KR0180221B1 - 합성수지 기판 특히 폴리메틸 메타크릴레이트 기판을 알루미늄으로 코우팅하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

합성수지 기판 특히 폴리메틸 메타크릴레이트 기판을 알루미늄으로 코우팅하기 위한 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

진공 코우팅 실(15a)에 설치된 음극(5)에 접속되고, 스퍼터링할 타겟(3)에 전기적으로 접속되는 직류전원(10) 수단에 의하여; 스퍼터링 입자는 기판(1)에 석출부착되는, 알루미늄을 폴리메틸메타아크릴레이트로 된 기판(1)에 코우팅하는 장치로서; 프로세스가스로서 헬륨을 코우팅 실(15,15a)로 도입하여 접착성과 수명을 개선한다.

Description

합성수지 기판 특히 폴리메틸메타크릴레이트 기판을 알루미늄으로 코우팅하기 위한 장치 및 방법.
본 발명은, 배기하여 진공으로 할 수 있는 코우팅실 내에 배치되어 있는 전극에 연결되고, 스퍼터 되어야 할 타겟에 전기적으로 연결되고, 스퍼터링 피착된 입자는 기판에 퇴적되고, 프로세스 가스는 코우팅실 내측으로 도입될 수 있는 직류전원의 수단에 의하여, 기판, 특히 폴리메틸메타크릴레이트 기판을 금속, 특히 알루미늄으로 코우팅하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
공지된 방법에서는, 알루미늄층이 중간물 또는 접착층이 없이 폴리카보네이트와 같은 합성수지 기판에 직접 스퍼터링된다. 이 방법으로는 알루미늄의 산화 안정도가 매우 제한되어 있는 것이 단점이고, 즉 예를 들면 피착 기판을 너무 장기간 두게 되면 피착층이 부식될 수 있다.
그 외에도 선택된 합성수지에만 확실히 적용될 수 있는 것이 단점이다.
통상적으로 사용할 수 있는 플렉시 글라스와 같은 폴리메틸아크릴레이트의 그룹에서 합성수지의 코우팅은 특수한 문제를 야기시킨다. 이 재료는 자외선의 방사에 특수한 감수성이 있으므로 스퍼터링된 층은 금방 박리된다. 실제로 불활성 가스인 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논 전부는 그 플라즈마가 70-146 나노미터(㎚) 범위의 파장에서 자외선 빛을 방사한다.
본 발명의 목적은, 통상적으로 이미 사용하고 있는 장치로서, 복잡하고 값비싼 수정이나 변경이 없이 합성수지 기판에 스퍼터링되는 알루미늄층의 접착성을 실제적으로 개량하는데 적합한 장치를 제공하는데 있다.
제1도는 직류 스퍼터링 장치를 도시한다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 합성수지 기판 2 : 층
3 : 타겟 4 : 음극 조(槽, trough)
5 : 음극 10 : 직류전원
15, 15a : 코우팅실 16 : 가스실린더
18 : 밸브 22 : 가스공급관
이 목적은 헬륨(He)이 프로세스 가스로 코우팅실 내에 도입되는 본 발명에 의하여 달성된다.
