KR0174869B1 - 전자빔 노광에너지 조정과 리프트-오프방법에 의한 금속배선의 형성방법 - Google Patents

전자빔 노광에너지 조정과 리프트-오프방법에 의한 금속배선의 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속배선의 형성방법에 관한 것으로, 특히 전자빔 노광 에너지 조정과 리프트-오프(lift-off) 방법에 의한 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
상기 본 발명은 하부 금속배선에 접촉시켜 상부 금속배선을 형성하는 금속배선 형성방법으로서, 하부 금속배선이 형성된 기판상에 상, 하부 감광막을 차례로 형성하고 이 감광막을 선택적으로 전자빔의 에너지를 조절하여 노광시킴으로서 1회의 노광공정으로 금속배선의 선폭을 정의하는 상부 감광막의 제거영역의 폭과, 하부 감광막의 제거되는 영역의 폭에 의해 콘택홀을 정의한 후 도전성 금속을 전면에 증착하여 금속배선을 형성함으로써 금속배선의 형성공정을 단순화할 수 있다.

Description

전자빔 노광 에너지 조정과 리프트-오프방법에 의한 금속배선의 형성방법
제1a도 내지 제1b도는 종래의 기술에 의한 금속배선 형성방법을 개략적으로 나타낸 공정 단면도.
제2a도는 본 발명의 실시에 의한 전자빔 노광 에너지 조정과 리프트-오프방법에 따라 형성된 감광막 패턴 형상을 나타낸 단면도.
제2b도는 본 발명의 실시예에 따라 감광막 패턴이 형성된 기판상에 도전성 금속을 증착하여 금속배선을 형성한 강 단면도.
제3도는 본 발명의 실시에 의한 제조방법을 나타낸 공정 단면도로서,
(a)도는 고해상력층 전자빔 묘화용 감광막에 전자빔의 에너지의 세기를 조절하여 선택적으로 주사하는 노광하는 개념도 도시한 단면도.
(b)도는 현상된 감광막 패턴의 형상을 나타낸 단면도.
(c)도는 금속층을 증착한 전체 단면도.
(d)도는 리프트-오프방법으로 형성한 금속배선의 단면도.
(e)도는 금속배선 보호용 절연막을 형성한 상태의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 반도체 기판 12 : 절연막
13a,13b,13c : 하부 금속배선 14 : 하부 감광막
15 : 상부 감광막 16 : 감광막 패턴
17 : 금속배선 18 : 공기공
19 : 층간 절연막
본 발명은 금속배선의 형성방법에 관한 것으로, 특히 전자빔 노광 에너지 조정과 리프트-오프(lift-off) 방법에 의한 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조함에 있어 집적도를 향상시키고 구동전압을 낮추기 위해서는 금속배선의 선폭을 미세하게 형성하는 기술이 선행되어야 한다.
일반적으로, 반도체 공정에서 미세한 접촉망 및 금속선을 형성하기 위한 기술은 단차로 인한 접촉창의 형성이 어렵고 광학 스텝퍼의 해상도의 한계 때문에 서브 미크론(sub-um) 이하의 패턴을 형성하기 어렵다.
예컨대, 미세 금속배선의 형성이 필요한 소자의 경우 금속배선의 폭이 짧을수록 미세접가공과 금속배선의 형성 및 콘택홀과 금속배선간의 정렬이 문제로 대두된다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 금속배선의 형성에 여러가지 방법이 사용되고 있다.
즉, 다음과 같이 스텝퍼의 성능개선이나 공정의 효율화에 의한 성능한계 극복 또는 전자빔(e-beam)을 이용한 집적 묘화(direct writing) 방법등이 적용되고 있다.
그리고, 일반적으로 공지된 미세 금속배선을 위한 패턴을 형성하는 방법으로서는 1) 엑사이머 레이저(Excimer laser) 등으로 스텝퍼 광원의 파장을 줄여 해상도를 높이는 방법과, 2) 위상반전 마스크를 이용하는 방법과, 3) 패턴형성후 리프트-오프를 이용하여 패턴의 크기를 감소시키는 방법과, 4) X-선을 노광용 광원으로 이용하는 방법과, 5) 전자빔(E-beam)을 노광용 광원으로 이용하여 직접 금속배선을 묘화시키는 방법등이 이용되고 있다.
