KR0151037B1 - 표면 이물질 부착장치 및 이를 이용한 표면 이물질 부착방법 - Google Patents

표면 이물질 부착장치 및 이를 이용한 표면 이물질 부착방법 Download PDF

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Abstract

이물질이 부착된 웨이퍼를 형성하는 장치 및 이를 이용하여 웨이퍼에 이물질을 부착하는 방법에 대해 기재되어 있다. 이는 이물질 생성부, 이물질 생성부의 출력단과 연결되어 있는 이물질 크기조절부, 이물질 크기조절부의 출력단과 연결되어 있는 제1이물질 전송튜브, 제1이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 제2 및 제3이물질 전송튜브, 제2이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 제1카운터부, 제3이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 이물질 부착부, 이물질 부착부와 연결되어 있는 제2카운터부 및 이물질 부착부와 연결되어 있는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 이물질의 크기뿐만 아니라 개수까지 정확하게 아는 이물질이 부착된 웨이퍼를 얻을 수 있고, 하나의 웨이퍼 상에 한 종류 및 크기 이상의 이물질을 같이 부착할 수 있다.

Description

표면 이물질 부착장치 및 이를 이용한 표면 이물질 부착방법
제1도는 종래의 표면 이물질 부착장치를 도시한 개략도이다.
제2도는 본 발명에 의한 표면 이물질 부착장치를 도시한 개략도이다.
본 발명은 반도체장치 및 이를 이용한 소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 이물질 측정 장비의 신뢰도를 측정하는데 이용되는 웨이퍼 제조를 위한 표면 이물질 부착장치 및 이를 이용한 표면 이물질 부착방법에 관한 것이다.
반도체공정 시 최종적인 굳 다이(good die)를 만들기 위해서는 많은 항목들에서 검사(inspection)를 해야 한다. 그 중 이물질(particle)은 반도체 회로기판에 부착되는 순간 오픈(open) 혹은 쇼트(short) 실패를 유발시키는 주범이라 할 수 있다. 이런 이유로 반도체 제조공정 중, 웨이퍼 상에 생성되는 이물질의 검사 및 분석은 모든 공정에서 가장 중요한 요소가 된다. 즉 이물질 검사 및 분석 시스템을 구성하여, 웨이퍼 상의 이물질을 찾아내고 분석한 후, 이물질에 의한 소자의 오염을 방지하는 것은 중요하다.
웨이퍼 표면 스캐너(wafer surface scanner)와 스캐닝 일렉트론 마이크로 스코프(scanning electron microscope)와 같은 이물질 검사 및 분석 시스템에 있어서, 시스템의 정확도를 측정하는 한 방법으로, 현재 이물질의 종류, 크기 및 개수를 이미 알고있는 웨이퍼(이하, 이물질이 부착된 웨이퍼라 칭함)를 시스템에 적용하여, 웨이퍼 상에 부착된 이물질의 크기 및 개수를 알아낸 후, 이미 알고 있는 수치와를 비교하여 시스템의 정확도를 측정하는 방법이 이용되고 있다.
종래에는 이물질 검사 및 분석시스템의 정확도를 측정하기 위해 이용되는 웨이퍼로 폴리스티렌 래텍스(polystyrene latex)를 부착한 웨이퍼를 주로 사용하였다. 즉, VLSI사에서 구입한, 균일한 크기의 폴리스티렌 래텍스가 부착된 웨이퍼를 구매하거나, 직접 웨이퍼 스피너(wafer spinner)를 이용하여 폴리스티렌 래텍스를 부착하는 것이 대부분이었다.
제1도는 종래의 표면 이물질 부착장치를 도시한 개략도이다.
종래의 표면 이물질 부착장치는 폴리스티렌 래텍스를 발생하는 분무기(atomizer), 분무된 폴리스티렌 래텍스를 건조하는 건조기(dryer), 폴리스티렌 래텍스를 크기별로 분류한 후 일정한 크기의 폴리스티렌 래텍스만을 배출시키는 차등 이동 분석기(differential mobility analyzer; 이하 DMA라 칭함), 차등 이동 분석기를 통해 배출된 폴리스티렌 래텍스 중 그 크기가 작은 것만을 통과시키는 임팩터(impactor), 임팩터에서 배출된 폴리스티렌 래텍스를 웨이퍼 상에 부착하는 튜브(tube)가 설치되어 있는 챔버(chamber) 및 웨이퍼 상에 부착되지 않고 유실되는 폴리스티렌 래텍스의 양을 알아내는 카운터(counter)로 구성되어 있다.
