KR0121512Y1 - Exhaust gas controller - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 제조공정중 산화, 확산공정에 사용되는 배기가스량 조절 장치에 관한 것으로, 상기 애트모스캔 튜브(2)의 일측단에 장착된 팁(3); 상기 팁(3)에 장착된 가스이송라인(5); 상기 가스이송라인(5)의 일단부에 장착된 3-웨이 밸브(6); 상기 3-웨이밸브(6)의 일측 입구에 연결되되, 상기 반응가스가 메인배기라인(10)으로 배출되도록 하는 질소공급라인(7); 상기 질소공급라인(7)에 장착되어 외부에서 공급되는 질소가스량을 상기 반응가스와의 상대적인 기압차이가 발생되도록 조절하는 조절수단(8); 및 상기 메인 배기라인(10)에 그 일측이 장착되고, 타측은 상기 3-웨이밸브(6)의 출구에 연결된 배기라인(9)을 구비하여 공정구간내의 반응가스를 다른 튜브에 전혀 영향을 미치지 않고 배출되도록 하며, 또한 반응가스량을 조절하여 공정안정화에 기여하는 효과가 있다.The present invention relates to an exhaust gas amount adjusting device used in an oxidation and diffusion process in a semiconductor manufacturing process, the tip (3) mounted at one end of the atmoscan tube (2); A gas transfer line 5 mounted to the tip 3; A three-way valve 6 mounted at one end of the gas transfer line 5; A nitrogen supply line (7) connected to one inlet of the three-way valve (6) to allow the reaction gas to be discharged to the main exhaust line (10); Control means (8) mounted on the nitrogen supply line (7) to adjust the amount of nitrogen gas supplied from the outside so that a relative air pressure difference with the reaction gas occurs; And one side is mounted to the main exhaust line 10, the other side is provided with an exhaust line (9) connected to the outlet of the three-way valve (6) does not affect the reaction gas in the process section to the other tube at all It is to be discharged without, and it also has the effect of contributing to process stabilization by controlling the amount of reaction gas.
Description
도1은 종래기술에 따른 배기가스량 조절장치의 구성을 나타낸 개략도Figure 1 is a schematic diagram showing the configuration of the exhaust gas amount adjusting apparatus according to the prior art
도2는 종래 기술에 따른 각각의 튜브에 구비된 댐퍼가 닫혀있는 상태도Figure 2 is a state in which the dampers provided in each tube according to the prior art is closed
도3은 본 고안에 따른 배기가스량 조절 장치의 일실시예 구성을 나타낸 개략도Figure 3 is a schematic diagram showing the configuration of an embodiment of the exhaust gas amount adjusting apparatus according to the present invention
도4는 본 고안의 3-웨이밸브를 통하여 가스가 배출되는 상태도4 is a state in which gas is discharged through the 3-way valve of the present invention
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1:반응로 1a:반응실1: Reactor 1a: Reaction chamber
2:애트모스캔 튜브 3:팁2: Atmoscan tube 3: tip
4:댐퍼 5:가스 이송관4: damper 5: gas transfer pipe
6:3-웨이밸브 7:질소공급관6: 3-way valve 7: nitrogen supply pipe
8:가스조절기 9:배기관8: Gas regulator 9: Exhaust pipe
10:메인 배기관10: Main exhaust pipe
본 고안은 반도체 제조공정 중 산화, 확산공정에 사용되는 배기가스량 조절 장치에 관한 것으로, 특히 반응로로부터 반응공정이 완료되고 난 후의 불필요한 반응가스가 완전히 배출되도록 하기 위한 배기가스량 조절 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust gas amount adjusting device used in an oxidation and diffusion process in a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to an exhaust gas amount adjusting device for completely discharging unnecessary reaction gas after a reaction process is completed from a reactor.
일반적으로, 반도체 공정장비의 반응실 분위기는 공정결과에 매우 중요한 요소로 작용하므로, 산화막의 중착공정이 완료된 다음 반응실 내부에 잔류하는 반응가스를 완전히 배출시키는 것이 요구된다.In general, since the reaction chamber atmosphere of the semiconductor processing equipment is a very important factor in the process result, it is required to completely discharge the reaction gas remaining in the reaction chamber after the deposition process of the oxide film is completed.
이러한, 요구에 부응하기 위한 종래의 배기가스량 조절 장치를 첨부된 도1 및 도2를 참조하여 간략히 설명한다.A conventional exhaust gas amount adjusting device for meeting such a demand will be briefly described with reference to FIGS. 1 and 2.
