KR0129715Y1 - Ion implant apparatus of semiconductor manufacture system - Google Patents
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Abstract
본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이온주입장치는 이온소오스부에서 발생된 이온들이 가속 및 분리되어 이온주입부로 주입되고, 이온 주입의 공정진행중에는 비임게이트동작부에 의해 비임게이트가 오픈의 상태를 유지하도록 하고, 이온주입이 완료되면 비임게이트동작부에 의해 비임게이트가 클로즈드되도록 하며, 이온 주입부에는 공급전원이 인가되면 동작되고, 공급전원이 차단되면 동작을 멈추는 일렉트론 플러드건이 설치되어 있는 반도체 제조장비의 잉온 주입장치에 있어서, 비임게이트동작부는 에어신호에 의하여 그 동작이 제어되고, 비임게이트동작부를 제어하는 동일한 에어신호에 의하여 동작되는 전기 스위치를 구비하여, 전기 스위치가 일렉트론 플러드건에 공급되는 전원을 제어하도록 구성된 것을 특징으로 한다.In the ion implantation apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the ions generated in the ion source portion are accelerated and separated and implanted into the ion implantation portion, and the beam gate is kept open by the beam gate operation portion during the ion implantation process. When the ion implantation is completed, the beam gate is closed by the beam gate operation unit, and the electron injection gun is installed in the ion implantation unit to operate when supply power is applied and to stop the operation when the supply power is cut off. In the injecting device of the apparatus, the beam gate operation unit has an electrical switch controlled by the air signal and operated by the same air signal that controls the beam gate operation unit, so that the electrical switch is supplied to the electron flood gun. Characterized in that configured to control.
Description
제1도는 종래의 반도체 제조장비의 이온 주입장치의 블록도.1 is a block diagram of an ion implantation apparatus of a conventional semiconductor manufacturing equipment.
제2도는 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이온 주입장치의 블럭도.2 is a block diagram of an ion implantation apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 에어관 20 : 제 1 에어관10: air pipe 20: first air pipe
21 : 제 2 에어관 MS : 수동스위치21: 2nd air pipe MS: manual switch
AMS : 에어마이크로스위치AMS: Air Micro Switch
본 고안은 반도체 제조장비의 이온 주입장치(ion impianter)에 관한 것으로, 특히 이온 주입장치에서 웨이퍼에 이온을 주입하는 이온 주입부에 설치되는 일렉트론 플러드건(electron flood gun)에 있어서, 이온 주입 완료후에도 동작되는 일렉트론 플러드건에서 발생되는 전자에 의한 웨이퍼의 손상방지에 적당하도록 한 반도체 제조장비의 이온 주입장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ion implanter of a semiconductor manufacturing equipment, and particularly in an electron flood gun installed in an ion implanter for implanting ions into a wafer in an ion implanter, even after completion of ion implantation. The present invention relates to an ion implantation apparatus of a semiconductor manufacturing equipment adapted to prevent damage to a wafer by electrons generated in an operated electron flood gun.
제1도는 종래의 반도체 제조장비의 이온 주입장치의 블록(block)도로서, 이하 첨부된 도면을 참고로 종래의 반도체 제조장비의 이온 주입장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.FIG. 1 is a block diagram of an ion implantation apparatus of a conventional semiconductor manufacturing apparatus. Hereinafter, an operation of the ion implantation apparatus of a conventional semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to the accompanying drawings.
종래의 반도체 제조장비의 이온 주입장치는 제1도에 도시된 바와 같이, 이온소오스부에서 발생된 이온들이 가속 및 분리되어 공정진행중에는 오픈(open)되어 있는 비임게이트(beam gate)를 통과하여 이온 주입부에 안착되는 웨이퍼로 주입되고 있으며, 이온 주입부에는 일렉트론 플러드건이 설치되어 있다.In the ion implantation apparatus of the conventional semiconductor manufacturing equipment, as shown in FIG. 1, ions generated in the ion source portion are accelerated and separated, and pass through a beam gate that is open during the process. It is injected into the wafer seated in the implantation section, and an electron flood gun is installed in the ion implantation section.
이때, 비임게이트는 이온주입부에 의해 동작이 제어되는 비임게이트동작부에 의해 오픈 또는 클로즈드(closed) 동작되고 있다.At this time, the beam gate is opened or closed by the beam gate operation unit whose operation is controlled by the ion implantation unit.
