KR0121114B1

KR0121114B1 - Injection method of mold compound

Info

Publication number: KR0121114B1
Application number: KR1019940006775A
Authority: KR
Inventors: 안점환
Original assignee: 황인길; 아남산업주식회사
Priority date: 1994-03-31
Filing date: 1994-03-31
Publication date: 1997-11-10

Abstract

In the molding process for forming a package(9) of a semiconductor with thermosetting mold compound, the method for pouring mold compound is provided by the characteristic that a piston(2) of a transfer ram(1) is repeatedly pressurized in an oscillation state to pour the mold compound in a high pressure, to thereby uniform a molding of the package(9) so that void and blister(10) phenomena are prevented.

Description

Mold Compound Injection Method

제1도는 본 발명의 몰드 컴파운드 주입장치 구성도.1 is a block diagram of a mold compound injection device of the present invention.

제2도는 본 발명의 주입장치로 반도체를 패키지 성형하는 상태도.2 is a state diagram for package molding a semiconductor with the injection apparatus of the present invention.

제3도는 본 발명의 몰드 컴파운드 주입장치의 트랜스퍼 램의 내주 개략구조도.3 is a schematic structural diagram of the inner circumference of the transfer ram of the mold compound injection device of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 트랜스퍼 램 2 : 피스톤1: transfer ram 2: piston

3 : 상부금형 4 : 하부금형3: upper mold 4: lower mold

5 : 주입통로 9 : 패키지5: injection path 9: package

10 : 보이드 및 블리스터10: voids and blisters

본 발명은 몰드 컴파운드 주입방법에 관한 것으로서, 특히 반도체를 패키지 성형하는 에폭시 몰드 컴파운드를 주입시키는 트랜스퍼 램(Transfer Ram)의 피스톤(Piston)을 반복적으로 진동 가압시키므로서 패키지의 성형을 고르게 할 수 있도록 한 몰드 컴파운드 주입방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of injecting a mold compound, and in particular, to form a package evenly by repeatedly vibrating and pressing a piston of a transfer ram injecting an epoxy mold compound for package-forming a semiconductor. It relates to a mold compound injection method.

일반적으로 종래에는 반도체의 패키지를 에폭시 몰드 컴파운드로 형성함에 있어 TQFP(THIN QUAD FLAT PACKAGE)와 같은 박막형의 패키지를 몰딩할 때 발생하는 보이드(VOID;패키지 내·외부의 발생되는 구멍) 및 블리스터(BLISTER; 패키지 내·외부에 발생하는 기포)를 제거되도록 패키지 성형하는 것에 있어서, 반도체 패키지 제조공정은 반도체칩(8)이 다수 배열된 웨이퍼를 태키테이프(TACKY TAPE; 점착테이프)를 사용하여 붙인후 각개의 다이를 나누기 위해 자르는 소잉(SAWING)공정을 거쳐 초순수 물을 이용하여 세척한 후 물기를 제거하기 위해 말리는 건조공정을 거친다.In general, in forming a package of a semiconductor with an epoxy mold compound, voids (VOIDs) generated when molding a thin film package such as thin quad package (TQFP) and blisters (VOID) In forming a package so as to remove bubbles generated inside and outside the package, a semiconductor package manufacturing process is performed by attaching a wafer in which a plurality of semiconductor chips 8 are arranged by using a tape tape. The sawing process is cut to divide each die, followed by washing with ultrapure water, followed by drying to remove moisture.

건조공정후에는 리드프레임의 안착부에 에폭시(EPOXY) 접착물질을 도포한 후 반도체칩을 붙이는 다이본딩(DIE BONDING)공정을 거치고, 반도체칩상에 배열된 본드패드(BOND PAD; 반도체칩 내부회로를 외부에 연결시키기 위해 만들어진 접점부)와 리드프레임상의 리드를 금선으로 연결시키는 와이어본딩(WIRE BONDING)공정을 거친 반제품의 반도체를 외부의 열·충격 및 습기에 의한 손상을 방지하기 위해 에폭시몰드 컴파운드의 열경화성 플라스틱봉합제를 이용하여 반도체칩(8) 및 내부리드를 몰딩하는 패키지셩형을 몰딩(MOLDING)공정에서 시행한다.After the drying process, an epoxy adhesive material is applied to the seat of the lead frame, followed by a die bonding process of attaching a semiconductor chip, and a bond pad (BOND PAD) circuit on the semiconductor chip is formed. Epoxy-molded compound is used to prevent damages caused by external heat, shock and moisture of semi-finished semiconductors that have undergone wire bonding process that connects the contacts made to the outside and the lead on the lead frame with gold wires. A package mold for molding the semiconductor chip 8 and the inner lead using a thermosetting plastic encapsulant is carried out in a molding process.

