KR0113516Y1 - Controller of ion implanter - Google Patents
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Abstract
본 고안은 이온주입기의 작동제어장치에 관한 것이다.The present invention relates to an operation control device of the ion implanter.
종래 고전압이 발생되지 않을 경우에는 이온의 가속이 불안정하여 이온 주입의 깊이가 달라지게 되어 대량의 불량이 발생되게 됨에도 불구하고 고전압의 발생유무에 관계없이 인출전압만 인가되면 이온이 주입되어 수행되도록 하던 점을 감안하여 본 고안은 이온을 생성하는 이온생성부, 이온생성부의 이온을 뽑아내어 예비가속시키는 인출전압부, 규소박판에 주입할 이온만을 분리하는 이온분석부, 분리된 이온들을 추가 가속시키는 고전압부, 가속된 이온들이 규소박판에 골고루 편향되도록 하는 이온편향부등의 시스템 각부를 제어하는 제어부에 인출전압부의 인출전압과 고전압부의 고전압 발생유무를 검출하는 앤드 게이트와 앤드 게이트의 출력에 따라 턴온되는 트랜지스터와, 트랜지스터의 턴온/턴오프에 따라 스위칭되는 릴레이를 구성하여 인출전압과 고전압이 모두 발생될 경우 이외에는 장비의 작동을 중단시킴으로써 대량불량 발생을 감소시킬 수 있도록한 것이다.When the high voltage is not generated in the past, the acceleration of the ions is unstable and the depth of ion implantation is changed so that a large amount of defects are generated. However, the ion is injected and performed only when the withdrawal voltage is applied regardless of the occurrence of the high voltage. In view of this, the present invention provides an ion generation unit that generates ions, an extraction voltage unit that extracts and pre-accelerates ions of the ion generation unit, an ion analyzer that separates only the ions to be injected into the silicon thin plate, and a high voltage to further accelerate the separated ions The transistor which is turned on in response to the output of the AND gate and the AND gate for detecting the draw voltage of the drawing voltage part and the presence of the high voltage part of the drawing voltage part in a control part that controls each part of the system such as an ion deflecting part which causes the accelerated ions to be evenly deflected on the silicon thin plate. And, by configuring a relay to be switched according to the turn on / off of the transistor It is possible to reduce the occurrence of mass defects by shutting down the equipment except when both the draw voltage and the high voltage are generated.
Description
제1도는 종래의 구성도.1 is a conventional configuration diagram.
제2도는 본 고안의 구성도.2 is a block diagram of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 이온생성부 2 : 인출전압부1: ion generating unit 2: drawing voltage unit
3 : 이온분석부 4 : 고전압부3: ion analysis unit 4: high voltage unit
5 : 이온편향부 6 : 제어부5 ion deflection unit 6 control unit
OR1 : 오 게이트 AND1 : 앤드 게이트OR1: o gate AND1: AND gate
TR1 : 트랜지스터 RL1 : 릴레이TR1: Transistor RL1: Relay
본 고안은 이온주입기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 인출전압 또는 전압이 인가되지 않거나 인출전압 및 고전압이 동시에 인가되지 않을 경우 장비의 작동이 중단되도록 한 이온주입기의 작동제어장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ion implanter, and more particularly, to an operation control device of the ion implanter to stop the operation of the equipment when the withdrawal voltage or voltage is not applied or the withdrawal voltage and high voltage are not applied at the same time.
제1도는 종래의 이온주입기를 나타낸 것으로, 이온생성부(1)에서 이온을 생성하고, 인출전압부(2)에서 상기 이온생성부(1)에서 생성된 이온을 뽑아내어 이를 예비가속시켜 이온분석부(3)로 보낸다.FIG. 1 shows a conventional ion implanter, which generates ions in the ion generator 1, extracts ions generated in the ion generator 1 from the extraction voltage unit 2, and pre-accelerates them. Send to part (3).
상기 이온분석부(3)는 여러가지 이온중에서 규소박판(A)에 주입할 종류의 이온만을 선택하여 고전압부(4)로 보낸다.The ion analyzer 3 selects only the ions of the type to be injected into the silicon thin plate A among various ions and sends them to the high voltage unit 4.
그러면, 상기 고전압부(4)에서는 예비가속된 이온을 규정된 전압으로 추가 가속시킨다.Then, the high voltage section 4 further accelerates the pre-accelerated ions to a prescribed voltage.
상기 고전압부(4)에서 추가가속된 이온들은 이온편향부(5)로 보내져 상기 규소박판(A)에 골고루 주입도도록 편향된다.The ions further accelerated in the high voltage portion 4 are sent to the ion deflection portion 5 and are deflected so as to be evenly injected into the silicon thin plate A. FIG.
