JP2000003923A - Resin sealing of semiconductor device and resin-sealing device for that - Google Patents

Resin sealing of semiconductor device and resin-sealing device for that

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JP2000003923A
JP2000003923A JP10168027A JP16802798A JP2000003923A JP 2000003923 A JP2000003923 A JP 2000003923A JP 10168027 A JP10168027 A JP 10168027A JP 16802798 A JP16802798 A JP 16802798A JP 2000003923 A JP2000003923 A JP 2000003923A
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Japan
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resin
lead frame
mold
semiconductor device
cavity
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Manabu Yoshida
学 吉田
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Akita Electronics Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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Publication date
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device resin-sealing technique, which inhibits or prevents tabs from being varied and can form favorably a sealed body (package). SOLUTION: A resin-sealing device is constituted into such a structure that in a semiconductor device resin-sealing technique that a lead frame of a constitution, wherein a semiconductor chip 25 formed with a prescribed circuit is mounted on the lead frame and electrode pads on the chip 25 are connected electrically with leads of the lead frame, is clamped by a metal mold constituted of one pair of a top force 3 and a bottom force 4, a molten resin 29 is filled in the clamped metal mold and a sealed body is formed on the lead frame by curing the filled resin, the resin is injected in the metal mold in a state that the filling of the resin into the metal mold is guided to the lead frame by guide pins 16 protruding from the metal mold and the pins 16 are returned to the metal mold before the resin is filled in the metal mold.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に半導体チップが搭載され、前記半導体チップ
の電極パッドとリードとがワイヤにより結線されたリー
ドフレームを樹脂封止する技術に利用して有効なもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a technique for resin-sealing a lead frame in which a semiconductor chip is mounted and electrode pads and leads of the semiconductor chip are connected by wires. It is effective.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置において、半導体チップやワ
イヤ等を樹脂による封止体(パッケージ)によって封止
する構造が知られている。一般にこのような封止体は例
えばトランスファモールドにより形成されている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device, a structure in which a semiconductor chip, a wire, and the like are sealed by a sealing body (package) made of resin is known. Generally, such a sealing body is formed by, for example, transfer molding.

【0003】前記トランスファモールドを行う樹脂封止
装置は、上型と下型とからなる金型を有している。前記
上型及び下型は上下で一対に構成されており、それぞれ
前記半導体装置の封止体の外形を形取るキャビティを有
している。また前記上型及び下型はそれぞれヒータを有
しており、前記上型及び下型を所定の温度に加熱するこ
とができる。そして前記上型及び下型の一方は固定さ
れ、他方は可動可能に構成されており、被処理物である
リードフレームを型締めすることができる。また前記樹
脂封止装置はプランジャー機構を有しており、前記プラ
ンジャー機構により前記上型及び下型が型締めされた状
態でキャビティへ溶融された熱硬化性の樹脂を注入する
ように構成されている。
[0003] The resin sealing device for performing the transfer molding has a die including an upper die and a lower die. The upper mold and the lower mold are configured as a pair at the top and bottom, and each has a cavity for shaping the outer shape of the sealing body of the semiconductor device. The upper mold and the lower mold each have a heater, and the upper mold and the lower mold can be heated to a predetermined temperature. One of the upper mold and the lower mold is fixed, and the other is movable. The upper mold and the lower mold can clamp a lead frame as an object to be processed. Further, the resin sealing device has a plunger mechanism, and is configured to inject the molten thermosetting resin into the cavity in a state where the upper mold and the lower mold are clamped by the plunger mechanism. Have been.

【0004】この前記樹脂封止装置により、前記トラン
スファモールドが行われる。前記被処理物であるリード
フレームは、タブに半導体チップが搭載され、前記半導
体チップ上に形成された電極パッドとリードの先端とが
導電性のワイヤにより電気的に接続されている。前記上
型及び下型は予め前記ヒータにより所定温度に加熱され
ており、前記リードフレームは前記上型及び下型により
型締めされる。そして前記型締めされた上型及び下型の
キャビティへ前記プランジャー機構により溶融された樹
脂が注入される。そして前記キャビティに樹脂が充填さ
れた状態で、数分間保持することにより樹脂が硬化し、
前記リードフレームに所定の封止体が成形される。封止
体の成形が完了した後、前記リードフレームは前記金型
より取り出され、キュアすることにより封止体を完全に
硬化させ、前記リードフレームに前記封止体が形成され
るというものである。
The transfer molding is performed by the resin sealing device. A semiconductor chip is mounted on a tab of the lead frame as the object to be processed, and an electrode pad formed on the semiconductor chip and a tip of the lead are electrically connected by a conductive wire. The upper mold and the lower mold are previously heated to a predetermined temperature by the heater, and the lead frame is clamped by the upper mold and the lower mold. Then, the resin melted by the plunger mechanism is injected into the cavities of the upper mold and the lower mold which have been clamped. Then, in a state where the cavity is filled with the resin, the resin is cured by holding for several minutes,
A predetermined sealing body is formed on the lead frame. After the molding of the sealing body is completed, the lead frame is taken out of the mold and cured to completely cure the sealing body, and the sealing body is formed on the lead frame. .

【0005】このようなトランスファモールドについて
は日経BP社発行「VLSIパッケージング技術
(下)」1993年5月31日発行、第31頁乃至第40頁に記載
されている。
Such a transfer mold is described in “VLSI Packaging Technology (Lower)” published by Nikkei BP, May 31, 1993, pp. 31 to 40.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術においては前記上型と下型により型締めすること
で形成される前記キャビティの上側の空間、つまりは前
記キャビティの前記リードフレームに搭載される半導体
チップの上側の空間と、前記キャビティの下側の空間、
つまりは前記キャビティの前記半導体チップを搭載する
タブの下側の空間とのバランスが異なっているため、上
側のキャビティの空間に注入される樹脂の流動と、下側
のキャビティの空間に注入される樹脂の流動とのバラン
スが崩れてしまう。このように前記キャビティに注入さ
れる樹脂の流動のバランスが崩れてしまうと、前記半導
体チップを搭載するタブが変動(傾き等)してしまうと
いう問題が有った。具体的には前記キャビティの上側の
空間ではリードフレームに固定された半導体チップが有
るため、前記キャビティの下側の空間よりも狭くなって
おり、前記下側の空間を流れる樹脂が大きくなる。これ
により前記タブが下面を持ち上げられ、タブが傾いてし
まう。このようにタブが傾くことにより前記半導体チッ
プの電極パッドとリードの先端を結線したワイヤが封止
体から露出してしまう問題が発生してしまう。さらには
前記タブの変動により、前記タブ上に搭載された前記半
導体チップの電極パッドとリードとを結線したワイヤが
断線してしまう恐れもある。
However, in the above-described technique, the space above the cavity formed by clamping the upper mold and the lower mold, that is, the cavity is mounted on the lead frame. A space above the semiconductor chip and a space below the cavity,
That is, since the balance between the cavity and the space below the tab for mounting the semiconductor chip is different, the flow of the resin injected into the space of the upper cavity and the flow of the resin injected into the space of the lower cavity are different. The balance with the flow of the resin is lost. As described above, when the flow of the resin injected into the cavity is out of balance, there is a problem that the tab on which the semiconductor chip is mounted fluctuates (eg, tilts). Specifically, in the space above the cavity, since there is a semiconductor chip fixed to the lead frame, the space is smaller than the space below the cavity, and the resin flowing in the space below is large. As a result, the tab is raised on the lower surface, and the tab is inclined. When the tab is tilted in this manner, a problem that the wire connecting the electrode pad of the semiconductor chip and the tip of the lead is exposed from the sealing body occurs. Further, the wire that connects the electrode pad of the semiconductor chip mounted on the tab and the lead may be broken due to the fluctuation of the tab.

【0007】また前記キャビティへ注入される樹脂の流
動のバランスが崩れてしまうことによって樹脂の未充填
が発生し、封止体への前記ボイドが発生してしまう。こ
のボイドにより前記封止体形成後のキュアで前記封止体
にクラックが発生してしまう。
[0007] Further, the imbalance of the flow of the resin injected into the cavity causes the resin to be unfilled, thereby causing the void to the sealing body. The voids cause cracks in the sealing body due to the curing after the formation of the sealing body.

【0008】そのため、前記タブをダウンセット加工し
たリードフレームを用いて、前記キャビティの上側の空
間と前記下側の空間とを略同一とする技術が考えられて
いる。しかし、前記タブをダウンセット加工したリード
フレームを用いた場合でも、前記半導体チップを前記タ
ブに固定する際、或いは前記半導体チップの電極パッド
と前記リードとの結線の際に、前記リードフレームに加
えられる熱によりタブが変動し、前記キャビティの上側
の空間と下側の空間とのバランスが悪くなる恐れがあ
る。このように前記キャビティの上下の空間とのバラン
スが悪くなることで、良好に樹脂封止ができなくなり、
上述したようにタブが変動してしまう恐れがある。
For this reason, a technology has been considered in which the space above the cavity and the space below the cavity are made substantially the same using a lead frame in which the tab is downset. However, even when a lead frame in which the tab is downset is used, when the semiconductor chip is fixed to the tab or when the electrode pad of the semiconductor chip is connected to the lead, the lead frame is added to the lead frame. The tabs fluctuate due to the applied heat, and the balance between the space above the cavity and the space below the cavity may be deteriorated. In this way, the balance between the space above and below the cavity is deteriorated, so that resin sealing cannot be performed well,
As described above, the tab may be fluctuated.