도1에 도시된 바와 같이, 종래의 배기가스량 조절 장치는, 공정웨이퍼 상에 산화막을 증착시키는 공정이 수행되는 4개의 반응실(11a)을 구비한 반응로(11)와, 상기 반응실(11a)에 각각 구비되어, 그에 주입되는 가스를 확산시키므로써 공정웨이퍼 상에 산화막이 증착될 분위기를 조성하는 애트모스캔 튜브(12)를 포함하고 있다.As shown in FIG. 1, the conventional apparatus for controlling the amount of exhaust gas includes a reactor 11 including four reaction chambers 11a in which an oxide film is deposited on a process wafer, and the reaction chamber 11a. Each of the atmoscan can tube 12 is provided to diffuse the gas injected therein to form an atmosphere in which an oxide film is to be deposited on the process wafer.
그리고, 상기 반응로(11)의 중앙부에는 각각의 애트모스캔 튜브(12)로부터 배출되는 반응가스를 동일한 흡입력으로 강제흡입시켜 배출시키는 메인 배기관(14)이 구비되며, 상기 메인 배기관(14)에는 애트모스캔 튜브(12)로부터 공정완료후 배출되는 반응가스량을 조절하는 댐퍼(13)가 각각 구비되어 있다. 여기서, 상기 댐퍼(13)의 일측은, 도2에 도시된 바와 같이, 애트모스캔 튜브(12)측의 반응가스가 배출되도록 개폐가능한 미닫이 형식의 도어가 구비되고, 타측은 상기 메인 배기관(14)과 연통되도록 형성된 구조로 되어 있다. 따라서, 산화막 증착공정이 진행되는 동안에는 상기 도어를 폐쇄하여 상기 반응가스가 메인 배기관(14)으로 흡입되는 것을 방지하며, 상기 공정의 완료후에는 상기 도어를 개방하여 반응완료 후의 잔류가스가 메인 배기관(14)으로 흡입되도록 하고 있다.In addition, a main exhaust pipe 14 is provided at the center of the reactor 11 to forcibly suck and discharge the reaction gas discharged from each of the atmoscan tubes 12 with the same suction force, and the main exhaust pipe 14 Dampers 13 for adjusting the amount of reaction gas discharged from the atmoscan tube 12 after completion of the process are provided. Here, one side of the damper 13, as shown in Figure 2, is provided with a sliding door that can be opened and closed so that the reaction gas of the atmoscan tube 12 side, the other side is the main exhaust pipe 14 ) Is configured to communicate with. Therefore, while the oxide film deposition process is in progress, the door is closed to prevent the reaction gas from being sucked into the main exhaust pipe 14. After the completion of the process, the door is opened to allow residual gas after the completion of the reaction to become the main exhaust pipe ( 14) to be inhaled.
또한, 상기 메인 배기관(12)의 일측에는 게이지(15)가 장착되어 배출되는 가스량을 검사하여 조절하게 된다.In addition, the gauge 15 is mounted on one side of the main exhaust pipe 12 to inspect and adjust the amount of gas discharged.
이와 같은 종래의 배기가스량 조절 장치는, 산화막 증착공정이 진행되는 동안에는, 상기 댐퍼(13)의 도어를 폐쇄하여 반응가스가 외부로 유출되는 것을 방치하며, 상기 공정이 완료된 후에는, 댐퍼(13)의 도어를 개방하여 반응실 내부에 잔류하는 반응가스를 배출하였다.The conventional exhaust gas amount adjusting device closes the door of the damper 13 while the oxide film deposition process is in progress, and prevents the reaction gas from flowing out, and after the process is completed, the damper 13 is completed. The door was opened to discharge the reaction gas remaining in the reaction chamber.
