KR100205784B1 - A disk vent system of an ionimplanter - Google Patents

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KR100205784B1 KR1019960043516A KR19960043516A KR100205784B1 KR 100205784 B1 KR100205784 B1 KR 100205784B1 KR 1019960043516 A KR1019960043516 A KR 1019960043516A KR 19960043516 A KR19960043516 A KR 19960043516A KR 100205784 B1 KR100205784 B1 KR 100205784B1
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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 이온불순물 주입공정이 수행되는 디스크챔버의 밴트시, 디스크챔버의 오픈시간을 제어하는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템에 관한 것으로, 웨이퍼에 이온불순물을 주입하는 공정이 수행되는 디스크챔버와, 상기 디스크챔버의 밴트시 퍼지개스가 상기 디스크챔버에 공급되도록 하기 위한 에어를 공급하는 에어공급라인과, 상기 디스크챔버의 밴트시, 디스크챔버를 오픈시키기 위한 전원을 공급하는 전원공급부를 갖는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템에 있어서, 상기 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템은, 상기 에어공급라인에 연결되고, 이 에어공급라인으로부터 공급되는 에어에 의해 개폐되어 외부로부터 공급된 전원전압을 출력하는 스위칭수단과; 상기 스위칭수단으로부터 전원전압을 인가받고, 이미 설정된 소정의 시간동안 지연동작하여 상기 디스크챔버를 오픈시키기 위한 전원의 공급을 소정의 시간동안 지연시키는 지연수단을 포함하여, 디스크챔버의 밴트시 디스크챔버에 가해지는 충격을 최소화하는 것을 특징으로 한다. 이와같은 장치에 의해서, 배큠상태인 디스크챔버를 밴트상태로 센싱하거나 또는, 밴트상태의 디스크챔버를 배큠상태로 센싱하는 등의 오동작을 방지할 수 있고, 따라서, 디스크챔버를 무리하게 오픈시키는 데 따른 디스크 챔버의 손상을 방지할 수 있다.The present invention relates to a disk vent system for an ion implantation facility for controlling the open time of a disk chamber when a disk chamber is being subjected to ion implantation of a wafer, And an air supply line for supplying air to the disk chamber so as to supply the ventilation gas to the disk chamber, and a power supply unit for supplying power to open the disk chamber at the time of venting the disk chamber, A disk vent system of an ion implantation system, wherein the disk vent system of the ion implantation system comprises switching means connected to the air supply line and opened / closed by air supplied from the air supply line, and; And delay means for delaying a supply of power for a predetermined period of time to open the disk chamber by a delay operation for a predetermined period of time, the delay means being supplied with a power supply voltage from the switching means, Thereby minimizing the impact applied. With such an apparatus, it is possible to prevent malfunctions such as sensing the disc chamber in the deflected state in the bent state or sensing the disc-shaped disc chamber in the deflected state, thereby preventing the disc chamber from being forcibly opened The damage of the disk chamber can be prevented.

Description

이온주입설비의 디스크 밴트 시스템Disc-vant systems of ion implanters

본 발명은 이온주입설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 웨이퍼의 이온불순물 주입공정이 수행되는 디스크챔버의 밴트시, 디스크챔버의 오픈시간을 제어하는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation system, and more particularly, to a disk vent system of an ion implantation system for controlling an open time of a disk chamber when a disk chamber is subjected to a ion implantation process of a wafer.

도 1 에는 종래 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템이 개략적으로 도시되어 있다.FIG. 1 schematically shows a disk vent system of a conventional ion implantation facility.

도 1 에서, 참조번호 10은 웨이퍼에 불순물 이온을 주입하는 이온주입공정이 수행되는 디스크챔버를 나타내고, 12는 상기 디스크챔버(10)에 N2개스를 공급하는 퍼지개스공급라인을 나타내고, 14는 에어밸브(air valve)를 나타내고, 16은 퍼지개스를 공급하기 위해 상기 에어밸브(14)를 개폐하는 에어가 공급되는 에어공급라인을 나타내고, 18은 배큠센서(미도시 ;vacuum sensor)의 상기 디스크챔버(10)에 대한 배큠상태의 센싱에 따라 온-오프되는 배큠스위치(vacuum switch)를 나타내고, 20은 다이오드를 나타내고, 22는 저항을 나타내고, 24는 스위칭소자로서 동작하는 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor)를 나타내고, 26은 상기 바이폴라 트랜지스터의 온-오프에 의해 동작되는 솔레노이드밸브(solenoid valve)를 나타내고, 28, 30은 전원전압을 나타낸다.In Fig. 1, reference numeral 10 denotes a disk chamber in which an ion implantation process for implanting impurity ions into the wafer is performed, 12 denotes a purge gas supply line for supplying N 2 gas to the disk chamber 10, Reference numeral 16 denotes an air supply line through which air for opening and closing the air valve 14 is supplied to supply the purge gas and reference numeral 18 denotes an air supply line through which the air is supplied to the disk (not shown) 20 denotes a diode, 22 denotes a resistance, and 24 denotes a bipolar transistor which operates as a switching element. The vacuum switch is turned on and off according to sensing of the state of the chamber 10 with respect to the chamber 10, Reference numeral 26 denotes a solenoid valve operated by on-off of the bipolar transistor, and reference numerals 28 and 30 denote power supply voltages.

