KR0142874B1 - 반도체 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각장치 - Google Patents
반도체 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각장치Info
- Publication number
- KR0142874B1 KR0142874B1 KR1019890018835A KR890018835A KR0142874B1 KR 0142874 B1 KR0142874 B1 KR 0142874B1 KR 1019890018835 A KR1019890018835 A KR 1019890018835A KR 890018835 A KR890018835 A KR 890018835A KR 0142874 B1 KR0142874 B1 KR 0142874B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon wafer
- air
- etching
- chemical solution
- back side
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
화학용액을 화학용액 공급기(1)를 통해 실리콘 웨이퍼(2)의 상방 노즐(3)로부터 분사하고 이를 여과기(4)를 통해 재순환시킴에 따라 실리콘 웨이퍼(2)의 뒷면 식각작업을 실시하도록 된 식각장치에 있어서, 실리콘 웨이퍼(2)의 하방 원통체(5)내로 다수의 에어분사기(6)를 설치하고, 상기 에어분사기(6)로 공기공급기(7)와 압력조절기(8)를 통해 일정압력의 공기를 공급시켜 실리콘 웨이퍼(2)를 부상시켜 주도록 함을 특징으로 하는 반도체 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각장치.
Description
제1도는 본 발명 장치의 개략사시도.
제2도는 본 발명 장치의 시스템 구성도.
제3도는 종래장치의 개략사시도.
제4도는 종래장치의 시스템 구성도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1:화학용액 공급기 2:실리콘 웨이퍼
3:노즐 4:여과기
5:원통체 6:에어분사기
7:공기공급기 8:압력조절기
본 발명은 반도체 제조과정 중 실리콘 웨이퍼의 뒷면을 화학용액으로 식각해 주는 장치에 관한 것으로, 특히 실리콘 웨이퍼를 공기부 상방식에 의해 어느 일정위치로 부상시킨 상태에서 식각작업을 실시할 수 있도록 한 것이다.
종래에 사용되었던 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각장치는, 첨부도면 제3도및 제4도에 도시된 바와 같은 형태로서, 반도체 실리콘 웨이퍼(2)의 뒷면 식각 작업을 위한 실리콘 웨이퍼(2)의 지지를 위해 먼저 실리콘 웨이퍼(2)를 회전척(10) 상방위에 올려놓고, 회전척 하방의 진공압축기(11)를 통해 공기를 빨아들여 회전척(10)에 진공상태를 만들어줌에 따라 실리콘 웨이퍼(2)가 회전척(10)에 흡착된다.
이와같은 상태에서 모터(12)가 회전을 하여 회전척(10)을 돌려주게 되면 실리콘 웨이퍼(2)의 상방에 위치하고 있던 노즐(3)로부터 화학용액공급기(1)를 통해 질산, 초산, 불산이 혼합된 화학용액이 실리콘 웨이퍼(2)로 분사되면서 식각작업을 실시하게 된다.
분사된 화학용액은 다시 수거되어 화학용액 여과기(4)를 통하여 여과된 후, 다시 화학용액 공급기(1)로 저장되어 재사용되어 지게 된다.
이 때, 이와 같은 작업을 실시하는 실리콘 웨이퍼(2)는 앞면상에 각종 중요한 회로들이 구성되어 있기 때문에 뒷면의 식각작업을 실시하기 전에 앞면에 보호테이프나 감광제등을 도포하여 뒷면의 식각작업시에 이들이 손상되지 않도록 해주었다.
그러나 종래장치와 같이 실리콘 웨이퍼의 앞면상에 보호 테이프나 감광제를 도포하더라도 회전척의 흡인력에 의해 실리콘 웨이퍼의 앞면이 회전척과 밀착되어야 하므로 앞면의 반도체 회로에 충격이 가해져 회로가 손상되는 경우가 발생하였고, 별도의 보호형테이프나 감광제의 도포작업에 따른 작업생산성이 저하될 뿐만 아니라 원가상승 요인이 되었으며, 또한 식각작업을 마친 후에 실리콘 웨이퍼의 앞면상의 보호테이프나 감광제를 제거하더라도 이들의 찌꺼기가 존재하여 앞면상의 회로에 영향을 미치게 되는 원인이 되었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 단점을 개선하기 위하여 안출한 것으로서, 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각 작업시에 실리콘 웨이퍼를 흡착시키지 않고 공기부 상에 의해 일정거리 만큼 부상시켜 작업을 실시하도록 함에 따라 별도의 보호테이프나 감광제를 앞면에 도포시켜줄 필요가 없도록 한 것인바, 이를 첨부도면에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
화학용액을 화학용액공급기(1)를 통해 실리콘 웨이퍼(2)의 상방노즐(3)로부터 분사하고 이를 여과기(4)를 통해 재순환시킴에 따라 실리콘 웨이퍼(2)의 뒷면 식각 작업을 실시하도록 된 식각장치에 있어서, 실리콘 웨이퍼(2)의 하방 원통체(5) 내로 다수의 에어분사기(6)를 설치하고, 상기 에어분사기(6)로 공기공급기(7)와 압력조절기(8)를 통해 일정압력의 공기를 공급시켜 실리콘 웨이퍼(2)를 부상시켜 주도록 한 것이다.
