JPS61202139A - 標準粒子付着装置 - Google Patents

標準粒子付着装置

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JPS61202139A
JPS61202139A JP60043908A JP4390885A JPS61202139A JP S61202139 A JPS61202139 A JP S61202139A JP 60043908 A JP60043908 A JP 60043908A JP 4390885 A JP4390885 A JP 4390885A JP S61202139 A JPS61202139 A JP S61202139A
Authority
JP
Japan
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standard
particles
particle
section
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP60043908A
Other languages
English (en)
Inventor
Hachiro Hiratsuka
平塚 八郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野〕 本発明は標準粒子相、着装置に係り、特にレーザ散乱光
を応用したウェハ表面付着微粒子数計測装置に於ける較
正用標準ウェハの作成に使用される標準粒子付着装置に
関する。
[発明の技術的背景及びその問題点コ 半導体デバイスの微細化に伴い、シリコンウェハの表面
に付着した微粒子がデバイス特性に与える影響は増々大
きくなってきつつある。そして、このウェハ表面に付着
したサブミクロン微粒子の計数装置もユーザの要求に応
じて開発が進められ、そのうちの数機種が市販されてい
る。
それらの殆どは、走査部の駆動によりウェハの表面を1
ee−Neレーザビームで走査し、ウェハ表面付着微粒
子からの散乱光を検出し、検出信号により微粒子数、位
置、分布を出力部に表示するような機構となっている。
微粒子粒径の検出や粒径検出感度の較正は、電気的な調
整のみでも可能であるが、信頼性が低い。
また、ラテックス標準粒子をウェハ表面に付着させて標
準ウェハとして使用すると良いが、均一に微粒子を付着
させる技術はまだ未熟である。
サブミクロンの粒径を有するラテックス標準粒子をウェ
ハ表面に付着さゼて、微粒子計数装置の較正用標準ウェ
ハとして使用するためには、単分散した標準粒子がウェ
ハ表面に均一に分布して付着していなければならない。
従来技術としては、標準粒子希釈液をア1ヘマイザでウ
ェハ表面に吹付は付着させる方法や、希釈液をウェハ表
面に滴下後ウェハを高速回転させて付着さける方法等が
ある。
しかしながら、上記いずれの方法に於いても、標準粒子
を単分散させることや、標準粒子をウェハ表面に均一に
付着させることは不可能であり、従来の方法では較正用
として使用可能な標準ウェハを作成することができなか
った。
[発明の目的] 本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、一定の粒径の標準粒子を単分散させた状態で試料の表
面に一定密度で均一にtf看させることのできる標準粒
子付着装置を提供することにある。
[発明の概要] 本発明に係る標準粒子付着装置は、単分散した標準粒子
を発生させる標準粒子発生部と、この標準粒子発生部に
於いて発生した標準粒子の粒径及び粒子数を測定する標
準粒子測定部と、前記標準粒子発生部で発生した標準粒
子を試料表面に均一に分散付着させる標準粒子付着部と
を備えている。
上記標準粒子発生部に於いては、液状の標準粒子が霧状
に吹出され、この標準粒子は乾燥空気で単分散される。
この乾燥空気で単分散された標準粒子は、上記標準粒子
付着部に於いて、同心円上に逆円錐形の拡散孔を多数有
する標準粒子拡散板を通過することにより均一濃度で拡
散され、上記試料の表面に均一密度で付着する。
[発明の実施例] 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。本
実施例に於いては、本発明による装置を使用して0,5
μの粒径を有するラテックス標準粒子を単分散させ、ウ
ェハ表面に均一に分散させて、ウェハ表面微粒子計数装
置の較正用標準ウェハを作成した例について説明する。
装置は、第1図に示すように標準粒子測定部旦、標準粒
子測定部U−及び標準粒子付着部Uにより構成されてい
る。It%粒子発生部旦に於いては、ダイヤフラムポン
プ21により空気を取り入れ、水冷トラップ22、水セ
パレータ23、ドライヤ24.25を通過させることに
より空気中の水分を取り除くようになっている。この間
の圧力は圧力調整器26により調整されるようになって
いる。ドライヤ25を通過した乾燥空気は、フィルタ2
7、精密フィルタ28を経てアトマイザ29に導かれる
と共に、フィルタ30及び精密フィルタ31を経てエア
ロゾル混合管32に導かれるようになっている。アトマ
イリ゛29内には液状のラテックス標準粒子を含む希釈
液29aが入っており、アトマイザ29により霧状に吹
き出されたラテックス標準粒子は、乾燥空気の通過によ
り単分散し、エアロゾル混合管32に導かれるようにな
っている。エアロゾル混合管32内にて乾燥空気中に単
分散した標準粒子は、標準粒子測定部U−と標準粒子付
着部Uとにそれぞれ等量流されるようになっている。
標準粒子測定部U−に於いては、ダストカウンタ33に
より流入した乾燥空気中の標準粒子の粒径と粒径分布が
計測されるようになっている。
一方、標準粒子測定部封−に於いては、流入した乾燥空