본 발명에서는 진공 코우팅 실에 설치된 음극에 접속되고, 스퍼터링 타겟에 전기적으로 접속되는 직류전원수단에 의하여 ; 스퍼터링 입자는 기판에 석출퇴적되는, 알루미늄을 폴리메틸메타아크릴레이트로 된 기판에 코우팅하는 장치로서; 프로세스가스로서 헬륨을 코우팅 실로 도입하여 접착성과 사용수명을 개선한다.
본 발명은 다양하게 실시할 수 있다. 그 중에 하나는 첨부도면에 더 상세하게 개략적으로 설명되어 있고, 직류 스퍼터링용 스퍼터링 장치가 도시되었다.
제1도에는 얇은 도전층(2)이 갖추어져 있는 합성수지 기판(1)이 도시되어 있다.
스퍼터링 할 타겟(3)은 합성수지 기판(1) 맞은편에 위치하여 있다.
횡단면이 U자형으로 된 음극조(4)는 자성 요크(6) 또는 프레임 상에 받쳐져 있는 음극(5)에 접속되어 있다.
이 요크(6)와 U자형의 음극조(4) 사이에는 세 개의 영구자석(7)(8)(9)이 끼워넣어져 있다.
타겟(3)을 향하고 있는 3개의 영구자석의 극성은 중앙에 위치하고 있는 영구자석(8)의 N극과 2개의 외측 영구자석(7)(9)의 각 남(S)극이 함께 타겟(3)을 통해 아아치형 자장을 발생시키도록 번갈아 놓여 있다.
이 자장은 타겟(3)의 전방에서 플라즈마의 강도를 증가시키고, 그러한 플라즈마는 최대량의 아아치형 자장을 이루는 최대 밀도를 지닌다.
플라즈마의 이온은 직류 전원(10)에 의하여 급전되는 직류에 의해 발생되는 전기장에 의하여 가속된다.
음극과 두 개의 유도자(11)(12)를 거쳐서 이 직류 전원(10)은 음극(5)에 접속된다. 전기장은 타겟(3)의 표면에 수직으로 대기하고, 가공실(25)과 컨테이너(24) 내에 배치된 타겟(3) 방향으로 플라즈마의 양이온을 가속화한다.
많은 량의 원자 또는 입자는 타겟(3)에서, 특히 자장을 최대한 지니고 있는 스퍼터링 지역(13)(14)으로 부터 방출된다. 스프터링된 원자 또는 입자는 가공실(25) 바닥 위이고 격막(26)의 하부에 위치하여 있는 합성수지 기판(1)쪽을 향하여 퍼져 얇은 전기전도층(2)으로 석출 부착되어 진다.
데이터와 방출제어명령의 처리를 위한 프로세스 컴퓨터가 도시된 장치를 제어하기 위하여 사용될 수 있다.
코우팅 실(15)(15a)내에 측정된 부분 압력치는, 예를 들면 이 프로세스 컴퓨터에 공급될 수 있다.
프로세스 컴퓨터는 이 데이터와 다른 데이터에 기초를 두어서 가스공급관(22)내에 끼워져 있는 밸브(18)를 거쳐서 예를 들어, 가스실린더(16)에서의 헬륨 공급을 제어하고 음극전압을 선택할 수 있다.
또한, 프로세스 컴퓨터는 다른 모든 변수, 예를 들면 음극전류를 제어할 수 있다.
이러한 종류의 프로세스 컴퓨터는 이미 알려져 있기 때문에 그 설계에 대한 설명은 생략할 수 있다.
도면중 미설명부호 21은 입구접합관, 27, 28은 도선이며 29는 컨덴서이다.
본 발명에서 프로세스 또는 스퍼터링 가스로 헬륨가스를 사용하는 것은 폴리메틸메타크릴레이트 기판(1)에 대한 충접착성을 실질적으로 증가시키게 된다.