상술한 바와같은 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템의 동작은 다음과 같다.The operation of the disk vent system of the ion implantation system as described above is as follows.

먼저, 상기 디스크챔버(10)에서 웨이퍼의 불순물 이온주입 공정이 수행되면, 상기 디스크챔버(10)와 배큠스위치(18)의 사이에 설치되어 있는 배큠센서(도면에는 미도시)가 디스크챔버(10)의 배큠상태를 센싱한다. 이어서, 상기 디스크챔버(10)의 배큠상태가 밴트(vent)상태이면, 상기 배큠스위치(18)가 온(on)으로 제어되어 전원전압(28)에 의한 전류경로가 형성된다.First, when a wafer impurity ion implantation process is performed in the disk chamber 10, a discharge sensor (not shown) installed between the disk chamber 10 and the discharge switch 18 is connected to the disk chamber 10 ) Is sensed. Then, when the ejection state of the disk chamber 10 is in a vent state, the ejection switch 18 is controlled to be on, thereby forming a current path by the power supply voltage 28. [

다음, 배큠스위치(18)가 도통됨으로써, 외부로부터 인가된 전원전압(예컨데, +12V ;28)이 상기 저항(22) 및 다이오드(20)를 거쳐 스위칭소자로 동작하는 상기 바이폴라 트랜지스터(24)에 인가된다. 그리고, 상기 전원전압(28)을 인가받은 바이폴라 트랜지스터(24)가 도통되면, 상기 바이폴라 트랜지스터(24)의 콜렉터에 인가되는 다른 전원전압(30)은 상기 솔레노이드밸브(26)에 공급된다.The power supply voltage (for example, +12 V) 28 applied from the outside flows through the resistor 22 and the diode 20 to the bipolar transistor 24, which operates as a switching element, . When the power supply voltage 28 is applied to the bipolar transistor 24, the power supply voltage 30 applied to the collector of the bipolar transistor 24 is supplied to the solenoid valve 26.

이어, 상기 다른 전원전압(30)을 인가받은 솔레노이드밸브(26)는 상기 디스크챔버(10)의 도어(door)를 오픈시키게 되고, 디스크챔버(10)의 밴트가 진행되게 된다.Then, the solenoid valve 26, to which the other power supply voltage 30 is applied, opens the door of the disk chamber 10 and advances the bend of the disk chamber 10.

그러나, 상술한 바와같은 종래 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템에 의하면, 배큠센서가 배큠상태로 되어 있는 디스크챔버를 밴트상태로 센싱하거나 또는, 밴트상태로 되어 있는 디스크챔버를 배큠상태로 센싱하여서 상기 배큠스위치의 오동작을 유발한다.However, according to the disk vent system of the conventional ion implantation system as described above, the disk chamber in which the discharge sensor is placed is sensed in the state of a bant, or the disk chamber in the state of bant is sensed in the discharge state, Causing a malfunction of the switch.

따라서, 배큠상태인 디스크챔버를 밴트상태로 센싱하여 디스크챔버를 무리하게 오픈시키는 경우가 종종 발생할 뿐만아니라, 이로 인해, 디스크 챔버가 손상되는 등의 문제점이 발생된다.Therefore, it is often the case that the disc chamber is opened forcibly by sensing the disc chamber in the bent state in the bent state, which causes problems such as damaging the disc chamber.

상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 웨이퍼의 이온불순물 주입공정이 수행되는 디스크챔버의 오픈시간을 제어할 수 있는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템을 제공하는 데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention, which is proposed to solve the above-mentioned problems, to provide a disk vent system of an ion implantation facility capable of controlling an open time of a disk chamber in which an ion implantation process of a wafer is performed.