그러나, 상기한 바와 같은 종래의 배기가스량 조절 장치는, 메인 배기관(14)에 의해 강제흡입되는 반응가스의 양이 불규칙하게되어 공정에 이상을 초래하였으며, 이는, 4개의 애트모스캔 튜브(12) 중 어느 하나에서 배출되는 반응가스의 양을 조절하기 위해 댐퍼(13)의 도어를 움직일 경우, 예를 들면 배기량을 많게 하기 위하여 도어 입구를 넓게하였을 경우, 그로부터 배출되는 많은 양의 배기가스의 유속에 의해 다른 애트모스캔 튜브의 반응가스가 메인 배기관으로 배출되는 것을 저지하게 되어 결국 다른 애트모스캔 튜브(12)에서는 반응가스의 배기량에 변동이 생기게 되는 문제점이 있었다.However, in the conventional exhaust gas amount adjusting device as described above, the amount of reaction gas forced into the main exhaust pipe 14 becomes irregular, which causes abnormalities in the process, which is caused by the four atmoscan tubes 12. In the case of moving the door of the damper 13 to adjust the amount of reaction gas discharged from any one, for example, when the door inlet is widened to increase the amount of exhaust gas, the flow rate of the large amount of exhaust gas discharged therefrom is increased. As a result, the reaction gas of another atmoscan tube is prevented from being discharged to the main exhaust pipe, and thus, the other atmoscan tube 12 has a problem in that the displacement of the reaction gas is changed.
따라서, 본 고안은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 한 튜브로부터 메인 배기관으로 배출되는 가스량이 많은 경우에 다른 튜브들의 배기량에 영향을 주지않고 일정하게 배기되도록 함으로써, 각 반응실에서의 산화막 증착공정이 안정되도록 하는 배기가스량 조절 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been devised to solve the above problems, and when the amount of gas discharged from one tube to the main exhaust pipe is large, the oxide film is deposited in each reaction chamber by allowing it to be constantly discharged without affecting the displacement of other tubes. It is an object of the present invention to provide an apparatus for controlling the amount of exhaust gas which makes the process stable.
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안은, 반도체 공정중 산화, 확산 공정을 수행하는 에트모스캔 튜브의 소정위치에 장착되어, 상기 공정의 수행 후, 그로부터 배출되는 가스량을 조절하는 댐퍼와, 반응로의 중앙부 소정위치에 설치되어 상기 튜브에 잔류된 반응가스를 배출시키는 메인 배기관이 구비된 배기가스량 조절장치에 있어서, 상기 애트모스캔 튜브의 일단부에 장착되어 반응완료 후의 가스를 배출하기 위한 팁; 상기 팁에 연결되어 그로부터 배출되는 반응가스를 안내하는 가스이송관; 상기 가스이송관의 일단부에 장착되어 가스의 방향을 조절하는 3-웨이밸브; 상기 3-웨이밸브의 일측에 연결되되, 압력차를 이용하여 상기 반응가스가 메인 배기관으로 배출되도록 질소를 공급하는 질소공급관; 상기 질소공급관의 소정위치에 장착되며, 상기 반응가스와의 상대적인 압력차가 발생되도록 질소량을 조절하는 가스조절수단; 및 상기 메인 배기관의 소정위치에 그 일단부가 장착되고, 타단부는 상기 3-웨이밸브의 출구에 연결되어 그로부터 인출되는 반응가스를 이송하는 배기관을 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스량 조절 장치를 제공한다.The present invention for achieving the above object is a damper which is mounted at a predetermined position of the etmoscan tube to perform the oxidation, diffusion process during the semiconductor process, and controls the amount of gas discharged therefrom after performing the process, and An exhaust gas amount adjusting device having a main exhaust pipe installed at a predetermined position in a central part and discharging the reaction gas remaining in the tube, the apparatus comprising: a tip mounted on one end of the atmoscan tube to discharge the gas after the reaction is completed; A gas transfer pipe connected to the tip and guiding a reaction gas discharged therefrom; A three-way valve mounted to one end of the gas transfer pipe to control a gas direction; A nitrogen supply pipe connected to one side of the three-way valve and supplying nitrogen to discharge the reaction gas to the main exhaust pipe by using a pressure difference; A gas adjusting means mounted at a predetermined position of the nitrogen supply pipe, and adjusting the amount of nitrogen so that a relative pressure difference with the reaction gas is generated; And an exhaust pipe having one end mounted at a predetermined position of the main exhaust pipe and the other end connected to an outlet of the three-way valve to transfer a reaction gas drawn therefrom. .
이하, 첨부된 도3 및 도4를 참조하여 본 고안에 따른 배기가스량 조절 장치의 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying Figures 3 and 4 will be described an embodiment of the exhaust gas amount adjusting apparatus according to the present invention.
