KR0125970B1 - Test socket for known-good die - Google Patents

Test socket for known-good die

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KR0125970B1 KR1019940021466A KR19940021466A KR0125970B1 KR 0125970 B1 KR0125970 B1 KR 0125970B1 KR 1019940021466 A KR1019940021466 A KR 1019940021466A KR 19940021466 A KR19940021466 A KR 19940021466A KR 0125970 B1 KR0125970 B1 KR 0125970B1
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Abstract

a rectangular bottom socket where several built-in pads and contact pads are formed; semiconductor chips installed on the built-in pads; wires connecting contact pads to the bonding pads of the semiconductor chip; an upper socket fixed with a fixing means on top of the bottom socket; contact terminals installed through the upper socket in order to be contacted with contact pads; a penetration hole forming a space which the semiconductor chip can occupy, being formed on the center of the upper socket; a through hole formed adjacent to the penetration hole; and input/output pads connected to contact terminals by a metal line and formed on one side of the upper socket.

Description

노운 굳 다이 어레이용 테스트 소켓Test Sockets for Known Good Die Arrays

제1도는 이 발명에 따른 노운 굳 다이 어레이용 테스트 소켓의 일실시예의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of one embodiment of a test socket for a known good die array according to the present invention.

이 발명은 모든 테스트를 마친 무결합의 베어칩(bare chip)인 노운 굳 다이(Known Good Die; 이하 KGD라 칭함) 어레이용 테스트 소켓에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 통상의 반도체 제조공정을 사용하여 웨이퍼에서 분리된 다수개의 반도체 칩을 일괄적으로 전기적 및 번인(Burn in) 테스트를 실시하여 KGD를 대량 생산할 수 있는 KGD 어레이용 테스트 소켓에 관한 것이다.The present invention relates to a test socket for a Known Good Die (KGD) array, which is an unbonded bare chip that has been fully tested, and more specifically, a wafer using a conventional semiconductor manufacturing process. The present invention relates to a test socket for a KGD array capable of mass-producing KGD by carrying out electrical and burn-in tests of a plurality of semiconductor chips separated from the circuit.

일반적으로 반도체 칩은 제조된 후에 제품의 신뢰성을 확인하기 위하여 각종 테스트를 실시한다. 상기 테스트는 반도체 칩의 모든 입출력단자를 테스트 신호 발생회로와 연결하여 정상적인 동작 여부를 테스트하는 전기적 테스트와, 반도체 칩의 전원 입력단자등 몇몇 입출력 단자들을 테스트 신호 발생회로와 연결하여 정상동작 조건보다 고온, 고전압으로 스트레스를 가하여 반도체 칩의 수명 및 결함 발생 여부를 체크 하는 번인 테스트가 있다. 예를들어 디램(DRAM)의 경우는 통상 결함이 있는 기억회로, 기억 셀 및 배선등을 체크한다.In general, after the semiconductor chip is manufactured, various tests are performed to confirm the reliability of the product. The test is an electrical test that connects all the input and output terminals of the semiconductor chip with the test signal generation circuit and tests the normal operation, and connects several input and output terminals such as the power input terminal of the semiconductor chip with the test signal generation circuit to generate a higher temperature than the normal operating condition. In addition, there is a burn-in test that checks a semiconductor chip for life and defects by applying stress at high voltage. For example, in the case of DRAM, defective memory circuits, memory cells and wirings are usually checked.

결과적으로, 정상상태에서 사용될 때 어떤 장애를 일으킬 우려가 있는 반도체 칩은 번인 테스트시 그러한 결함, 예를들어 게이트 산화막의 절연막 파괴등이 반드시 발생된다. 그러므로 번인 테스트를 실시하는 동안 결함이 발생된 칩을 검출하여 출하전에 미리 제거함으로써 제품의 신뢰성을 보장하는 것이다.As a result, a semiconductor chip that is likely to cause a certain disturbance when used in a steady state will necessarily cause such a defect in burn-in test, for example, breakdown of the insulating film of the gate oxide film. Therefore, during the burn-in test, defective chips are detected and removed before shipment to ensure product reliability.