차등 이동 분석기를 이용하여 웨이퍼 상에 부착되는 폴리스티렌 래텍스의 크기를 조절할 수 있다. 그러나, 첫째, 폴리스티렌 래텍스는 분무기에서 분무될 때부터 균일한 크기의 분포를 갖고 있어서, 폴리스티렌 래텍스의 크기에 대해서는 보증할 수 있지만, 부착된 이물질의 개수를 정확히 알기란 매우 어렵다.
즉, 이물질의 크기는 조절할 수 있지만, 그 개수는 조절할 수 없기 때문에, 이물질 검사 및 분석시스템의 정확도 측정을 어렵게 한다.
둘째, 하나의 웨이퍼 상에는 동일 종류 및 동일 크기의 이물질만을 부착시킬 수 있기 때문에, 이물질의 종류별 및 크기별로 웨이퍼를 준비해야 한다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 이물질의 크기뿐만 아니라 개수까지도 조절이 가능한 표면 이물질 부착장치를 제공하는데 있다.
본 발명이 다른 목적은 하나의 웨이퍼 상에 다른 종류 및 다른 크기의 이물질들을 각각 부착시킬 수 있는 표면 이물질 부착장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기한 부착장치를 이용한 표면 이물질 부착방법을 제공하는데 있다.
상기 목적 및 다른 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 표면 이물질 부착장치는, 이물질 생성부; 상기 이물질 생성부의 출력단과 연결되어 있는 이물질 크기조절부; 상기 이물질 크기조절부의 출력단과 연결되어 있는 제1이물질 전송튜브; 상기 제1이물질 전송의 끝단에 연결되어 있는 제2 및 제3 이물질 전송튜브; 상기 제2이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 제1카운터부; 상기 제3이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 이물질 부착부; 상기 이물질 부착부와 연결되어 있는 제2카운터부; 및 상기 이물질 부착부와 연결되어 있는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 표면 이물질 부착장치에 있어서, 상기 제1 및 제2카운터부의 출력단과 연결되어 있는 멀티플렉서 및 상기 멀티플렉서의 출력단과 연결되어 있는 컴퓨터를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 표면 이물질 부착장치에 있어서, 상기 이물질 생성부는, 이물질 분무기, 상기 이물질 분무기의 출력단에 연결되어 있는 임팩트부, 상기 임팩트의 출력단에 연결되어 있는 가열 및 냉각부, 상기 가열 및 냉각부의 출력단에 연결되어 있는 중성화부로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 표면 이물질 부착방법은, 이물질을 생성하는 제1단계; 상기 이물질을 크기별로 분리하여 원하는 크기의 이물질을 선택하는 제2단계; 선택된 이물질을 제1이물질 전송튜브로 전송하는 제3단계; 제1이물질 전송튜브로 전송된 이물질을 제2 및 제3이물질 전송튜브로 분배하여 전송하는 제4단계; 제2이물질 전송튜브로 전송된 이물질을 제1카운터를 이용하여 카운터함과 동시에 제3이물질 전송튜브로 전송된 이물질을 이물질 부착부로 전송하는 제5단계; 및 이물질 부착부로 전송된 이물질을 웨이퍼에 부착함과 동시에, 웨이퍼에 부착되지 않고 유실되는 이물질들을 제2카운터를 이용하여 카운터하는 제6단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 이물질은 폴리스티렌 래텍스(polystyrene latex)인 것이 바람직하다.
상기 이물질은 이산화 실리콘(SiO2), 실리콘 나이트라이트(Si3N4), 나이트라이드(N) 또는 알루미늄(Al) 등과 같이 실제 반도체 제조공정 과정에서 발생하는 이물질인 것이 바람직하다.
상기 제1단계는 이물질을 분무기로 분무하는 단계, 분무된 이물질 중 크기가 큰 것을 임팩터에서 걸러내는 단계, 임팩터를 통과한 이물질을 드라이하는 단계 및 드라이한 이물질을 중성화하는 단계로 진행되는 것이 바람직하다.
상기 제2단계는 이물질 크기조절부에 전압을 가하여 이 전압에 상응하는 크기의 이물질만을 선택하는 과정으로 진행되는 것이 바람직하다.
