KR0125495Y1 - 마이크로파 관 - Google Patents
마이크로파 관Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/027—Collectors
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- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/08—Focusing arrangements, e.g. for concentrating stream of electrons, for preventing spreading of stream
- H01J23/087—Magnetic focusing arrangements
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Abstract
본고안은 마이크로판 관에 관한 것으로, 전자빔을 방출하는 캐소드와, 상기 캐소드에서 방출된 전자빔이 이동하도록 드리프트 통로를 형성한 드리프트 튜브와, 상기 드리프트 통로를 이동한 전자빔을 수집함과 동시에 전자빔 충돌면과 영구자석의 간격을 넓히는 컬렉터로 이루어져서 컬렉터 플레이트에서 열이 발생할 경우 컬렉터 플레이트 및 방열 플레이트와 영구자석의 간격을 넓힘으로써 제품의 성능을 향상시킬 수 있고 제품의 효율을 향상시킬 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.
Description
제1도는 본고안의 일실시예에 의한 마이크로파 관의 단면도.
제2도는 제1도에 도시된 마이크로파관에 있어서, 컬렉터의 외관사시도.
제3도는 종래 마이크로파 관의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
4 : 히터 6 : 에미터
11 : 드리프트 튜브 12 : 드리프트 통로
24 : 제2영구자석 45 : 컬렉터 플레이트
47 : 방열 플레이트 49 : 열 형상 기억 합금
본고안은 마이크로파 관에 관한 것으로, 특히 컬렉터 플레이트에서 열이 발생할 경우 컬렉터 플레이트와 영구자석의 간격을 넓히는 마이크로파 관에 관한 것이다.
종래 마이크로파 관은 제3도에 도시된 바와 같이 전자빔을 방출하는 캐소드(72)와, 드리프트 통로(12)에 자력을 인가하도록 자력을 발생하는 자력발생수단(74)으로 이루어져 있었다.
상기와 같이 구성된 종래 마이크로파 관에 있어서는, 상기 캐소드(72)에서 전자빔이 방출되면, 상기 전자빔은 상기 자력 발생수단(74)에서 발생된 자력을 받아서 컬렉터(76)로 진입하며, 컬렉터(76) 앞부분의 캐비티(78)에서 고주파를 발생한다.
그런데, 상기와 같은 종래 마이크로파 관은 상기 컬렉터에서 발생하는 열이 상기 자력발생수단(74)의 영구자석(74a)에 용이하게 전달되어 상기 영구자석(74a)의 성능이 저하되어서 전체적으로 제품의 성능이 저하되고 동시에 제품의 효율이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서 본고안은 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 본고안의 목적은 제품의 성능을 향상시킬 수 있고, 제품의 효율을 향상시킬 수 있는 마이크로파 관을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본고안에 따른 마이크로파 관은 전자빔을 방출하는 캐소드와, 상기 캐소드에서 방출된 전자빔이 이동하도록 드리프트 통로를 형성한 드리프트 튜브와, 상기 드리프트 통로를 이동한 전자빔을 수집함과 동시에 전자빔 총돌면과 영구자석의 간격을 넓힘시키는 컬렉터로 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하 본고안의 일실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제1도에 도시된 바와 같이, 전자빔을 방출하는 캐소드는 발열하는 히터(4)와, 상기 히터(4)로부터 열을 받아서 전자빔을 방출하는 에미터(6)로 구성되어 있다.
상기 히터(4)에는 상기 히터(4)에 110V의 교류전압이나 220V의 교류전압을 인가하는 히터 로드(8)가 연결되어 있으며, 상기 에미터(6)에는 상기 에미터(6)에 110V의 교류전압이나 220V의 교류전압을 인가하는 에미터 로드(10)가 연결되어 있다.
상기 히터 로드(8)와 에미터 로드(10)는 하우징(9)에 지지되어 있다.
상기 에미터(6)에는 전자빔을 방출하는 방출부(6a)가 에미터(6)의 내측으로 오목하게 형성되어 있다.