그런데 웨이퍼에서 분리된 보통의 반도체 칩 상태로는 테스트 신호 발생회로와의 전기적 연결이 어려워 전기적 및 번인 테스트가 거의 불가능하다. 그러므로 통상 전기적 및 번인 테스트는 반도체 칩이 몰딩 컴파운드로 패키징된 상태에서 실시하게 된다. 여기에서, 패키지의 측벽에는 칩패드와 연결된 외부리드가 돌출되어 있다. 상기 외부리드가 삽입될 수 있는 소켓 구멍을 구비한 테스트 소켓에 상기 반도체 패키지의 외부리드들을 삽입한 후, 상기 테스트 소켓을 다시 번인보드에 장착하여 번인 테스트를 실시한다.However, in the state of the normal semiconductor chip separated from the wafer, the electrical connection with the test signal generating circuit is difficult, so that electrical and burn-in tests are almost impossible. Therefore, electrical and burn-in tests are usually performed in a state where the semiconductor chip is packaged in a molding compound. Here, an outer lead connected to the chip pad protrudes from the sidewall of the package. After inserting the external leads of the semiconductor package into a test socket having a socket hole into which the external leads can be inserted, the test socket is mounted on the burn-in board again to perform burn-in test.

그러나 상기와 같은 반도체 패키지는 고밀도 실장에 한계가 있어 최근에는 단일 칩 패키지를 이용하지 않고 다수개의 베어칩(Bare chip)을 세라믹 보드상에 직접 실장하는 플립칩(Flip chip)을 이용한 멀티칩(Multi chip)기술이 개발되어, 고속 고용량 및 소형이면서 대규모 집적도를 이룰 수 있는 많은 집적방법이 제안되어 있다. 이들중 한가지 대표적인 방법이 멀티칩 모듈(Multi chip module; 이하 MCM이라 칭함)이다. 상기 MCM은 내부에 고밀도 배선이 형성되어 있는 다중 세라믹 보드상에 상호 접속된 다수개의 반도체 칩이 내장되어 초 대규모 집적도를 얻을 수 있는 것으로, 현재 IBM, NEC, 히다치(Hitachi)등에 의해 슈퍼 컴퓨터등에 성공적으로 적용되고 있다. 그러나 상기 MCM은 다음과 같은 이유 때문에 기술적 및 경제적으로 많은 제한을 받는다. 즉, 종래의 단일칩 패키지 기술에 비하여 다수개의 반도체 칩이 내장되는 MCM은 집적 규모는 커졌지만 생산 수율은 현저히 감소하여 생산비용이 매우 증대되는 문제점이 있어 MCM의 충분한 시장 확보에 어려움이 있다. 특히, 상기 MCM의 가장 어려운 문제점은 생산수율과 직접관련되는, 테스트가 완료되어 종래 패키지 기술에서와 같은 정도의 신뢰성이 인정되는 KGD의 충분한 확보이다.However, the semiconductor package as described above has a limitation in high-density mounting, so in recent years, a multi-chip using a flip chip that directly mounts a plurality of bare chips on a ceramic board without using a single chip package is used. chip) technology has been developed, a number of integration methods have been proposed that can achieve high speed, high capacity, small size and large-scale integration. One representative method of these is a multi chip module (hereinafter referred to as MCM). The MCM can obtain ultra-high density by embedding a plurality of semiconductor chips interconnected on a multi-ceramic board having high-density wiring therein. Currently, the MCM has been successfully applied to a super computer by IBM, NEC, Hitachi, etc. Is being applied. However, the MCM is technically and economically restricted for the following reasons. That is, MCM in which a plurality of semiconductor chips are embedded compared to the conventional single-chip package technology has a large integration scale, but the production yield is significantly reduced and the production cost is greatly increased, making it difficult to secure a sufficient market for MCM. In particular, the most difficult problem of the MCM is the sufficient security of KGD, which is directly related to production yield, the test is completed and the same degree of reliability as in the conventional packaging technology is recognized.