【0009】また樹脂封止に用いられる樹脂(レジン)
が劣化してくると、前記樹脂の粘度が高くなってしま
い、前記劣化した樹脂を用いると、前記タブをダウンセ
ット加工したリードフレームにより前記キャビティの上
側の空間と前記下側の空間とを略同一に構成した場合で
も、前記粘度の高い樹脂の流動によって前記タブが変動
する恐れもあった。
Resin used for resin sealing (resin)
When the resin deteriorates, the viscosity of the resin increases, and when the deteriorated resin is used, the space above the cavity and the space below the cavity are substantially reduced by a lead frame obtained by downsetting the tab. Even in the case of the same configuration, the tab may be fluctuated by the flow of the high-viscosity resin.

【0010】さらに、近年はパッケージの薄型化が進ん
できており、TQFP(Thin QuadFlat Package)及び
TSOP(Thin Small Outline Package)等の薄型のパ
ッケージも製品化されている。このような薄型のパッケ
ージでは樹脂の肉厚が従来と比べて極めて薄くなってお
り、わずかのタブの変動でワイヤ或いはタブの露出等の
不良が発生するポテンシャルが大きくなってきている。
Further, in recent years, packages have become thinner, and thin packages such as TQFP (Thin Quad Flat Package) and TSOP (Thin Small Outline Package) have also been commercialized. In such a thin package, the thickness of the resin is extremely thin as compared with the conventional one, and the potential that a defect such as exposure of a wire or a tab occurs due to slight fluctuation of the tab is increasing.

【0011】そこで本発明の目的は、タブの変動を抑制
或いは防止し、良好に封止体(パッケージ)を形成でき
る半導体装置の樹脂封止技術を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a resin sealing technique for a semiconductor device which can suppress or prevent the fluctuation of the tab and can form a sealed body (package) satisfactorily.

【0012】また本発明の他の目的は、薄型パッケージ
の製品を良好に封止する半導体装置の封止技術を提供す
ることである。
Another object of the present invention is to provide a semiconductor device sealing technique for satisfactorily sealing a thin package product.

【0013】尚、本発明の前記並びにその他の目的と新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application.

【0015】すなわち、所定の回路が形成された半導体
チップを搭載し、前記半導体チップの電極パッドとリー
ドとを電気的に接続したリードフレームを上下で一対と
なる金型により型締めし、前記型締めされた金型に溶融
された樹脂を充填し、前記充填された樹脂を硬化するこ
とにより前記リードフレームに封止体を形成する半導体
装置の樹脂封止技術において、前記金型への樹脂の充填
が、前記金型から突出するガイドピンにより前記リード
フレームをガイドした状態で樹脂を注入し、前記樹脂の
充填前に前記ガイドピンを金型に戻すようにしたもので
ある。
That is, a semiconductor chip on which a predetermined circuit is formed is mounted, and a lead frame in which electrode pads of the semiconductor chip and leads are electrically connected is clamped by a pair of upper and lower dies. In a resin sealing technique for a semiconductor device in which a sealed mold is filled with a molten resin and the filled resin is cured to form a sealing body on the lead frame, the resin is filled into the mold. Filling is performed by injecting a resin while guiding the lead frame with a guide pin protruding from the mold, and returning the guide pin to the mold before filling with the resin.

【0016】また前記半導体装置の樹脂封止技術におい
て、前記リードフレームのガイドが、前記半導体チップ
の搭載部位(タブ)の角部近傍の複数箇所をガイドピン
により前記リードフレームの上下方向から挟み込むよう
に行うものである。
In the resin sealing technique for a semiconductor device, the lead frame guide may sandwich a plurality of locations near corners of a mounting portion (tab) of the semiconductor chip from above and below the lead frame with guide pins. What to do.

【0017】さらに前記半導体装置の樹脂封止技術にお
いて、前記ガイドピンが、前記リードフレームをガイド
する先端部位に幅広部を設けたものである。
Further, in the resin sealing technique for a semiconductor device, the guide pin has a wide portion provided at a tip end portion for guiding the lead frame.

【0018】また前記半導体装置の樹脂封止技術におい
て、前記複数のガイドピンの一つが、他のガイドピンと
異なる形状に構成したものである。
Further, in the resin sealing technique of the semiconductor device, one of the plurality of guide pins is formed in a shape different from other guide pins.

【0019】上述した手段によれば、所定の回路が形成
された半導体チップを搭載し、前記半導体チップの電極
パッドとリードとを電気的に接続したリードフレームを
上下で一対となる金型により型締めし、前記型締めされ
た金型に溶融された樹脂を充填し、前記充填された樹脂
を硬化することにより前記リードフレームに封止体を形
成する半導体装置の樹脂封止方法において、前記金型へ
の樹脂の充填が前記金型から突出するガイドピンにより
前記リードフレームをガイドした状態で樹脂を注入し、
前記樹脂の充填前に前記ガイドピンを金型に戻すように
したことにより、前記樹脂の充填の際に溶融された樹脂
の流動により前記半導体チップの搭載部位の変動を抑制
或いは防止し、良好に封止体を形成することができるも
のである。
According to the above means, a semiconductor chip on which a predetermined circuit is formed is mounted, and a lead frame in which electrode pads of the semiconductor chip and leads are electrically connected is formed by a pair of upper and lower dies. In the resin sealing method for a semiconductor device in which a molten resin is filled in the closed mold, and the filled resin is cured to form a sealed body in the lead frame, the method further comprises: Injecting resin while filling the mold with the lead frame guided by a guide pin projecting from the mold,
By returning the guide pins to the mold before filling with the resin, it is possible to suppress or prevent a change in the mounting portion of the semiconductor chip due to the flow of the resin melted at the time of filling the resin, and A sealed body can be formed.

【0020】また前記半導体装置の樹脂封止技術におい
て、前記リードフレームのガイドが、前記半導体チップ
の搭載部位の角部近傍の複数箇所をガイドピンにより前
記リードフレームの上下方向から挟み込むように行うこ
とにより、より良好に前記半導体チップの搭載部位の変
動を抑制或いは防止できるものである。
Further, in the resin sealing technique of the semiconductor device, the lead frame is guided so that a plurality of locations near corners of the mounting portion of the semiconductor chip are sandwiched by guide pins from above and below the lead frame. Accordingly, it is possible to more favorably suppress or prevent the variation of the mounting portion of the semiconductor chip.

【0021】さらに前記半導体装置の樹脂封止技術にお
いて、前記ガイドピンが前記リードフレームをガイドす
る先端部位に幅広部を設けたことにより、前記リードフ
レームをガイドする面積が大きくなり、前記タブの変動
をさらに抑制或いは防止することができ、かつ前記金型
に樹脂が充填された状態で、前記ガイドピンが金型に戻
ることにより前記幅広部が前記金型に密着され、前記ガ
イドピンと前記金型との隙間を低減し、この隙間に流入
する樹脂を低減することができる。
Further, in the resin sealing technique of the semiconductor device, since the guide pin has a wide portion at a leading end portion for guiding the lead frame, the area for guiding the lead frame is increased, and the variation of the tab is increased. Can be further suppressed or prevented, and in a state where the mold is filled with resin, the guide pin returns to the mold, whereby the wide portion is brought into close contact with the mold, and the guide pin and the mold are And the resin flowing into this gap can be reduced.

【0022】また前記複数箇所に設けられたガイドピン
の1つが、他のガイドピンと異なる形状とすることによ
り、前記封止体の表面に形成されるガイドピンのピン跡
の1つが他のガイドピンのピン跡と異なる形状に形成で
き、半導体装置に方向判別用のインデックスを表示する
ことができる。
Further, one of the guide pins provided at the plurality of locations has a shape different from that of the other guide pins, so that one of the traces of the guide pins formed on the surface of the sealing body is different from the other guide pins. Can be formed in a shape different from that of the pin mark, and an index for direction determination can be displayed on the semiconductor device.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0024】尚、本発明の実施形態を説明するための全
図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、
その繰り返しの説明は省略する。
In all the drawings for describing the embodiments of the present invention, components having the same functions are denoted by the same reference numerals, and
The description of the repetition is omitted.

【0025】(実施形態1)本実施形態ではTQFPの
半導体装置の樹脂封止装置に本発明を適用した場合につ
いて具体的に説明する。
(Embodiment 1) In this embodiment, a case where the present invention is applied to a resin sealing device for a TQFP semiconductor device will be specifically described.