드리프트 튜브(11)에는 상기 캐소드(6)에서 방출된 전자빔이 이동하도록 드리프트 통로(12)가 형성되어 있다.
드리프트 통로(12)에 자력을 인가하도록 자력을 발생하는 자력 발생수단은 상기 에미터(6)의 주위에 설치되어서 자력을 발생하는 제1영구자석(16)과, 후술하는 컬렉터 플레이트의 주위에 설치되어서 자력을 발생하는 제2영구자석(24)과, 상기 제1영구자석(16) 및 상기 제2영구자석(24)에서 발생된 자속을 연결하여 폐쇄 경로를 형성하는 제1폴피스(32), 제2폴피스(34) 및 요크(36,38)로 이루어져 있다.
상기 제1영구자석(16), 제2영구자석(24) 및 요크(36,38)는 홀더(40)에 고정되어 있다.
상기 드리프트 통로(12)를 이동한 전자빔을 수집함과 동시에 전자빔 충돌면(45a)과 상기 제2영구자석(24)의 간격을 넓히는 컬렉터는 제1도 및 제2도에 도시된 바와 같이 전자빔을 수집하는 컬렉터 플레이트(45)와, 상기 컬렉터 플레이트(45)의 열을 전달받아서 열을 외부로 방출하는 방열 플레이트(47) 및 상기 제2영구자석(24)에 상기 컬렉터 플레이트(45)의 열이 전달되지 않도록 상기 컬렉터 플레이트(45)와 상기 제2영구자석(24)의 간격을 넓히는 열 형상 기억 합금(49)으로 이루어져 있다.
상기 방열 플레이트(47)에는 제2도에 도시된 바와 같이 공기의 유통을 위한 구멍(47a)이 형성되어 있다.
상기 열 형상 기억 합금(49)은 환형으로 형성되어서 상기 컬렉터 플레이트(45)의 가장자리에 설치되어 있다.
상기 컬렉터 플레이트(45)는 제1도에 도시된 바와 같이 단면이 V자 형상인 원추형으로 형성되어 있다. 상기 컬렉터 플레이트(45)는 걸림턱(45b)을 개재해서 상기 제2폴피스(34)와 견고하게 결합되어 있다. 상기 컬렉터 플레이트(45)는 또한 상기 에미터(6)와 상기 켈렉터 플레이트(45) 사이에 전자빔의 가속을 위한 전위차가 형성되도록 직류 600V의 전압을 출력하는 제2전원수단(도시생략)의 출력단자에 접속되어 있다.
상기 캐비티(78)에서 밀도 변조된 전자빔의 에너지를 커플링하여 고주파를 발생하는 고주파 발생수단(50)은 상기 캐비티(78)에 연결되어 있다.
상기 제1폴피스(32)와 상기 제1영구자석(16)의 사이이는 상기 제1폴피스(32)와 상기 제1영구자석(16)을 전기적으로 차단하고 상기 제1폴피스(32)의 열을 상기 제1영구자석(16)에 전달하기 않도록 차단하는 아이소레이터(ISOLATOR,53)가 설치되어 있다.
상기 제2폴피스(34)와 상기 제2영구자석(24)의 사이에는 상기 제2폴피스(34)와 상기 제2영구자석(24)을 전기적으로 차단하고 상기 제2폴피스(34)의 열을 상기 제2영구자석(24)에 전달하지 않도록 차단하는 다른 아이소레이터(55)가 설치되어 있다.
이하 상기와 같이 구성된 본고안의 일실시예에 의한 마이크로파 관의 작용 효과를 설명한다.
먼저 상기 히터 로드(8)과 에미터 로드(10)을 통해 캐소드의 히터(4)에 220V을 교류전압이 인가되면, 상기 히터(4)가 발열한다.
