0181911B1 - 반도체 웨이퍼 분석설비 - Google Patents

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Abstract

일련의 반도체 소자 제조공정을 수행한 웨이퍼의 공정불량 여부를 검사하는 반도체 웨이퍼 분석설비에 관한 것이다.
본 발명은, 카세트에 적재된 일련의 반도체 소자 제조공정이 진행된 웨이퍼가 로봇의 동작에 의해서 상기 카세트가 놓이는 안착부에서 로딩되어 얼라이너에서 특정방향성을 가지도록 얼라인되어 로드록챔버에서 대기시간을 가진 후 공정챔버로 이송되어 웨이퍼 상에 진행된 반도체 소자 제조공정의 불량여부를 검사하는 분석공정이 진행되도록 구성된 반도체 웨이퍼 분석설비에 있어서, 상기 카세트가 놓이는 안착부가 상기 로드록챔버 상부에 설치됨을 특징으로 한다.
따라서, 분석설비가 차지하는 공간확보의 어려움을 해결할 수 있고, 로봇이 웨이퍼 로딩시 로딩불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 분석설비
제1도는 종래의 반도체 웨이퍼 분석설비의 개략적인 구성도이다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 분석설비의 일실시예를 나타내는 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 로봇 12 : 안착부
14 : 얼라이너 16 : 로드록챔버
18 : 공정챔버
본 발명은 반도체 웨이퍼 분석설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 일련의 반도체 소자 제조공정을 수행한 웨이퍼의 공정불량 여부를 검사하는 반도체 웨이퍼 분석설비에 관한 것이다.
통상, 반도체 소자를 제조하는 공정은 산화공정, 확산공정, 증착공정, 식각공정, 금속공정 등이 반복수행됨에 따라서 웨이퍼 상에는 다중의 막질이 적층된다.
이때, 웨이퍼 상에 형성되는 선폭(Critical dimension)은 반도체 소자가 고집적화됨에 따라서 더욱 미세하게 형성되어야 하므로 분석설비의 주사전자현미경을 이용하여 웨이퍼 상의 각 셀에 형성된 선폭의 길이를 검사하여 이를 시정하고 있다.
제1도는 종래의 반도체 웨이퍼 분석설비의 개략적인 구성도이다.
제1도를 참조하면, 종래의 반도체 웨이퍼 분석설비는, 확산공정, 산화공정, 식각공정, 증착공정, 금속공정 등의 일련의 반도체 소자 제조공정이 진행되어 복수의 막질이 형성된 웨이퍼가 투입되어 특정 대기시간을 가지는 로드록챔버(16)와 웨이퍼 상에 형성된 선폭의 길이를 측정하는 공정챔버(18)가 연결구성되어 있다.
상기 공정챔버(18) 내부에는 주사전자현미경이 중앙에 고정되어 있으므로 검사할 웨이퍼의 각 셀영역이 주사전자현미경과 수직으로 동일선상에 위치하도록 웨이퍼가 이동하여서 웨이퍼 상의 각 셀영역에 형성된 선폭의 길이를 측정하도록 되어 있다.
또한, 로드록챔버(16) 일측에는 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하는 로봇(10)이 위치하고, 로봇(10)의 하부(도면상)에는 일련의 반도체 소자 제조공정이 진행되어 복수의 막질이 형성된 웨이퍼가 적재된 카세트가 놓여지는 안착부(12)가 형성되어 있다.
또한, 안착부(12)에 위치한 카세트에 적재된 웨이퍼가 로봇(10)에 의해서 로딩되어 특정방향성을 가지도록 위치조절되는 얼라이너(14)가 로봇(10)의 일측에 위치하여 있다.
따라서, 로봇(10)은 일련의 반도체 소자 제조공정이 진행되어 복수의 막질이 형성된 웨이퍼가 적재된 카세트가 위치한 안착부(12)에서 웨이퍼를 로딩한다.
웨이퍼를 로딩한 로봇(10)은 얼라이어(14)로 이동하여 로딩된 웨이퍼가 특정방향성을 가지도록 조절하여 로드록챔버(16)로 이송시킨다.
로드록챔버(16)로 이송된 웨이퍼는 일정 대기시간을 가진 후 공정챔버(18) 내부로 이송된다.
공정챔버(18)로 이송된 웨이퍼는 웨이퍼 상의 각 셀영역에 형성된 선폭의 길이를 측정하는 분석공정이 진행된다.
분석공정은, 웨이퍼가 공정챔버(18) 내부 중앙에 고정된 주사전자현미경 하부로 이동되어 웨이퍼 가장자리 부분에 형성된 셀영역 등의 각 셀영역과 주사전자현미경이 수직적 동일선상으로 일치시켜 웨이퍼 상에 형성된 선폭의 길이를 측정한다.