【0026】図1は本発明の一実施形態である樹脂封止
装置1の概略構成図、図2は前記樹脂封止装置の金型の
要部断面図、図3は前記金型のガイドピンの動作を示す
断面図、図4(a)〜(b)及び図5(a)〜(b)は
前記ガイドピンの変形例を示す平面図、図6及び図7は
本発明の被処理物であるリードフレームの構成を示す
図、図8はダイボンディング後のリードフレームを示す
断面図、図9及び図10はワイヤボンディング後のリー
ドフレームを示す図、図11(a)〜(e)は本発明の
一実施形態である樹脂封止金型を用いた樹脂封止フロー
を示す断面図、図12及び図13は樹脂封止後のリード
フレームを示す図、図14は半導体装置の構成を示す断
面図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a resin sealing device 1 according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a main part of a mold of the resin sealing device, and FIG. 3 is a guide pin of the mold. 4 (a)-(b) and 5 (a)-(b) are plan views showing modified examples of the guide pin, and FIGS. 6 and 7 are workpieces of the present invention. FIG. 8 is a sectional view showing a lead frame after die bonding, FIGS. 9 and 10 are views showing a lead frame after wire bonding, and FIGS. 11 (a) to 11 (e) are FIG. 12 is a sectional view showing a resin sealing flow using a resin sealing mold according to an embodiment of the present invention, FIGS. 12 and 13 are views showing a lead frame after resin sealing, and FIG. FIG.

【0027】前記樹脂封止装置1は被処理物であるリー
ドフレームへ封止体を形成するための金型2を有してお
り、前記金型2は上型3及び下型4により構成されてい
る。前記下型4は前記樹脂封止装置1の基台5に固定さ
れている。前記上型3は前記下型4に対向するように配
置されており、前記下型4の上面に載置されるリードフ
レームを、上型3と下型4を合わせて型締めできるよう
に構成されている。そして前記上型3は、前記基台5に
設けられた支持棒6に沿って上下動する可動盤7に固定
されており、前記可動盤7の上下動により前記上型3は
上下動されるように構成されている。また前記上型3と
下型4とを合わせて型締めすることにより形成されるパ
ーティング面には、図2に示すように前記半導体装置の
封止体の外形を形取るキャビティ8、前記キャビティ8
へ樹脂を投入する際に樹脂の入り口となるポット9、前
記ボット9からキャビティ8までの樹脂の流路であるラ
ンナー10、前記ランナー10のキャビティ8の入り口
であるゲート11、前記キャビティ8内の空気を金型2
外に排出する空気路であるエアベント12等が形成され
ている。また前記上型3及び下型4はそれぞれヒータ1
3が設けられており、前記上型3及び下型4をそれぞれ
所定の温度に昇温するように構成されている。また前記
樹脂封止装置1の上部にはシリンダ機構14が設けられ
ており、前記シリンダ機構14のシリンダロットにはプ
ランジャー15が設けられている。前記プランジャー1
5は前記ポット9内に挿入されるように配設されてお
り、前記上型3と下型4を型締めした後、前記プランジ
ャー15を押し下げることにより、前記ポット9に投入
された樹脂を前記キャビティ8へ注入するように構成さ
れている。
The resin sealing device 1 has a mold 2 for forming a sealing body on a lead frame to be processed, and the mold 2 includes an upper mold 3 and a lower mold 4. ing. The lower mold 4 is fixed to a base 5 of the resin sealing device 1. The upper mold 3 is disposed so as to face the lower mold 4, and a lead frame placed on the upper surface of the lower mold 4 can be clamped together with the upper mold 3 and the lower mold 4. Have been. The upper die 3 is fixed to a movable plate 7 that moves up and down along a support bar 6 provided on the base 5, and the upper die 3 is moved up and down by the up and down movement of the movable plate 7. It is configured as follows. The parting surface formed by clamping the upper mold 3 and the lower mold 4 together, as shown in FIG. 8
A pot 9 serving as an entrance of the resin when the resin is injected into the cavity, a runner 10 serving as a resin flow path from the bot 9 to the cavity 8, a gate 11 serving as an entrance of the cavity 8 of the runner 10, Air mold 2
An air vent 12 or the like, which is an air passage for discharging outside, is formed. The upper mold 3 and the lower mold 4 each have a heater 1
The upper mold 3 and the lower mold 4 are each configured to be heated to a predetermined temperature. Further, a cylinder mechanism 14 is provided at an upper portion of the resin sealing device 1, and a plunger 15 is provided at a cylinder lot of the cylinder mechanism 14. The plunger 1
5 is disposed so as to be inserted into the pot 9, and after closing the upper mold 3 and the lower mold 4, the plunger 15 is pushed down to remove the resin put into the pot 9. The cavity 8 is configured to be injected.

【0028】また前記上型3及び下型4のキャビティ8
にはそれぞれガイドピン16が設けられている。前記ガ
イドピン16は例えば前記上型3及び下型4のキャビテ
ィ8の凹部にそれぞれ4本づつ設けられており、前記ガ
イドピン16は前記上型3と下型4に型締めされる前記
リードフレームのタブの四角に対応する部位にそれぞれ
配置されている。さらに前記ガイドピン16は上下方向
に移動可能に構成されており、図3に示すように前記ガ
イドピン16が前記上型3及び下型4から前記キャビテ
ィ8内にそれぞれ突出し、前記上型3及び下型4に型締
めされるリードフレームのタブを上下方向から挟み込む
ようにガイドすることができる。この前記上型3及び下
型4に設けられた前記ガイドピン16は例えば直径2mm
以下程度の円柱形状に構成されており、前記ガイドピン
16はそれぞれ前記リードフレーム17のタブ18から
約0.05mm以内の間隔まで突出するように図示しない制御
部により制御される。前記金型2に配設される前記ガイ
ドピン16の体積は前記キャビティ8の体積に比べて極
力小さくなるように構成する方が注入される樹脂の流動
を妨げないために良い。そして前記ガイドピン16は前
記キャビティ8への樹脂が充填される前、例えば前記キ
ャビティ8への樹脂の充填率が約50〜100%で前記金型
2へ戻るように制御される。
The cavity 8 of the upper mold 3 and the lower mold 4
Are provided with guide pins 16 respectively. For example, four guide pins 16 are respectively provided in the concave portions of the cavities 8 of the upper mold 3 and the lower mold 4, and the lead pins 16 are clamped to the upper mold 3 and the lower mold 4. Are arranged at positions corresponding to the squares of the tabs. Further, the guide pin 16 is configured to be movable in the vertical direction. As shown in FIG. 3, the guide pin 16 projects from the upper mold 3 and the lower mold 4 into the cavity 8, respectively. It is possible to guide the tab of the lead frame to be clamped to the lower mold 4 so as to sandwich the tab from above and below. The guide pins 16 provided on the upper mold 3 and the lower mold 4 have a diameter of, for example, 2 mm.
The guide pins 16 are controlled by a controller (not shown) so as to protrude from the tabs 18 of the lead frame 17 to an interval of about 0.05 mm or less. It is preferable that the volume of the guide pin 16 provided in the mold 2 is made as small as possible compared to the volume of the cavity 8 so as not to hinder the flow of the injected resin. The guide pins 16 are controlled so that the cavity 8 is returned to the mold 2 before the resin is filled into the cavity 8, for example, at a filling rate of the resin into the cavity 8 of about 50 to 100%.

【0029】さらに前記ガイドピン16は前記リードフ
レーム17への封止体30形成後に再び前記キャビティ
8へ突出させ、前記リードフレーム17に形成された封
止体30を突き上げることにより、前記上型及び下型の
キャビティ8から前記封止体30を離型させることがで
きる。このように前記ガイドピン16にエジェクト機能
を持たせることによって、前記樹脂封止装置1にエジェ
クタピンとガイドピン16の両方を設ける必要はなく、
装置の複雑化を抑制できる。
Further, the guide pins 16 are again projected into the cavity 8 after the formation of the sealing body 30 on the lead frame 17, and the sealing body 30 formed on the lead frame 17 is pushed up, so that the upper die and The sealing body 30 can be released from the cavity 8 of the lower mold. By providing the guide pin 16 with an eject function in this way, it is not necessary to provide both the ejector pin and the guide pin 16 in the resin sealing device 1,
The complexity of the device can be suppressed.

【0030】尚、本実施形態では前記ガイドピン16を
前記上型3及び下型4からそれぞれ4本づつ配置した場
合について説明したが、図4(a)及び(b)に示すよ
うに、前記キャビティの一つに2本、3本、或いは5本以
上の前記ガイドピン16を配設し、上下方向から前記リ
ードフレーム17のタブ18をガイドするように構成し
ても良い。
In this embodiment, the case where four guide pins 16 are arranged from the upper die 3 and the lower die 4, respectively, has been described. However, as shown in FIGS. Two, three, or five or more guide pins 16 may be provided in one of the cavities to guide the tab 18 of the lead frame 17 from above and below.

【0031】また、本実施形態ではガイドピン16を前
記リードフレーム17のタブ18の四角をそれぞれ上下
方向からガイドするように配置した場合について説明し
たが、前記タブ18の変動を抑制或いは防止できる部位
で有れば何処でも良く、図5(a)及び(b)に示すよ
うにタブ18の4つの辺、或いはタブ吊りリード19を
それぞれ上下方向からガイドするように配設しても良
い。
In this embodiment, the case where the guide pins 16 are arranged so as to guide the squares of the tabs 18 of the lead frame 17 from above and below, respectively, is described. 5A and 5B, the four sides of the tab 18 or the tab suspending leads 19 may be disposed so as to guide the tabs from the up and down directions, respectively.