도3은 본 고안에 따른 배기가스량 조절 장치의 일실시예 구성을 나타낸 개략도로서, 도면에서 1은 반응로, 1a는 반응실, 2는 애트모스캔 튜브, 3은 팁, 4는 댐퍼, 5는 가스 이송관, 6은 3-웨이밸브, 7은 질소공급관, 8은 가스조절기, 9는 배기관 10은 메이 배기관을 각각 나타낸다.Figure 3 is a schematic view showing an embodiment configuration of the exhaust gas amount adjusting apparatus according to the present invention, 1 is a reactor, 1a is a reaction chamber, 2 is an Atmoscan tube, 3 is a tip, 4 is a damper, 5 is Gas delivery pipe, 6 is 3-way valve, 7 is nitrogen supply pipe, 8 is gas regulator, 9 is exhaust pipe and 10 is May exhaust pipe.
본 고안의 배기가스량 조절장치는 다수의 튜브에서 공정을 완료하고 난 후의 불필요한 가스가 메인 배기관을 통하여 동일한 양만큼씩 배출되도록 하는 것으로서, 도3에 도시된 바와 같이, 공정웨이퍼 상에 산화막 증착공정이 진행되는 반응실(1a)이 구비된 반응로(1)와, 상기 반응실(1a)의 일측에 구비되며, 공정웨이퍼가 장착되도록 형성된 애트모스캔 튜브(2)와, 상기 반응로(1)의 중앙부분을 관통하도록 장착되어, 반응이 완료되고 난 후의 잔류가스를 배출하는 메인 배기관(10)을 포함한다.Exhaust gas volume control device of the present invention is to discharge the unnecessary gas by the same amount through the main exhaust pipe after completing the process in a plurality of tubes, as shown in Figure 3, the oxide film deposition process on the process wafer Reaction furnace (1) having a reaction chamber (1a) to be carried out, the atmoscan tube (2) formed on one side of the reaction chamber (1a), the process wafer is mounted, and the reactor (1) It is mounted to penetrate through the central portion of the, and comprises a main exhaust pipe 10 for discharging the residual gas after the reaction is completed.
그리고, 상기 애트모스캔 튜브(2)와 메인 배기관(10) 사이에는 두 부분을 연동시키되, 상기 애트모스캔 튜브(2)측에 개폐가능하도록 형성된 미닫이 형식의 도어를 구비한 댐퍼(4)가 장착되어, 그 개방정도에 따라 상기 애트모스캔 튜브(2)로부터 메인 배기관(10)으로 배출되는 배기가스의 양을 조절한다.In addition, the damper (4) having a sliding door is formed to be interlocked between the atmoscan tube (2) and the main exhaust pipe (10), and to be opened and closed on the atmoscan tube (2) side. The amount of exhaust gas discharged from the atmoscan tube 2 to the main exhaust pipe 10 is adjusted according to the opening degree thereof.
여기서, 상기 애트모스캔 튜브(2)의 일단측에는 그 내부에서 공정웨이퍼의 산화막 증착공정이 완료된 후에, 튜브(2) 내부에 잔류하는 반응가스가 배출되도록 하는 팁(3)이 장착된다. 이때, 상기 댐퍼(4)의 도어는 잔류가스가 팁(3)을 통해서만 배출되도록 완전히 차폐된다.Here, one end side of the atmoscan tube 2 is equipped with a tip 3 for discharging the reaction gas remaining in the tube 2 after the oxide film deposition process of the process wafer is completed therein. At this time, the door of the damper 4 is completely shielded so that the residual gas is discharged only through the tip (3).
한편, 상기 팁(3)에는 배출된 잔류가스를 이송하는 태프론 재질의 가스 이송관(5)이 연결되며, 상기 가스 이송관(5)에는 호르몬 가스의 방향을 조절하는 태프론 재질의 3-웨이 밸브(6)가 장착된다. 여기서, 상기 3-웨이밸브(6)의 일측에는 배출되는 가스를 메인 배기관(10)으로 안내하는 배기관(9)이 구비되고, 타측에는 압력차에 의해 상기 잔류가스를 메인 배기관(10)으로 안내하는 질소가 전송되는 질소공급관(7)이 구비된다. 그리고, 상기 질소공급관(7) 상에는 질소의 주입량을 조절하는 가스조절기(8)가 장착된다.On the other hand, the tip (3) is connected to the gas transfer pipe (5) made of teflon material for transporting the discharged residual gas, the gas transfer pipe (5) is made of 3-teflon material for controlling the direction of the hormone gas The way valve 6 is mounted. Here, one side of the three-way valve (6) is provided with an exhaust pipe (9) for guiding the discharged gas to the main exhaust pipe (10), the other side guides the residual gas to the main exhaust pipe (10) by the pressure difference A nitrogen supply pipe 7 through which nitrogen is transmitted is provided. And, on the nitrogen supply pipe 7 is equipped with a gas regulator 8 for adjusting the injection amount of nitrogen.