몰딩공정에서는 170^oC 정도로 가열된 하부금형과 상부금형사이의 분리면에 상기 와이어본딩이 끝난 리드프레임을 안치한후 프레스로 압력을 가하여 에폭시몰드 컴파운드의 열경화성 플라스틱 봉합제를 금형내부의 캐비티로 고압 주입시켜 성형한 후 프레스를 분리시켜 완성된 반도체를 탈취하여 된 것이다.In the molding process, the wire-bonded lead frame is placed on the separating surface between the lower mold and the upper mold heated to about 170 ^° C., and then pressurized with a press to inject a high-pressure thermosetting plastic encapsulant of the epoxy mold compound into the cavity inside the mold. After molding, the press was separated to deodorize the finished semiconductor.

그러나 패키지(9)가 성형되는 과정에 되시된 도면 제2도에서와 같이 몰드런너게이트(6)로 주입되는 액상상태의 컴파운드가 금형내부의 캐비티(9)에 있는 공기를 에어빼기홈(7)으로 배출시키지 못함에 따라 몰드컴파운드의 진행흐름이 가상선과 같이 불규칙하게 진행하면서 패키지(9), 내·외부에 보이드 및 블리스터(10)가 발생하여 반도체제품에 치명적인 손상을 주는 폐단이 있었다.However, as shown in FIG. 2 shown in the process of forming the package 9, the liquid phase compound injected into the mold runner gate 6 releases air in the cavity 9 in the mold. As the flow of the mold compound proceeds irregularly like a virtual line, voids and blisters 10 are generated in the package 9, the inside and the outside of the mold compound, thereby causing a fatal damage to the semiconductor product.

따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 반도체를 패키지 성형하는 에폭시 몰드 컴파운드의 열경화성 플라스틱 봉합제를 가압하여 주입시키는 트랜스퍼 램을 전기적인 단락에 의해 반복적으로 진동 가압시켜 패키지 성형되는 컴파운드의 몰드 진행 흐름에 충격을 가하여 고르게 성형시키므로서 보이드및 블리스터의 발생을 제거하는데 목적이 있다.Therefore, in order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a package of a compound which is packaged by repeatedly vibrating and pressurizing a transfer ram for pressing and injecting a thermosetting plastic encapsulant of an epoxy mold compound for package-forming a semiconductor. It aims to eliminate the generation of voids and blisters by impacting the mold flow and forming evenly.

이하 첨부된 도면에 의하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

열경화성 몰드 컴파운드로 반도체를 패키지(9) 성형하는 몰드공정의 주입방법에 있어서, 상기 몰드 컴파운드를 고압으로 주입시키는 트랜스퍼 램(1)의 피스톤(2)을 전기적인 단략에 의하여 반복적으로 진동 가압시켜 주입시킴에 따라 반도체의 패키지(9) 성형을 고르게 하여 보이드 및 블리스터(10)현상을 방지한 것이다.In the injection molding method of molding a semiconductor package 9 using a thermosetting mold compound, the piston 2 of the transfer ram 1 for injecting the mold compound at high pressure is repeatedly vibrated and pressurized by an electrical sketch. As a result, the molding of the package 9 of the semiconductor is evened, thereby preventing the phenomenon of voids and blisters 10.

이와같이 된 본 발명의 작용효과를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the present invention as described in detail as follows.