도 1은 종래 이온주입설비 디스크 밴트 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 도면;BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 schematically shows the structure of a conventional ion implantation system disk vent system; FIG.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비 디스크 밴트 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 도면;FIG. 2 is a schematic view illustrating a configuration of an ion implantation system disk vent system according to an embodiment of the present invention; FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS

10 : 디스크챔버12 : 퍼지개스공급라인10: disk chamber 12: purge gas supply line

14 : 에어밸브16 : 에어공급라인14: Air valve 16: Air supply line

17 : 공압스위치19 : 완동계전기17: Pneumatic switch 19: Complete electrical

(구성)(Configuration)

상술한 바와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 웨이퍼에 이온불순물을 주입하는 공정이 수행되는 디스크챔버와, 상기 디스크챔버의 밴트시 퍼지개스가 상기 디스크챔버에 공급되도록 하기 위한 에어를 공급하는 에어공급라인과, 상기 디스크챔버의 밴트시, 디스크챔버를 오픈시키기 위한 전원을 공급하는 전원공급부를 갖는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템에 있어서, 상기 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템은, 상기 에어공급라인과 상기 전원공급부의 사이에 설치되어 상기 디스크챔버의 오픈시간을 제어하는 제어부를 포함하여, 디스크챔버의 밴트시 디스크챔버에 가해지는 충격을 최소화하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a disk apparatus including: a disk chamber in which a process of implanting ionic impurities into a wafer is performed; and an air supply unit for supplying air to the disk chamber, The disk vent system of an ion implantation system having an air supply line and a power supply for supplying power to open a disk chamber at the time of venting the disk chamber, And a control unit installed between the power supply unit and the control unit to control the open time of the disc chamber, thereby minimizing an impact applied to the disc chamber when the disc chamber is bent.

이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제어부는, 상기 에어공급라인에 연결되고, 이 에어공급라인으로부터 공급되는 에어에 의해 개폐되어 외부로부터 공급된 전원전압을 출력하는 스위칭수단과; 상기 스위칭수단으로부터 전원전압을 인가받고, 이미 설정된 소정의 시간동안 지연동작하여 상기 디스크챔버를 오픈시키기 위한 전원의 공급을 소정의 시간동안 지연시키는 지연수단을 포함한다.In a preferred embodiment of this aspect, the control unit comprises: switching means connected to the air supply line, opened and closed by air supplied from the air supply line and outputting a power supply voltage supplied from the outside; And delay means for delaying a supply of power for a predetermined period of time to receive the power supply voltage from the switching means and to open the disk chamber by a delay operation for a predetermined period of time.

이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 스위칭수단은, 일단이 외부로부터 전원전압을 인가받고, 타단이 상기 지연수단에 연결되어 상기 에어공급라인으로부터 공급되는 에어의 압력에 의해 개폐동작하는 공압스위치이다.In a preferred embodiment of this aspect, the switching means is a pneumatic switch in which one end is supplied with a power supply voltage from the outside and the other end is connected to the delay means and is opened or closed by the pressure of air supplied from the air supply line .

이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 지연수단은, 일단이 상기 스위칭수단에 연결되고, 타단이 상기 전원공급부에 연결되어 상기 스위칭수단으로부터 전원전압을 인가받고, 이미 설정된 소정의 시간동안 지연동작하는 완동계전기이다.In a preferred embodiment of this aspect, the delay means is configured such that one end thereof is connected to the switching means and the other end thereof is connected to the power supply unit, receives the power supply voltage from the switching means, and performs a delay operation for a predetermined time It is full-scale electricity.

이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 전원공급부는, 상기 완동계전기에 캐소드가 접속된 다이오드와; 일단이 상기 다이오드의 애노드에 접속되고, 타단이 외부로부터 전원전압을 인가받는 저항을 포함한다.In a preferred embodiment of this aspect, the power supply unit comprises: a diode having a cathode connected to the complete electrical system; One end of which is connected to the anode of the diode, and the other end of which is supplied with a power supply voltage from the outside.

(작용)(Action)

이와같은 장치에 의해서, 배큠상태인 디스크챔버를 밴트상태로 센싱하거나 또는, 밴트상태의 디스크챔버를 배큠상태로 센싱하는 등의 오동작을 방지할 수 있고, 따라서, 디스크챔버를 무리하게 오픈시키는 데 따른 디스크 챔버의 손상을 방지할 수 있다.With such an apparatus, it is possible to prevent malfunctions such as sensing the disc chamber in the deflected state in the bent state or sensing the disc-shaped disc chamber in the deflected state, thereby preventing the disc chamber from being forcibly opened The damage of the disk chamber can be prevented.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명의 실시예를 첨부도면 도 2 에 의거해서 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 attached hereto.

