KR0156546B1 - 집적광소자 및 제조방법 - Google Patents

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KR0156546B1
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헨리 제랄드 홀스두이스 윈프리드
베르나너드 요한네스 디에니어 마르티너스
맥도나취 에라스터
마틴 코페란드 존
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피터코넬리스 샬크비크; 귄터 페트
아크조 노벨 엔.브이.
프란스 티에이치. 반 부어스트
코닌 크리케 피티티 네덜란드 엔.브이.
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Abstract

내용 없음.

Description

집적광소자 및 제조방법
제1도는 본 발명에 따른 중합체물질의 층을 지지하는 기재를 보인 부분사시도.
제2도는 제1도 구조의 선택적인 광선조사 상태를 보인 사시도.
제3도는 제2도의 방법으로부터 생산된 전형적인 집적광소자를 보인 부분사시도.
제4도는 본 발명 소자의 다른 형태를 보인 부분사시도.
제5도는 제4도 소자의 제조에 사용된 처리함수를 보인 그래프.
제6도는 제4도 소자로부터 유도된 다른 소자를 보인 부분사시도.
제7도는 집적광소자의 또 다른 형태를 보인 부분사시도.
제8도 및 제9도는 제7도 소자의 제조에서 처리단계를 보인 사시도.
제10도는 본 발명에 따라 사용된 중합체물질의 전형적인 광선흡수 스펙트럼을 보인 그래프.
본 발명은 집적광소자에 관한 것이다.
수동집적 광소자는 공지되어 있으며 일측면에 이러한 소자의 특성을 나타내는 굴절률 패턴이 실려있는 기재로 구성된다. 전형적인 패턴으로서는 도파회로, 도파회절격자와 광코플러가 있다. 이러한 집적광소자를 제조하기 위하여 기재의 일측면에 적당한 물질의 얇은 필름을 피복하고 이에 요구된 패턴을 형성하기 위하여 얇은 필름을 사진 평판 인쇄 방법으로 처리하는 것이 제안된 바 있다.
달리 제안된 처리기술로서는 레이저빔기록 방법 또는 접촉인쇄방법 또는 홀로그래피 노광방법등이 있다. 예를들어 응용물리학강좌(Appl. Phys. Lett. ) 제 20권 143 페이지 이하의 포토레지스트 필름의 광가이드 구조 와 응용과학(Applied Optics) 제25권 2960 페이지 이하의 도파회절 격자의 광기록을 위한 고해상도 광굴절중합체에 기술된 바와같이 제안된 물질은 유용한 굴절률 패턴을 얻기위한 처리시간이 매우 길거나 굴절률 패턴의 내구성이 약한 결점을 갖는다.
또한 능동집적광소자가 니오브산 리튬과 같은 광전물질로 제조되는 것이 잘 알려져 있는데 잘 알려져 있는데 이소자의유효기능은 외부전장에 의해 제어가능하다.
최근에는 응용물리학강좌 제52권 1031 페이지 이하의 유기 매체의얇은 필름에 형성하는 유극된 광도파구조에 기술된 바와같이 기재의 일측면에 형성되는 적당한 전기광학 물질의 얇은 필름을 이용하여 능동집적광소자를 제조하는 기술이 제안된 바 있으나, 이러한 방법에 있어서는 도파 특성과 전기 광학 상호작용이 조합되고 전기광학효과 하에서 유효도파구조와 유효도파 작동 둘에 대한 최적조건이 달성될 수 없다는 결점을 갖는다.
본 발명에 따라서, 적어도 일측면에 전기광학 구조가 구성될 수 있는 가능성을 갖는 중합체물질의 얍은 필름이 형성되는 기재로 구성되는 집적광소자가 제공되는 바, 중합체 물질이 초분극율을 보이는 측쇄기가 결합된 지방족 또는 방향족 중합체골격을 가지며, 이 물질이 측쇄기의 전자흡수대역내의 파장을 갖는 광선에 의하여 형성된 굴절률 패턴을 보임을 특징으로 한다.
측쇄기는 직접 또는 스페이서를 통하여 골격에 결합되거나, 측쇄기가 부분적으로 골격에 결합될 수 있다.
지방족 또는 방향족 중합체 골격은 예를들어 폴리우레탄, 폴리에스터, 폴리아크릴레이트, 폴리아미드, 폴리에테르 또는 폴리실록산 등 여러 가지 형태중의 하나를 취할 수 있다.