제1도의 몰드공정의 주입장치를 보면 상,하부금형(3)(4)의 분리면에 박막형으로 제조되는 반도체의 반제품(반도체칩(8)과 각 리드사이에 금선으로 연결된 리드프레임)인 반도체를 안치시킨 후 상부금형(3)의 주입통로(5)로 용융된 몰드 컴파운드를 주입시키면 제3도에 도시한 트랜스퍼 램(1)의 피스톤(2)이 전기적인 단락으로 하부로 반복 진동하면서 이송함에 따라 피스톤(2)의 하단부가 주입통로(5)에 있는 몰드 컴파운드를 반복적으로 가압하게 된다.Referring to the injection device of the mold process of FIG. 1, the semiconductor is a semi-finished product (a lead frame connected with a gold wire between the semiconductor chip 8 and each lead) manufactured in a thin film form on separate surfaces of the upper and lower molds 3 and 4. After placing the molten mold compound into the injection passage 5 of the upper mold 3, the piston 2 of the transfer ram 1 shown in FIG. As a result, the lower end of the piston 2 repeatedly presses the mold compound in the injection passage 5.

이렇게 트랜스퍼 램(1)의 피스톤(2)의 반복 진동으로 가압된 몰드 컴파운드는 금형(상,하부금형(3)(4)의 몰드런너게이트(6)로 가압되는 양만큼 연속적으로 주입을 하면서 캐비티내로 유입하여 반도체칩(8)과 리드프레임의 내부리드를 패키지(9) 몰딩하게 된다.The mold compound pressurized by the repeated vibration of the piston 2 of the transfer ram 1 is continuously injected as much as the amount pressurized into the mold runner gate 6 of the upper and lower molds 3 and 4. Inwards, the semiconductor chip 8 and the inner lead of the lead frame are molded into the package 9.

이때 패키지(9) 몰딩되는 액상의 컴파운드는 몰드 런너게이트(6)측으로부터 순차적으로 몰드의 진행흐름을 하게 되는데 고압으로 가압 진동시키는 트랜스퍼 램(1)의 피스톤(2)이 작용하여 컴파운드의 진행흐름에 충격을 가하여 캐비티내에 있는 공기를 금형의 에어빼기홈(7)으로 배출되게 하고, 반도체의 각 구성체인 반도체칩(8)과 리드프레임 및 각 리드와 와이어의 접촉 간섭을 극복하면서 진행흐름을 함에 따라 패키지(9)의 성형을 하는 것이다.At this time, the liquid compound to be molded in the package (9) is the flow of the mold sequentially from the mold runner gate (6) side, the piston (2) of the transfer ram (1) to pressurize vibration at high pressure acts to the flow of the compound Impacts the air in the cavity to be discharged to the air bleeding groove 7 of the mold, and proceeds while overcoming the contact interference between the semiconductor chip 8 and the lead frame, each lead and wire of each component of the semiconductor. Therefore, the package 9 is molded.

따라서 종래와 같이 반도체의 패키지(9) 성형중 발생하는 보이드 및 블리스터(10)의 발생이 방지되어 패키지(9)의 몰드상태를 좋게 한 것이다.Therefore, the voids and blisters 10 generated during the molding of the package 9 of the semiconductor are prevented as in the related art, thereby improving the mold state of the package 9.

이상에서와 같이 본 발명은 트랜스퍼 램의 피스톤을 전기적인 단락으로 반복 진동 가압시키므로서 몰드 컴파운드의 주입을 진동 가압하여 반도체의 패키지 성형을 좋게 하여 제품의 품질을 높이도록 한 효과가 있다.As described above, the present invention has an effect of improving the quality of the product by improving the package molding of the semiconductor by vibrating and pressing the injection of the mold compound by repeatedly vibrating and pressing the piston of the transfer ram in an electrical short circuit.

Claims

In the injection process of a mold process for forming a semiconductor package 9 using a thermosetting mold compound, the piston 2 of the transfer ram 1 for injecting the mold compound at high pressure is repeatedly vibrated and injected to inject the semiconductor package ( 9) Mold compound injection method, characterized in that the molding and evenly prevented the void and blister (10) phenomenon.

The mold compound injection method according to claim 1, wherein the vibration pressure of the piston (2) of the transfer ram (1) can be vibrated by an electric short circuit.