도 2를 참고하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템은, 이온불순물을 주입하는 공정이 수행되는 디스크챔버와, 상기 디스크챔버의 밴트시 퍼지개스가 상기 디스크챔버에 공급되도록 하기 위한 에어를 공급하는 에어공급라인과, 상기 디스크챔버의 밴트시, 디스크챔버를 오픈시키기 위한 전원을 공급하는 전원공급부를 갖는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템에 있어서, 상기 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템은, 상기 에어공급라인과 상기 전원공급부의 사이에 설치되어 상기 디스크챔버의 오픈시간을 제어하는 제어부를 포함하고 있다. 이러한 장치에 의해서, 배큠상태인 디스크챔버를 밴트상태로 센싱하거나 또는, 밴트상태의 디스크챔버를 배큠상태로 센싱하는 등의 오동작을 방지할 수 있고, 따라서, 디스크챔버를 무리하게 오픈시키는 데 따른 디스크 챔버의 손상을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 2, the disk vent system of the ion implantation system according to the preferred embodiment of the present invention includes a disk chamber in which a process of implanting ionic impurities is performed, and a venturi purge gas in the disk chamber, And a power supply unit for supplying power to open a disk chamber at the time of venting the disk chamber, the disk vent system of the ion implantation system comprising: The system includes a control unit installed between the air supply line and the power supply unit and controlling an open time of the disk chamber. With this arrangement, it is possible to prevent malfunctions such as sensing the disc chamber in the deflected state as a bent state or sensing the disc chamber in a bent state as a defective state, and therefore, The damage of the chamber can be prevented.

도 2 에 있어서, 도 1에 도시된 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템의 구성요소와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.In FIG. 2, the same reference numerals are used for components that perform the same function as those of the disk vent system of the ion implantation apparatus shown in FIG.

도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템의 구성을 개략적으로 보이고 있다.FIG. 2 schematically shows the structure of a disc bant system of an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템은, 웨이퍼에 불순물 이온을 주입하는 공정이 수행되는 디스크챔버(10)와, 상기 디스크챔버(10)에 퍼지개스(예컨데, N2개스)를 공급하는 퍼지개스공급라인(12)과, 상기 퍼지개스공급라인(12)상에 설치된 에어밸브(14)와, 상기 에어밸브(14)를 개폐시키기 위한 에어가 공급되는 에어공급라인(16)과, 상기 에어공급라인(16)에 연결되고, 이 에어공급라인(16)으로 공급되는 에어에 의해 개폐동작을 수행하여 외부로부터 인가된 제 3 전원전압(32)을 출력하는 공압스위치(17)와, 일단이 상기 공압스위치(17)에 연결되어 제 3 전원전압(32)을 인가받고, 타단이 외부로부터 제 1 전원전압(28)을 인가받아 이미 설정된 소정의 시간동안 지연동작하는 완동계전기(19)와, 상기 완동계전기(19)와 제 2 전원전압(28)의 사이에 직렬연결된 다이오드(20) 및 저항(22)과, 상기 완동계전기(19)의 동작에 따라 인가된 제 1 전원전압(28)에 의해 스위칭동작을 수행하는 바이폴라 트랜지스터(24)와, 상기 바이폴라 트랜지스터(24)의 에미터에 연결되어 디스크챔버(10)의 도어를 오픈시키는 제 2 전원전압(30)을 출력하는 솔레노이드밸브(26)를 포함하는 구성을 갖는다.Referring to FIG. 2, the disk vent system of the ion implantation apparatus according to the embodiment of the present invention includes a disk chamber 10 in which a process of implanting impurity ions into a wafer is performed, and a purge gas for example, the purge gas supply for supplying a N 2 gas) line 12, the purge gas supply line 12 and the air valve 14 is provided on, which air is supplied for opening and closing the air valve 14 The air supply line 16 is connected to the air supply line 16 and is opened and closed by the air supplied to the air supply line 16 to output an externally applied third power supply voltage 32 The other end of which is connected to the pneumatic switch 17 to receive the first power supply voltage 28 from the outside for a predetermined period of time (19) for delaying the electric power supplied from the electric power source (19) A diode 20 and a resistor 22 connected in series between a voltage 28 and a bipolar transistor 22 for performing a switching operation by a first power supply voltage 28 applied in accordance with the operation of the complete electrical system 19 And a solenoid valve 26 connected to the emitter of the bipolar transistor 24 and outputting a second power supply voltage 30 for opening the door of the disc chamber 10.