이들 방법은 모두 광학 스텝퍼만을 이용한 방법보다 더 작은 콘택홀을 형성하는 것이 가능하지만, 상술한 방법중 1)-3)의 방법으로는 0.2미크론 이하의 패턴을 얻기가 어렵고, 4)의 방법은 최소 선폭에 의존하며 X선 마스크제작에 어려움이 많다. 따라서, 5) 방법이 현재로서는 0.2미크론 이하의 패턴형성에 주로 사용되고 있다.
그러나, 상술한 종래의 기술로는 콘택홀의 크기가 불균일하고 식각 및 정렬에 한계가 있어 서브-하브 미크론(sub-half-um) 이하의 콘택홀과 금속배선을 형성하기 어렵다.
반도체 장치의 금속배선 형성방법에 관한 종래의 기술로서는 제1a도 내지 제1b도에 도시한 바와 같은 공정방법이 공지되어 있다.
이러한 종래의 금속배선 형성방법에 따르면, 반도체기판(1) 상의 절연막(2) 위에 금속을 증착하고 이를 사진식각법으로 소정의 폭을 갖도록 금속패턴(3)을 형성한 후 이 금속패턴(3)이 형성된 기판의 전면에 절연막(4)을 형성하고 이 절연막(4)을 사진식각법으로 패터닝하여 상기 금속패턴(3)의 상부가 선택적으로 노출되도록 콘택홀(5)을 형성한다.
이어서, 제1b도에 도시한 바와 같이, 상기 콘택홀(5)을 통해 노출된 금속패턴(3)의 표면에 접촉되는 금속배선을 형성하기 위해 기판의 전면에 도전성 금속을 증착한후 이를 사진식각법으로 패터닝하여 소정의 폭을 갖는 금속배선(6)을 형성한다.
상술한 바와 같은 통상적인 금속배선의 형성방법에 따른 종래 기술로서, 일본국 특개소 60-167381호는 제1a도에서와 같이 절연막(2) 상에 도전성 금속을 형성한후 이를 사진식각법으로 패터닝하여 금속패턴(3)을 형성하고, 금속패턴(3)이 형성된 기판의 전면에 절연막(4)을 형성한후 상기 절연막(4)상에 감광막(도시되지 않음)을 형성하고 이를 전자빔을 사용하여 노광한후 현상하여 미세패턴을 형성한다.
이어서, 노출된 절연막(4)을 제거하여 미세한 콘택홀(5)을 형성하고 잔존하는 감광막을 산소 플라즈마로 제거한후 접촉창(5)이 형성된 기판상의 전면에 배선용금속을 증착한후 이를 사진식각법으로 패터닝하여 금속배선(6)을 형성한다.
따라서, 상술한 금속배선 형성방법은 재현성 있는 금속배선을 형성할 수 있음에 반하여 하부 금속배선과 상부 금속배선을 접촉시키기 위해 콘택홀을 형성하기 위한 사진식각공정과, 상부 금속배선을 패터닝하기 위한 사진식각공정을 수행하여야 하므로 제조공정이 복잡한 단점이 있다.
상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 금속배선 패터닝 공정을 단순화하는 동시에 미세패턴이 가능한 금속배선 형성방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 전자빔 노광 에너지를 적절히 조절하여 감광막을 노광하고 리프트-오프하여 미세한 콘택홀 및 금속배선을 형성시켜 매우 안정하고 낮은 저항을 갖는 금속배선의 형성방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 MESFET, HEMT 등의 고집적화 및 소자 특성을 향상시켜 초고속 및 저잡음소자의 제작을 가능하는데 적용할 수 있는 금속배선 형성방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 콘택홀과 금속배선의 패턴을 동시에 형성하여 오정렬을 없앰으로서 배선공정의 안정화 및 재현성을 높일 수 있는 금속배선 형성방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 전자빔 노광 에너지 조정과 리프트-오프방법에 의한 금속배선 형성방법에 있어서, 하부 금속배선이 형성된 기판의 전면에 하부 감광막과 상부 감광막을 차례로 형성하는 공정과, 상기 상, 하부 감광막에 주사되는 전자빔의 에너지를 상기 하부 금속배선에 수직으로 대응하는 감광막 부분은 크게하여 상, 하부 감광막을 모두 선택적으로 노광시키고, 수직으로 대응하지 않는 감광막 부분에는 에너지를 작게하여 상부 감광막만을 노광시키는 공정과, 상기 노광된 상, 하부 감광막을 현상하여 노광된 상부 감광막이 소정의 폭으로 제거되고 노광된 하부 감광막이 제거되어 하부 금속배선을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 감광막 패턴이 형성된 기판의 전면에 도전성 금속을 증착하고 상부 감광막의 표면에 형성된 도전성 금속을 제거하여 하부 감광막상에 소정의 폭을 갖는 금속배선을 정의하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 전자빔 노광 에너지 조정과 리프트-오프방법에 의한 금속배선 형성방법에 있어서, 하부 금속배선이 형성된 기판상에 다층의 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막의 노광을 위해 주사되는 전자빔 에너지의 크기를 주사되는 영역에 따라 조절하여 노광되는 감광막중 금속배선의 상부 감광막은 소정의 폭으로 모두 노광시키고 하부 금속배선의 상부에 형성되지 않은 감광막은 소정의 깊이(감광막층)까지 노광되도록 전자빔을 주사하는 공정과, 상기 노광된 감광막을 현상하여 감광막중 노광된 상부층의 감광막이 소정의 폭으로 패터닝되고 하부 금속배선의 상측에 형성된 감광막이 선택적으로 모두 제거된 형상을 갖는 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 전면에 도전성 금속을 증착하는 공정과, 상기 증착된 도전성 금속중 패턴되지 않은 감광막 표면상에 형성된 도전성 금속을 제거하여 감광막 패턴의 오목부에 하부 금속배선과 콘택홀을 통해 접촉되는 금속배선을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명의 실시에 의한 금속배선의 형성예를 도시한 단면도로서 제2도(a)는 반도체 기판(11)상에 절연막(12)이 형성되어 있으며, 상기 절연막(12) 위에 소정의 폭을 갖는 하부 금속배선(13a,13b,13c)이 형성되어 있고, 전면에 하부 감광막(14)과 상부 감광막(15)이 차례로 형성된 후 차례로 패터닝되어 금속배선 형성영역을 정의하는 상부 감광막(15)이 소정의 폭으로 패터닝되어 측면이 역경사를 이루도록 형성되어 있고, 하부 금속배선(13a,13b,13c)위의 하부 감광막(14)이 선택적으로 패터닝되어 콘택홀(16c)이 형성되어 있는 감광막 패턴(16)이 형성되어 있는 형상을 나타낸다.
제2도(b)는 제2도(a)와 같은 감광막 패턴이 형성되어 있는 기판상의 전면에 도전성 금속을 증착하여 감광막 패턴(16)중 하부 감광막(14)상에 소정의 폭을 가지며 콘택홀(16c)을 통해 하부 금속배선(13a,13b,13c)에 접촉된 금속배선(17)이 형성되어 있는 형상을 나타낸다.
상술한 바와 같은 단면구조를 갖는 금속배선의 형성방법을 제3도를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도(a)는 전자빔용 미세패턴 형성용의 하부 감광막(14)과 상단부의 선폭과 모양을 임의로 조절할 수 있는 상부 감광막(15)을 도포한 형상을 나타내고 있다.
콘택홀 형성을 위한 전자빔용 하부 감광막(14)은 PMMA(ploymrthyl metacrylate)를 2000 내지 8000Å의 두께로 도포한 후 고온(150-200℃)에서 열처리하고, 그 위에 금속배선용 상부 감광막(15)을 도포한다.
이때의 감광막은 P(MMA-MAA)를 사용하였다.
전자빔 에너지 조절방법은 패턴을 직접 노광할때 패턴에 따라 제3도(a)의 상부에 표시된 전자빔 에너지 조절용 묘사영역 분포(25a,25b,25c,25d,25e)와 같이 전자빔의 에너지를 서로 다르게 하는 방법을 말한다.