気中の標準粒子はウェハ容器34内に導かれるようにな
っている。ウェハ容器34には第2図に取り出して示す
ような標準粒子拡散板35が設置され、この標準粒子拡
散板35の下に標準ウェハ形成用のシリコンウェハ36
が配置されている。シリコンウェハ36は支持台37に
より支持されている。標準粒子拡散板35には、全面に
同心円上に逆円錐形の拡散孔38が多数設けられている
。なお、第1図に於いて、39は空気圧を測定する圧力
計、40は空気流量を測定する流量計、41は空気流量
調整用のニードルバルブをそれぞれ示すものである。
づなわち、前記装置に於いては、標準粒子測定部旦に於
いて、ダイヤフラムポンプ21により空気を取り入れ、
水冷1〜ラツプ22、水セパレータ23、ドライヤ24
.25を通過させることにより空気中の水分を取り除き
、この乾燥空気をアトマイザ29内を通過させる。アト
マイザ29から吹出されたラテックス標準粒子は乾燥空
気の通過により子分散し、エアロゾル混合管32内に導
かれる。エアロゾル混合管32内に導かれ乾燥空気中に
単分散した標準粒子は、標準粒子測定部12−と標準粒
子測定部封−に等聞流される。
標準粒子測定部比に於いては、ダストカウンタ33によ
り流入した乾燥空気中の標準粒子の粒径と粒径分布が計
測される。一方、標準粒子付着部V−に流入した乾燥空
気中の標準粒子はウェハ容器34内に導かれ、標準粒子
拡散板35を通過する。この標準粒子拡散板35の拡散
孔38.38・・・は前述のように同心円上に設けられ
、かつ逆円錐形に形成されているため、標準粒子は均一
濃度で拡散し、シリコンウェハ36の表面に均一な密度
で付着する。このシリコンウェハ36の表面に付着した
標準粒子の数と大ぎさはジス1〜カウンタ33の計測値
により換算できるものである。従って、このシリコンウ
ェハ36は較正用標準ウェハとして使用することが可能
となる。
第3図はシリコンウェハ表面の標準粒子の分布状態を示
すもので、同図(a)は従来方法の一つであるアトマイ
ザによる吹付は方法、同図(b)は本発明の装置により
それぞれ0.5μのラテックス標準粒子を付着させたシ
リコンウェハ表面をレーザ走査による微粒子割数装置で
測定した結果である。同図より明らかに、本発明の装置
による場合の方が、標準粒子は均一に分散付着している
尚、上記実施例に於いては、本発明を較正用標準ウェハ
作成装置に適用した例について説明したが、これに限定
するものではなく、その他一般に一定の粒径の粒子を試
料表面に均一に分散付着させる必要のある装置に適用で
きるものである。
[発明の効果] 以上のように本発明によれば、一定の粒径の標準粒子を
単分散させた状態で、試料の表面に一定密度で均一に付
着させることのできる標準粒子付着装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る標準粒子トJ肴装置を
示す構成図、第2図は第1図の装置に於けるウェハ容器
の構成を示す断面図、第3図は標準粒子の分布状態を従
来方法と:本発明の方法を比較して示ず図である。 旦・・・標準粒子発生部、12−・・標準粒子測定部、
U・・・標準粒子付着部、21・・・ダイヤフラムポン
プ、24゜25・・・ドライヤ、29・・・71ヘマイ
ザ、29a・・・希釈液、32・・・エアロゾル混合管
、33・・・ダストカウン、34・・・ウェハ容器、3
5・・・標準粒子拡散板、36・・・シリコンウェハ、
38・・・拡散孔。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)単分散した標準粒子を発生させる標準粒子発生部
    と、この標準粒子発生部に於いて発生した標準粒子の粒
    径及び粒子数を測定する標準粒子測定部と、前記標準粒
    子発生部で発生した標準粒子を試料表面に均一に分散付
    着させる標準粒子付着部とを具備したことを特徴とする
    標準粒子付着装置。
  2. (2)前記標準粒子発生部は、液状の標準粒子を霧状に
    吹出すアトマイザと、このアトマイザにより吹出された
    標準粒子を乾燥させ単分散させる手段とからなる特許請
    求の範囲第1項記載の標準粒子付着装置。
  3. (3)前記標準粒子付着部は、前記試料が収納される容
    器と、同心円上に逆円錐形の拡散孔が多数設けられ、前
    記容器の前記試料上に設置される標準粒子拡散板とから
    なる特許請求の範囲第1項又は第2項いずれか記載の標
    準粒子付着装置。
JP60043908A 1985-03-06 1985-03-06 標準粒子付着装置 Pending JPS61202139A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5306345A (en) * 1992-08-25 1994-04-26 Particle Solutions Deposition chamber for deposition of particles on semiconductor wafers
KR100417138B1 (ko) * 1997-06-28 2004-04-06 주식회사 현대교정인증기술원 미립자 계수 장치의 교정 방법
US7024950B2 (en) * 2000-11-30 2006-04-11 Texas Instruments Incorporated Method for intelligent sampling of particulates in exhaust lines
CN109524322A (zh) * 2018-11-28 2019-03-26 上海超硅半导体有限公司 一种校正用硅片、其制备方法以及应用

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