즉, 비임게이트동작부는 에어실린터(air cylinder)를 구비하여, 이온 주입의 공정진행중에는 에어관(10)을 통하여 에어(air)가 공급되도록 하여 비임게이트가 오픈의 상태를 유지하도록 하고, 이온주입부에서 웨이퍼에 불순물의 이온 주입이 완료되었다고 감지되면, 즉 이온 주입의 공정이 완료되면 에어를 차단하여 비임게이트가 클로즈드되도록 하고 있다.That is, the beam gate operation unit is provided with an air cylinder (air cylinder), so that the air (air) is supplied through the air pipe 10 during the process of ion implantation to maintain the beam gate open state, the ion When the implantation unit detects that the implantation of impurities into the wafer is completed, that is, the ion implantation process is completed, the air is blocked to close the beam gate.
또한 종래의 반도체 제조장비의 이온 주입장치에서 일렉트론 플러드건을 동작시키기 위해서는 작업자가 손으로 수동스위치(MS : manual switch)를 온(ON)시켜서 공급전원이 일렉트론 플러드건에 인가되도록 하고, 일렉트론 플러드건의 동작을 멈추게 하기 위해서는 수동스위치(MS)를 오프(OFF)시켜서 공급전원이 일렉트론 플러드건에 인가되지 않도록 한다.In addition, in order to operate the electron flood gun in the ion implanter of the conventional semiconductor manufacturing equipment, the operator turns on the manual switch (MS) by hand so that the supply power is applied to the electron flood gun, In order to stop the operation, the manual switch (MS) is turned off so that the supply power is not applied to the electron flood gun.
즉, 종래의 반도체 제조장비의 이온 주입장치에서는 공정 진행중에 비임게이트는 오픈되어 있으며, 공정이 완료되면, 즉, 불순물이 웨이퍼 상에 100% 이온 주입되면, 장비에서는 이를 감지하여 비임게이트를 클로즈드(closed)시키고, 일렉트론 플러드건은 작업자가 손으로 수동스위치를 온/오프하여, 공급전원이 인가되거나 차단되도록 하여 동작을 제어한다.That is, in the ion implantation apparatus of the conventional semiconductor manufacturing equipment, the beam gate is open during the process, and when the process is completed, that is, when impurities are 100% ion implanted on the wafer, the equipment detects this and closes the beam gate ( and the electrostatic flood gun controls the operation by the operator turning the manual switch on and off by hand, so that the supply power is applied or cut off.
그러나 종래의 반도체 제조장비의 이온 주입장치에서는 일렉트론 플러드건을 작업자가 손으로 온/오프시키고 있으므로 이온 주입이 완료된 후에도, 작업자가 손으로 오프시키기 전까지는 이온 주입이 완료된 웨이퍼로 일렉트론 플러드건에서 발생된 전자가 계속적으로 방사되어서 웨이퍼에 손상을 입히게 된다.However, in the ion implantation apparatus of the conventional semiconductor manufacturing equipment, the electron flood gun is turned on / off by hand, so even after the ion implantation is completed, the ion flood gun is generated from the electron flood gun until the ion implantation is completed. The electrons continue to radiate and damage the wafer.
즉, 종래의 반도체 제조장비의 이온주입장비에서 이온 주입이 완료된 후에 작업자가 일렉트론 플러드건을 오프시키기 전까지는 직경 4인치(inch) 웨이퍼의 경우에는 약 2장 정도, 직경 5인치 웨이퍼의 경우에는 약 1장 정도가 손상을 입게 되는 문제가 발생되었으며, 이는 웨이퍼 이온주입의 생산수율을 저하시키는 원인이 되고 있다.That is, after ion implantation is completed in the ion implantation equipment of the conventional semiconductor manufacturing equipment, about 2 sheets for a 4 inch diameter wafer and about a 5 inch diameter wafer until the operator turns off the electron flood gun. The problem is that about one sheet is damaged, which causes a decrease in the yield of wafer ion implantation.
본 고안은 이러한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 반도체 제조장비의 이온 주입장치에서 이온 주입이 완료되면, 일렉트론 플러드건이 자동적으로 오프되도록 하여 웨이퍼의 손상이 방지되도록 하는 것이 그 목적이다.The present invention has been made to solve this problem, the purpose is to prevent the damage of the wafer by automatically turning off the electron flood gun when the ion implantation in the ion implanter of the semiconductor manufacturing equipment.