【0032】さらに本実施形態ではガイドピンを円柱形
状に構成したが、例えば三角柱形状、多角柱形状等に構
成してもよい。
Further, in this embodiment, the guide pin is formed in a cylindrical shape, but may be formed in, for example, a triangular shape, a polygonal shape, or the like.

【0033】次に前記樹脂封止装置1を用いたTQFP
の半導体装置の製造方法について図6〜図14を用いて
説明する。
Next, TQFP using the resin sealing device 1
The method of manufacturing the semiconductor device will be described with reference to FIGS.

【0034】まず、図6及び図7は被処理物であるリー
ドフレーム17の単位フレームの構成を示す図であり、
前記単位フレームが搬送方向に沿って複数形成されてい
る。前記リードフレーム17の中央部位には、所定の回
路が形成された半導体チップ25を搭載するための略四
角形のタブ18が形成されている。前記タブ18は略四
角形の四角を4本のタブ吊りリード19によって支持さ
れている。そして前記タブ18の周囲を囲むように複数
のリード20が配置されている。また前記リードフレー
ム17には前記複数のリード20を連結し、かつ封止体
30の形成時において樹脂の流出を防止するためのダム
バー21が形成されている。前記ダムバー21は封止体
30の形状に合わせた枠状に形成されている。前記複数
のリード20の他端はそれぞれ外枠22或いは単位フレ
ーム間に設けられた枠体23に支持されている。前記外
枠22には所定の間隔で位置決め孔24が形成されてお
り、前記位置決め孔24により前記リードフレーム17
を位置決めすることができる。この前記リードフレーム
17は例えばCu(銅)等からなる0.15mm程度の薄板を
エッチング或いは打ち抜き等により所定の形状に構成し
ている。そして前記リードフレーム17は図7に示され
るように、前記タブ18がダウンセット加工されてお
り、例えば前記タブ18の上面が前記リード20の下面
より下方に位置するように構成されている。このような
前記ダウンセット加工されたリードフレーム17が準備
される。
First, FIGS. 6 and 7 are views showing the structure of a unit frame of a lead frame 17 which is an object to be processed.
A plurality of the unit frames are formed along the transport direction. A substantially rectangular tab 18 for mounting a semiconductor chip 25 on which a predetermined circuit is formed is formed at a central portion of the lead frame 17. The tab 18 is supported by four tab suspension leads 19 in a substantially quadrangular square. A plurality of leads 20 are arranged so as to surround the periphery of the tab 18. The lead frame 17 is provided with a dam bar 21 for connecting the leads 20 and preventing resin from flowing out when the sealing body 30 is formed. The dam bar 21 is formed in a frame shape according to the shape of the sealing body 30. The other ends of the leads 20 are supported by an outer frame 22 or a frame 23 provided between unit frames. Positioning holes 24 are formed in the outer frame 22 at predetermined intervals.
Can be positioned. The lead frame 17 is formed in a predetermined shape by etching or punching a thin plate of about 0.15 mm made of, for example, Cu (copper). As shown in FIG. 7, the lead frame 17 is formed by downsetting the tab 18, for example, so that the upper surface of the tab 18 is located below the lower surface of the lead 20. Such a downset processed lead frame 17 is prepared.

【0035】次に前記ダウンセット加工されたリードフ
レーム17はダイボンディング工程に移行され、図8に
示すようにダイボンディングが行われる。このダイボン
ディングでは前記リードフレーム17の前記タブ18
に、所定の回路が形成された半導体チップ25が接着固
定される。つまりは前記タブ18上には前記半導体チッ
プ25を接着固定するためのペースト剤が予め塗布され
ており、前記半導体チップ25が前記ペースト剤により
前記タブ18上に搭載される。そして前記ペースト剤は
所定温度でキュアされることにより硬化し、前記リード
フレーム17のタブ18に半導体チップ25が固着され
る。前記ダイボンディングが完了した前記リードフレー
ム17はワイヤボンディング工程に移行される。
Next, the lead frame 17 subjected to the downset processing is transferred to a die bonding step, and die bonding is performed as shown in FIG. In this die bonding, the tab 18 of the lead frame 17 is used.
Then, a semiconductor chip 25 on which a predetermined circuit is formed is adhered and fixed. That is, a paste for bonding and fixing the semiconductor chip 25 is applied on the tab 18 in advance, and the semiconductor chip 25 is mounted on the tab 18 by the paste. The paste is cured by curing at a predetermined temperature, and the semiconductor chip 25 is fixed to the tab 18 of the lead frame 17. After the die bonding is completed, the lead frame 17 is transferred to a wire bonding process.

【0036】前記ワイヤボンディング工程では図9及び
図10に示すように前記リードフレーム17に搭載され
た前記半導体チップ25上の電極パッド26と前記リー
ド20とをAu(金)等からなる導電性のワイヤ27に
より結線することにより行われる。すなわちワイヤボン
ディングでは前記ワイヤ27の先端を溶融させてボール
部を形成した後、前記ボール部を前記電極パッド26に
押圧しながら超音波振動を印加して接合する。そして所
定のループ形状を描くようにして前記ワイヤ27の後端
をリード20に超音波接合する。このように全ての前記
電極パッド26と前記リード20とをワイヤ27により
結線する。前記全ての電極パッド26と前記リード20
との結線が完了したリードフレーム17は樹脂封止工程
に移行される。
In the wire bonding step, as shown in FIGS. 9 and 10, the electrode pads 26 on the semiconductor chip 25 mounted on the lead frame 17 and the leads 20 are connected to a conductive material made of Au (gold) or the like. This is performed by connecting with a wire 27. That is, in the wire bonding, after the tip of the wire 27 is melted to form a ball portion, the ball portion is pressed against the electrode pad 26 while applying ultrasonic vibration to join. Then, the rear end of the wire 27 is ultrasonically bonded to the lead 20 so as to draw a predetermined loop shape. Thus, all the electrode pads 26 and the leads 20 are connected by the wires 27. All the electrode pads 26 and the leads 20
The lead frame 17 for which connection with the lead frame 17 has been completed is transferred to a resin sealing step.

【0037】前記樹脂封止工程では、まず前記樹脂封止
装置1が前記可動盤7の上方への移動により前記上型3
が上方に移動されている。そして前記樹脂封止装置1の
前記下型4の所定部位に前記リードフレーム17がセッ
トされる。そして前記可動盤7の下降に伴い前記上型3
が下方に移動され、前記リードフレーム17は図11
(a)に示されるように前記上型3と下型4により型締
めされる。この時、前記リードフレーム17はタブ18
がダウンセット加工されているため、前記半導体チップ
25の上側の空間と前記タブ18の下側の空間とは略均
等になるように配置されている。そして前記上型3に設
けられた前記ガイドピン16は下方、前記下型4に設け
られた前記ガイドピン16は上方に移動されて、前記キ
ャビティ8の凹部から突出される。そして前記ガイドピ
ン16の先端は図11(b)に示すように例えば前記タ
ブ18から約0.05mm以内の間隔に配置され、前記タブを
上下方向からガイドする。この前記ガイドピン16の配
置は前記タブ18を直接、上下方向から挟み込むように
構成してもよい。前記ガイドピン16が前記リードフレ
ーム17をガイドする位置は例えば図9に示した押さえ
部位28,つまりは前記キャビティに配置される前記タ
ブ18の4つの角部がガイドされる。
In the resin sealing step, first, the resin sealing device 1 is moved upwardly of the movable platen 7 to
Has been moved upward. Then, the lead frame 17 is set at a predetermined portion of the lower mold 4 of the resin sealing device 1. Then, as the movable platen 7 descends, the upper die 3
Is moved downward, and the lead frame 17 is moved to the position shown in FIG.
The mold is clamped by the upper mold 3 and the lower mold 4 as shown in FIG. At this time, the lead frame 17 is
Are downset, so that the space above the semiconductor chip 25 and the space below the tab 18 are arranged to be substantially equal. Then, the guide pins 16 provided on the upper mold 3 are moved downward, and the guide pins 16 provided on the lower mold 4 are moved upward, and are projected from the concave portions of the cavity 8. As shown in FIG. 11B, the tips of the guide pins 16 are arranged at an interval of, for example, about 0.05 mm from the tab 18 and guide the tab from above and below. The arrangement of the guide pins 16 may be such that the tabs 18 are directly sandwiched from above and below. The position at which the guide pin 16 guides the lead frame 17 is, for example, a pressing portion 28 shown in FIG. 9, that is, four corners of the tab 18 arranged in the cavity are guided.

【0038】このように前記リードフレーム17が前記
上型3及び下型4により型締めされた状態で、前記ガイ
ドピン16により前記タブをガイドすることにより、前
の工程における熱処理により前記タブ18が変動、前記
キャビティの上側の空間と下側の空間とのバランスが悪
くなった場合にも、前記ガイドピン16の突出により前
記タブの変動を矯正することができる。
In the state where the lead frame 17 is clamped by the upper die 3 and the lower die 4, the tabs are guided by the guide pins 16 so that the tabs 18 are heat-treated in the previous step. Even if the fluctuation and the balance between the upper space and the lower space of the cavity are deteriorated, the protrusion of the guide pin 16 can correct the fluctuation of the tab.