이와 같이 된 본 발명은 식각작업을 실시하기 위하여 먼저 공기공급기(7)와 압력조절기(8)를 통한 일정량과 일정압을 갖는 공기를 에어분사기(6)를 통해 원통체(5) 상방으로 분사되도록 조절한 다음, 수동으로 실리콘 웨이퍼(2)를 원통체(5) 상방으로 올려 놓아주게 되면, 분사되는 공기의 압력에 의하여 실리콘 웨이퍼(2)가 일정간격을 유지한 상태로서 허공에 떠있게 된다.
이와 같은 상태에서, 종래장치와 동일하게 화학용액 공급기(1)로부터 식각을 위한 화학 혼합물을 노즐(3)을 통해 실리콘 웨이퍼(2)의 뒷면상에 분사시켜 주고, 분사된 용액들은 다시 수거되어 용액여과기(4)를 통해 여과된 후 화학용액 공급기(1)로 보내지게 된다.
이 때, 에어분사기(6)로부터 분사되는 공기압력에 따라 실리콘 웨이퍼(2)룰 부상시켜 주는 공기의 압력은 실리콘 웨이퍼(2)의 무게, 원통체(5) 내의 에어분사기(6)의 숫자, 그리고 압력조절기(8)를 통한 압력조절 크기의 각 변수들을 적절하게 변화시켜 주게 되면, 어떠한 실리콘 웨이퍼(2)의 상태에 대해서도 일정거리의 부상을 용이하게 실시할 수 있게 되는 것이다.
이와 같이 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 지지를 종래장치와 같이 흡착력을 이용한 직접흡착방식이 아닌 공기의 부상력을 이용한 지지방식으로 반경 실시하여 줌에 따라 식각작업시에 실리콘 웨이퍼의 전면 충격방지를 위한 별도의 보호용 테이프나 감광제를 도포시킬 필요가 없게 되어 작업생산성을 향상시킴은 물론 원가를 절감할 수 있게 되고, 이들을 제거한 후 남는 찌꺼기의 문제를 해소시켜 주며, 또한 식각작업을 실시하는 실리콘 웨이퍼의 중요 회로부인 앞면의 충격이나 요염을 방지해 주게 되므로 웨이퍼의 성능향상을 가져올 수 있게 되는 효과를 갖는다.
Claims (1)
- 화학용액을 화학용액공급기(1)를 통해 실리콘 웨이퍼(2)의 상방 노즐(3)로부터 분사하고 이를 여과기(4)를 통해 재순환시킴에 따라 실리콘웨이퍼(2)의 뒷면 식각작업을 실시하도록 된 식각장치에 있어서, 실리콘 웨이퍼(2)의 하방 원통체(5) 내로 다수의 에어분사기(6)를 설치하고, 상기 에어분사기(6)로 공기공급기(7)와 압력조절기(8)를 통해 일정압력의 공기를 공급시켜 실리콘 웨이퍼(2)를 부상시켜 주도록 함을 특징으로 하는 반도체 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890018835A KR0142874B1 (ko) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 반도체 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890018835A KR0142874B1 (ko) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 반도체 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910013470A KR910013470A (ko) | 1991-08-08 |
| KR0142874B1 true KR0142874B1 (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=19293106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890018835A KR0142874B1 (ko) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 반도체 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0142874B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19505906A1 (de) * | 1995-02-21 | 1996-08-22 | Siemens Ag | Verfahren zum Damage-Ätzen der Rückseite einer Halbleiterscheibe bei geschützter Scheibenvorderseite |
-
1989
- 1989-12-18 KR KR1019890018835A patent/KR0142874B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910013470A (ko) | 1991-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0132274B1 (ko) | 웨이퍼 연마 설비 | |
| US7470344B1 (en) | Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing | |
| JP2003257896A (ja) | 半導体ウェーハの分割方法 | |
| JPH02309638A (ja) | ウエハーエッチング装置 | |
| KR0142874B1 (ko) | 반도체 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각장치 | |
| US20030075523A1 (en) | Grinding-and-etching system for plate-like objects | |
| JPH0778864A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| DE3371140D1 (en) | Fabricating a semiconductor device by means of molecular beam epitaxy | |
| JPH07169720A (ja) | ダイシング装置 | |
| KR100375005B1 (ko) | 웨이퍼 클리닝 설비 및 이의 클리닝 방법 | |
| KR100742965B1 (ko) | 반도체 제조용 현상장치 및 현상 방법 | |
| JPH11345787A (ja) | ダイシング装置 | |
| JPH06267893A (ja) | レジスト除去方法及びその装置 | |
| KR100419004B1 (ko) | 반도체 폴리싱 장치에서의 웨이퍼 마운팅 및 디마운팅 장치 | |
| US20240058898A1 (en) | Wafer processing method | |
| KR100607199B1 (ko) | 웨이퍼 이면 연마 장치 | |
| KR950005390Y1 (ko) | 웨이퍼의 현상처리장치 | |
| KR100466295B1 (ko) | 기판 가장자리 식각 방법 | |
| KR20010017185A (ko) | 파티클 제거 장치 | |
| KR200231851Y1 (ko) | 에이치엠디에스분사장치 | |
| KR200158118Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 파티클 제거장치 | |
| KR20240080116A (ko) | 웨이퍼의 가공 장치 | |
| JPS6415951A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH04162723A (ja) | ウェットエッチング装置 | |
| KR980005765A (ko) | 웨이퍼 뒷면 연삭공정 후의 웨이퍼 전면 보호용 테이프 제거장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110325 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |