KR0130143Y1 - Gas supplying system for fabricating semiconductor device - Google Patents
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 고안이 속한 기술분야1. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
반도체 소자 제조용 증기 송출 시스템Steam delivery system for semiconductor device manufacturing
2. 고안이 해결하려고 하는 기술적 과제2. The technical problem the invention is trying to solve
반도체 소자 제조용 증기 송출 시스템에서 반도체 소자의 오염 방지 등의 목적으로 순수 저장 용기내의 H2O를 주기적으로 교체해 주어야 하는데, 종래에는 용기내에서 H2O를 배수시킬 때, 순수 저장 용기에 밸브를 통해 N2를 주입시켜 용기내의 기압을 대기압보다 높게 만든 다음 그 압력차에 의해 H2O를 배수시키도록 구성되어 있는데, 이 과정에서 압력 조절 오류 등으로 인해 H2O가 역류하는 현상이 발생할 수도 있고, 또한 H2O가 완전히 배수하지 않고 남아 있어 새로 주입되는 H2O를 오염시키는 등의 문제점이 있었음.In the vapor delivery system for semiconductor device manufacturing, H 2 O in the pure water storage container should be replaced periodically for the purpose of preventing contamination of the semiconductor device. In the conventional method, when H 2 O is drained from the container, the valve is connected to the pure water storage container. It is configured to inject N 2 to make the air pressure in the container higher than atmospheric pressure and then drain the H 2 O by the pressure difference. In this process, H 2 O may flow backward due to a pressure adjustment error. In addition, H 2 O was not completely drained and there was a problem of contaminating the newly injected H 2 O.
3. 고안의 해결방법의 요지3. Summary of solution of design
배수관에 첵크 밸브를 설치하여 배수되는 H2O의 역류를 방지하고, 또한 벤츄리 밸브를 설치하고 질소 가스를 공급하므로써, 배수관과 용기내부 사이의 압력차를 크게 하여 H2O의 용기내 잔류를 방지할 수 있는 증기 송출 시스템을 제공하고자 함.By installing a check valve in the drain pipe to prevent backflow of H 2 O to be drained, and by installing a venturi valve and supplying nitrogen gas, the pressure difference between the drain pipe and the inside of the container is increased to prevent residual H 2 O in the container. To provide a steam delivery system.
4. 고안의 중요한 용도4. Important uses of the devise
반도체 소자 제조 장비에 이용됨Used in semiconductor device manufacturing equipment
Description
제1도는 본 고안에 따른 증기 송출 시스템의 구성도.1 is a block diagram of a steam delivery system according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 순수 저장 용기 2,3 : 뉴머틱 밸브1: pure water storage container 2,3: pneumatic valve
4 : 첵크 밸브 5 : 벤츄리 밸브4: check valve 5: venturi valve
6 : 배수통6: drain bottle
본 고안은 일반적으로 반도체 소자 제조 장비에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자의 패시베이션 공정에 사용되는 증기 송출 시스템에 관한 것이다.The present invention relates generally to semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly to a vapor delivery system used in the passivation process of the semiconductor device.
반도체 소자 제조시, 금속 배선 공정중 포토레지스트를 스트립하기 전에 패시베이션 공정이 수행되는데, 이 공정은 H2O 증기에 의해 진행된다. 이때 순서(D.I. Water)를 이용한 증기 송출 시스템(Vapor Delivery System) 내의 순수 저장 용기로부터 송출관을 통해 증기가 공급되게 되는데, 반도체 소자의 오염 방지 등의 목적으로 이 시스템내의 순수 저장 용기내의 H2O를 주기적으로 교체해 주어야 한다. 그런데 종래에는 용기내에서 H2O를 배수시킬 때 제1도의 순수 저장 용기(1)에 밸브(2)를 통해 질소 가스(N2)를 주입시켜 용기(1)내의 기압을 대기압보다 높게 만든 다음 그 압력차에 의해 H2O를 밸브(3)을 통해 배수시키도록 구성되어 있는데, 이 과정에서 압력 조절 오류 등으로 인해 H2O가 역류하는 현상이 발생할 수도 있고, 또한 H2O가 완전히 배수되지 않고 남아 있어 새로 주입되는 H2O를 오염시키는 등의 문제점이 있었다.In the manufacture of semiconductor devices, a passivation process is performed prior to stripping the photoresist during the metallization process, which is carried out by H 2 O vapor. At this time, steam is supplied from the pure water storage container in the vapor delivery system using DI water through the discharge pipe. H 2 O in the pure water storage container in this system is used for the purpose of preventing contamination of semiconductor devices. Should be replaced periodically. However, conventionally, when the H 2 O is drained from the container, nitrogen gas (N 2 ) is injected into the pure water storage container 1 of FIG. 1 through the valve 2 to make the air pressure in the container 1 higher than atmospheric pressure. There the H 2 O by the pressure difference is arranged to drain through the valve 3, in the process due to the pressure adjusting error and so on may occur a phenomenon of backflow H 2 O, also H 2 O is completely drained There was a problem such as contaminating the newly injected H 2 O to remain.
따라서, 본 고안의 목적은 순수 저장 용기내의 순수의 배수가 보다 용이하고 배수되는 순수의 역류를 방지할 수 있는 반도체 소자 제조용 증기 송출 시스템을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a vapor delivery system for manufacturing a semiconductor device which can more easily drain the pure water in the pure water storage container and prevent the reverse flow of the pure water.