【0039】また前記上型3及び下型4は予めヒータ1
3により所定の温度まで昇温されており、前記型締めさ
れた金型2の前記ポット9内に予備加熱された樹脂29
が投入される。前記ポット9に投入された樹脂29は前
記上型3及び下型4からの熱により粘度が下がってい
く。前記ポット9内の樹脂29が溶融された後、前記シ
リンダ機構14により前記ポット9に挿入されたプラン
ジャー15が下降される。この前記プランジャー15の
下降により前記ポット9内の前記溶融された樹脂29
は、前記ランナー10及び前記ゲート11を介して前記
キャビティ8に注入される。前記キャビティ8に注入さ
れた樹脂29は、前記リードフレーム17をダウンセッ
ト加工し前記キャビティ8の上側の空間と下側の空間が
略均等になるように構成されているため、図11(c)
に示すように前記キャビティ8の上側の空間と前記下側
の空間を流動する樹脂29が略均等に充填される。
The upper mold 3 and the lower mold 4 are provided with a heater 1 in advance.
3 is heated to a predetermined temperature, and the pre-heated resin 29 is placed in the pot 9 of the clamped mold 2.
Is input. The viscosity of the resin 29 charged in the pot 9 is reduced by heat from the upper mold 3 and the lower mold 4. After the resin 29 in the pot 9 is melted, the plunger 15 inserted into the pot 9 is lowered by the cylinder mechanism 14. The lowering of the plunger 15 causes the molten resin 29 in the pot 9 to move.
Is injected into the cavity 8 through the runner 10 and the gate 11. The resin 29 injected into the cavity 8 is configured so that the lead frame 17 is subjected to down-set processing so that the upper space and the lower space of the cavity 8 are substantially equal.
As shown in the figure, the resin 29 flowing in the space above the cavity 8 and the space below the cavity 8 is substantially uniformly filled.

【0040】このように前記上型3及び下型4のキャビ
ティ8に設けたガイドピン16により、前記リードフレ
ーム17のタブ18をガイドした状態で、前記キャビテ
ィ8に樹脂29を注入することにより、前記キャビティ
8へ注入される樹脂の流動に起因する前記タブの変動を
抑制或いは防止し、前記キャビティ8に良好に樹脂を充
填することができる。
The resin 29 is injected into the cavity 8 while the tabs 18 of the lead frame 17 are guided by the guide pins 16 provided in the cavities 8 of the upper mold 3 and the lower mold 4 as described above. Fluctuation of the tab caused by the flow of the resin injected into the cavity 8 can be suppressed or prevented, and the cavity 8 can be favorably filled with the resin.

【0041】尚、本実施形態ではタブ18をダウンセッ
ト加工したリードフレーム17を用いた場合について説
明したが、ダウンセット加工していないリードフレーム
17を用いる場合も同様に前記ガイドピン16がタブ1
8の変動を抑制或いは防止し、前記キャビティ8に前記
樹脂を充填させることができる。
In this embodiment, the case where the lead frame 17 in which the tab 18 is down-set is used has been described.
8 can be suppressed or prevented, and the cavity 8 can be filled with the resin.

【0042】そして前記キャビティ8への注入される樹
脂29の充填率が約50〜100%となった時点で、前記キ
ャビティ8内に突出していた前記ガイドピン16は図1
1(d)に示すように前記金型2へ戻るように制御さ
れ、前記上型3のガイドピン16は上方、前記下型4の
ガイドピン16は下方へそれぞれ移動される。図11
(e)に示すように前記ガイドピン16が前記金型2へ
それぞれ戻り、前記キャビティ8への樹脂29の充填が
完了される。そして、前記キャビティ8へ樹脂29が充
填された状態で数分間保持することにより、前記キャビ
ティ8に充填された樹脂29は前記金型2からの熱によ
り硬化される。
When the filling rate of the resin 29 to be injected into the cavity 8 reaches about 50 to 100%, the guide pins 16 projecting into the cavity 8 are
As shown in FIG. 1 (d), control is performed so as to return to the mold 2, and the guide pins 16 of the upper mold 3 are moved upward, and the guide pins 16 of the lower mold 4 are moved downward. FIG.
As shown in (e), the guide pins 16 return to the mold 2 respectively, and filling of the cavity 8 with the resin 29 is completed. By holding the cavity 29 filled with the resin 29 for several minutes, the resin 29 filled in the cavity 8 is cured by the heat from the mold 2.

【0043】前記金型2の前記キャビティ8内に充填さ
れた樹脂29の硬化が完了すると、前記可動盤7の上昇
に伴い前記上型3が上方に移動され、前記封止体30の
形成されたリードフレーム17が取り出される。この
時、前記ガイドピン16は前記金型2から前記封止体3
0を離型させるように、前記キャビティ8内に突出する
ように制御される。そして樹脂封止装置1より取り出さ
れた前記リードフレーム17は、不要な樹脂部、例えば
ランナー10等が除去される。その後、前記封止体30
の形成されたリードフレーム17は所定の温度でキュア
されることにより、前記封止体30は完全に硬化され、
図12及び図13に示すように前記リードフレーム17
に封止体30が形成される。
When the curing of the resin 29 filled in the cavity 8 of the mold 2 is completed, the upper mold 3 is moved upward with the rise of the movable platen 7, so that the sealing body 30 is formed. The lead frame 17 is taken out. At this time, the guide pin 16 is moved from the mold 2 to the sealing body 3.
0 is controlled to protrude into the cavity 8 so as to release the mold. Unnecessary resin portions, such as the runners 10, are removed from the lead frame 17 taken out of the resin sealing device 1. Then, the sealing body 30
Is cured at a predetermined temperature, whereby the sealing body 30 is completely cured,
As shown in FIG. 12 and FIG.
The sealing body 30 is formed.

【0044】前記樹脂封止の完了したリードフレーム1
7は切断成形工程に移行され、前記リードフレーム17
の前記ダムバー21、前記外枠22及び枠体23が切断
され、前記封止体30から突出された前記それぞれのリ
ード20は独立し、前記突出されたリード20がガルウ
イング形状に成形されることにより、図14に示すよう
な半導体装置31が得られる。
Lead frame 1 completed with resin sealing
7 is shifted to a cutting and forming step, and the lead frame 17 is
The dam bar 21, the outer frame 22, and the frame body 23 are cut, and the respective leads 20 protruding from the sealing body 30 are independent, and the protruding leads 20 are formed into a gull wing shape. Thus, a semiconductor device 31 as shown in FIG. 14 is obtained.

【0045】(実施形態2)次に本発明の他の実施形態
である樹脂封止金型及びそれを用いた半導体装置の製造
方法について簡単に説明する。
(Embodiment 2) Next, a resin sealing mold according to another embodiment of the present invention and a method of manufacturing a semiconductor device using the same will be briefly described.

【0046】図15は本発明の他の実施形態である金型
の要部断面を示す図、図16(a)〜(d)は本発明の
他の実施形態である金型を用いた樹脂封止フローを示す
断面図である。
FIG. 15 is a sectional view showing a main part of a mold according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 16 (a) to 16 (d) show resins using the mold according to another embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows a sealing flow.

【0047】前記金型2は実施形態1と同様に前記上型
3と前記下型4が対向するように配置されており、前記
リードフレーム17を上型3と下型4により型締めする
ように構成されている。そして前記上型3と下型4とを
合わせて型締めすることにより形成されるパーティング
面には前記キャビティ8、前記ポット9、前記ランナー
10、前記ゲート11、前記エアベント12等が形成さ
れている。前記上型3及び下型4のキャビティ8には前
記ガイドピン16がそれぞれ4本づつ設けられており、
前記上型3と下型4に型締めされる前記リードフレーム
17のタブ18の四角に対応する部位にそれぞれ配置さ
れている。
The mold 2 is arranged so that the upper mold 3 and the lower mold 4 are opposed to each other as in the first embodiment, and the lead frame 17 is clamped by the upper mold 3 and the lower mold 4. Is configured. The cavity 8, the pot 9, the runner 10, the gate 11, the air vent 12, and the like are formed on a parting surface formed by clamping the upper mold 3 and the lower mold 4 together. I have. Four guide pins 16 are provided in the cavities 8 of the upper mold 3 and the lower mold 4 respectively.
The lead frame 17 is clamped to the upper die 3 and the lower die 4, and is disposed at a position corresponding to a square of the tab 18 of the lead frame 17.