본 발명에 따른 집적광소자에 적합한 특정 중합체물질은 다음 구조를 갖는 계로 구성되는 측쇄기를 갖는다.
Figure kpo00002
여기에서,
Figure kpo00003
øi=고리형 공액부분, 예를들어 페닐
K = 0 - 4
Figure kpo00004
또는 N
Figure kpo00005
또는 N R=수소, 할로겐, 시아노 또는 저급알킬,
m = 0 - 6
øj= 고리형 공액부분, 예를들어 페닐
ℓ = 0 - 4
Figure kpo00006
또는 N R= 수소, 할로겐, 시아노 또는 저급알킬
Figure kpo00007
또는 N
n = 0 - 6
Figure kpo00008
측쇄기는 4′-아미오 또는 4′-옥시치환형 4-니트로스틸벤 부분, 또는 4′-아미노 치환형 4-시아노스틸벤부분, 또는 예를들어 4′-아미노 치환형 4-니트로스틸벤과 같은 N-치환형 1-(4-아미노-페닐)-4-(4-니트로페닐)부타-1, 3-디엔부분으로 구성될 수 있다.
또한 본 발명은 일측면에 전기광학 구조가 구성될 수 있는 가능성을 갖는 증합체물질의 얇은 층이 형성되는 기재로 구성된 집적광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
이 방법은 중합체 물질로서 이 물질이 초분극율을 보이는 측쇄기가 결합된 지방족 또는 방향족 골격을 갖는 것으로 선택되고, 측쇄기의 전자흡수대역내의 파장을 갖는 광선으로 상기 물질을 선택적으로 노광시켜 골절지수 패턴이 상기 중합체 물질에 형성됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하여 유용한 굴절률 패턴을 얻기위한, 처리 시간이 수 십분정도(예를들어 50분 정도)로 감소되고 굴절률 패턴의 내구년 수는 수년에 달한다. 중합체 물질의 굴절률은 230-650㎚ 파장의 광선에 대하여 감응하고, 공지의 물질(굴절율10)에 비하여 각 굴절률 변화에 증가된 감도를 보이며 부가적으로 전기-광학적인 특성을 갖는다. 따라서 본 발명 소자의 제조는 종래 수동소자에 사용된 방법과 유사한 방법으로 행하여지나 극성 조성으로 능동소자를 생산한다. 이로써 유효도파구성과 유효도파작동이 능동소자내에서 이루어진다.
광선조사에 대한 중합체물질의 선택적인 노광은 선택기록방법, 예를들어 촛점이 맞추어진 레이저빔 도는 홀로그래피 수단에 의하여 수행될 수 있다. 특정 제조방법에 따라서 선택노광은 조사되는 광선에 대하여 투명부분과 불투명부분을 갖는 마스크에 의하여 이루어진다.
본 발명의 다른 특징은 기재상에 전극물질의 제1층, 완충물질의 제1층, 중합체물질의 층, 완충물질의 제2층과, 전극물질의 제2층을 연속형성하는 단계, 예정패턴의 전극을 형성하기 위하여 전극물질의 제2층을 엣칭하는 단계, 예정패턴의 전극으로 덮히지 않는 중합체물질의 영역에서 굴절률의 변화가 이루어지도록 하기 위해 소자의 노출면에 측쇄기의 전자흡수 대역내의 파장을 갖는 광선을 조사하는 단계를 포함하는 능동집적광소자의 제조방법을 포함하며, 적어도 제2완충물질층의 완충물질은 조사광선에 투명함을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 수동집적광소자의 제조방법으로 구성되고, 이 방법은 기재상에 초분극율을 보이는 측쇄기가 결합된 지방족 또는 방향족중합체물질의 층을 형성하는 단계, 노출된 중합체 물질의 영역에서 굴절지수의 변화가 이루어지도록 측쇄기의 전자흡수대역내의 파장을 갖는 광선으로 제1예정패턴으로 제한된 중합체 물질 부분을 조사하는 단계, 굴절률 변화된 물질의 노출된 영역을 용해하기 위하여 일정한 시간동안 상기 조사광선에 노출된 중합체물질의 표면에 용매에 용해된 상기 중합체 물질의 얇은 필름을 형성하는 단계와, 중합체 물질에서 굴절변화된 물질이 없는 양각면구조를 남기고 나머지 얇은 필름부분을 세척하여 제거하는 단계를 포함한다.
