KR0164813B1 - 메모리장치에 있어서 프로그램어블 라이트 주기 시간 조절회로 - Google Patents

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야

EEPROM의 프로그램어블 라이트주기 시간 조절회로에 관한 것임.

2. 발명에서 해결하고자 하는 기술적과제

공정변화에 따라 데이타 레지스터 값을 변경하여 라이트시간을 조절하는 회로를 제공함.

3. 발명의 해결방법의 요지

EEPROM의 제작시 공정변화에 의한 고전압의 변화, 터널산화막의 두께의 변화, 타이머 발진회로의 주파수의 변화를 보상하기 위해 라이트 사이클 시간을 조절할 수 있도록 타이머 회로에 라이트 주기시간을 저장하는 데이타 레지스터와, 클럭을 계수하는 카운터와, 상기 카운터의 출력과 레지스터의 출력을 비교하여 라이트주기 신호를 출력하는 비교기를 추가하여 이 회로를 통해 공정변화에 따라 데이타 레지스터의 값을 변경하는 라이트 주기시간을 조절토록 구성됨을 특징으로 함.

4. 발명의 중요한 용도

EEPROM의 프로그램 가능한 라이트 주기조절회로.

Description

메모리장치에 있어서 프로그램어블 라이트 주기 시간 조절회로

제1도는 종래의 회로도.

제2도는 본 발명에 따른 회로도.

제3도는 본 발명에 따른 다른 실시 회로도.

본 발명은 EEPROM의 프로그램어블 라이트주기 시간 조절회로에 관한 것이다.

EEPROM셀은 주위와 전기적으로 절연된 플로팅 게이트를 가지며, 거기에 전자를 주입하거나 방출하므로서 1 또는 0레벨 데이타를 기억시킨다. 상기 프로그램 게이트와 드레인 사이에 10MV/am 정도의 고전계를 인가하면 10^-10A/㎛²정도의 F-N(Fowlor-Nordheim) 전류가 플로팅게이트에 흐르게 되며, 이때 플로팅 게이트에 충분한 전하를 주입하거나 방출하기 위하여 수 ㎳의 라이트 주기시간이 걸린다. 그리고 그 고전압은 약 15V-20V정도이다. 라이트 주기시간을 제어하기 위하여 보통 제1도와 같은 타이머를 이용한다. 상기 타이머회로는 클럭을 만드는 발진회로(100)와 클럭의 수를 세는 분주회로 또는 카운터(110)로 구성된다. 프로그램 게이트와 드레인 사이의 고전압은 펌프(pumping) 회로와 클램핑 회로에 의하여 만들어진다.

상기 플로팅 게이트에 전자를 주입, 방출하는 양은 프로그램 게이트와 드레인 사이의 고전압 터널산화막의 두께, 라이트주기 시간에 좌우되는데 EEPROM의 제작과정에서 공정변화에 따라 위의 세값들이 변하게 된다. 공정변화에 따른 라이트 주기시간의 변화는 타이머의 발진회로(100)가 공정변화에 따라 발진주파수가 변하기 때문에 일어난다. 그리고 상기 고전압과 터널산화막의 두께의 변화는 라이트 주기시간을 조절하므로서 보상할 수 있다.

그러나 종래의 방법은 공정중에 보상해야 하므로 정확히 완전한 보상하는데 어려움이 있으며, 일단 공정중에 보상이 완료되면 더 이상 보상이 어려운 문제점이 있다.

따라서 본 발명의 목적은 공정변화에 따라 데이타 레지스터 값을 변경하여 라이트시간을 조절하는 회로를 제공함에 있다.

상기 목적을 수행하기 위한 본 발명은 EEPROM의 제작시 공정변화에 의한 고전압의 변화, 터널산화막의 두께의 변화, 타이머 발진회로의 주파수의 변화를 보상하기 위해 라이트 사이클 시간을 조절할 수 있도록 타이머 회로에 라이트 주기시간을 저장하는 데이타 레지스터와, 클럭을 계수하는 카운터와, 상기 카운터의 출력과 레지스터의 출력을 비교하여 라이트주기신호를 출력하는 비교기를 추가하여 이 회로를 통해 공정변화에 따라 데이타 레지스터의 값을 변경하여 라이트 주기시간을 조절토록 구성됨을 특징으로 한다.