다음에 상기 에미터 로드(10)를 통해 캐소드의 에미터(6)와 상기 컬렉터의 컬렉터 플레이트(45) 사이에 600V의 직류전압이 인가되면 상기 에미터(6)로부터 전자가 방출되어 전자빔을 형성한다.
상기 에미터(6)로부터 방출되어 형성된 전자빔은 상기 드리프트 통로(12)를 통과하면서 밀도 변조된다.
다음에 상기 고주파 발생수단(50)은 상기 밀도 변조된 전자빔으로부터 전자계에너지를 받아서 고주파를 발생한다.
다음에 상기 컬렉터 플레이트(45)는 상기 드리프트 통로(12)를 통과한 전자빔을 수집한다.
한편, 상기 컬렉터 플레이트(45)에서 발생된 열이 상기 열 형상 기억합금(49)에 전달되어 상기 열 형상 기억 합금(49)의 온도가 일정 온도에 도달하면 상기 열 항상 기억 합금(49)이 제1도의 화살표(52) 방향으로 팽창한다. 그러면 상기 제2영구자석(24)과 상기 방열 플레이트(47)의 간격 및 상기 제2영구자석(24)과 컬렉터 플레이트(45)의 전자빔 충돌면(45a)의 간격이 넓어짐과 동시에 상기 전자빔 충돌면(45a)의 면적이 증가한다.
그러면 상기 방열 플레이트(47) 및 상기 컬렉터 플레이트(45)로부터 상기 제2영구자석(24)에 열이 전달되지 않아 상기 제2영구자석(24)의 온도가 증가하지 않는다. 동시에 상기 컬렉터 플레이트(45)로부터 상기 방열 플레이트(47)로 열이 용이하고 빠르게 전달된다. 따라서 상기 제2영구자석(24)의 온도가 증가하지 않음으로써 상기 제2영구자석(24)의 성능이 저하하지 않는다. 상기 제2영구자석(24)의 성능이 저하하지 않으면 상기 제2영구자석(24)으로부터 동작 초기시와 동일한 자력이 발생한다. 그러면 상기 드리프트 통로(12)에 동작 초기시와 동일한 자속 밀도가 분포된다.
한편, 상기 열 형상 기억 합금(49)을 주위의 온도가 상기 일정 온도 이하로 될 경우에는 상기 열 형상 기억 합금(49)은 제1도에 도시된 바와 같이 수축하여, 상기 방열 플레이트(47)와 상기 제2영구자석(24)의 간격 및 상기 컬렉터 플레이트(45)의 전자빔 충돌면(45a)과 상기 제2영구자석(24)의 간격을 좁힌다. 그러면 상기 컬렉터 플레이트(45)와 상기 방열 플레이트(47)에서 정상적인 방열 동작이 이루어진다.
상술한 바와 같이 본고안에 따른 마이크로파 관에 의하면, 컬렉터 플레이트에서 열이 발생할 경우 켤렉터 플레이트 및 방열 플레이트와 영구자석의 간격을 넓힘으로써 제품의 성능을 향상시킬 수 있고 제품의 효율을 향상시킬 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.
Claims (2)
- 마이크로파 관에 있어서, 전자빔을 방출하는 캐소드와, 상기 캐소드에서 방출된 전자빔이 이동하도록 드리프트 통로(12)를 형성한 드리프트 튜브(11)와, 상기 드리프트 통로(12)를 이동한 전자빔을 수집함과 동시에 전자빔 충돌면(45a)과 영구자석(24)의 간격을 넓히는 컬렉터로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로파 관.
- 제1항에 있어서, 상기 컬렉터는 전자빔을 수집하는 컬렉터 플레이트(45)와, 상기 컬렉터 플레이트(45)의 열을 전달받아서 열을 외부로 방출하는 방열 플레이트(47) 및 상기 영구자석(24)에 상기 컬렉터 플레이트(45)의 열이 전달되지 않도록 상기 컬렉터 플레이트(45)와 상기 영구자석(24)의 간격을 넓히는 열 형상 기억 합금(49)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로파 관.
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1995
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