상기 언급된 중합체 물질을 이용하고 기초패턴의 광선조사에 의한 노광수정을 통한 패턴화의 달성으로 집적광소자의 제조가 용이하며 예를들어 레이저원으로부터 촛점이 맞추어진 조사방법을 이용하여 일부분을 추가로 조사하여 제조하는 것이 용이하게 이루어질 수 있다. 이는 특히 어레이 상의 각 소자가 예를들어 동일한 특성을 갖도록 되어 있으나 이질성 때문에 일부소자가 요구되지 않는 특성을 보이는 스위치와 같이 대규모어레이의 집적광소자를 제조하는데 유리하다. 추가조사에 의한 이들 소자의 부분 트리밍이나 튜닝이 용이하게 수행되어 요구된 특성을 얻을 수 있다.
온도가 상승함에 따라서 특정 굴절지수패턴을 얻기 위한 처리시간이 감소되는 것이 확인되었으므로 중합체물질이 높은 온도에 있을 때에 이 중합체물질에 광선을 조사하는 것이 좋다.
본 발명에 있어서, 초분극율이라는 용어는 광전물질의 기술분야에 숙련된 자이면 용이하게 알 수 있는 것으로, Le Barny 등의 저서 SPIE 682권 Molecular and Polymeric Optoelctronic Materials : Fundamentals and Applications (1986) pp 56-64를 참조하기 바란다.
본 발명을 첨부도면에 의거하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도에서 보인 바와 같이 값 n1의 굴절률을 갖는 기재(10)는 그 상측면에 중합체물질(11)의 얇은 필름 또는 층이 형성된다. 이 물질(11)은 5페이지 6째줄에서 6페이지에 정의된 측쇄기가 화학적으로 결합된 폴리우레탄 골격을 가지며, 측쇄기가 4′-아미노 또는 4′-옥시 치환형 4-니트로스틸벤, 즉 4-니트로-4′아미노스틸벤 또는 4-니트로-4′옥시스틸벤으로 구성된다. 중합체물질의 측쇄기는 이 중합체 물질에 굴절률감광도를 부여하기 적합한 광선의 조사전에 이 물질이 균일한 굴절률값 n2를 가지나 230-650㎚파장의 광선으로 중합체 물질의 선택된 영역을 조사할 때에 이 노출된 영역은 굴절률의 값이 n3이 된다 (n3은 n2보다 작다).
제2도에서 보인 특정실시예에 있어서, 조사영역은 비투과선(13)을 갖는 마스크(12)로 선택되어 광선은 마스크에 의해 라인(13) 사이에 조사되고 이로써(제3도에 보인 바와같이) 굴절률 n2의 라인(15)으로 분리된, 중합체물질(11)상의 굴절률 n3의 라인(14)이 형성되며 이들 모두는 지수값 n1이 기재상에 형성되어 있으며 n2n3n1의 관계에 있다.
이상의 중합체물질은 유용한 파장 범위 280~450㎚에서 굴절률 감광도를 보이는데 예를들어 마스크얼라이너(mask aligner)에서 노광가능하여 탁월한 재현성으로 집적광소자를 용이하게 제조할 수 있으며 전이부의 길이를 따라서 균일한 가이드가 이루어지는 n2/n3경계면에서 굴절률형태는 가벼운 전이상태 또는 급격한 전이상태를 갖는다.
이와같이 이루어지는 도파는 단위길이당 도파손실이 비교적 낮다. 광선조사 처리시간은 수 십분정도이며, 중합체물질의 측쇄기가 골격에 결합되어 있으므로 조사된 패턴은 안정하여 효과적으로 영구기록 된다.
또한 상기 언급된 중합체물질의 측쇄기가 전기-광학 특성을 가지므로 유극처리후 집적광소자는 예를들어 전기-광학 변조기 또는 다른 능동소자를 구성하기 위하여 전극(16)(제3도)을 배치하여 전기적으로 작동될 수 있다.