이와 같이 MCM에 적용되는 KGD의 중요성에 대한 인식이 높아가고 있음에도 불구하고, 저가의 KGD를 대량생산하는 데는 상당한 단점이 있다. 즉, 웨이퍼에서 분리된 단일 베어칩은 외부리드가 없으므로 상기 반도체 패키지 테스트에 적용되는 테스트 소켓을 이용할 수 없어, 베어칩 상태에서 인쇄회로기판상에 설치되기 이전에 전기적 및 번인 테스트를 할 수 없는 문제점이 있다.Despite the growing awareness of the importance of KGD applied to MCM, there is a significant disadvantage in mass production of low-cost KGD. That is, since a single bare chip separated from a wafer has no external lead, a test socket applied to the semiconductor package test cannot be used, and electrical and burn-in tests cannot be performed before being installed on a printed circuit board in a bare chip state. There is this.

이러한 문제점을 해결하기 위한 기술로서, 칩의 본딩패드마다 솔더 범프(Solder bump)를 형성한 베어칩 상태에서, 전기적 및 번인 테스트를 가능케 하기 위한 플립칩 테스트 소켓 어댑터(Flip chip test socket adapter)가 미합중국 특허번호 제5,006,792호에 개시되어 있다. 상기 플립칩 테스트 소켓 어댑터는 반도체 칩의 본딩패드상에 솔더범프를 형성한 후, 이를 전용 어댑터에 삽입하여 테스트를 실시한다. 상기 테스트소켓 어댑터는 삽입될 반도체 칩의 솔더범프와 대응 접속되는 캔틸레버 빔(Cantilever beams)이 형성된 기판을 구비한다. 상기 기판은 케이스내에 수납되며, 상기 케이스의 밖으로 돌출되어 있는 입출력 단자들이 번인 보드상에 삽입되어 번인 테스트를 실시한다. 상기와 같은 구성의 테스트 소켓 어댑터를 사용한 반도체 칩이 테스트 방법은 패키지 전의 베어칩 상태에서 테스트를 가능케 한다.As a technology to solve this problem, a flip chip test socket adapter for enabling electrical and burn-in tests in a bare chip state in which solder bumps are formed on each bonding pad of the chip is provided in the United States of America. Patent No. 5,006,792. The flip chip test socket adapter forms solder bumps on a bonding pad of a semiconductor chip, and then inserts the solder bumps into a dedicated adapter for testing. The test socket adapter includes a substrate on which cantilever beams are formed to correspond to solder bumps of a semiconductor chip to be inserted. The substrate is housed in a case, and input / output terminals protruding out of the case are inserted on a burn-in board to perform a burn-in test. The semiconductor chip using the test socket adapter of the above configuration enables the test in the bare chip state before the package.

그러나 상기 종래기술은 웨이퍼에서 분리된 단일 반도체 칩의 각 본딩패드상에 금속돌기인 범프를 형성한 베어칩 상태에서 전기적 및 번인 테스트를 실시하여야 한다. 단일 반도체 칩의 본딩패드상에 범프를 형성하는 공정은 고집적화에 따른 본딩패드간의 미세 피치화로 높은 정밀도를 요하는 고가의 장비가 필요하게 된다. 또한 테스트시 개별 반도체 칩을 다루어야 하기 때문에 칩 핸들링이 어렵게 되는 등의 문제점이 있다.However, the prior art has to perform electrical and burn-in tests in a bare chip state in which bumps, which are metal protrusions, are formed on each bonding pad of a single semiconductor chip separated from a wafer. The process of forming bumps on the bonding pads of a single semiconductor chip requires expensive equipment requiring high precision due to the fine pitch between the bonding pads due to high integration. In addition, there is a problem in that chip handling becomes difficult because the individual semiconductor chips must be dealt with during the test.

따라서 종래기술에 따른 KGD의 제조 방법은 반도체 칩의 본딩패드상에 솔더범프등을 형성하고, 각각의 반도체 칩 하나씩을 전용 테스트 소켓에 탑재한 후, 전기적 및 번인 테스트를 실시하여 소량 생산되므로 통상의 패키지화된 반도체 패키지에 비하여 단가가 매우 높은 문제점이 있다. 또한 단일 반도체 칩은 핸들링이 매우 어려우며, 종래 테스트 소켓은 구조가 복잡하여 제조가 매우 어려운 문제점이 있다.Therefore, the KGD manufacturing method according to the prior art forms a solder bump on a bonding pad of a semiconductor chip, mounts each semiconductor chip in a dedicated test socket, and then performs a small amount of electrical and burn-in tests. Compared with the packaged semiconductor package, there is a problem that the unit price is very high. In addition, a single semiconductor chip is very difficult to handle, and a conventional test socket has a problem in that a complex structure is very difficult to manufacture.