본 고안은 이온소오스부에서 발생된 이온들이 가속 및 분리되어 이온주입부로 주입되고, 이온 주입의 공정진행중에는 비임게이트동작부에 의해 비임게이트가 오픈의 상태를 유지하도록 하고, 이온 주입이 완료되면 비임게이트동작부에 의해 비임게이트가 클로즈드되도록 하며, 이온 주입부에는 공급전원이 인가되면 동작되고, 공급전원이 차단되면 동작을 멈추는 일렉트론 플러드건이 설치되어 있는 반도체 제조장비의 이온 주입장치에 있어서, 비임게이트동작부는 에어신호에 의하여 그 동작이 제어되고, 비임게이트동작부를 제어하는 동일한 에어신호에 의하여 동작되는 전기 스위치(switch)를 구비하여, 전기 스위치가 일렉트론 플러드건에 공급되는 전원을 제어하도록 구성된 것을 특징으로 한다.The present invention accelerates and separates the ions generated in the ion source portion and implants them into the ion implantation portion. During the process of ion implantation, the beam gate is kept open by the beam gate operation portion. In an ion implantation apparatus of a semiconductor manufacturing equipment, a beam gate is closed by a gate operation unit, and an ion implantation unit is installed when the supply power is applied to the ion implantation unit and stops when the supply power is interrupted. The operation portion is controlled by the air signal, the operation is provided with an electrical switch (switch) operated by the same air signal to control the beam gate operation portion, characterized in that the electrical switch is configured to control the power supplied to the electrostatic flood gun It is done.
제2도는 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이온 주입장치의 일실시예를 도시한 블록도로서, 이하 첨부된 도면을 참고로 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이온 주입장치의 구성 및 동작을 설명하면 다음과 같다.2 is a block diagram showing an embodiment of an ion implantation apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, with reference to the accompanying drawings illustrating the configuration and operation of the ion implantation apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention As follows.
본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이온주입장치는 제2도에 도시된 바와 같이, 이온소오스부에서 발생된 이온들이 가속 및 분리되어 이온주입부로 주입되되, 이온 주입의 공정진행중에는 구비하고 있는 에어실린더에 제 1 에어관(20)을 통하여 에어가 공급되는 즉, 에어신호가 인가되는 비임게이트동작부에 의해 비임게이트가 오픈의 상태를 유지하도록 하고, 이온 주입이 완료되면 제 1 에어관으로 공급되는 에어 즉, 에어신호가 차단되도록 하여 비임게이트동작부에 의해 비임게이트가 클로즈드되도록 하며, 이온 주입부에 설치되되, 공급전원이 인가되면 동작되고, 공급전원이 차단되면 동작을 멈추는 일렉트론 플러드건과, 공급전원과 일렉트론 플러든건 사이에 설치된 전기 스위치로서는 제 2 에어관(21)으로 에어 즉, 에어신호가 공급되면 온되고, 에어신호가 차단되면 오프되는 에어 마이크로스위치(AMS : air micro switch)로 형성화되, 제 2 에어관(21)을 제 1 에어관(20)과 연결시켜서, 제 1 에어관에 에어가 공급됨에 따라 비임게이트동작부에 의해 비임게이트가 오픈되어 있으면, 제 2 어에관에도 에어가 공급되어서 에어마이크로스위치(AMS)가 온되어 일렉트론 플러드건에 공급전원이 인가되도록 하고, 제 1 에어관에 에어가 차단됨에 따라 비임게이트동작부에 의해 비임게이트가 클로즈드되어 있으면, 제 2 에어관에도 에어가 차단되어서 에어마이크로스위치(AMS)가 오프되어 일렉트론 플러드건에 공급전원이 인가되지 않도록 한다.In the ion implantation apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, as shown in Figure 2, the ions generated in the ion source portion is accelerated and separated and injected into the ion implantation portion, the air cylinder provided during the process of ion implantation The air is supplied through the first air pipe 20 to the beam gate operation unit to which the air signal is applied, so that the beam gate is kept open and supplied to the first air pipe when ion implantation is completed. The air signal is blocked so that the beam gate is closed by the beam gate operation unit, and is installed in the ion implantation unit and operated when supply power is applied, and stops operation when the supply power is cut off; As an electric switch provided between the supply power supply and the electron flooden gun, when the air, that is, the air signal, is supplied to the second air pipe 21, It is formed as an air micro switch (AMS) that is turned off when the fish signal is blocked, and connects the second air pipe 21 with the first air pipe 20, as the air is supplied to the first air pipe If the beam gate is opened by the beam gate operation unit, air is also supplied to the second air pipe, so that the air microswitch (AMS) is turned on so that supply power is applied to the electron flood gun, and air is supplied to the first air pipe. If the beam gate is closed by the beam gate operation unit as it is blocked, the air is also blocked in the second air pipe so that the air micro switch AMS is turned off so that the supply power is not applied to the electron flood gun.