제1도-제3도는 n2굴절률 물질의 전 깊이를 n3굴절률로 변환 시키기에 충분한 시간동안 노광처리되는 것을 보인 것으로 이러한 시간에서는 대부분의 집적광소자의 응용분야에서는 제4도에서 보인 바와 같이 n2굴절률의 동체내에 n3굴절률의 예정된 깊이에만 유효하게 노광된다.
n3굴절률의 어느 주어진 깊이 D에 대하여 처리시간 또는 노광시간은 기재(10)와 물질(11)의 온도가 높아지는 경우 줄어든다. 제5도는 두 온도, 즉 20℃와 130℃에 대한 노광시간(단위 : hours, X축)과 깊이(단위: 미크론, Y축)의 비교 그래프를 보인 것이다.
중합체 물질(11)은 마치 포토레지스트의 성질을 갖는 바, 제4도를 참조하여 설명한 바와 같은 광선조사에 의한 노광으로 패턴화가 이루어진 후에 n2/n3굴절률 패턴은 시클로펜타논과 같은 저강한 용매에 용해된 중합체 물질의 얇고 균일한 필름으로 n2/n3굴절률 패턴을 간단히 피복하고, n3굴절률 영역을 용해하여 제거하므로서 n2굴절율의 양각패턴으로 존환될 수 있음이 확인되었다.
n3지수영역의 깊이에 따른 시간이 지난후 나머지 중합체 물질의 얇고 균일한 필름은 제6도에 보인 양각 패턴을 갖는 n2굴절률 물질의 층만을 남기고 스피닝처리하여 제거한다. 이러한 과정은 n3영역을 형성하는 노광처리로 이들 영역의 용해도가 바꾸어져 이들이 노광처리되지 않은 n2영역보다 더 잘 용해되기 때문에 이루어질 수 있다.
이와같이 하여 얻은 지적광소자는 양각형리지 가이드(raised ridge guide), 또는 도파테이퍼 소자(wavegide taper structure), 또는 표면 양각홀로그램(surface relief hologram)으로서 사용될 수 있다.
제3도를 참조하여 설명한 바와 같이 본 발명소자가 능동광소자로 사용되는 경우에는 전극(16)을 필요로 한다. 제3도의 전극(16)은 실제로 n2굴절률의 라인(15)와 동일평면상에 놓이며, 이들은 중합체물질의 측쇄기를 정렬시키는데 필요한 물질을 유극처리하는 과정을 간섭하므로 능력은 유용하다. 전극배열은 제7도에 도시된 평면상의 병렬형태가 좋으며 제8도와 제9도에서 보인 바와 같이 제조된다.
제7도에서, 이후 상세히 설명되는 바와 같은 적당한 굴절률 패턴의 물질(11)이 비활성 완충층(22A)(22B)에 의하여 상하측 전극(20)(21)으로 분리된다. 이러한 과정은 기재(10)상에 하측전극(21)과 동일한 초기 면적의 상측전극(20)을 갖는 제8도에서 보인 성층구조를 형성하므로서 이루어진다. 먼저 물질(11)은 이 물질(11)의 온도를 높인 상태에서 전극(20)(21)에 유극처리전압을 인가하므로 유극처리된다. 이러써 물질(11)의 측쇄기가 정렬한다.
다음으로, 유극처리전압을 제거하고 상측전극(20)을 불필요한 금속을 용해하여 패턴화한다. 완충층(22A)은 이러한 과정동안 화학적 방벽으로서 작용하고 그 구조는 제9도에서 보인 형태를 갖는다. 다음으로, 제9도 구조의 상측면 전체 영역에 광선을 조사하며, 그 결과로 광선에 조사된 n2굴절률 영역을 n3굴절률영역으로 전환시키며 제7도에서 보인 바와같이 패턴화된 전극(20)의 하측만 남게된다. 따라서 n2굴절률 영역은 전극과 자동적으로 정렬된다. 전극(20)은 예를들어 금과 같은 금속으로 되어 있으며 완충층(22A)은 예를들어 폴리우레탄으로된 투명물질로 되어 있다.
제8도와 제9도를 참조하여 설명된 자동정렬제조방법으로 집적전기광학소자의 생산은 패턴화된 전극과 n2굴절률 영역의 오정렬에 의한 실패없이 크게 단순화될 수 있다.
제7도의 수정형태에서, 소자전극(21)은 중합체물질(11)의 유그처리단계에서 생략될 수 있다. 이와같은 경우 최종소자는 상부도체(20)를 따라 전류가 흘러 열활성을 갖는다.