상기 제2이물질 전송튜브로 전송되는 이물질의 양과 제3이물질 전송 튜브로 전송되는 이물질의 양은 동일한 것이 바람직하다.
상기 제5단계 시, 제3이물질 전송 튜브로 전송되고 이물질 부착부로 전송되기 직전의 이물질의 양을 제2카운터로 카운터하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
웨이퍼에 부착되는 이물질들은 이물질 부착부에 가해지는 전원전압원을 중심으로 웨이퍼 상에서 원형을 이루도록 부착되는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 웨이퍼 상에 부착되는 상기 이물질들이 이루는 원은 이물질 부착부에 가해지는 전원전압에 따라 그 직경이 달라진다.
상기 제1단계 시, 적어도 한 종류 이상의 이물질들이 생성되는 것이 바람직하고, 상기 각 종류의 이물질들은 종류별로 순차적으로 상기 제2단계를 거치는 것이 바람직하며, 이때 더욱 바람직하게는, 상기 각 종류의 이물질들은 각각 웨이퍼의 서로 다른 위치에 부착된다.
적어도 한 크기 이상의 이물질들이 상기 제2단계를 각각 거치는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 상기 각 크기의 이물질들을 각각 웨이퍼의 서로 다른 위치에 부착된다.
따라서, 이물질의 크기뿐만 아니라 개수까지도 조절할 수 있고, 하나의 웨이퍼 상에 다른 종류의 이물질 및 다른 크기의 이물질을 같이 부착할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 더욱 자세하게 설명하고자 한다.
[부착장치]
제2도는 본 발명에 의한 표면 이물질 부착장치를 도시한 개략도이다.
도면부호 10은 분무기를, 12는 임팩터를, 14는 가열 및 냉각기(heater and cooler)를, 16은 중성화부(neutralizer)를, 18은 차등이동 분석기를, 20은 제1이물질 전송튜브를, 22는 제2이물질 전송튜브를, 24는 제3이물질 전송튜브를, 26은 이물질 부착챔버(deposition chamber)를, 28은 제1카운터(counter)를, 30은 제2카운터를, 32는 전원공급기(power supplier)를, 34는 멀티플렉서(multiplexer)를 그리고 36은 컴퓨터(computer)를 나타낸다.
본 발명에 의한 표면 이물질 부착장치는 이물질 생성부, 이물질 크기 조절부, 이물질 전송튜브, 카운터, 이물질 부착부 및 전원공급부로 구성되어 있다.
(1) 이물질 생성부
공기주입구와 그 입력단이 연결되어 있는 분무기(10), 그 입력단이 상기 분무기의 출력단과 연결되어 이는 임팩터(12), 그 입력단이 상기 임팩터의 출력단과 연결되어 있는 가열 및 냉각기(14) 및 그 입력단이 상기 가열 및 냉각기의 출력단과 연결되어 있는 중성화부(16)로 구성되어, 웨이퍼 상에 부착될 이물질을 생성하는 역할을 한다.
본 발명에서는 폴리스티렌 래텍스 뿐만 아니라, 예컨대 이산화 실리콘, 나이트라이드, 실리콘 나이트라이드 또는 알루미늄 등과 같이 실제 공정에서 발생하는 이물질을 생성한다.
(2) 이물질 크기조절부
그 입력단은 상기 중성화부(16)의 출력단과 연결되어 있고, 그 출력단은 제1이물질 전송튜브(20)와 연결되어 있는 차등 이동분석기(18)로 구성되어 있다.
차등 이동 분석기(18)에 연결되어 있는 전원공급기(도시되지 않음)에 일정한 전압이 공급되면, 이 전압에 대응하는 크기의 이물질만을 출력단을 통해 제1이물질 전송튜브로 전송되므로, 원하는 크기의 이물질만을 제1이물질 전송튜브로 전송할 수 있다.
따라서, 전원공급기의 전압을 조절함으로써 원하는 크기의 이물질을 얻을 수 있다.
(3) 이물질 전송튜브
일단이 상기 차등 이동 분석기(18)의 출력단에 연결되어 있고, 타단은 제2이물질 전송튜브(22) 및 제3이물질 전송튜브(24)의 입력단에 연결되어 있는 제1이물질 전송튜브(20), 일단은 상기 제1이물질 전송튜브(20)에 연결되어 있고, 타단은 제1카운터(28)에 연결되어 있는 제2이물질 전송튜브(22) 및 일단은 상기 제1이물질 전송튜브(20)에 연결되어 있고, 타단은 이물질 부착챔버(26)에 연결되어 있는 제3이물질 전송튜브(24)로 구성되어 있다.