도면에서 25a, 25c, 25e는 상부 감광막(15)을 노광할 수 있는 에너지를 주게 되며, 그 크기(패턴의 길이:상단부 길이)와 모양을 25a, 25b의 조절로 금속배선의 모양을 임의로 조절할 수 있다. 25a, 25e는 실제의 배선폭을 정하는 노광에너지와 크기를 준다.
제3도(b)는 제3도(a)의 상부 감광막(15)과 하부 감광막(14)을 노광하여 패턴을 형성한 감광막 패턴(16)을 나타내고 있다.
감광막 패턴(16)의 역경사 부분(16a)은 나중의 리프트-오프 공정에 사용되게 된다.
따라서, 제3도(c)와 같이 콘택홀(16c)이 결정되며, 금속배선(17)을 증착한 전체 단면형상(17a,17b,17c)을 나타낸다.
제3도(d)는 금속배선(17)을 리프트-오프방법으로 완성한 금속배선(17)의 단면도이다.
도면에서 도면번호 18a, 18b는 상, 하부 감광막(15,14)을 제거하고 난 후의 공기에 노출된 공기공(18a,18b)이다.
그리고 제3도(e)는 보호막인 절연막(19)을 증착하여 소자 및 금속배선 표면의 산화를 방지하도록한 구조를 도시한다.
상술한 구조로 형성되는 금속배선(17)의 형성방법은 먼저 제3도(a)에 도시한 바와 같이, 반도체기판(11)상에 절연막(12)이 형성되어 있고, 이 절연막(12) 위에 금속배선(13a,13b,13c)이 형성되어 있는 반도체기판(11) 상에서 수행된다.
이때, 상기 금속배선(13a,13b,13c)은 반도체기판(11)의 일부분과 콘택홀(도시되지 않음)을 통해 접속된 상태일 수도 있다.
상기 금속배선(13a,13b,13c)이 형성된 기판의 전면상에 하부 감광막(14)이 형성을 형성하고 소프트베이크와 하드 베이크를 수행하여 경화시킨 후 하부 감광막(14) 위에 상부 감광막(15)을 도포한 후 경화한다.
이어서, 금속배선을 형성하기 위한 감광막 패턴을 형성하기 위한 공정을 다음과 같이 수행한다.
본 발명에서는 감광막을 선택적으로 노광하기 위한 포토마스크를 사용하지 않고 감광막위에 전자빔의 에너지의 크기를 조절하여 노광되는 감광막의 깊이 및 영역을 제어하도록 하는 특징으로 갖는다.
본 실시예에 따르면, 제3도(a)의 상부 감광막(15) 상측에 표시된 노광영역에 조사되는 노광영역 분포(25)를 적절히 조절하여 노광한다. 예컨대, 본 실시예에서는 제1,3,5노광영역(25a,25c,25e)에는 동일한 에너지의 전자빔이 주사되고, 제2,4노광영역(25b,25d)에는 다른 에너지를 갖는 전자빔이 주사된다.
단, 이때 주사되는 전자빔의 노광 에너지는 제2,4노광영역(25b,25d)에 강한 에너지의 전자빔이 주사되며, 제1,3,5노광영역(25a,25c,25e)에는 제2,4노광영역(25b,25d)보다 약한 에너지의 전자빔이 주사된다.
따라서, 상기 노광영역 분포(25)에서 제2,4노광영역(25b,25d)에 수직으로 대응하는 상, 하부 감광막(15,14)의 전부분이 모두 노광되고, 상부 감광막(15)은 제1 내지 제5노광영역(25a-25e)이 모두 노광되게 된다.
그리고, 노광되는 영역의 양단부의 리프트-오프시 역경사면을 갖도록 전자빔을 경사지게 주사한다.
이때, 노광되는 전자빔의 세기는 프로그레밍된 데이터에 따라 선택적으로 조절될 수 있으며, 다층의 감광막을 형성한 상태에서도 선택적으로 노광되는 깊이를 조절하여 여러가지 형상을 갖는 감광막 패턴을 형성할 수 있다.