이미 언급된 바있는 조사 광선은 파장이 약 250-270㎚ 사이의 범위에 있는 것이 좋다. 그러나 주요효과는 약 280-450㎚의 범위에서 나타난다.
특히, 중합체가 4′-옥시치환형 4-니트로스틸벤의 측쇄기를 가질때에 약 373㎚에서의 광선조사로 굴절률변화에 대한 최대감도를 보인다. 중합체가 4′-아미노치환형 4-니트로스틸벤의 측쇄기를 가질때에 약 429㎚에서의 광선조사로 굴절률변화에 대한 탁월한 결과를 가져왔으며 작동파장에서 광손실이 낮게 나타났다.
단순한 예로써, 제10도는 아미노치환형 중합체물질로된 한시험표본의 흡수스펙트럼을 보인 것으로, 이는 중합체물질에서 측쇄기의 전자흡수대역에 의하여 300㎚ 과 430㎚에서 최대 흡수가 일어남을 보이고 있다.
4′-아미노치환형 4-시아노스틸벤형의 중합체의 경우에 있어서 약 384㎚ 파장위 광선이 굴절률변화에 대하여 최대감도를 보인 반면에 N-치환형 1-(4-아미노페닐)-4-(4-니트로페닐)부타-1, 3-디엔 부분으로 구성된 측쇄기를 갖는 중합체에 있어서는 442㎚의 파장에서 굴절률 변화에 대한 최대감도가 나타났다. 예로서, 아미노치환형 중합체물질의 시험표본을 1.3㎛-1.5㎛범위의 전달파장에 대하여 0.03의 굴절률감소를 보였으며 0.6328㎛ 파장에서는 굴절률감소가 0.09이었다.
4′-아미노치환형 4-니트로스틸벤으로 만들어진 채널형 도파관은 손실이 1㏈/㎝이었다.

Claims (31)

  1. 적어도 일측면에 전기광학 구조가 구성이 가능한 중합체물질의 박막이 형성된 기재로 구성되는 집적광소자에 있어서, 중합체 물질이 초분극율을 보이는 측쇄기가 결합된 지방족 또는 방향족 중합체골격을 가지며, 이 중합체 물질이 측쇄기의 전자흡대역내의 파장을 갖는 광선의 조사로 유도되는 굴절률 패턴을 보임을 특징으로 하는 집적광소자.
  2. 제1항에 있어서, 측쇄기가 다음 구조로 구성됨을 특징으로 하는 집적광소자.
    Figure kpo00009
    여기에서,
    Figure kpo00010
    Φi=고리형 공액부분, 예를들어 페닐
    K=0~4
    R2=C-R 또는 N
    R=수소, 할로겐, 시아노 또는 저급알킬
    R3=C-R 또는 N
    m=0~6
    Φj=고리형 공액부분, 예를들어 페닐
    l=0~4
    R4=C-R 또는 N
    R=수소, 할로겐, 시아노 또는 저급알킬
    R5=C-R 또는 N
    n=0~6
    Figure kpo00011
  3. 제2항에 있어서, 측쇄기가 4′-아미노 또는 4′-옥시 치환형 4-니트로스틸벤부분, 또는 4′-아미노 치환형 4-시아노스틸벤부분, 또는 N-치환형 1-(4-아미노페닐)-4-(4-니트로페닐)부타-1, 3-디엔부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적광소자.
  4. 제3항에 있어서, 측쇄기가 4′-아미노 치환형 4-니트로스틸벤으로 구성됨을 특징으로 하는 집적광소자.
  5. 제1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 중합체 물질이 230-650㎚ 범위내의 파장을 갖는 광선을 조사로 유도된 굴절률 패턴을 보임을 특징으로 하는 집적광소자.
  6. 제5항에 있어서, 중합체물질이 250-570㎚ 범위내의 파장을 갖는 광선의 조사로 유도된 굴절률 패턴을 보임을 특징으로 하는 집적 광소자.
  7. 제6항에 있어서, 중합체 물질이 280-450㎚ 범위내의 파장을 갖는 광선의 조사로 유도된 굴절률 패턴을 보임을 특징으로 하는 집적광소자.