【0048】本実施形態においては図15に示すように
前記ガイドピン16の先端部位にそれぞれ幅広部32が
形成されている。前記幅広部32は前記ガイドピン16
の幅より広く形成されており、前記幅広部32により前
記ガイドピン16が前記金型2に戻った際に前記ガイド
ピン16と前記金型2との隙間への樹脂の流入を防止す
るように構成される。そして前記先端に幅広部32の形
成された前記ガイドピン16は、実施形態1と同様に上
下方向に移動可能に構成されており、前記上型3及び下
型4に型締めされるリードフレーム17のタブ18をガ
イドするように制御されている。前記幅広部32により
前記タブ18をガイドするように構成しているため、前
記タブ18をガイドする面積が大きく、より良好に前記
タブをガイドすることができる。
In this embodiment, as shown in FIG. 15, a wide portion 32 is formed at each of the distal ends of the guide pins 16. The wide portion 32 is connected to the guide pin 16.
The width of the wide portion 32 prevents the resin from flowing into the gap between the guide pin 16 and the mold 2 when the guide pin 16 returns to the mold 2. Be composed. The guide pin 16 having the wide portion 32 formed at the distal end is configured to be movable in the vertical direction as in the first embodiment, and the lead frame 17 is clamped to the upper mold 3 and the lower mold 4. Is controlled so as to guide the tab 18. Since the tabs 18 are configured to be guided by the wide portions 32, the area for guiding the tabs 18 is large, and the tabs can be better guided.

【0049】次に本発明の他の実施形態である半導体装
置の製造方法について図16を基に説明する。
Next, a method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0050】まず前記実施形態1と同様に、前記半導体
チップが搭載され、前記半導体チップ25の前記電極パ
ッド26とリード20とがワイヤ27により電気的に接
続された前記リードフレーム17が前記下型4の所定位
置にセットされて、図16(a)に示すように前記リー
ドフレーム17が前記上型3及び下型4により型締めさ
れる。そして前記上型3に設けられた前記ガイドピン1
6は下方、前記下型4に設けられた前記ガイドピン16
は上方に移動されて、前記キャビティ8へ突出される。
そして前記ガイドピン16の先端に設けられた幅広部3
2が図16(b)に示すように例えば前記タブ18から
約0.05mm以内の間隔に配置され、前記タブ18を上下方
向からガイドする。この前記ガイドピン16の配置は前
記タブ18を直接、上下方向から挟み込むように構成し
てもよい。また実施形態1と同様に、前の工程等でタブ
18が変動し、前記キャビティ8の上側の空間と前記下
側の空間のバランスが悪くなった場合等には、前記ガイ
ドピン16の先端の幅広部32により前記タブの傾きを
矯正することができる。
First, in the same manner as in the first embodiment, the lead frame 17 in which the semiconductor chip is mounted and the electrode pads 26 of the semiconductor chip 25 and the leads 20 are electrically connected by wires 27 is used as the lower mold. 4 and the lead frame 17 is clamped by the upper die 3 and the lower die 4 as shown in FIG. The guide pin 1 provided on the upper die 3
6 is the guide pin 16 provided on the lower die 4
Is moved upward and projected into the cavity 8.
The wide portion 3 provided at the tip of the guide pin 16
As shown in FIG. 16B, 2 is arranged at an interval of, for example, about 0.05 mm or less from the tab 18 and guides the tab 18 from above and below. The arrangement of the guide pins 16 may be such that the tabs 18 are directly sandwiched from above and below. Similarly to the first embodiment, when the tab 18 fluctuates in the previous process or the like and the balance between the space above the cavity 8 and the space below the cavity 8 is deteriorated, the tip of the guide pin 16 is The wide portion 32 can correct the inclination of the tab.

【0051】また前記上型3及び下型4は予めヒータ1
3により所定の温度まで昇温されており、前記型締めさ
れた金型2の前記ポット9内に予備加熱された樹脂29
が投入される。前記ポット9に投入された樹脂29は溶
融され、前記溶融された樹脂29は前記ランナー10及
び前記ゲート11を介して前記キャビティ8に注入され
る。前記キャビティ8に注入された樹脂29は図16
(c)に示すように前記キャビティ8の上側の空間と前
記下側の空間を流動する樹脂29が略均等に充填され
る。
The upper mold 3 and the lower mold 4 are provided with a heater 1 in advance.
3 is heated to a predetermined temperature, and the pre-heated resin 29 is placed in the pot 9 of the clamped mold 2.
Is input. The resin 29 put into the pot 9 is melted, and the melted resin 29 is injected into the cavity 8 through the runner 10 and the gate 11. The resin 29 injected into the cavity 8 is shown in FIG.
As shown in (c), the resin 29 flowing in the space above the cavity 8 and the space below the cavity 8 is substantially uniformly filled.

【0052】このように前記上型3及び下型4のキャビ
ティ8に設けたガイドピン16の先端に設けられた幅広
部32により、前記リードフレーム17のタブ18をガ
イドした状態で、前記キャビティ8に樹脂29を注入す
るようにしたことにより、前記タブをガイドする面積が
大きくなり、前記キャビティ8へ注入される樹脂の流動
に起因する前記タブの変動をより良好に抑制或いは防止
し、前記キャビティ8に良好に樹脂を充填することがで
きる。
As described above, the tabs 18 of the lead frame 17 are guided by the wide portions 32 provided at the tips of the guide pins 16 provided in the cavities 8 of the upper mold 3 and the lower mold 4. By injecting the resin 29 into the cavity, the area for guiding the tub is increased, and the fluctuation of the tub caused by the flow of the resin injected into the cavity 8 is suppressed or prevented more favorably. 8 can be favorably filled with resin.

【0053】そして前記キャビティ8への注入される樹
脂29の充填率が約50〜100%となった時点で、前
記キャビティ8内に突出していた前記ガイドピン16は
図16(d)に示すように前記金型2へ戻るように制御
される。そして図16(e)に示すように前記ガイドピ
ン16が前記金型2へそれぞれ戻り、前記ガイドピン1
6の先端に設けられた幅広部32は前記金型に密着され
る。前記ガイドピン16の先端に設けられた幅広部32
が前記金型に密着されることにより、前記ガイドピン1
6と前記金型2との隙間に流入する樹脂を低減できる。
そして前記キャビティ8への樹脂29の充填が完了した
後、前記キャビティ8に充填された樹脂29は前記金型
2からの熱により硬化される。
When the filling rate of the resin 29 to be injected into the cavity 8 reaches about 50 to 100%, the guide pins 16 projecting into the cavity 8 are moved as shown in FIG. Is controlled to return to the mold 2. Then, as shown in FIG. 16E, the guide pins 16 return to the mold 2 respectively, and the guide pins 1
The wide part 32 provided at the tip of 6 is in close contact with the mold. Wide portion 32 provided at the tip of the guide pin 16
Is brought into close contact with the mold, so that the guide pin 1
The resin flowing into the gap between the mold 6 and the mold 2 can be reduced.
After the filling of the cavity 29 with the resin 29 is completed, the resin 29 filled in the cavity 8 is cured by the heat from the mold 2.

【0054】前記金型2の前記キャビティ8内に充填さ
れた樹脂の硬化が完了すると、前記上型3が上方に移動
され、前記封止体30の形成されたリードフレーム16
が取り出される。この時、実施例1と同様に前記ガイド
ピン16により前記金型2から前記封止体30を離型さ
れる。そして前記封止体30の形成されたリードフレー
ム17は所定の温度でキュアすることにより、前記封止
体30は完全に硬化される。そして前記樹脂封止の完了
したリードフレーム17は実施形態1と同様に切断さ
れ、図14に示すような半導体装置31が得られる。
When the curing of the resin filled in the cavity 8 of the mold 2 is completed, the upper mold 3 is moved upward, and the lead frame 16 on which the sealing body 30 is formed is formed.
Is taken out. At this time, the sealing body 30 is released from the mold 2 by the guide pins 16 as in the first embodiment. Then, the lead frame 17 on which the sealing body 30 is formed is cured at a predetermined temperature, whereby the sealing body 30 is completely cured. Then, the lead frame 17 after the resin sealing is completed is cut in the same manner as in the first embodiment, and a semiconductor device 31 as shown in FIG. 14 is obtained.

【0055】(実施形態3)さらに本発明の他の実施形
態である金型及びそれを用いた半導体装置の製造方法に
ついて簡単に説明する。
(Embodiment 3) A mold according to another embodiment of the present invention and a method of manufacturing a semiconductor device using the same will be briefly described.

【0056】図17(a)〜(c)は本発明の他の一実
施形態である樹脂封止金型のキャビティの構成を示す平
面図、図18は本発明の他の実施形態である樹脂封止金
型により封止体の形成されたリードフレームの構成を示
す平面図である。
FIGS. 17 (a) to 17 (c) are plan views showing the configuration of a cavity of a resin mold according to another embodiment of the present invention, and FIG. 18 is a resin according to another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a lead frame in which a sealing body is formed by a sealing mold.

【0057】前記実施形態1及び2で説明したように、
前記キャビティ8は前記半導体装置31の封止体30の
外形を形取るため、前記金型2へ略四角形の凹部が形成
されている。前記金型の凹部において前記被処理物であ
るリードフレーム17のタブ18の四角に対応する部位
に前記ガイドピン16がそれぞれ配置されている。
As described in the first and second embodiments,
The cavity 8 has a substantially rectangular recess formed in the mold 2 to shape the outer shape of the sealing body 30 of the semiconductor device 31. The guide pins 16 are respectively arranged at positions corresponding to the squares of the tab 18 of the lead frame 17 which is the object to be processed in the concave portion of the mold.