상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 본 출원인이 대한민국 특허청에 출원한 특허 출원번호 제93-5769호에 개시되어 있는 KGD 어레이 및 그 제조방법에 따르면, 용이하게 대량의 KGD를 얻을 수 있다.In order to solve the above problems, according to the KGD array and the manufacturing method disclosed in the patent application No. 93-5769 filed by the applicant of the Korean Patent Office, it is possible to easily obtain a large amount of KGD.

또한, 상기의 리드 프레임 및 어레이 제조 방법을 이용하여 다량의 KGD를 생산할 수 있는 테스트 소켓이 대한민국 특허청에 출원한 특허 출원번호 93-11670호에 개시되어 있다.In addition, a test socket capable of producing a large amount of KGD using the above-described lead frame and array manufacturing method is disclosed in Korean Patent Application No. 93-11670 filed with the Korean Intellectual Property Office.

상기 종래의 KGD 어레이용 테스트 소켓은, 타이바에 의해 지지되며 규칙적으로 배열되어 있는 다수개의 다이패드들과, 상기 각각의 다이패드들의 주변에 일정간격으로 형성되어 있으며 일측 상부에 부착되어 있는 절연 테이프에 의해 지지되고 외부와 단락되어 있는 리드들을 구비하는 KGD 어레이용 리드 프레임과; 상기 다이패드를 상에 실장되어 있는 반도체 칩들과; 상기 리드들의 일측을 상기 반도체 칩의 본딩패드들과 연결하는 와이어들과; 상기 구조의 리드 프레임이 상부에 탑재되는 직사각 형상의 하부소켓과; 상기 하부소켓의 상측에서 고정수단에 의해 고정되어 있는 상부소켓과; 상기 하부소켓에 장착되어 있는 리드 프레임의 리드들의 타측과 접촉되도록 상기 상부소켓의 하부면에 일정간격으로 설치되어 있는 접촉단자들과; 상기 상부소켓의 일측에 형성되어 있으며, 상기 접촉단자들과 금속배선에 의해 연결되어 있는 입출력 패드들로 구성되어 있다. 따라서 타이바의 절단을 구매자에게 공급된 후에 할 수 있어 칩 단위의 취급이 매우 용이하며, KGD를 구매자의 요구에 따라 와이어 본딩용, 플립칩용 등으로 쉽게 분류하여 제작할 수 있다. 특히, 보통의 반도체 칩으로 전기적 및 번인 테스트를 실시하여 무결함의 KGD를 대량 생산할 수 있어 KGD의 코스트를 혁신적으로 낮출 수 있는 장점이 있다. 반면에, 인쇄회로기관 제작후에 접촉단자를 상기 인쇄회로기판상에 장착시켜야 하는 번거로움이 있고, 칩과 리드간에 연결된 와이어가 손상되기 쉬운 문제점이 있다.The conventional test socket for the KGD array includes a plurality of die pads which are supported by tie bars and arranged regularly, and an insulating tape which is formed at regular intervals around each of the die pads and attached to an upper side of the die pads. A lead frame for a KGD array having leads supported by and shorted to the outside; Semiconductor chips mounted on the die pad; Wires connecting one side of the leads to bonding pads of the semiconductor chip; A rectangular lower socket on which the lead frame of the structure is mounted; An upper socket fixed by fixing means on an upper side of the lower socket; Contact terminals provided at regular intervals on the lower surface of the upper socket so as to be in contact with the other sides of the leads of the lead frame mounted on the lower socket; It is formed on one side of the upper socket, and consists of input and output pads connected by the contact terminals and the metal wiring. Therefore, since the tie bar can be cut after being supplied to the buyer, handling of the chip unit is very easy, and KGD can be easily classified into wire bonding, flip chip, etc. according to the buyer's request. In particular, it is possible to mass-produce defect-free KGDs by conducting electrical and burn-in tests with ordinary semiconductor chips, thereby reducing the cost of KGDs. On the other hand, after fabricating a printed circuit engine, there is a problem in that contact terminals are mounted on the printed circuit board, and wires connected between chips and leads are easily damaged.