  8. 적어도 일측면에 전기-광학 구조의 구서이 가능한 중합체 물질의 박막이 형성된 기재로 구성되는 집적광소자의 제조방법에 있어서, 중합체 물질로서 초분극율을 보이는 측쇄기가 결합된 지방족 또는 방향족 골격을 갖는 물질이 선택되고, 측쇄기의 전자흡수대역내의 파장을 갖는 광선의 조사로 상기 물질을 선택노광하여 상기 중합체물질내에 굴절률 패턴이 유도됨을 특징으로 하는 집적광소자의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 선택노광이 조사광선이 대하여 투명인 부분과 불투명인 부분을 갖는 마스크에 의하여 이루어짐을 특징으로 하는 집적광소자의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 기재상에 전극물질의 제1층, 완충물질의 제1층, 중합체 물질의 층, 완충물질의 제2층과 전극물질의 제2층을 형성하는 단계, 예정패턴의 전극을 형성하기 위하여 전극물질의 제2층을 엣칭하는 단계와 예정패턴의 전극으로 덮히지 않은 중합체물질의 영역에서 굴절률의 변화가 이루어지도록 하기 위해 소자의 노출면에 측쇄기의 전자흡수대역내의 파장을 갖는 광선을 조사하는 단계로 연속적으로 이루어지며, 적어도 제2완충물질층의 완충물질은 조사광선에 투명함을 특징으로 하는 집적광소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 엣칭단계전에 제1 및 제2전극물질층사이에 유극처리전압을 인가하여 중합체물질을 유극처리하는 단계를 포함하고, 이로써 능동 집적광소자를 제조할 수 있음을 특징으로 하는 집적광소자의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 엣칭단계후에 제1 및 제2전극물질층 상이에 유극처리전압을 인가하여 중합체물질을 부분적으로 유극처리하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 집적광소자의 제조방법.
  13. 수동 집적광소자의 제조방법에 있어서, 이 방법은 기재상에 초분극율을 보이는 측쇄기가 결합된 지방족 또는 방향족 중합체 골격을 갖는 중합체 물질의 층을 형성하는 단계, 노출된 중합체 물질의 영역에서 굴절율의 변화가 이루어지도록 측쇄기의 전자흡수대역내의 파장을 갖는 광선으로 제1 예정패턴을 제한시키는 중합체물질 부분을 조사하는 단계, 굴절율-변화된 물질에 노출된 영역을 용해하기 위하여 상기 조사광선에 노출시킨 중합체 물질의 표면에 용매에 용해시킨 상기 중합체 물질의 박막을 가하는 단계와 중합체물질에서 굴절율-변화된 물질이 없는 양각면 구조를 남기고, 나머지 박막부분을 세척하여 제거하는 단계가 특징인 수동 집적광소자의 제조방법.
  14. 능동 집적광소자의 제조방법에 있어서, 기재상에 전극물질의 제1층, 완충물질의 지1층, 초분극율을 보이는 측쇄기가 결합된 지방족 또는 방향족 중합체 물질의 층을 형성하는 단계, 노출된 중합체 물질의 영역에서 굴절율의 변화가 이루어지도록 측쇄기의 전자흡수대역내의 파장을 갖는 광선으로 제1 예정패턴으로 제한된 중합체 물질부분을 조사하는 단계, 굴절율-변화된 물질의 노출된 영역을 용해하기위하여 상기 조사광선에 노출시킨 중합체 물질의 표면에 용매에 용해시킨 상기 중합체 물질의 박막을 가하는 단계, 중합체 물질에서 굴절율-변화된 물질이 없는 양각면 구조를 남기고, 나머지 박막부분을 세척하여 제거하는 단계와, 상기 양각면 구조상에 완충물질의 제2층과 전극물질의 제2층을 형성하는 단계와, 전극물질의 제1 및 제2층 사이에 유리처리전압을 인가하여 중합체 물질을 유극처리하는 단계로 연속적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 능동 집적광소자의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 유극처리단계전에 제1 예정패턴에 관련있는 제2 예정패턴에서 전극물질의 제2층을 엣칭하는 단계가 특징인 방법.
  16. 집적광소자의 어레이 제조방법에 있어서, 이 방법은 제8항의 방법을 수행하여, 선택노광이 소자 어레이를 형성하는 단계, 요구되지 않은 특성을 갖는 것을 확인하기위하여 각 소자의 특성을 시험하는 단계와, 추가 조사를 부분적으로 적용하여 각 소자가 요구된 특성을 갖도록 조정하는 단계가 특징인 방법.