상술한 바와같은 구성을 갖는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템의동작은 다음과 같다.The operation of the disk vent system of the ion implantation facility having the above-described configuration is as follows.

먼저, 상기 디스크챔버(10)에서 웨이퍼의 불순물 이온주입 공정이 수행된 후, 소정의 시간이 지나면 상기 에어공급라인(16)으로 에어를 공급하여 상기 퍼지개스공급라인(12)상에 형성된 에어밸브(14)를 열림(온상태)상태로 제어하게 된다.First, after the impurity ion implantation process of the wafer is performed in the disk chamber 10, air is supplied to the air supply line 16 after a predetermined time and the air valve (not shown) formed on the purge gas supply line 12 (On-state).

다음, 상기 에어공급라인(16)으로 공급된 에어에 의해서 상기 공압스위치(17)가 도통되면, 상기 공압스위치(17)의 일단에 인가되는 전원전압(32)이 상기 완동계전기(19)에 공급되게 된다.Next, when the pneumatic switch 17 is made conductive by the air supplied to the air supply line 16, the power supply voltage 32 applied to one end of the pneumatic switch 17 is supplied to the complete electrical system 19 .

이때, 상기 완동계전기(19)의 릴레이(relay)접점(19a)은 상기 공압스위치(17)로부터 인가된 전원전압(32)에 의해 곧바로 동작하지 않고, 이미 설정된 소정의 시간동안 지연(예컨데, 30 초 정도)되어 동작하게 된다.At this time, the relay contact 19a of the complete electrical power supply 19 does not operate immediately due to the power supply voltage 32 applied from the pneumatic switch 17, but is delayed (for example, About 30 seconds).

그리고, 상기 릴레이접점(19a)이 붙으면서 상기 완동계전기(19)에 인가된 다른 전원전압(28)에 의한 전류경로(current path)가 형성되면, 상기 저항(22) 및 다이오드(20)를 거친 다른 전원전압(28)이 스위칭소자로 동작하는 상기 바이폴라 트랜지스터(24)의 베이스에 인가된다.When the relay contact 19a is attached and a current path is formed by another power supply voltage 28 applied to the complete electrical system 19, the resistor 22 and the diode 20 Another rough supply voltage 28 is applied to the base of the bipolar transistor 24 which acts as a switching element.

따라서, 상기 바이폴라 트랜지스터(24)의 콜렉터에 인가된 또 다른 전원전압(30)이 에미터에 연결된 솔레노이드밸브(26)에 공급되어 솔레노이드밸브(26)가 동작하게 되고, 이 솔레노이드밸브(26)의 동작에 의해서 상기 디스크챔버(10)의 도어가 오픈되어 디스크챔버(10)의 밴트가 이루어지게 된다.Another power supply voltage 30 applied to the collector of the bipolar transistor 24 is supplied to the solenoid valve 26 connected to the emitter so that the solenoid valve 26 is activated, The door of the disk chamber 10 is opened by the operation, and the disk chamber 10 is vaulted.

종래 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템에 의하면, 배큠상태인 디스크챔버를 밴트상태로 센싱하거나 또는, 밴트상태의 디스크챔버를 배큠상태로 센싱하는 등의 오동작이 자주 발생하였고, 이로 인해, 디스크챔버가 무리하게 오픈되면서 많은 손상을 입는 문제점이 발생되었다.According to the disk vent system of the conventional ion implantation facility, malfunctions such as sensing the disk chamber in the discharged state in the state of a boss or sensing the disk chamber in the bent state in the discharged state frequently occur frequently, The problem of causing a lot of damage occurred.

이와같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 디스크챔버의 밴트시 공급되는 에어에 의해 개폐동작을 수행하는 공압스위치와, 외부로부터 인가된 전원전압을 소정의 시간동안 지연시켜 출력되도록 하는 완동계전기를 포함하여 디스크챔버의 오픈시간을 조절하였다.In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a pneumatic pressure switch, comprising: a pneumatic switch for performing opening and closing operations by air supplied at the time of venting of a disc chamber; and a pneumatic switch for delaying a power supply voltage applied from the outside for a predetermined time, And the open time of the disc chamber was adjusted.