따라서 이 발명의 목적은 상기 KGD용 리드 프레임 상에 다수개의 반도체 칩들이 실장되어 있는 KGD 어레이 전체의 일괄 테스트가 가능하여 착탈이 용이하고 반도체 소자의 신뢰성이 보장되는 KGD를 양산할 수 있는 테스트 소켓을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a test socket capable of mass testing of the entire KGD array, in which a plurality of semiconductor chips are mounted on the KGD lead frame, for mass removal of KGD, which is easily removable and guarantees reliability of semiconductor devices. In providing.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 이 발명에 따른 KGD 어레이용 테스트 소켓의 특징은, 다수개의 실장용 패드및 접점용 패드가 형성된 직사각형의 하부소켓과; 상기 실장용 패드들 상에 실장되어 있는 반도체 칩들과; 상기 접점용 패드들을 상기 반도체 칩의 본딩패드들과 연결하는 와이어들과; 상기 하부소켓의 상측에서 고정수단에 의해 고정되어 있는 상부소켓과; 상기 하부소켓에 형성되어 있는 패드들과 접촉되도록 상기 상부소켓을 관통하여 일정간격으로 설치되어 있는 접촉단자들과; 상기 상부소켓의 중앙에 형성되어 상기 반도체 칩이 점유할 수 있는 공간을 형성하는 관통공과; 상기 관통공에 인접하여 굴곡되도록 형성된 스루홀과; 상기 상부소켓의 일측에 형성되어 있으며, 상기 접촉단자들과 금속배선에 의해 연결되어 있는 입출력 패드들로 구성된 점에 있다.Features of the test socket for KGD array according to the present invention for achieving the above object is a rectangular lower socket formed with a plurality of mounting pads and contact pads; Semiconductor chips mounted on the mounting pads; Wires connecting the contact pads to the bonding pads of the semiconductor chip; An upper socket fixed by fixing means on an upper side of the lower socket; Contact terminals provided at regular intervals through the upper socket so as to contact pads formed in the lower socket; A through hole formed in a center of the upper socket to form a space occupied by the semiconductor chip; A through hole formed to be bent adjacent to the through hole; It is formed on one side of the upper socket, and is composed of input and output pads connected by the contact terminals and the metal wiring.

이하, 이 발명에 따른 KGD 어레이용 테스트 소켓의 바람직한 하나의 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a test socket for a KGD array according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도는 이 발명에 따른 KGD 어레이용 테스트 소켓의 일실시예를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a test socket for a KGD array according to the present invention.

제1도를 참조하면, 직사각 형상의 상부 및 하부소켓(11),(12)이 절연재질, 예를들어 세라믹 또는 플라스틱 등으로 형성되어 있으며, 상기 상부소켓(11)의 양측에는 상기 상부 및 하부소켓(11),(12)의 착탈이 가능하도록 다수개의 스크루 또는 삽입핀 등의 고정수단(15)에 의해 고정되어 있으며, 상기 하부소켓(12)상에는 전기적 및 번인 테스트될 다수개의 패드(14)가 형성되어 있고, 상기 패드(14)들은 반도체 칩(13)을 실장하기 위한 실장용 패드(14a)와 상기 반도체 칩(13)을 와이어 본딩하고 테스트하기 위한 접점용 패드들(14b)로 구성되어 있다.Referring to FIG. 1, the upper and lower sockets 11 and 12 having a rectangular shape are formed of an insulating material, for example, ceramic or plastic, and the upper and lower sockets are formed on both sides of the upper socket 11. A plurality of pads 14 to be electrically and burn-in tested on the lower socket 12 are fixed by fixing means 15 such as a plurality of screws or insertion pins so that the sockets 11 and 12 can be attached and detached. The pads 14 are formed of a mounting pad 14a for mounting the semiconductor chip 13 and contact pads 14b for wire bonding and testing the semiconductor chip 13. have.