즉, 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이온 주입장치에서는 일렉트론 플러드건을 동작시키는 공급전원이 전기 스위치에 의해 자동적으로 연결 또는 차단되도록 하고 있으며, 전기 스위치의 동작은 비임 게이트동작부를 제어하는 에어신호와 동일한 에어신호로서 제어되고 있다.That is, in the ion implantation apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the supply power for operating the electron flood gun is automatically connected or disconnected by an electric switch, and the operation of the electric switch is performed by the air signal for controlling the beam gate operation part. It is controlled as the same air signal.
이하 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이온 주입장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the ion implantation apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이온 주입장치에서는 우선 이온소오스부에서 발생된 이온들이 가속 및 분리되어 이온주입부에서 웨이퍼 상에 안착된다.In the ion implantation apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the ions generated in the ion source portion are accelerated and separated and are deposited on the wafer at the ion implantation portion.
이때, 비임게이트동작부는 에어실린더를 구비하여, 이온 주입의 공정진행중에는 제1에어관(20)을 통하여 에어 (air)가 공급되도록 하여 비임게이트가 오픈의 상태를 유지하도록 하고, 이온주입부에서 웨이퍼에 불순물의 이온 주입이 완료되었다고 감지되면, 즉 이온 주입의 공정이 완료되면 에어를 차단하여 비임게이트가 클로즈드되도록 하고 있으면, 전기 스위치의 일실시예로서 형성한 에어마이크로스위치는 제1연결관에 연결된 제2에어관을 통하여 제1연결관과 동시에 에어가 공급되어 온됨에 따라 일렉트론 플러드건에 공급전원이 인가되도록 하고 있으며, 또한 제 1에어관에 에어가 차단되면, 제 2에어관도 에어가 차단되어서 에어마이크로밸브는 오프되고, 따라서 일렉트론 플러드건에는 공급전원이 인가되지 않는다.At this time, the beam gate operation unit is provided with an air cylinder, so that the air is supplied through the first air pipe 20 during the ion implantation process to maintain the beam gate open state, When it is sensed that the ion implantation of impurities into the wafer is completed, that is, when the ion implantation process is completed, the air is shut off to close the beam gate, the air microswitch formed as an embodiment of the electric switch is connected to the first connector. As air is supplied to the first air pipe at the same time through the connected second air pipe, supply power is applied to the electron flood gun.In addition, when air is blocked to the first air pipe, the air is also blocked from the second air pipe. As a result, the air microvalve is turned off, so that no supply power is applied to the electrostatic flood gun.
본 고안에 의한 반도체 제조장비의 이온 주입장치에서는 이온 주입부에 설치한 일렉트론 플러드건의 동작제어를 종래의 기술과 같이, 작업자가 손으로 직접하는 것이 아니라, 비임게이트가 오픈되어서, 즉 이온 주입의 공정이 진행되고 있을때에는 일렉트론 플러드건에 공급전원이 인가되도록 하고, 비임게이트가 클로즈드되어서, 즉 이온 주입의 공정이 완료되면, 자동적으로 일렉트론 플러드건에 공급전원이 인가되지 않도록 하고 있으므로, 웨이퍼의 손상이 방지되고, 이로 인하여 웨이퍼 이온주입의 생산수율이 향상된다.In the ion implantation apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the operation of the electron flood gun installed in the ion implantation unit is not directly controlled by an operator as in the conventional art, but the beam gate is opened, that is, the ion implantation process. During this time, the supply power is applied to the electron flood gun, and the beam gate is closed, that is, the supply power is not automatically applied to the electron flood gun when the ion implantation process is completed. Is prevented, thereby improving the production yield of wafer ion implantation.
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| KR2019950038867U KR0129715Y1 (en) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | Ion implant apparatus of semiconductor manufacture system |
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