따라서, 웨이퍼의 직경이 12 인치(Inch) 등으로 대구경화되어 웨이퍼의 직경이 증가함으로 인해서 분석설비의 크기도 더불어 증가하여 청정실 내부에 분석설비가 차지하는 공간의 확보가 어려운 문제점도 있었다.
또한, 청정실 내부의 안착부에 위치하는 카세트와 작업자가 쉽게 부딪힘으로 인해서 카세트의 위치가 변동되어 로봇이 웨이퍼 로딩시 로딩불량이 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 반도체 웨이퍼가 대구경화됨으로 인해서 웨이퍼 분석설비의 크기가 증가함으로 인해 청정실 내부에서 분석설비가 차지하는 공간확보의 어려움을 해결할 수 있는 반도체 웨이퍼 분석설비를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 청정실 내부의 안착부에 위치하는 카세트와 작업자가 쉽게 부딪힘으로 인해서 카세트의 위치가 변동되어 로봇이 웨이퍼 로딩시 로딩불량이 발생하는 것을 방지하는 반도체 웨이퍼 분석설비를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 분석설비는, 카세트에 적재된 일련의 반도체 소자 제조공정이 진행된 웨이퍼가 로봇의 동작에 의해서 상기 카세트가 놓이는 안착부에서 로딩되어 얼라이너에서 특정방향성을 가지도록 얼라인되어 로드록챔버에서 대기시간을 가진후 공정챔버로 이송되어 웨이퍼 상에 진행된 반도체 소자 제조공정의 불량여부를 검사하는 분석공정이 진행되도록 구성된 반도체 웨이퍼 분석설비에 있어서, 상기 카세트가 놓이는 안착부가 상기 로드록챔버 상부에 설치됨을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 분석설비의 일실시예를 나타내는 구성도이다.
제2도를 참조하면, 일련의 반도체 소자 제조공정이 진행되어 웨이퍼 상에 산화막, 질화막, 금속막 등이 적층된 웨이퍼가 투입되는 로드록챔버(16)와 상기 웨이퍼 상에 형성된 선폭의 길이를 측정하는 분석공정이 진행되는 공정챔버(18)가 연결구성되어 있다.
그리고, 상기 일련의 반도체 소자 제조공정이 진행된 웨이퍼가 적재된 카세트가 놓이는 안착부(12)가 로드록챔버(16) 상부에 위치하여 있다.
또한, 공정챔버(18) 하부(도면상)에 얼라이너(14) 및 로봇(10)이 순차적으로 위치하여 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 분석설비는, 로봇(10)은 로드록챔버(16) 상부의 안착부(12)에 위치한 카세트에 적재된 웨이퍼를 로딩하여 얼라이너(14)로 이동한다.
로봇(10)에 의해서 얼라이너(14)로 이동된 웨이퍼는 특정방향을 가지도록 위치조절되어 로드록챔버(16)로 이송된다.
로드록챔버(16)로 이송된 웨이퍼는 특정 대기시간을 가진 후 공정챔버(18)로 이송되어 웨이퍼 상에 형성된 선폭의 길이를 측정하는 분석공정이 진행된다.
본 발명에 따라서, 웨이퍼의 직경이 12인치 등으로 대구경화됨으로 인해서 청정실에서 분석설비가 차지하는 공간확보의 어려움을 해결할 수 있고, 청정실 내부의 저면에 위치하는 카세트가 로드록챔버 상부에 위치함으로 인해서 작업자와 카세트가 쉽게 부딪혀 카세트의 위치가 변동되는 것이 방지되어 로봇이 웨이퍼 로딩시 로딩불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연하다.

Claims (1)

  1. 카세트에 적재된 일련의 반도체 소자 제조공정이 진행된 웨이퍼가 로봇의 동작에 의해서 상기 카세트가 놓이는 안착부에서 로딩되어 얼라이너에서 특정방향을 가지도록 얼라인되어 로드록챔버에서 대기시간을 가진후 공정챔버로 이송되어 웨이퍼 상에 진행된 반도체 소자 제조공정의 불량여부를 검사하는 분석공정이 진행되도록 구성된 반도체 웨이퍼 분석설비에 있어서, 상기 카세트가 놓이는 안착부가 상기 로드록챔버 상부에 설치됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 분석설비.
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