상기 상부소켓(11)에는 상하부를 관통하여 상기 접점용 패드(14b)들과 대응되는 위치에 접촉단자(16)들이 설치되어 있으며, 상기 접촉단자(16)들은 상기 접점용 패드(14b)들과 연결되므로 설치에 필요한 공간을 확보할 수 있다. 또한 상기 접촉단자(16)는 기판을 상하로 관통하는 구리나 알루미늄 또는 은 등의 도전물질로 연결되고 범프(16a)가 돌출되어 있어 상기 접점용 패드(14b)와 연결되는 고속동작용 반도체 칩 테스트에 적합한 아이소콘(isocon)형 단자로 되어 있으며, 상기 범프(16a)의 지름은 0.6∼1.0mm 정도이고 높이는 0.5mm 정도로 형성시킬 수 있다. 상기 범프(16a)의 표면에는 1.0∼2.0㎛ 정도의 니켈(Ni) 도금막이 형성되어 있고, 상기 니켈 도금막의 표면에는 0.3∼0.5㎛ 정도의 두께를 가진 금(Au) 도금막이 형성되어 있으며, 상기 도금은 전기도금 또는 무전해도금법을 이용한다. 또한 상기 상부소켓(11)의 중앙에는 테스트될 반도체 칩(13) 및 와이어(22)가 충분하게 차지할 수 있는 공간으로 이루어진 직사각형 관통공(17)이 형성되어 있고, 상기 관통공(17)은 상기 반도체 칩(13) 및 와이어(22)가 상기 상부소켓(11)이 접촉되지 않도록 하부의 넓이가 더 넓은 형태로 되어 있다. 반도체 칩이 고집적화되어 가는 추세에 따라 모든 반도체 칩을 수용할 수 있도록 하부의 넓이가 충분히 넓을 필요가 있으며, 테스트의 효율을 향상시키기 위해 넓이가 제한 될 수 있음은 물론이다. 그리고, 상기 상부소켓(11)에 형성된 관통공(17)의 주위에는 다수개의 스루홀(through hole, 17a)이 상기 관통공(17)의 굴곡을 따라 굴곡되어 형성되어 있어서 상기 관통공(17)의 형상에 부응하도록 되어 있다. 또한 상기 스루홀(17a)의 내부에는 금, 구리, 은, 알루미늄 등의 도전성이 우수한 금속이 무전해도금법 또는 전기도금법으로 원통형 또는 원기둥형으로 도금되어 있어서 상기 상부소켓(11)의 상하부에 형성된 단자들을 전기적으로 연결한다. 또한 상기 상부소켓(11)은 일측 상부에 외부의 번인 보드 또는 전기적 시험 보드와 전기적 연결을 위한 태브 단자(18)가 형성되어 있으며, 상기 태브 단자(18)의 표면에는 입출력 패드(19)들이 형성되어 있으며, 상기 입출력패드(16)들은 일층 또는 다층으로 형성되어 있는 알루미늄, 구리, 은, 금 등의 금속배선들로 되어 있다. 상기 하부소켓(12)상의 실장용 패드(14a) 위에는 반도체 칩(13)이 접착제(24)에 의해 접착되어 있고, 상기 반도체 칩(13)상에는 볼(21)을 형성하여 와이어(22)에 의해 접점용 패드(14b)와 전기적으로 연결되어 있다.The upper socket 11 is provided with contact terminals 16 at positions corresponding to the contact pads 14b through upper and lower portions, and the contact terminals 16 are connected to the contact pads 14b. This allows you to free up space for installation. In addition, the contact terminal 16 is connected to a conductive material such as copper, aluminum, or silver that penetrates up and down the substrate, and a bump 16a protrudes, thereby being connected to the contact pad 14b. Isocon (isocon) terminal suitable for the, the bump (16a) can be formed in a diameter of about 0.6 ~ 1.0mm and a height of about 0.5mm. A nickel (Ni) plated film having a thickness of about 1.0 to 2.0 μm is formed on a surface of the bump 16a, and a gold plated film having a thickness of about 0.3 μm to 0.5 μm is formed on a surface of the nickel plated film. Plating uses electroplating or electroless plating. In addition, a rectangular through hole 17 is formed at the center of the upper socket 11 and has a space that can be sufficiently occupied by the semiconductor chip 13 and the wire 22 to be tested. The lower portion of the semiconductor chip 13 and the wire 22 is wider so that the upper socket 11 is not in contact with the semiconductor chip 13 and the wire 22. As semiconductor chips become more integrated, the width of the lower portion needs to be wide enough to accommodate all the semiconductor chips, and the width may be limited to improve the test efficiency. In addition, a plurality of through holes 17a are bent along the bends of the through holes 17 in the periphery of the through holes 17 formed in the upper socket 11, so that the through holes 17 are formed. It is intended to meet the shape of. In addition, inside the through hole 17a, a metal having excellent conductivity such as gold, copper, silver, aluminum, or the like is plated in a cylindrical or cylindrical shape by an electroless plating method or an electroplating method, and thus formed on upper and lower portions of the upper socket 11. Connect them electrically. In addition, the upper socket 11 has a tab terminal 18 for electrical connection with an external burn-in board or an electrical test board on one side, and input / output pads 19 are formed on the surface of the tab terminal 18. The input / output pads 16 are made of metal wires, such as aluminum, copper, silver, and gold, which are formed in one or multiple layers. The semiconductor chip 13 is bonded by an adhesive 24 on the mounting pad 14a on the lower socket 12, and the balls 21 are formed on the semiconductor chip 13 by the wire 22. It is electrically connected with the contact pad 14b.

