JPWO2022270129A5 - - Google Patents

Description

従来方法によるウェハのエッチング量を示す説明図である。 本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を示す平面図である。 エッチング装置の構成の概略を示す側面図である。 研削ユニットの構成の概略を示す側面図である。 ウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 研削ユニットでウェハ表面を研削する様子を示す説明図である。 研削ユニットでウェハ表面を研削する様子を示す説明図である。 エッチング処理の主な工程を示す説明図である。 第１の実施形態に係るエッチング処理の主な工程を示すフロー図である。 第２の実施形態に係るエッチング処理の主な工程を示すフロー図である。 第２の実施形態に係るエッチング処理におけるウェハ厚みの変化を示す説明図である。 チャックの回転数とエッチング量の関係を示すグラフである。 ノズルのスキャン速度とエッチング量の関係を示すグラフである。 ノズルのスキャン幅の説明図である。 ノズルのスキャンアウト位置とエッチング量の関係を示すグラフである。 本実施形態にかかるウェハ処理方法によるウェハのエッチング量を示す説明図である。 他の実施形態にかかるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 本開示の技術の他の適用例を示す説明図である。

また第１の受渡位置Ａ１においては、厚み測定部１２０により、第１の研削ユニット１３０による研削処理後のウェハＷの厚みを測定する（図５のステップＳ２）。

次に、以上のステップＳ８における第２の面Ｗｂのエッチング条件、及びステップＳ１１における第１の面Ｗａのエッチング条件の詳細について説明する。以下、エッチング条件としてのウェハ回転数、スキャン速度、スキャン幅Ｌ、及びスキャンアウト位置について、エッチング条件としてのそれぞれ効果について説明する。なお本発明者らは、各種エッチング条件の効果を確認するため、一例として直径が３００ｍｍのウェハＷを用いて、以下に示す各種検討を行った。

第２の面Ｗｂの全面に所望のエッチング量が得られると、その後、ノズル５４からのエッチング液Ｅの吐出及び保持部５２（ウェハＷ）の回転を停止し、第２の面Ｗｂのスピンエッチングを終了する。

具体的には、エッチング処理時におけるノズル５４のスキャン速度、及びスキャン幅Ｌを制御することで、ウェハＷの中心部Ｒ１におけるエッチング量を制御できる。また、エッチング処理時における保持部５２（ウェハＷ）の回転数、及びノズル５４のスキャンアウト位置を制御することで、ウェハＷの中間部Ｒ２及び外周部Ｒ３におけるエッチング量を調整する制御を、制御装置１５０で実行できる。

Claims (6)

1. 前記一の面のエッチング前に、前記基板の厚みを測定して、前記一の面の厚み分布を取得することと、
   前記一の面のエッチング前に、取得された前記厚み分布に基づいて、前記スキャン幅、前記基板の回転数、を含む少なくともいずれか１つのエッチング条件を調整することと、を含む請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
   
2. 前記一の面のエッチング前に、
   前記基板の他の面を薄化することと、
   前記基板を回転させながら、前記他の面の上方からエッチング液を供給して当該基板の他の面を固定レシピでエッチングすることと、
   前記他の面のエッチング後に、前記基板の厚みを測定して、前記一の面の厚み分布を取得することと、
   取得された前記一の面の厚み分布に基づいて、前記一の面のエッチング条件としての、前記スキャン幅、前記基板の回転数、を含む少なくともいずれか１つのエッチング条件を決定することと、を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
   
3. 前記一の面のエッチング前に、前記スキャン幅、前記基板の回転数、を含む少なくともいずれか１つのエッチング条件と、前記基板のエッチング量との相関を取得することと、
   前記一の面のエッチング前に、前記基板の厚みを測定して、前記一の面の厚み分布を取得することと、
   取得された前記相関と、取得された前記厚み分布とに基づいて前記一の面のエッチング条件を決定することと、を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
   
4. 前記基板の厚み分布を測定する厚み測定装置、を有し、
   前記制御装置は、
   前記一の面のエッチング前に、前記基板の厚みを測定して、前記一の面の厚み分布を取得する制御を行うことと、
   取得された厚み分布に基づいて、前記エッチング装置における、前記スキャン幅、前記基板の回転数、を含む少なくともいずれか１つのエッチング条件を調整する制御を行うことと、を実行する、請求項９～１１のいずれか一項に記載の基板処理システム。
   
5. 前記基板の厚み分布を測定する厚み測定装置と、
   前記基板の前記一の面と当該一の面の反対側の他の面を上下方向に反転する反転装置と、を有し、
   前記制御装置は、前記一の面のエッチング前に、
   前記基板の他の面を薄化する制御を行うことと、
   前記基板を回転させながら、前記他の面の上方からエッチング液を供給して当該基板の他の面を固定レシピでエッチングする制御を行うことと、
   前記他の面のエッチング後に、前記基板の厚みを測定して、前記一の面の厚み分布を取得する制御を行うことと、
   取得された前記一の面の厚み分布に基づいて、前記一の面のエッチング条件としての、前記スキャン幅、前記基板の回転数、を含む少なくともいずれか１つのエッチング条件を決定する制御を行うことと、を実行する、請求項９～１１のいずれか一項に記載の基板処理システム。
   
6. 前記基板の厚み分布を測定する厚み測定装置、を有し、
   前記制御装置は、
   前記一の面のエッチング前に、前記スキャン幅、前記基板の回転数、を含む少なくともいずれか１つのエッチング条件と、前記基板のエッチング量との相関を取得する制御を行うことと、
   前記一の面のエッチング前に、前記基板の厚みを測定して、前記一の面の厚み分布を取得する制御を行うことと、
   取得された前記相関と、取得された前記厚み分布とに基づいて前記一の面のエッチング条件を決定する制御をおこなうこと、を実行する、請求項９～１１のいずれか一項に記載の基板処理システム。
   

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