여기서, 상기 가스 이송관(5)의 외측에는 외부로부터 냉각수를 공급하는 석영재질의 냉각수파이프(11)가 감겨진 상태로 구비되어 고온상태에서 배출되는 반응가스를 냉각시키므로써, 상기 가스 이송관(5) 및 3-웨이밸브(6)의 변형을 방지한다.Here, the outer side of the gas transfer pipe (5) is provided with a cold water pipe 11 made of quartz material for supplying cooling water from the outside to cool the reaction gas discharged at a high temperature state, thereby providing the gas transfer pipe ( 5) and the three-way valve 6 to prevent deformation.
이와 같은 본 고안에 따른 배기가스량 조절 장치의 작용상태를 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation state of the exhaust gas amount control device according to the present invention as follows.
산화막 증착공정이 완료된 후의 반응가스를 배출할 경우, 메인 배기관(10)에 연결된 4개의 애트모스캔 튜브(2)중 어느 하나에서 다른 애트모스캔 튜브(2)의 배출량보다 많은 양을 배출시키면 다른 애트모스캔 튜브(2)측 댐퍼(4)의 도어를 완전히 차폐하여 상기 해당 애트모스캔 튜브(2)의 팁(3)을 통하여 잔류반응가스를 배출한다. 상기 팁(3)을 통한 잔류반응가스의 경로는, 상기 팁(3)에 연결된 가스 이송관(5)을 통해 3-웨이밸브(6)로 전송된다. 이때, 질소공급관(7)을 통하여 질소를 주입하게 되면, 도4에 도시된 바와 같이, 질소의 흐름에 의해 3-웨이밸브(6)의 중앙부에 잔류되어 있던 가스의 상대적인 기압이 낮아져 반응가스가 빠른 유속으로 배기관(9)을 통하여 메인 배기관(10)으로 흡입되는 것이다.When the reaction gas is discharged after the oxide film deposition process is completed, any one of the four atmoscan tubes 2 connected to the main exhaust pipe 10 discharges a larger amount than the other atmoscan tubes 2. The door of the damper 4 at the side of the atmoscan tube 2 is completely shielded to discharge residual reaction gas through the tip 3 of the atmoscan tube 2. The path of the residual reaction gas through the tip 3 is transmitted to the 3-way valve 6 through the gas transfer pipe 5 connected to the tip 3. At this time, when nitrogen is injected through the nitrogen supply pipe (7), as shown in Figure 4, the relative air pressure of the gas remaining in the central portion of the three-way valve (6) by the flow of nitrogen is lowered to the reaction gas It is sucked into the main exhaust pipe 10 through the exhaust pipe 9 at a high flow rate.
상기한 바와 같은 본 고안은, 반응가스가 종래의 배기경로와는 다른 경로로 배출되도록 함으로써, 하나의 애트모스캔 튜브로부터 배출되는 반응가스에 의해 그 외의 애트모스캔 튜브가 영향받는 것을 방지하며, 가스조절기(8)를 통해 질소공급관(7)을 흐르는 질소의 양을 조절하므로써, 반응가스의 배기량을 조절하여 공정안정화에 기여하는 효과가 있다.The present invention as described above, by allowing the reaction gas to be discharged in a different path from the conventional exhaust path, to prevent the other atmoscan tube is affected by the reaction gas discharged from one atmoscan tube, By controlling the amount of nitrogen flowing through the nitrogen supply pipe 7 through the gas regulator 8, the amount of reaction gas is controlled to contribute to stabilizing the process.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940021425U KR0121512Y1 (en) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Exhaust gas controller |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940021425U KR0121512Y1 (en) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Exhaust gas controller |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960009261U KR960009261U (en) | 1996-03-16 |
| KR0121512Y1 true KR0121512Y1 (en) | 1998-08-17 |
Family
ID=19391391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019940021425U KR0121512Y1 (en) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | Exhaust gas controller |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0121512Y1 (en) |
-
1994
- 1994-08-24 KR KR2019940021425U patent/KR0121512Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960009261U (en) | 1996-03-16 |
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