이하, 테스트 소켓에 의한 번인 공정을 설명한다.Hereinafter, the burn-in process by a test socket is demonstrated.

먼저, 하부소켓(11)에 형성된 실장용 패드(14a) 위에 반도체 칩(13)을 접착제(24)로 접착시키고, 상기 반도체 칩(13)상에 볼(21)을 형성한 와이어(22)에 의해 접점용 패드(14b)와 전기적으로 연결시켜 하부소켓(12)상에 고정시킨다. 다음으로, 상기 상부소켓(11)의 일측에 형성된 삽입핀 또는 스크루등으로 된 고정수단(15)에 의해 상기 하부소켓(12)을 고정시켜 번인 공정시 접촉단자(16)의 범프(16a)와 접점용 패드(14b)들간의 접촉불량을 방지하고, 하부소켓(12)의 유동을 방지한다. 이때 반도체 칩(13) 및 와이어(22)는 상기 상부소켓(11)에 형성된 관통공(17)내에 수용된다. 이상과 같이 세팅하고 난 다음에 일괄적으로 전기적 시험 또는 번인 시험을 행한다. 상기 번인 테스트를 거친 반도체 칩(13)에 KGD 및 불량 칩을 식별한 후, 상기 불량 칩의 볼(21)만 남기고 와이어(22)를 절단하고 접착제(24)를 떼어내어 제거하고 하부소켓(12)은 다시 사용하거나, 하부소켓(12)의 실장용 패드들(14a)에 실장되어 있는 KGD를 어레이 상태로 출하한다.First, the semiconductor chip 13 is adhered with an adhesive 24 on the mounting pad 14a formed on the lower socket 11, and the wire 22 is formed on the semiconductor chip 13. It is electrically connected to the pad 14b for contacting and fixed on the lower socket 12. Next, the bump 16a of the contact terminal 16 during the burn-in process by fixing the lower socket 12 by a fixing means 15 made of an insertion pin or a screw formed on one side of the upper socket 11. The contact failure between the contact pads 14b is prevented and the flow of the lower socket 12 is prevented. At this time, the semiconductor chip 13 and the wire 22 are accommodated in the through hole 17 formed in the upper socket 11. After setting as above, electrical test or burn-in test is performed collectively. After identifying the KGD and the defective chip on the burned-in test semiconductor chip 13, the wire 22 is cut off only the balls 21 of the defective chip, the adhesive 24 is removed, and the lower socket 12 is removed. ) Is used again, or the KGD mounted on the mounting pads 14a of the lower socket 12 is shipped in an array state.