본 고안에 따른 반도체 소자 제조용 증기 송출 시스템은, 증기 발생을 위한 물을 저장하기 위한 저장 용기와, 상기 저장 용기 내부의 압력을 대기압보다 높은 압력으로 만들기 위해 질소 공급관을 통해 질소 가스를 공급하기 위한 제1질소 공급 수단과, 상기 질소 공급관에 설치되어 질소 가스의 흐름을 제어하기 위한 제1밸브와, 상기 저장 용기로부터 물을 배수시키기 위한 배수관과, 상기 배수관의 개폐를 위한 제2밸브와, 상기 배수관에 설치되어 배수되는 물의 역류를 방지하기 위한 제3밸브와, 상기 배수관에 질소 가스를 공급하기 위한 제2질소 공급 수단 및 상기 배수관에 설치되어 상기 제2질소 공급 수단으로부터 공급되는 질소 가스의 흐름에 의해 배수관 내의 압력을 대기압보다 낮은 압력으로 만들기 위한 제4밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다.A vapor delivery system for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a storage container for storing water for steam generation, and a supply for supplying nitrogen gas through a nitrogen supply pipe to make the pressure inside the storage container higher than atmospheric pressure. A first nitrogen supply means, a first valve installed in the nitrogen supply pipe for controlling the flow of nitrogen gas, a drain pipe for draining water from the storage container, a second valve for opening and closing the drain pipe, and the drain pipe A third valve for preventing a backflow of water drained from the drain, a second nitrogen supply means for supplying nitrogen gas to the drain pipe, and a flow of nitrogen gas installed in the drain pipe and supplied from the second nitrogen supply means. And a fourth valve for making the pressure in the drain pipe lower than atmospheric pressure. .
이제 본 고안은 첨부도면을 참조하여 보다 상세하게 설명되게 된다. 제1도를 보면, 참조 번호 1은 H2O를 저장하기 위한 용기로써, 이 용기에서 H2O가 증기화되어 송출관을 통해 공정 챔버에 공급되도록 되어 있다. 본 고안에 따른 증기 송출 시스템에 있어서는 저장 용기(1)내의 H2O를 교체하기 위해 기사용된 H2O를 배수하는 경우에, 먼저 뉴머틱(pnuematic) 밸브(2)가 온 상태로 동작하면서 질소 공급 수단(도시 안됨)에 의해 용기(1)내로 약 15PSi의 질소(N2)가 공급되어 용기(1)내부의 기압을 대기압보다 높은 압력으로 만들게 된다. 용기(1)내의 압력이 충분히 높아지면, 배수 밸브인 뉴머틱 밸브(3)가 온상태로 동작하는 것과 동시에, 벤츄리 밸브(5)가 온 상태로 동작하고 다시 질소 공급 수단에 의해 약 80PSi의 질소(N2)가 배수 라인에 공급되어 벤츄리 효과에 위해 배수 라인이 거의 진공 상태로 되면서 용기(1) 내부에 있는 H2O의 배수가 용이하게 이루어져 진공 상태로 되면서 용기(1) 내부에 있는 H2O의 배수가 용이하게 이루어져 배수통(6)으로 들어가게 된다. 이때 일단 배수가 이루어진 H2O는 뉴머틱 밸브(a3)와 벤츄리 밸브(5) 사이에 설치된 첵크 밸브(4)에 의해 다시 용기(1)내로 역류되지 않게 된다. 따라서, 용기(1)내에 H2O가 잔류하지 않고 거의 완전한 배수가 이루어져 용기를 새로운 H2O로 채우는 경우에 기사용된 H2O에 의해 오염되는 일이 발생하지 않으므로 반도체 제조시 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The invention will now be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Referring to FIG. 1, reference numeral 1 denotes a container for storing H 2 O, in which H 2 O is vaporized and supplied to the process chamber through an outlet pipe. In the steam delivery system according to the present invention, when draining H 2 O used to replace H 2 O in the storage container 1, first, the pneumatic valve 2 is operated in an on state. Nitrogen (N 2 ) of about 15 PSi is supplied into the vessel 1 by means of a nitrogen supply means (not shown) to make the pressure inside the vessel 1 higher than atmospheric pressure. When the pressure in the container 1 becomes high enough, the pneumatic valve 3, which is a drain valve, is operated in an on state, and the venturi valve 5 is operated in an on state and nitrogen of about 80 PSi is again supplied by a nitrogen supply means. (N 2 ) is supplied to the drain line so that the drain line becomes almost vacuum for the venturi effect, and the drainage of the H 2 O inside the container 1 is easily accomplished and the vacuum is made while the H 2 O is inside the container 1 2 O is easily drained into the sump (6). At this time, the H 2 O, once drained, is not flowed back into the container 1 by the check valve 4 installed between the pneumatic valve a3 and the venturi valve 5. Therefore, when H 2 O does not remain in the container 1 and almost complete drainage occurs, when the container is filled with fresh H 2 O, it is not contaminated by the used H 2 O, so that the yield in semiconductor manufacturing is improved. It can be effected.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950014262U KR0130143Y1 (en) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | Gas supplying system for fabricating semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950014262U KR0130143Y1 (en) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | Gas supplying system for fabricating semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003182U KR970003182U (en) | 1997-01-24 |
| KR0130143Y1 true KR0130143Y1 (en) | 1999-02-01 |
Family
ID=19416172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019950014262U KR0130143Y1 (en) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | Gas supplying system for fabricating semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0130143Y1 (en) |
-
1995
- 1995-06-22 KR KR2019950014262U patent/KR0130143Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970003182U (en) | 1997-01-24 |
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