따라서, 배큠상태인 디스크챔버를 밴트상태로 센싱하거나 또는, 밴트상태의 디스크챔버를 배큠상태로 센싱하는 등의 오동작을 방지할 수 있었고, 아울러 디스크챔버를 무리하게 오픈시키는 데 따른 디스크 챔버의 손상을 방지할 수 있었다.Therefore, it is possible to prevent malfunctions such as sensing the disk chamber in the discharged state as a bent state or sensing the disk chamber in the bent state as a discharged state, and also to prevent the disk chamber from being damaged due to forcibly opening the disk chamber .

Claims (5)

웨이퍼에 이온불순물을 주입하는 공정이 수행되는 디스크챔버(10)와, 상기 디스크챔버(10)의 밴트시 퍼지개스(N2)가 상기 디스크챔버(10)에 공급되도록 하기 위한 에어를 공급하는 에어공급라인(16)과, 상기 디스크챔버(10)의 밴트시, 디스크챔버(10)를 오픈시키기 위한 전원을 공급하는 전원공급부(28)를 갖는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템에 있어서,A disk chamber 10 in which a process of implanting ionic impurities into the wafer is performed and an air supplying unit 22 for supplying air for supplying ventilation purge gas N 2 of the disk chamber 10 to the disk chamber 10 1. A disk vent system for an ion implanter having a supply line (16) and a power supply (28) for supplying power to open the disk chamber (10) when the disk chamber (10) 상기 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템은, 상기 에어공급라인(16)과 상기 전원공급부(28)의 사이에 설치되어 상기 디스크챔버(10)의 오픈시간을 제어하는 제어부(21)를 포함하여, 디스크챔버의 밴트시 디스크챔버에 가해지는 충격을 최소화하는 것을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템.The disk vent system of the ion implantation facility may include a control unit 21 installed between the air supply line 16 and the power supply unit 28 to control the open time of the disk chamber 10, Thereby minimizing the impact on the disk chamber when venting the chamber. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제어부(21)는, 상기 에어공급라인(16)에 연결되고, 이 에어공급라인(16)으로부터 공급되는 에어에 의해 개폐되어 외부로부터 공급된 제 1 전원전압(32)을 출력하는 스위칭수단(17)과;The control unit 21 includes switching means connected to the air supply line 16 and opened by the air supplied from the air supply line 16 to output a first power supply voltage 32 supplied from the outside 17); 상기 스위칭수단(17)으로부터 제 1 전원전압(32)을 인가받고, 이미 설정된 소정의 시간동안 지연동작하여 상기 디스크챔버(10)를 오픈시키기 위한 제 2 및 제 3 전원전압(28, 30)의 공급을 소정의 시간동안 지연시키는 지연수단(19)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템.The second and third power supply voltages 28 and 30 for applying the first power supply voltage 32 from the switching means 17 and for delaying the predetermined time to open the disc chamber 10 And delay means (19) for delaying the supply for a predetermined period of time. 제 2 항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 스위칭수단(17)은, 일단이 외부로부터 제 1 전원전압(32)을 인가받고, 타단이 상기 지연수단(19)에 연결되어 상기 에어공급라인(16)으로부터 공급되는 에어의 압력에 의해 개폐동작하는 공압스위치인 것을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템.The switching means 17 has a first end connected to the first power supply voltage 32 from the outside and the other end connected to the delay means 19 to be opened and closed by the pressure of air supplied from the air supply line 16. [ Wherein the pneumatic pressure switch is a pneumatic switch operated. 제 2 항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 지연수단(19)은, 일단이 상기 스위칭수단(17)에 연결되고, 타단이 상기 전원공급부(23)에 연결되어 상기 스위칭수단(17)으로부터 제 1 전원전압(32)을 인가받고, 이미 설정된 소정의 시간동안 지연동작하는 완동계전기인 것을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템.The delay means 19 has one end connected to the switching means 17 and the other end connected to the power supply portion 23 to receive the first power supply voltage 32 from the switching means 17, Wherein the delayed electric power is delayed for a predetermined period of time. 제 4 항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 전원공급부(23)는, 상기 완동계전기에 캐소드가 접속된 다이오드(20)와;The power supply unit 23 includes: a diode 20 having a cathode connected to the complete electrical system; 일단이 상기 다이오드(20)의 애노드에 접속되고, 타단이 외부로부터 제 2 전원전압(28)을 인가받는 저항(22)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 밴트 시스템.And a resistor (22) having one end connected to the anode of the diode (20) and the other end receiving a second power supply voltage (28) from the outside.
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