이하 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제2도는 본 발명에 따라 회로도로서, 클럭을 발진하는 발진회로(100)와, 상기 발진회로(100)의 클럭을 세는 카운터(110)를 구비한 EEPROM 테스트 회로에 있어서, 동기클럭단(syc-clock)으로 입력되는 클럭에 따라 데이타단(Data)으로 공정변화에 따라 발생되는 값을 직렬로 보관하는 데이타 레지스터(201)와, 상기 카운터(110)의 출력과 상기 데이타 레지스터(210)의 출력을 비교하여 일치할시 라이트 인에이블신호를 발생하는 비교기(200)로 구성된다.

제3도는 본 발명에 따른 다른 실시예 회로도로서, EEPROM과 마이크로프로세서(300)가 단일칩으로 구성되어 있을 경우 마이크로 프로세스(300)의 데이타버스(310)를 통해 데이타 레지스터(201)의 저장값을 병렬로 억세스할 수 있다.

본 발명은 제2도와 같이 프로그램 가능한 EEPROM의 라이트 주기시간을 조절하기 위해 구현된 타이머의 기본 구성인 발진회로(100), 카운터(110), 비교기(200)와 데이타 레지스터(201)로 이루어진다. 라이트 주기시간은 데이타 레지스터(201)에 저장된다. 라이트 시작단(101)의 신호는 EEPROM 라이트 주기시작을 알리는 것으로 카운터(110)의 카운터 인에이블단(CNTEN)신호에 연결되어 카운터(110)의 카운팅을 개시한다. 상기 카운터(110)는 발진회로(100)에서 발생하는 클럭단(CLK)의 신호에 맞추어 카운트를 하면서 그 값인 count_value를 비교기(200)에 보낸다. 상기 비교기(200)는 카운터(110)의 출력 count_value와 데이타 레지스터(201)의 값의 data_value를 비교하다가 일치하면 write_end시간을 발생하고, 카운터(110)는 다시 write_end(CNTRE)에 의해 초기화된다.

여기서 라이트 주기시간은 라이트시작단(101)의 write_start 신호가 발생하고 나서 라이트 마지막단(102)의 write_end 신호가 발생하기까지의 시간이 된다.

한편, 데이타 레지스터(201)에 데이타를 저장하는 방식은 두가지로 나눌 수 있는데, EEPROM 단독 칩일때는 제2도와 같이 클럭신호와 데이타 신호를 이용한 시리얼 데이타 전송으로 이루어지며, 이때 데이타 레지스터(201)는 쉬프트 레지스터 형태를 취한다. EEPROM과 마이크로 프로세서(300)가 단일칩에 있을때는 제3도와 같이 마이크로 프로세서(300)의 데이타 버스(310)를 통해 데이타 레지스터(201)를 병렬로 억세스할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명은 EEPROM 뿐만 아니라 플레쉬 메모리에서도 동일하게 적용되며, 특히 프로그램 라이트 횟수가 증가하면서 라이트 주기시간이 변하는 것을 보상할 수가 있는 이점이 있다.

Claims (2)

1. 클럭을 발진하는 발진회로(100)와, 상기 발진회로(100)의 클럭을 세는 카운터(110)를 구비한 EEPROM 테스트 회로에 있어서, 동기클럭단(syc-clock)으로 입력되는 클럭에 따라 시리얼 전송에 의하여 데이타단(Data)으로 공정변화에 따라 발생되는 값을 보관하는 데이타 레지스터(201)와, 상기 카운터(110)의 출력과 상기 데이타 레지스터(210)의 출력을 비교하여 일치할시 프로그램어블 주기 조절을 위한 라이트 인에이블신호를 발생하는 비교기(200)로 구성됨을 특징으로 하는 메모리 장치에 있어서 프로그램어블 라이트주기 시간 조절회로.
2. EEPROM 테스트 회로에 있어서, 상기 EEPROM의 제작시 공정변화에 의한 고전압의 변화, 터널산화막의 두께의 변화, 타이머 발진회로의 주파수의 변화를 보상하기 위해 라이트 사이클 시간을 조절할 수 있도록 타이머 회로에 라이트 주기시간을 저장하는 데이타 레지스터와, 클럭을 계수하는 카운터와, 상기 카운터의 출력과 레지스터의 출력을 비교하여 라이트주기 신호를 출력하는 비교기를 추가하여 이 회로를 통해 공정변화에 따라 데이타 레지스터의 값을 변경하는 라이트 주기시간을 조절토록 구성됨을 특징으로 한 회로.