이상에서와 같이 상기 상부 및 하부소켓으로 구성되어 있는 노운 굳 다이 어레이용 테스트 소켓에서는, 별도의 소켓용 지지대가 필요없으므로 구조가 간단해지고, 상부소켓에 형성된 관통공에 의해 와이어의 손상이 방지되며, 상기 범프를 도전성 및 내식성과 내마모성이 우수한 재료로 도금함으로써 소켓의 장수명화를 기할 수 있는 이점이 있다. 더우기, 다수개의 반도체 칩을 동시에 실장하여 일괄적으로 번인 테스트를 실시하므로, 다량의 노운 굳 다이를 생산할 수 있어 노운 굳 다이 생산 단가의 상당 부분을 차지하는 테스트 비용을 절감하여 노운 굳 다이의 생산 비용을 파격적으로 절감할 수 있는 효과가 있다. 또한 실장 밀도가 높은 멀티 칩 모듈을 저가로 용이하게 제작할 수 있어 슈퍼 컴퓨터 뿐만 아니라 일반 개인용 컴퓨터에도 적용할 수 있는 효과가 있다.As described above, in the test socket for the nodule die array, which is composed of the upper and lower sockets, there is no need for a separate socket support, so that the structure is simplified, and damage to the wire is prevented by a through hole formed in the upper socket. The bump is plated with a material having excellent conductivity, corrosion resistance, and abrasion resistance, so that the life of the socket can be extended. In addition, since multiple semiconductor chips are simultaneously mounted and burned-in tests are carried out in batches, it is possible to produce a large number of known good dies, thereby reducing the test cost, which accounts for a large part of the known good die production cost, to reduce the production cost of the known good dies. There is a significant savings effect. In addition, multi-chip modules with high mounting density can be easily manufactured at low cost, which can be applied to general personal computers as well as supercomputers.

Claims (4)

노운 굳 다이 어레이용 테스트 소켓에 있어서, 다수개의 실장용 패드 및 접점용 패드가 형성된 직사각형의 하부소켓과; 상기 실장용 패드들 상에 실장되어 있는 반도체 칩들과; 상기 접점용 패드들을 상기 반도체 칩의 본딩패드들과 연결하는 와이어들과; 상기 하부소켓의 상측에서 고정수단에 의해 고정되어 있는 상부소켓과; 상기 하부소켓에 형성되어 있는 접점용 패드들과 접촉되도록 상기 상부소켓을 관통하여 일정간격으로 설치되어 있는 접촉단자들과; 상기 상부소켓의 중앙에 형성되어 상기 반도체 칩이 점유할 수 있는 공간을 형성하는 관통공과; 상기 관통공에 인접하여 굴곡되도록 형성된 스루홀과; 상기 상부소켓의 일측에 형성되어 있으며, 상기 접촉단자들과 금속배선에 의해 연결되어 있는 입출력 패드들로 구성된 것을 특징으로 하는 노운 굳 다이 어레이용 테스트 소켓.A test socket for a known good die array, comprising: a rectangular lower socket having a plurality of mounting pads and contact pads; Semiconductor chips mounted on the mounting pads; Wires connecting the contact pads to the bonding pads of the semiconductor chip; An upper socket fixed by fixing means on an upper side of the lower socket; Contact terminals installed at regular intervals through the upper socket to contact the pads for contact formed on the lower socket; A through hole formed in a center of the upper socket to form a space occupied by the semiconductor chip; A through hole formed to be bent adjacent to the through hole; A test socket for a known good die array formed on one side of the upper socket and configured as input / output pads connected to the contact terminals by metal wiring. 제1항에 있어서, 상기 관통공은 하부의 단면적이 상부의 단면적보다 큰 것을 특징으로 하는 노운 굳 다이 어레이용 테스트 소켓.The test socket according to claim 1, wherein the through hole has a cross-sectional area of a lower portion greater than that of an upper portion. 제1항에 있어서, 상기 고정수단이, 스쿠루 또는 삽입핀으로 된 것을 특징으로 하는 굳 다이 어레이용 테스트 소켓.The test socket for hard die array according to claim 1, wherein the fixing means comprises a screw or an insertion pin. 제1항에 있어서, 상기 접촉단자는 하부에 니켈 및 금으로 2층 도금된 범프를 갖는 것을 특징으로 하는 노운 굳 다이 어레이용 테스트 소켓.The test socket according to claim 1, wherein the contact terminal has bumps plated with nickel and gold at the bottom thereof.
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