차등 이동 분석기(18)에서 상기 제1이물질 전송튜브(20)로 배출된 이물질들은 제2 및 제3이물질 전송튜브(22 및 24)로, 예컨대 1：1과 같은 전송비율로 각각 전송된다.
(4) 카운터부
그 입력단이 상기 제1이물질 전송튜브(22)의 출력단과 연결된 제1카운터(28) 및 그 입력단이 이물질 부착챔버(26)와 연결된 제2카운터(30)로 구성된다.
상기 제1카운터(28)는 제2이물질 전송튜브(22)로 전송되어온 이물질의 개수(전송비율을 1：1로 할 경우, 증착챔버로 전송된 이물질의 개수와 동일하다)를 카운터하는 역할을 하고, 상기 제2카운터(30)는 이물질 부착챔버 내에 장착된 웨이퍼 상에 부착되지 않고 유실되는 이물질의 개수를 카운터하는 역할을 한다.
따라서, 제1카운터 및 제2카운터에 읽혀지는 수치를 비교해 봄으로써 웨이퍼 상에 부착되는 이물질의 개수를 알 수 있다.
(5) 이물질 부착부
그 내부에 웨이퍼로 장착할 수 있는 장치(도시되지 않음)가 있고, 제2카운터(30) 및 전원공급기(32)와 연결되어 있는 이물질 부착챔버(26)로 구성된다.
전원공급기(32)를 상기 웨이퍼를 장착할 수 있는 장치에 연결함으로써 웨이퍼 상에 부착되는 이물질들은 전원전압기가 연결된 곳을 중심으로 원형을 이룬다. 이 원형의 직경은 전원전압기의 전압에 따라 조절할 수 있다. 또한, 전원전압기의 연결위치를 달리함으로써 웨이퍼 상에 부착되는 이물질의 위치를 조절할 수도 있다.
따라서, 하나의 웨이퍼 상에, 그 크기 및 종류가 각각 다른 이물질들을 서로 다른 위치에 부착할 수 있다.
(6) 전원공급부
이물질 부착챔버(26)와 연결되어 웨이퍼 상에 부착되는 이물질의 부착 형태 및 부착 위치를 조절한다.
제1 및 제2카운터(28 및 30)는 멀티플렉서(34)와 연결되고, 이 멀티플렉서는 컴퓨터(36)과 연결되어 제1 및 제2카운터의 수치를 비교분석한다.
[부착방법]
상기 제2도에 도시된 표면 이물질 부착장치를 참조하여, 본 발명에 의한 표면 이물질 부착방법을 설명한다.
본 발명에 의한 표면 이물질 부착방법은, (1) 이물질 생성단계, (2) 이물질의 크기 선별단계, (3) 이물질을 부착챔버로 전송함과 동시에 전송되는 이물질의 개수를 카운터하는 단계 및 (4) 이물질을 웨이퍼에 부착함과 동시에 유입되는 이물질의 개수를 카운터하는 단계로 진행된다.
[실시예 1]
공기주입구를 통해 깨끗한 공기가 분무기(10)로 주입되고, 분무기에서는 예컨대 폴리스티렌 래텍스, 이산화 실리콘, 나이트라이드, 실리콘 나이트라이드 또는 알루미늄 등과 같은 이물질을 생성한다.
생성된 이물질은 임팩터(12)로 전송되어, 그 크기가 큰 것은 임팩터 플레이트에 맞아 밑으로 떨어지고, 그 크기가 작은 것만이 가열 및 냉각기(14)로 전송된다.
가열 및 냉각기(14)로 전송된 이물질은 가열 및 냉각에 의해 습도가 10% 이하인 상태가 된 후, 중성화부(16)로 전송된다.
중성화부(16)로 전송된 이물질은 전기적으로 중성상태가 된 후, 차등 이동 분석기(18)로 전송된다.
차등 이동 분석기(18)에 임의의 전압이 가해지면, 이물질은 가해지는 전압에 대응하는 크기만이 출력단으로 전송된다. 통상 전압의 크기가 클수록 출력단으로 전송되는 이물질의 크기도 커진다.