그리고 상기의 각부(1-5)의 동작은 인출전압의 인가여부를 검출하는 오아 게이트(CR1)의 출력에 따라 턴온되는 수위칭용 트랜지스터(OR1)의 출력에 따라 턴온되는 스위칭용 트랜지스터(OR1)와, 상기 트랜지스터(OR1)의 턴 온/ 턴 오프에 따라 시스템의 작동을 온/오프시키는 릴레이(RL1)로 구성되는 제어부(6)에서 제어하게 되는데, 특히 이온을 가속시키는 것과 관련하여 인출전압의 인가여부를 고전압의 인가여부에 관계없이 인출전압이 인가되지 않으면 장비의 작동을 중단시킨다.In addition, the operation of each unit 1-5 is switched on according to the output of the leveling transistor OR1 which is turned on in response to the output of the OR gate CR1 detecting whether the drawing voltage is applied. And a control unit 6 including a relay RL1 for turning on / off the operation of the system according to turn-on / turn-off of the transistor OR1, in particular with respect to acceleration of ions. Regardless of whether high voltage is applied or not, if the draw voltage is not applied, the operation of the equipment is stopped.
그러나 상기와 같은 종래의 이온주입기를 이용하여 규소박판에 이온을 주입할 경우 고정압의 인가여부에 관계없이 인출전압만 인가되면 이온이 주입되어 작업이 수행되게 된다.However, when ions are implanted into the silicon thin plate using the conventional ion implanter as described above, the ion is implanted when only the extraction voltage is applied regardless of whether the fixed pressure is applied.
따라서 이온의 가속이 불안정하게 되어 이온주입의 깊이가 달라지게 되어 대량의 불량품이 발생하게 되는 문제점이 있었다.As a result, the acceleration of the ions becomes unstable and the depth of ion implantation is changed, resulting in a large amount of defective products.
본 고안은 이러한 점을 해결하기 위한 것으로 본 고안의 목적은 이온주입기에서 인출전압이 인가되지 않을 경우와 고전압이 인가되지 않을 경우 또는 인출전압과 고전압이 동시에 인가되지 않을 경우 장비의 작동을 중단시키도록 한 이온주입기의 작동제어장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve this problem, and the purpose of the present invention is to stop the operation of the equipment when the withdrawal voltage is not applied in the ion implanter and when the high voltage is not applied or when the withdrawal voltage and the high voltage are not simultaneously applied. To provide an operation control device for an ion implanter.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 고안의 특징은 이온주입기에 있어서, 시스템의 각부를 제어하여 규소박판으로의 이온주입을 제어하는 제어부에 인출전압과 고전압의 출력여부를 검출하는 앤드 게이트를 구성하여 인출전압 또는 고전압이 출력되지 않거나 인출전압과 고전압이 동시에 출력되지 않을 경우 장비의 작동을 중단시키도록 한 것이다.A feature of the present invention for achieving the above object is an ion implanter, in which the end gate is configured to detect the output voltage and the output of the high voltage in the control unit for controlling each part of the system to control the ion implantation into the silicon thin film Alternatively, if the high voltage is not output or the output voltage and the high voltage are not output at the same time, the equipment is shut down.
이하, 본 고안의 바람직한 일실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail.
제2도는 본 고안의 구성도로써, 이온을 생성하는 이온생성부(1)와 상기 이온생성부(1)에서 생성한 이온을 뽑아내어 예비가속시키는 인출전압부(2)와, 상기 인출전압부(2)의 예비가속된 이온들중 규소박판(A)에 주입할 이온들만을 분리하는 이온분석부(3)와, 상기 이온분석부(3)에서 분리된 이온들을 규정된 전압으로 가속시키는 고전압부(4)와, 상기 고전압부(4)의 출력이온들이 규소박판(A)에 골고루 주입될 수 있도록 편향시키는 이온편항부(5)와, 상기 각부(1-5)를 제어하는 제어부(6)로 구성된 상기 제어부(6)는 상기 인출전압부(2)와 고전압부(4)에 접속되어 상기 인출전압부(2)와 고전압부(4)의 인출전압 및 고전압 발생을 검출하는 앤드 게이트(AND1)와, 상기 앤드 게이트(AND1)의 출력에 따라 턴온되는 스위칭용 트랜지스터(TR1)와, 상기 트랜지스터(TR1)의 턴 온/턴 오프에 따라 동작되어 시스템의 작동이 제어되도록 하는 릴레이(RL1)로 구성된다.2 is a block diagram of the present invention, an ion generation unit 1 for generating ions, an extraction voltage unit 2 for extracting and preaccelerating ions generated in the ion generation unit 1, and the extraction voltage unit An ion analyzer (3) for separating only the ions to be injected into the silicon thin plate (A) among the pre-accelerated ions of (2), and a high voltage for accelerating the ions separated from the ion analyzer (3) to a prescribed voltage The unit 4, an ion biasing unit 5 for deflecting the output ions of the high voltage unit 4 to be evenly injected into the silicon thin plate A, and a control unit 6 for controlling the respective units 1-5. The control unit 6 configured of the AND gate connected to the drawing voltage unit 2 and the high voltage unit 4 detects the drawing voltage and the high voltage generation of the drawing voltage unit 2 and the high voltage unit 4. AND1, the switching transistor TR1 turned on in response to the output of the AND gate AND1, and the turn on / turn of the transistor TR1. It consists of a relay RL1 which is operated in accordance with the off to control operation of the system.