  17. 제16항에 있어서, 선택노광이 조사광선에 대하여 투명한 부분과 불투명한 부분을 갖는 마스크에 의하여 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  18. 제8항에 또는 제10항에 있어서, 중합체가 20℃이상의 온도에 있을 때 중합체 물질에 광선이 조사됨을 특징으로하는 방법.
  19. 제8항 또는 제10항에 있어서, 측쇄기가 다음 구조로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
    Figure kpo00012
    여기에서,
    Figure kpo00013
    Φi=고리형 공액부분, 예를들어 페닐
    K=0~4
    R2=C-R 또는 N
    R=수소, 할로겐, 시아노 또는 저급알킬
    R3=C-R 또는 N
    m=0~6
    Φj=고리형 공액부분, 예를들어 페닐
    l=0~4
    R4=C-R 또는 N
    R=수소, 할로겐, 시아노 또는 저급알킬
    R5=C-R 또는 N
    n=0~6
    Figure kpo00014
  20. 제19항에 있어서, 측쇄기가 4′-아미노 또는 4′-옥시 치환형 4-니트로스틸벤부분, 또는 4′-아미노 치환형 4-시아노스틸벤부분, 또는 N-치환형 1-(4-아미노페닐)-4-(4-니트로페닐)부타-1, 3-디엔부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제8항에 있어서, 조사광선이 230-650㎚ 범위내의 파장을 가짐을 특징으로 하는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 조사광선이 250-570㎚ 범위내의 파장을 가짐을 특징으로 하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 조사광선이 280-450㎚ 범위내의 파장을 가짐을 특징으로 하는 방법.
  24. 제8항에 청구된 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 집적광소자.
  25. 제13항에 있어서, 중합체가 20℃이상의 온도에 있을 때 중합체 물질에 광선이 조사됨을 특징으로 하는 방법.
  26. 제14항에 있어서, 중합체가 20℃이상의 온도에 있을 때 중합체 물질에 광선이 조사됨을 특징으로 하는 방법.
  27. 제16항에 있어서, 중합체가 20℃이상의 온도에 있을 때 중합체 물질에 광선이 조사됨을 특징으로 하는 방법.
  28. 제13항에 있어서, 측쇄기가 다음 구조로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
    Figure kpo00015
    여기에서,
    Figure kpo00016
    Φi=고리형 공액부분, 예를들어 페닐
    K=0~4
    R2=C-R 또는 N
    R=수소, 할로겐, 시아노 또는 저급알킬
    R3=C-R 또는 N
    m=0~6
    Φj=고리형 공액부분, 예를들어 페닐
    l=0~4
    R4=C-R 또는 N
    R=수소, 할로겐, 시아노 또는 저급알킬
    R5=C-R 또는 N
    n=0~6
    Figure kpo00017
  29. 제14항에 있어서, 측쇄기가 다음 구조로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
    Figure kpo00018
    여기에서,
    Figure kpo00019
    Φi=고리형 공액부분, 예를들어 페닐
    K=0~4
    R2=C-R 또는 N
    R=수소, 할로겐, 시아노 또는 저급알킬
    R3=C-R 또는 N
    m=0~6
    Φj=고리형 공액부분, 예를들어 페닐
    l=0~4
    R4=C-R 또는 N
    R=수소, 할로겐, 시아노 또는 저급알킬
    R5=C-R 또는 N
    n=0~6
    Figure kpo00020
  30. 제28항에 있어서, 측쇄기가 4′-아미노 또는 4′-옥시 치환형 4-니트로스틸벤부분, 또는 4′-아미노 치환형 4-시아노스틸벤부분, 또는 N-치환형 1-(4-아미노페닐)-4-(4-니트로페닐)부타-1, 3-디엔부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적광소자.
  31. 제29항에 있어서, 측쇄기가 4′-아미노 또는 4′-옥시 치환형 4-니트로스틸벤부분, 또는 4′-아미노 치환형 4-시아노스틸벤부분, 또는 N-치환형 1-(4-아미노페닐)-4-(4-니트로페닐)부타-1, 3-디엔부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적광소자.
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