【0058】本実施形態においては前記タブの四角それ
ぞれに配設された複数の前記ガイドピン16の1つ、例
えば前記キャビティ8のゲート11に近いガイドピンを
インデックス用ガイドピン16aとし、図17(a)及
び(b)に示すように他のガイドピンと異なる形状、又
は図17(c)に示すように他のガイドピン16より小
さい形状に構成している。または図4(a)に示したよ
うに前記キャビティのゲート11に近いガイドピン16
を無くすることにより前記半導体装置の方向判別するよ
うに構成してもよい。このように前記キャビティのゲー
ト11に近いガイドピンを無くす、或いは小さい形状に
構成することによっては、前記樹脂封止の際に前記ゲー
ト11からキャビティに注入される樹脂の流動を妨げ
ず、良好に樹脂が注入できる。
In the present embodiment, one of the plurality of guide pins 16 arranged in each of the squares of the tab, for example, a guide pin close to the gate 11 of the cavity 8 is defined as an index guide pin 16a, and FIG. The guide pin has a different shape from the other guide pins as shown in FIGS. 17A and 17B or a smaller shape than the other guide pins 16 as shown in FIG. Alternatively, as shown in FIG. 4A, a guide pin 16 close to the gate 11 of the cavity is provided.
The configuration may be such that the direction of the semiconductor device is determined by eliminating the above. By eliminating the guide pin near the gate 11 of the cavity or forming the guide pin in a small shape, the flow of the resin injected from the gate 11 into the cavity at the time of the resin sealing is preferably prevented. Resin can be injected.

【0059】次に図17(a)に示すように構成された
ガイドピン16を有する金型を用いた半導体装置の製造
方法について簡単に説明する。
Next, a method of manufacturing a semiconductor device using a mold having guide pins 16 configured as shown in FIG. 17A will be briefly described.

【0060】前記インデックス用ガイドピン16aを設
けた前記金型2を用いて、前述した実施形態1或いは実
施形態2と同様に、前記半導体チップが搭載され、前記
半導体チップ25の前記電極パッド26とリード20と
がワイヤ27により電気的に接続された前記リードフレ
ーム17が樹脂封止される。前記樹脂封止は前記上型3
及び下型4のキャビティ8に設けたガイドピン16によ
り、前記リードフレーム17のタブ18をガイドした状
態で、前記キャビティ8に樹脂29を充填する。前記キ
ャビティ8への注入される樹脂29の充填完了前に前記
ガイドピン16が前記金型2へ戻り、前記キャビティ8
へ樹脂29が充填される。そして前記キャビティ8に充
填された樹脂29は硬化され、例えば図18に示すよう
に前記リードフレーム17に封止体30が形成される。
この時、前記封止体30の表面には前記ガイドピン16
の跡が形成されており、前記インデックス用ガイドピン
16aに対応するインデックス用ガイドピン跡33aは
他のガイドピン跡33と異なる形状に形成されている。
そのため前記インデックス用ガイドピン跡33aを基準
としパッケージの方向を容易に判別できる。そして前記
封止体30の形成されたリードフレーム17は切断・成
形され、インデックスの表示された半導体装置31を得
ることができる。
Using the mold 2 provided with the index guide pins 16a, the semiconductor chip is mounted in the same manner as in the first or second embodiment described above, and the electrode pad 26 of the semiconductor chip 25 is The lead frame 17 electrically connected to the leads 20 by wires 27 is sealed with resin. The resin sealing is performed on the upper mold 3
The resin 29 is filled in the cavity 8 while the tab 18 of the lead frame 17 is guided by the guide pin 16 provided in the cavity 8 of the lower mold 4. Before the filling of the resin 29 to be injected into the cavity 8 is completed, the guide pin 16 returns to the mold 2 and the cavity 8
Is filled with the resin 29. Then, the resin 29 filled in the cavity 8 is cured, and for example, a sealing body 30 is formed on the lead frame 17 as shown in FIG.
At this time, the guide pins 16 are provided on the surface of the sealing body 30.
Are formed, and the index guide pin trace 33a corresponding to the index guide pin 16a is formed in a different shape from the other guide pin traces 33.
Therefore, the direction of the package can be easily determined based on the index guide pin traces 33a. Then, the lead frame 17 on which the sealing body 30 is formed is cut and molded, and the semiconductor device 31 with the index can be obtained.

【0061】このように前記上型3及び下型4のキャビ
ティ8に設けたガイドピン16の1つをインデックス用
ガイドピンとし、他のガイドピンと異なる形状とし、前
記ガイドピンにより前記リードフレーム17のタブ18
をガイドした状態で、前記キャビティ8に樹脂29を注
入するようにしたことにより、前記キャビティ8へ注入
される樹脂流動に起因する前記タブの変動を抑制或いは
防止し、前記キャビティ8に良好に樹脂を充填すること
ができ、かつ、前記リードフレーム17に形成される封
止体30の表面にインデックスを表示することができ
る。
As described above, one of the guide pins 16 provided in the cavities 8 of the upper mold 3 and the lower mold 4 is used as an index guide pin and has a shape different from that of the other guide pins. Tab 18
The resin 29 is injected into the cavity 8 in a state where the resin is guided, so that the fluctuation of the tab caused by the flow of the resin injected into the cavity 8 is suppressed or prevented. And an index can be displayed on the surface of the sealing body 30 formed on the lead frame 17.

【0062】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、本実施形態では前記ガイドピン16を前記リードフ
レーム17のタブ18を上下から挟み込むようにガイド
した場合について説明したが、前記タブの変動を抑制で
きる構成で有ればよく、例えば前記タブの上側をガイド
するガイドピン16の部位と前記タブの下側をガイドす
るガイドピン16の部位を異なる部位に配置しても良
い。また前記樹脂封止装置の特性に応じて前記ガイドピ
ン16を上型3或いは下型の一方のみに設けるように構
成しても良く、例えば前記タブ18の下側の空間が前記
上側の空間より広く、前記下側の空間に注入される樹脂
29の流動が大きい場合等には前記上側のキャビティの
みにガイドピン16を設け、前記タブ18をガイドする
こともできる。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the above embodiment, and can be variously modified without departing from the gist of the invention. Needless to say. For example, in the present embodiment, the case where the guide pin 16 is guided so as to sandwich the tab 18 of the lead frame 17 from above and below has been described. However, it is sufficient that the guide pin 16 has a configuration capable of suppressing the fluctuation of the tab. The portion of the guide pin 16 for guiding the upper side and the portion of the guide pin 16 for guiding the lower side of the tab may be arranged at different portions. Further, the guide pin 16 may be provided in only one of the upper mold 3 and the lower mold according to the characteristics of the resin sealing device. For example, the space below the tab 18 is larger than the space above the tab 18. When the flow of the resin 29 injected into the lower space is large, the guide pin 16 can be provided only in the upper cavity to guide the tab 18.

【0063】[0063]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0064】すなわち、所定の回路が形成された半導体
チップを搭載し、前記半導体チップの電極パッドとリー
ドとを電気的に接続したリードフレームを上下で一対と
なる金型により型締めし、前記型締めされた金型に溶融
された樹脂を充填し、前記充填された樹脂を硬化するこ
とにより前記リードフレームに封止体を形成する半導体
装置の製造方法において、前記金型への樹脂の充填が前
記金型から突出するガイドピンにより前記リードフレー
ムをガイドした状態で樹脂を注入し、前記樹脂の充填前
に前記ガイドピンを金型に戻したことにより、前記半導
体チップの搭載部位(タブ)の変動が抑制或いは防止さ
れ、良好に封止体を形成することができる。さらに良好
に封止体を形成できることにより、樹脂封止工程での不
良が低減し、半導体装置製造の歩留を向上することがで
きる。
That is, a semiconductor chip on which a predetermined circuit is formed is mounted, and a lead frame in which electrode pads of the semiconductor chip and leads are electrically connected is clamped by a pair of upper and lower molds. In the method for manufacturing a semiconductor device in which a sealed mold is filled with a molten resin and the filled resin is cured to form a sealing body on the lead frame, the filling of the mold with the resin may be performed. By injecting a resin while guiding the lead frame with a guide pin protruding from the mold, and returning the guide pin to the mold before filling with the resin, the mounting position (tab) of the semiconductor chip is reduced. Variation is suppressed or prevented, and a sealed body can be favorably formed. Since the sealing body can be formed more favorably, defects in the resin sealing step can be reduced, and the yield of semiconductor device manufacturing can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態である樹脂封止装置の全体
構成を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an overall configuration of a resin sealing device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態である樹脂封止金型の断面
構造を示す要部断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing a cross-sectional structure of a resin sealing mold according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態である樹脂封止金型のガイ
ドピンの動作を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an operation of a guide pin of the resin sealing mold according to one embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施形態である樹脂封止金型のガイ
ドピンの変形例を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a modified example of the guide pin of the resin sealing mold according to one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施形態である樹脂封止金型のガイ
ドピンによるリードフレーム押さえ部位の変形例を示す
平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a modified example of a lead frame holding portion by a guide pin of a resin sealing mold according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施形態である樹脂封止金型の被処
理物であるリードフレームの構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a configuration of a lead frame which is an object to be processed in a resin sealing mold according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施形態である樹脂封止金型の被処
理物であるリードフレームの構成を示す図6のXX’間
断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 6, showing a configuration of a lead frame which is an object to be processed in a resin-sealed mold according to an embodiment of the present invention.