예컨대, 본 실시예에서 노광영역의 분포(25)를 상, 하부 감광막(15,14)의 하부에 형성되어 있는 하부 금속배선(13a,13b,13c)에 대응시켜 설정하고 금속배선(13a,13c)을 부분적으로 노출시키기 위해 수직으로 대응하는 부분에 강한 에너지의 전자빔이 조사되도록 전자빔 주사장치의 동작이 프로그래밍 되었다.
따라서, 상부의 금속배선과 접촉되어질 하부 금속배선 또는 반도체 기판의 소정영역에 대응시켜 다층으로 형성된 감광막의 노광 에너지의 세기를 선택적으로 조절함으로써 설계된 데이타에 따라 용이하게 감광막을 노광시킬 수 있다.
이어서, 제3도(b)에 도시한 바와 같이, 전자빔에 의해 선택적으로 노광된 상부 감광막(15)과 하부 감광막(14)을 차례로 현상하여 상부 감광막(15)을 상기 노광영역 분포(25)에 대응하는 전면을 리프트-오프하고, 제2,4노광영역(25b,25d)에 수직으로 대응하는 하부 감광막(14)을 리프트-오프하여 금속배선(13a,13c)이 노출되도록 감광막 패턴(16)을 형성한다.
이때, 리프트-오프되는 상부 감광막(15)의 역경사 부분(16a)은 내측으로 경사진 역경사면이 형성된다.
그 다음, 제3도(c)에 도시한 바와 같이, 감광막 패턴(16)이 형성된 기판의 전면에 도전성 금속을 증착하여 금속배선(13a,13c)과 콘택홀(16c)을 통해 접촉되는 접촉영역(17a,17b)를 가지며 패턴된 상부 감광막(15)의 폭과 대략 동일한 폭을 갖는 금속배선(17)을 형성한다.
이때, 도전성 금속이 감광막 패턴(16)이 형성된 기판의 전면에 증착되지만 패턴된 상부 감광막(15)의 측면의 역경사에 의해 금속배선(17)으로서 형성되는 도전성 금속과 상부 감광막(15)의 표면에 증착되는 도전성 금속은 서로 연결되지 않는다.
따라서, 형성되는 금속배선(17)의 폭이 감광막 패턴(16)의 상부 패턴폭에 의해 결정되므로 금속배선(17)을 정의하는 패터닝 공정이 생략될 수 있다.
이어서, 제3도(d)에 도시한 바와 같이, 금속배선(17) 이외의 부분 예컨대, 상부 감광막(15)의 표면에 증착되어 있는 도전성 금속(17c)과 감광막 패턴(16)을 제거하여 절연막(12)과 금속배선(17) 사이에 공간(18a,18b)을 형성한다.
이어서, 제3도(e)에 도시한 바와 같이, 상기 하부 금속배선(13a,13b,13c)과 금속배선(17)을 보호하기 위한 저온 층간 절연막(19)을 형성하여 하부 금속배선(13a,13b,13c)과 금속배선(17)이 층간 절연막(19:19a,19b,19c) 의해 전표면이 매립되도록 한다.
상술한 본 발명에 따르면, 1회의 노광공정으로 콘택홀의 크기와 배선폭의 크기를 임의로 조절할 수 있으므로 금속배선 간격 및 선폭을 줄일 수 있어 본 발명 소자의 특성을 향상시킬 수 있으며 다음과 같은 장점을 갖는다.
첫째, 본 발명은 하나의 데이타 파일(전자빔 주사장치의 구동 프로그램)을 사용하여 직접묘화(노광)하므로 여러회의 노광을 이용하는 종래의 방법과 비교하여 경제적이다.
둘째, 본 발명은 하나의 데이타 파일을 사용하여 일회에 직접 노광하므로 에너지, 정렬의 변화에 따른 콘택홀과 금속배선간의 정렬 오차를 없앨 수 있다.
셋째, 본 발명은 상부 감광막의 노광에너지를 다르게 사용하여 직접 노광하므로 상부 감광막의 패터닝되는 개구부의 크기를 크게 하여 패턴을 형성하므로서 게이트 금속배선 또는 금속배선의 저항을 조절할 수 있다.