차등 이동 분석기(18)의 출력단으로 전송된 이물질은 제1이물질 전송튜브(20)를 거쳐 제2 및 제3이물질 전송튜브(22 및 24)로 전송된다. 이때, 본 발명에서는 상기 제2 및 제3이물질 전송튜브로 전송되는 이물질의 양을 동일하게 하였다. 즉, 제1이물질 전송튜브(20)로 100의 이물질이 전송되었을 경우, 제2 및 제3이물질 전송튜브(22 및 24)로 각각 50씩의 이물질이 전송된다.
제2이물질 전송튜브(22)로 전송된 이물질은, 예컨대 컴퓨터 수치제어(computer numerical control)와 같은 제1카운터(28)에 의해 그 개수가 카운터된다. 이때, 제1카운터에 의해 카운터된 이물질의 개수와 제3이물질 전송튜브(24)로 전송된 이물질의 개수는 동일하다.
제3이물질 전송튜브(24)로 전송된 이물질은 이물질 부착챔버(26)로 전송된 후, 웨이퍼(도시되지 않음) 상에 부착된다. 이때, 이물질 부착챔버 내로 전송된 이물질 중 웨이퍼 상에 부착되지 않고 유실되는 이물질은 제2카운터(30)에 의해 카운터되므로 웨이퍼 상에 부착되는 이물질의 개수를 정확하게 알 수 있다. 즉 제1카운터에 의해 50개의 이물질이 카운터되고, 제2카운터에 의해 0개의 이물질이 카운터될 경우, 웨이퍼 상에는 50개의 이물질이 부착되었음을 알 수 있다.
한편, 이물질 부착챔버(26) 내로 전송된 이물질들은 전원공급기(32)와 웨이퍼를 장착하는 장치가 연결된 위치 및 전원공급기에서 공급되는 전압의 크기에 따라 웨이퍼상에서 부착되는 위치 및 형태가 달라진다.
예컨대, 전원공급기(32)가 웨이퍼의 가장자리부에 위치하도록 연결되면 이물질은 웨이퍼의 가장자리부에 원형에 이루면서 부착되고 전원공급기가 웨이퍼의 중앙부에 위치하도록 연결되면 이물질은 웨이퍼의 중앙부에 원형을 이루면서 부착된다. 또한 전원공급기에서 공급되는 전압의 크기가 클 경우엔 이물질의 부착 모양은 커지고, 전압의 크기가 작을 경우엔 이물질의 부착 모양은 작아진다.
[실시예 2]
상기 제1실시예는 한 종류 및 한 크기의 이물질을 웨이퍼 상에 부착할 경우의 방법을 설명하는데 반하여, 제2실시예는 다른 종류의 이물질을 웨이퍼 상에 부착할 경우의 방법을 설명한다.
이물질의 종류에 해당하는 만큼의 수의 분무기를 준비한 후, 순차적으로 이물질을 생성시킨다. 생성된 이물질은 차례대로 임팩터(12), 가열 및 냉각기(14) 및 중성화부(16)를 거친 후 차등 이동 분석기(18)에 전송되어 크기를 선별한다.
이후, 제1실시예에서 설명한 방법과 같은 단계를 거친 후, 이물질 부착챔버(26)에 차례대로 전송된 이물질들을 웨이퍼의 임의의 위치에 각각 부착시킨다. 이때 부착위치는 전원공급기의 연결위치를 조절함으로써 결정한다.
[실시예 3]
본 실시예는 그 크기가 다른 이물질을 하나의 웨이퍼 상에 부착할 경우의 방법을 설명한다.
분무기(10)에서 생성된 이물질은 임팩터(12), 가열 및 냉각기(14) 및 중성화부(16)를 거친 후, 차등 이동 분석기(18)에서 크기가 선별된다. 이때 이물질을 크기를 선별하기 위한 전압을 순차적으로 다르게 함으로써 그 크기가 다른 이물질을 순차적으로 상기 차등 이동 분석기의 출력단으로 전송된다.
이후, 제1실시예에서 설명한 방법과 같은 단계를 거친 후, 이물질 부착챔버(26)에 차례대로 전송된 이물질들을 웨이퍼의 임의의 위치에 각각 부착시킨다. 이때 부착위치는 전원공급기의 연결위치를 조정함으로써 결정한다.
따라서, 본 발명에 의한 표면 이물질 부착장치 및 그 방법에 의하면, 이물질의 크기 뿐만 아니라 개수까지 정확하게 아는 이물질이 부착된 웨이퍼를 얻을 수 있고, 하나의 웨이퍼 상에 한 종류 및 크기 이상의 이물질을 같이 부착할 수 있다.