【図8】ダイボンディング後のリードフレームを示す断
面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing a lead frame after die bonding.

【図9】ワイヤボンディング後のリードフレームの構成
を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing a configuration of a lead frame after wire bonding.

【図10】ワイヤボンディング後のリードフレームの構
成を示す図9のYY’間断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line YY ′ of FIG. 9 showing the configuration of the lead frame after wire bonding.

【図11】本発明の一実施形態である樹脂封止金型を用
いた樹脂封止フローを示す断面図である。
FIG. 11 is a sectional view showing a resin sealing flow using a resin sealing mold according to an embodiment of the present invention.

【図12】樹脂封止後のリードフレームの構成を示す平
面図である。
FIG. 12 is a plan view showing a configuration of a lead frame after resin sealing.

【図13】樹脂封止後のリードフレームの構成を示す図
12のZZ’間断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line ZZ ′ of FIG. 12, showing the configuration of the lead frame after resin sealing.

【図14】半導体装置の構成を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a semiconductor device.

【図15】本発明の他の一実施形態である樹脂封止金型
のガイドピンの動作を示す断面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing an operation of a guide pin of a resin sealing mold according to another embodiment of the present invention.

【図16】本発明の他の一実施形態である樹脂封止金型
を用いた樹脂封止フローを示す断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a resin sealing flow using a resin sealing mold according to another embodiment of the present invention.

【図17】本発明の他の一実施形態である樹脂封止金型
のガイドピンの構成を示す平面図である。
FIG. 17 is a plan view showing a configuration of a guide pin of a resin mold according to another embodiment of the present invention.

【図18】本発明の他の一実施形態である樹脂封止金型
により封止体の形成されたリードフレームの構成を示す
平面図である。
FIG. 18 is a plan view showing a configuration of a lead frame in which a sealing body is formed by a resin sealing mold according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…樹脂封止装置、2…金型、3…上型、4…下型、5
…基台、6…支持棒、7…可動盤、8…キャビティ、9
…ポット、10…ランナー、11…ゲート、12…エア
ベント、13…ヒータ、14…シリンダ機構、15…プ
ランジャー、16…ガイドピン、16a…インデックス
ガイドピン、17…リードフレーム、18…タブ(搭載
部位)、19…タブ吊りリード、20…リード、21…
ダムバー、22…外枠、23…枠体、24…位置決め
孔、25…半導体チップ、26…電極パッド、27…ワ
イヤ、28…押さえ部位、29…樹脂、30…封止体、
31…半導体装置、32…幅広部、33…ガイドピン
跡、33a…インデックスガイドピン跡。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Resin sealing device, 2 ... Mold, 3 ... Upper mold, 4 ... Lower mold, 5
... Base, 6 ... Support rod, 7 ... Movable plate, 8 ... Cavity, 9
... pot, 10 ... runner, 11 ... gate, 12 ... air vent, 13 ... heater, 14 ... cylinder mechanism, 15 ... plunger, 16 ... guide pin, 16a ... index guide pin, 17 ... lead frame, 18 ... tab (mounted Parts), 19: tab suspension lead, 20: lead, 21 ...
Dam bar, 22 outer frame, 23 frame, 24 positioning hole, 25 semiconductor chip, 26 electrode pad, 27 wire, 28 holding part, 29 resin, 30 sealing body,
31: semiconductor device, 32: wide portion, 33: guide pin mark, 33a: index guide pin mark.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4F202 AD03 AD20 AH33 CA12 CB01 CB12 CQ03 CQ07 4F206 AD03 AD20 AH37 JA02 JB17 JF05 JL02 JM04 JN14 JN25 JQ06 JQ81 5F061 AA01 BA01 CA21 DA06 DA12 DA14 DA16  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4F202 AD03 AD20 AH33 CA12 CB01 CB12 CQ03 CQ07 4F206 AD03 AD20 AH37 JA02 JB17 JF05 JL02 JM04 JN14 JN25 JQ06 JQ81 5F061 AA01 BA01 CA21 DA06 DA12 DA14 DA16

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】所定の回路が形成された半導体チップを搭
載し、前記半導体チップの電極パッドとリードとを電気
的に接続したリードフレームを上下で一対となる金型に
より型締めし、前記型締めされた金型に溶融された樹脂
を充填し、前記充填された樹脂を硬化することにより前
記リードフレームに封止体を形成する半導体装置の樹脂
封止方法において、前記金型への樹脂の充填が前記金型
から突出するガイドピンにより前記リードフレームをガ
イドした状態で樹脂を注入し、前記樹脂の充填前に前記
ガイドピンを金型に戻すことを特徴とする半導体装置の
樹脂封止方法。
1. A semiconductor chip having a predetermined circuit formed thereon is mounted, and a lead frame electrically connecting electrode pads and leads of the semiconductor chip is clamped by a pair of upper and lower dies. In a resin sealing method for a semiconductor device in which a molten resin is filled in a tightened mold and a sealed body is formed on the lead frame by curing the filled resin, the resin is filled into the mold. A resin sealing method for a semiconductor device, comprising: injecting a resin in a state where the lead frame is guided by a guide pin whose filling protrudes from the mold, and returning the guide pin to the mold before filling with the resin. .
【請求項2】前記リードフレームのガイドが、前記ガイ
ドピンにより前記リードフレームの上下方向から挟み込
むように行うことを特徴とする請求項1記載の半導体装
置の樹脂封止方法。
2. The method according to claim 1, wherein the guide of the lead frame is sandwiched by the guide pins from above and below the lead frame.
【請求項3】前記リードフレームのガイドが、前記半導
体チップの搭載部位の複数箇所をガイドピンによりガイ
ドすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の樹
脂封止方法。
3. The resin sealing method for a semiconductor device according to claim 1, wherein the guide of the lead frame guides a plurality of mounting portions of the semiconductor chip with guide pins.
【請求項4】前記ガイドピンは、前記リードフレームを
ガイドする先端部位に幅広部を有することを特徴とする
請求項3記載の半導体装置の樹脂封止方法。
4. The resin sealing method for a semiconductor device according to claim 3, wherein said guide pin has a wide portion at a tip portion for guiding said lead frame.
【請求項5】前記複数のガイドピンの1つが、他のガイ
ドピンと異なる形状であることを特徴とする請求項3記
載の半導体装置の樹脂封止方法。
5. The resin sealing method for a semiconductor device according to claim 3, wherein one of said plurality of guide pins has a shape different from other guide pins.
【請求項6】所定の回路が形成された半導体チップを搭
載し、前記半導体チップの電極パッドとリードとを電気
的に接続したリードフレームを型締めする上下で一対と
なる金型と、前記金型に設けられ前記リードフレームに
封止体の外形を形成するキャビティと、前記金型を所定
の温度に加熱するヒータと、前記キャビティへ溶融され
た樹脂を注入するプランジャー機構とを有する半導体装
置の樹脂封止装置において、前記金型から突出可能に配
設され前記キャビティへ樹脂を注入する際に前記リード
フレームをガイドするガイドピンを設けたことを特徴と
する半導体装置の樹脂封止装置。
6. A pair of upper and lower dies for mounting a semiconductor chip on which a predetermined circuit is formed, and for clamping a lead frame in which electrode pads of the semiconductor chip and leads are electrically connected; A semiconductor device having a cavity provided in a mold for forming an outer shape of a sealing body in the lead frame, a heater for heating the mold to a predetermined temperature, and a plunger mechanism for injecting a molten resin into the cavity. 2. The resin sealing device for a semiconductor device according to claim 1, further comprising: a guide pin provided so as to protrude from said mold and guide said lead frame when injecting resin into said cavity.
【請求項7】前記ガイドピンが、前記リードフレームを
上下方向から挟み込むように、前記金型の上下それぞれ
に設けられていることを特徴とする請求項6記載の半導
体装置の樹脂封止装置。
7. The resin sealing device for a semiconductor device according to claim 6, wherein said guide pins are provided above and below said mold so as to sandwich said lead frame from above and below.
【請求項8】前記ガイドピンが、前記リードフレームの
半導体チップ搭載部位の角部近傍をガイドするように前
記金型の複数箇所に設けられていることを特徴とする請
求項6記載の半導体装置の樹脂封止装置。
8. The semiconductor device according to claim 6, wherein said guide pins are provided at a plurality of positions of said mold so as to guide the vicinity of a corner of a semiconductor chip mounting portion of said lead frame. Resin sealing device.
【請求項9】前記複数箇所に設けられたガイドピンの1
つが、他のガイドピンと異なる形状に形成されているこ
とを特徴とする請求項8記載の半導体装置の樹脂封止装
置。
9. One of the guide pins provided at the plurality of locations.
9. The resin sealing device for a semiconductor device according to claim 8, wherein one of the guide pins is formed in a different shape from the other guide pins.
【請求項10】前記ガイドピンが、前記リードフレーム
をガイドする先端部位に幅広部を有していることを特徴
とする請求項6記載の半導体装置の樹脂封止装置。
10. The resin sealing device for a semiconductor device according to claim 6, wherein said guide pin has a wide portion at a tip portion for guiding said lead frame.
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