넷째, 본 발명은 상층의 노광에너지를 다르게 사용하여 직접 노광함으로써 금속배선과 콘택홀의 패턴의 배열에 따라 금속배선간의 간격 및 선폭을 용이하게 조절할 수 있다.
다섯째, 본 발명은 전자빔을 사용하므로 단차가 있는 콘택홀에 상관없이 패턴형성이 가능하므로 균일도를 높일 수 있다.
따라서, 상술한 바와 같은 장점을 갖는 발명은 금속배선을 형성하기 위한 공정을 단순화하고 정밀화하여 공정의 실폐율을 감소시킴으로서 생산성을 향상시킬 수 있다.

Claims (10)

  1. 전자빔 노광 에너지 조정과 리프트-오프방법에 의한 금속배선 형성방법에 있어서, 하부 금속배선(13a,13b,13c)이 형성된 기판의 전면에 하부 감광막(14)과 상부 감광막(15)을 차례로 형성하는 공정과, 상기 상, 하부 감광막(15,14)에 주사되는 전자빔의 에너지를 설정된 노광영역 분포(25)에 따라 하부 금속배선(13a,13c)에 수직으로 대응하는 제2,4노광영역(25b,25d)을 크게하여 상, 하부 감광막(15,14)을 모두 선택적으로 노광시키고, 수직으로 대응하지 않는 제1,3,5노광영역(25a,25c,25e)에 주사되는 전자빔의 에너지를 작게하여 상부 감광막(15)만을 노광시키는 공정과, 상기 노광된 상, 하부 감광막(15,14)을 현상하여 노광된 상부 감광막(15)이 소정의 폭으로 제거되고 노광된 하부 감광막(14)이 제거되어 하부 금속배선(13a,13c)을 노출시키는 감광막 패턴(16)을 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴(16)이 형성된 기판의 전면에 도전성 금속을 증착하고 상부 감광막(15)의 표면에 형성된 도전성 금속을 제거하여 하부 감광막(14)상에 소정의 폭을 갖는 금속배선을 정의하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴(16)을 제거한후 전면에 절연막(19)을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 상, 하부 감광막(15,14)에 주사되는 전자빔의 에너지 크기를 정의하는 노광영역 분포(25)는 하부 금속배선(13a,13b,13c)의 위치와 후속 형성되는 금속배선(17)의 선폭에 결정됨을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 노광영역 분포(25)는 전자빔 주사장치의 주사 에너지와 주사되는 위치를 결정하는 구동 프로그램에 의해 정의됨을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2,4노광영역(25b,25d)으로 주사되는 전자빔이 현상되는 감광막의 측면이 역경사를 이루도록 비스듬히 주사됨을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴(6)의 패턴된 측면이 역경사면을 갖도록 형성됨을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 금속배선(17)의 선폭을 노광영역의 폭에 의해 결정됨을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 하부 금속배선(13a,13c)과 금속배선(17)을 접촉시키는 콘택홀(16c)의 폭은 노광영역(25b,25d)의 폭에 의해 결정됨을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴(16)상에 증착되는 도전성 금속은 상부 감광막(15)과 하부 감광막(14)의 표면상에서 각기 분리되어 형성됨을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법.
  10. 전자빔 노광 에너지 조정과 리프트-오프방법에 의한 금속배선 형성방법에 있어서, 하부 금속배선이 형성된 기판상에 다층의 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막의 노광을 위해 주사되는 전자빔 에너지의 크기를 주사되는 영역에 따라 조절하여 감광막중 하부 금속배선의 상층 감광막은 소정의 폭으로 모두 노광시키고 하부 금속배선의 상부에 형성되지 않은 감광막은 소정의 깊이까지만 노광되도록 전자빔을 주사하는 공정과, 상기 노광된 감광막을 현상하여 감광막중 노광된 상부부분이 소정의 깊이까지 제거되고 하부 금속배선상에 형성된 감광막이 선택적으로 모두 제거된 형상을 갖는 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 전면에 도전성 금속을 증착하고 상기 증착된 도전성 금속중 패턴되지 않은 감광막 표면상에 형성된 도전성 금속을 제거하여 감광막 패턴의 오목부에 하부 금속배선과 콘택홀을 통해 접촉되는 금속배선을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 형성방법.
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