본 발명에서는 한 종류 및 한 크기의 경우, 다른 종류의 경우 및 다른 크기의 경우에 대해서만 설명하였지만, 다른 종류 및 다른 크기의 경우에서도 본 발명의 기술적 사상이 적용될 수 있음을 당 기술분야에서의 당 업자는 용이하게 알 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.

Claims (17)

  1. 이물질 생성부; 상기 이물질 생성부의 출력단과 연결되어 있는 이물질 크기조절부; 상기 이물질 크기조절부의 출력단과 연결되어 있는 제1이물질 전송튜브; 상기 제1이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 제2 및 제3이물질 전송튜브; 상기 제2이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 제1카운터부; 상기 제3이물질 전송튜브의 끝단에 연결되어 있는 이물질 부착부; 상기 이물질 부착부와 연결되어 있는 제2카운터부; 및 상기 이물질 부착부와 연결되어 있는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2카운터부의 출력단과 연결되어 있는 멀티플렉서 및 상기 멀티플렉서의 출력단과 연결되어 있는 컴퓨터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이물질 생성부는, 이물질 분무기, 상기 이물질 분무기의 출력단에 연결되어 있는 임팩트부, 상기 임팩트의 출력단에 연결되어 있는 가열 및 냉각부, 상기 가열 및 냉각부의 출력단에 연결되어 있는 중성화부로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착장치.
  4. 이물질을 생성하는 제1단계; 상기 이물질을 크기별로 분리하여 원하는 크기의 이물질의 선택하는 제2단계; 선택된 이물질을 제1이물질 전송튜브로 전송하는 제3단계; 제1이물질 전송튜브로 전송된 이물질을 제2 및 제3이물질 전송튜브로 분배하여 전송하는 제4단계; 제2이물질 전송튜브로 전송된 이물질을 제1카운터를 이용하여 카운터함과 동시에 제3이물질 전송튜브로 전송된 이물질을 이물질 부착부로 전송하는 제5단계; 및 이물질 부착부로 전송된 이물질을 웨이퍼에 부착함과 동시에, 웨이퍼에 부착되지 않고 유실되는 이물질들을 제2카운터를 이용하여 카운터하는 제6단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이물질은 폴리스티렌 래텍스(polystyrene latex)인 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 이물질은 이산화 실리콘, 실리콘 나이트라이드 또는 알루미늄 등과 같이 실제 반도체 제조공정 과정에서 발생하는 이물질인 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제1단계는 이물질을 분무기로 분무하는 단계, 분무된 이물질 중 크기가 큰 것을 임펙터에서 걸러내는 단계, 임팩터를 통과한 이물질을 드라이하는 단계 및 드라이한 이물질을 중성화하는 단계로 진행되는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 제2단계는 이물질 크기조절부에 전압을 가하여 이 전압에 상응하는 크기의 이물질만을 선택하는 과정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착장치.
  9. 제4항에 있어서, 상기 제2이물질 전송튜브로 전송되는 이물질의 양과 제3이물질 전송튜브로 전송되는 이물질의 양은 동일한 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  10. 제4항에 있어서, 상기 제5단계 시, 제3이물질 전송튜브로 전송되고 이물질 부착부로 전송되기 직전의 이물질의 양을 제2카운터로 카운터하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  11. 제4항에 있어서, 웨이퍼에 부착되는 이물질들은 이물질 부착부에 가해지는 전원전압원을 중심으로 웨이퍼 상에서 원형을 이루도록 부착되는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  12. 제11항에 있어서, 웨이퍼 상에 부착되는 상기 이물질들이 이루는 원은 이물질 부착부에 가해지는 전원전압에 따라 그 직경이 달라지는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  13. 제4항에 있어서, 상기 제1단계 시, 적어도 한 종류 이상의 이물질들이 생성되는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 각 종류의 이물질들을 종류별로 순차적으로 상기 제2단계를 거치는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 각 종류의 이물질들은 각각 웨이퍼의 서로 다른 위치에 부착되는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  16. 제4항에 있어서, 적어도 한 크기 이상의 이물질들이 상기 제2단계를 각각 거치는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 각 크기의 이물질들은 각각 웨이퍼의 서로 다른 위치에 부착되는 것을 특징으로 하는 표면 이물질 부착방법.
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