상기와 같이 구성된 본 고안은 상기 이온생성부(1)에서 이온을 생성하면 인출전압부(2)에서 상기 이온생성부(1)에서 생성된 이온들을 뽑아내어 예비가속시켜 이온분석부(3)로 보낸다.According to the present invention configured as described above, when ions are generated in the ion generator 1, the ions generated in the ion generator 1 are extracted from the extraction voltage unit 2 and pre-accelerated to the ion analyzer 3. send.
그러면, 상기 이온분석부(3)에서는 예비가속된 이온들중 규소박판(A)에 주입할 이온들만을 분리하여 고전압부(4)로 빼내며, 이 고전압부(4)에서는 분리된 이온들을 규정된 전압으로 가속시켜 이온편향부(5)로 보낸다.Then, the ion analyzer 3 separates only the ions to be injected into the silicon thin plate A among the pre-accelerated ions and extracts them to the high voltage unit 4, and the separated ions are defined in the high voltage unit 4. Accelerated voltage is sent to the ion deflection section (5).
이 이온편향부(5)에서는 가속된 이온들이 상기 규소박판(A)에 골고루 주입될 수 있도록 반복편향시키며, 이러한 일련의 동작들은 상기 제어부(6)의 제어에 따르게 된다.The ion deflection unit 5 repeatedly deflects the accelerated ions to be evenly injected into the silicon thin plate A, and the series of operations are controlled by the control unit 6.
특히, 상기 제어부(6)는 인출전압부(2)와 고전압부(4)의 인출전압과 고전압의 발생을 앤드 게이트(AND1)로 검출하여 이 앤드 게이트(AND1)의 출력에 따라 트랜지스터(TR1) 및 릴레이(RL1)의 스위칭을 제어하여 시스템의 동작을 제어하게 되는데, 상기 앤드 게이트(AND1)는 그 특성상 입력이 모두 하이일 경우는 출력이 하이가 되므로 상기 인출전압부(2)의 인출전압이나 고전압부(4)의 고전압이 발생하지 않거나 인출전압 및 고전압이 모두 발생되지 않으면 트랜지스터(TR1)의 베이스 구동전위를 공급하지 못하게 된다.In particular, the controller 6 detects generation of the withdrawal voltage and the high voltage of the drawing voltage unit 2 and the high voltage unit 4 with the AND gate AND1, and according to the output of the AND gate AND1, the transistor TR1 is output. And the switching of the relay RL1 to control the operation of the system. The AND gate AND1 has a high output when the inputs are all high, so the output voltage of the drawing voltage unit 2 If the high voltage of the high voltage unit 4 does not occur or neither the drawing voltage nor the high voltage is generated, the base driving potential of the transistor TR1 cannot be supplied.
따라서, 상기 인출전압부(2)나 고전압부(4)의 인출전압이나 고전압이 발생하지 않으면 상기 트랜지스터(TR1)가 턴온되지 못하므로 릴레이(RL1)의 릴레이 코일에 흐르는 전류가 없으므로 릴레이 스위치가 (b)접점으로 스위칭되어 스톱 스위치(SW2)가 온되어 시스템의 동작이 정지되게 된다.Therefore, if the withdrawal voltage or the high voltage of the withdrawal voltage unit 2 or the high voltage unit 4 does not occur, the transistor TR1 is not turned on, so there is no current flowing in the relay coil of the relay RL1, so that the relay switch is ( b) Switched to a contact, the stop switch SW2 is turned on to stop the operation of the system.
한편, 상기 인출전압부(2) 및 고전압부(4)의 인출전압 및 고전압의 발생이 모두 정상이면 상기 앤드 게이트(AND1)의 출력이 하이가 되어 상기 트랜지스터(TR1)가 턴온되게 된다.On the other hand, when the output voltage of the drawing voltage unit 2 and the high voltage unit 4 and the generation of the high voltage are all normal, the output of the AND gate AND1 becomes high and the transistor TR1 is turned on.
따라서 상기 릴레이(RL1)의 릴레이 코일에 전류가 흘러 릴레이 스위치가 (a)접점으로 스위칭되어 스타트스위치(SW1)가 온되어 시스템의 동작이 이루어지게 된다.Therefore, current flows through the relay coil of the relay RL1 and the relay switch is switched to the contact point (a) so that the start switch SW1 is turned on to operate the system.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 고안은 이온주입기에 있어서 인출전압이나 고전압이 인가되지 않거나 인출전압 및 고전압이 동시에 인가되지 않을 경우 장비의 작동을 중지시킴으로써 종래 고전압이 발생하지 않을 경우의 대량의 불량발생을 감소시킬 수 있게 된다.As described above, the present invention reduces the occurrence of a large amount of defects when the high voltage is not generated by stopping the operation of the equipment when the withdrawal voltage or the high voltage is not applied or when the withdrawal voltage and the high voltage are not simultaneously applied in the ion implanter. You can do it.
Claims (2)
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| KR2019940001386U KR0113516Y1 (en) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | Controller of ion implanter |
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| US6403452B1 (en) * | 1999-02-22 | 2002-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion implantation method and ion implantation equipment |
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