Claims (2)

  1. 금속 타겟이 설치된 진공이 가능한 코우팅실에 폴리메틸메타크릴레이트 기판을 두고, 상기 타겟은 상기 타겟의 상기 표면 상에 아치형 자장을 형성하는 자석 수단과 스퍼터링할 표면을 가지며, 상기 타겟은 직류전원에 접속된 음극이 접속되고, 상기 코우팅 실을 진공으로 하여 프로세스가스로서 핼륨(He)을 상기 코우팅실에 도입시켜 스퍼터링할 상기 표면상에 농축된 플라즈마를 발생시키며, 스퍼터링할 표면을 향하는 플라즈마의 이온을 가속하는 전장을 발생시키는 상기 음극에 직류전기를 공급하여, 상기 타겟을 스퍼터링하고 상기 금속으로 상기 폴리메틸아크릴레이트 기판을 피복하는 것을 특징으로 하는 폴리메틸메타크릴레이트 기판을 금속으로 코우팅하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속은 알루미늄인 방법.
KR1019900006308A 1989-10-12 1990-05-03 합성수지 기판 특히 폴리메틸 메타크릴레이트 기판을 알루미늄으로 코우팅하기 위한 장치 및 방법 KR0180221B1 (ko)

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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2065833C (en) * 1991-04-12 1997-12-30 Shigeo Matsumaru Process for forming metal film, on surface of synthetic resin substrate
DE4221930C2 (de) * 1991-11-21 2001-04-05 Leybold Ag Vorrichtung zur haftfesten Beschichtung eines Kunststoffsubstrats
WO1994000618A1 (en) * 1992-06-23 1994-01-06 Higher Vacuum Ind Co., Ltd. Process for laminating metal for emi-blocking over plastic
JP3631246B2 (ja) * 1992-09-30 2005-03-23 アドバンスド エナージィ インダストリーズ，インコーポレイテッド 形状的に精密な薄膜フィルムコーティングシステム
US5718813A (en) * 1992-12-30 1998-02-17 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced reactive DC sputtering system
US5427669A (en) * 1992-12-30 1995-06-27 Advanced Energy Industries, Inc. Thin film DC plasma processing system
US6217717B1 (en) 1992-12-30 2001-04-17 Advanced Energy Industries, Inc. Periodically clearing thin film plasma processing system
US5400317A (en) * 1993-04-01 1995-03-21 Balzers Aktiengesellschaft Method of coating a workpiece of a plastic material by a metal layer
WO1996031899A1 (en) 1995-04-07 1996-10-10 Advanced Energy Industries, Inc. Adjustable energy quantum thin film plasma processing system
US5576939A (en) * 1995-05-05 1996-11-19 Drummond; Geoffrey N. Enhanced thin film DC plasma power supply
US5682067A (en) * 1996-06-21 1997-10-28 Sierra Applied Sciences, Inc. Circuit for reversing polarity on electrodes
US5882492A (en) * 1996-06-21 1999-03-16 Sierra Applied Sciences, Inc. A.C. plasma processing system
US5990668A (en) * 1997-11-07 1999-11-23 Sierra Applied Sciences, Inc. A.C. power supply having combined regulator and pulsing circuits
US6011704A (en) * 1997-11-07 2000-01-04 Sierra Applied Sciences, Inc. Auto-ranging power supply
US5910886A (en) * 1997-11-07 1999-06-08 Sierra Applied Sciences, Inc. Phase-shift power supply
US5889391A (en) * 1997-11-07 1999-03-30 Sierra Applied Sciences, Inc. Power supply having combined regulator and pulsing circuits
US5993613A (en) * 1997-11-07 1999-11-30 Sierra Applied Sciences, Inc. Method and apparatus for periodic polarity reversal during an active state
GB2331765A (en) 1997-12-01 1999-06-02 Cambridge Display Tech Ltd Sputter deposition onto organic material using neon as the discharge gas
US6629763B2 (en) * 2000-06-17 2003-10-07 Schott Glas Object which has optical layers
US7021049B2 (en) * 2000-09-29 2006-04-04 Ford Global Technologies, Llc Vehicle sulfur oxide trap and related method
EP1417042B1 (de) 2001-03-29 2013-01-23 Schott AG Verfahren zur herstellung eines beschichteten kunststoffkörpers

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3516915A (en) * 1968-05-01 1970-06-23 Bell Telephone Labor Inc Sputtering technique
US3801368A (en) * 1970-11-25 1974-04-02 Toray Industries Process of electroless plating and article made thereby
US3984907A (en) * 1975-07-25 1976-10-12 Rca Corporation Adherence of metal films to polymeric materials
US4131530A (en) * 1977-07-05 1978-12-26 Airco, Inc. Sputtered chromium-alloy coating for plastic
US4434037A (en) * 1981-07-16 1984-02-28 Ampex Corporation High rate sputtering system and method
US4374717A (en) * 1981-11-05 1983-02-22 General Motors Corporation Plasma polymerized interfacial coatings for improved adhesion of sputtered bright metal on plastic
DE3205919C1 (de) * 1982-02-19 1983-07-21 Freudenberg, Carl, 6940 Weinheim Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytschichten fuer galvanische Zellen
DE3331707A1 (de) * 1983-09-02 1985-03-21 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern
JPS60134067A (ja) * 1983-12-19 1985-07-17 豊田合成株式会社 繊維物

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Publication number Publication date
DE3934092A1 (de) 1991-04-18
KR910008162A (ko) 1991-05-30
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DE59001611D1 (de) 1993-07-08
US5074984A (en) 1991-12-24
EP0422323A1 (de) 1991-04-17
EP0422323B1 (de) 1993-06-02

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