JPWO2022259868A5 - - Google Patents

Claims (27)

1. プラズマ処理チャンバと、
   前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、
   前記基板支持部内に配置される電極と、
   前記プラズマ処理チャンバに結合され、複数のメインサイクルを含む第１ＲＦパルス信号を生成するように構成された第１ＲＦ生成部であり、各メインサイクルは第１期間及び第２期間を含み、前記第１期間は複数の第１サブサイクルを含み、前記第２期間は複数の第２サブサイクルを含み、前記第１ＲＦパルス信号は、前記複数の第１サブサイクル及び前記複数の第２サブサイクルの各々において３つ以上の異なるパワーレベルを有する、第１ＲＦ生成部と、
   前記電極に結合され、前記複数のメインサイクルを含む第２ＲＦパルス信号を生成するように構成された第２ＲＦ生成部であり、前記第２ＲＦパルス信号は、前記複数の第１サブサイクルの各々において２つ以上の異なるパワーレベルを有し、前記第２期間においてゼロパワーレベルを有する、第２ＲＦ生成部と、
   前記電極に結合され、前記複数のメインサイクルを含む第３ＲＦパルス信号を生成するように構成された第３ＲＦ生成部であり、前記第３ＲＦパルス信号は、前記複数の第１サブサイクルの各々において２つ以上の異なるパワーレベルを有し、前記第２期間においてゼロパワーレベルを有する、第３ＲＦ生成部と、
   を有する、プラズマ処理装置。
2. 前記第１ＲＦパルス信号は、第１周波数を有し、
   前記第２ＲＦパルス信号は、前記第１周波数よりも低い第２周波数を有し、
   前記第３ＲＦパルス信号は、前記第２周波数よりも低い第３周波数を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記第１ＲＦパルス信号は、第１パワーレベル、第２パワーレベル及び第３パワーレベルを有し、
   前記第２ＲＦパルス信号は、第４パワーレベル及び第５パワーレベルを有し、
   前記第３ＲＦパルス信号は、第６パワーレベル及び第７パワーレベルを有し、
   前記第４パワーレベルの期間は前記第１パワーレベルの期間と一致し、
   前記第６パワーレベルの期間は前記第２パワーレベルの期間と一致する、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記第５パワーレベルの期間は前記第２パワーレベルの期間と一致し、
   前記第７パワーレベルの期間は前記第１パワーレベルの期間と一致する、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記第３パワーレベル、前記第５パワーレベル及び前記第７パワーレベルは、ゼロパワーレベルである、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記第１パワーレベルは前記第２パワーレベルよりも大きい、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記第１パワーレベルの期間は３０μｓ以下である、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記第１ＲＦパルス信号は、第１パワーレベル、第２パワーレベル及び第３パワーレベルを有し、
   前記第２ＲＦパルス信号は、第４パワーレベル及び第５パワーレベルを有し、
   前記第３ＲＦパルス信号は、第６パワーレベル及び第７パワーレベルを有し、
   前記第４パワーレベルの期間は前記第１パワーレベルの期間と重複せず、
   前記第６パワーレベルの期間は前記第１パワーレベルの期間と重複せず、
   前記第６パワーレベルの期間は前記第４パワーレベルの期間と重複しない、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記第３パワーレベル、前記第５パワーレベル及び前記第７パワーレベルは、ゼロパワーレベルである、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記第１パワーレベルは前記第２パワーレベルよりも大きく、
    前記第２パワーレベルは前記第３パワーレベルよりも大きく、
    前記第４パワーレベルの期間は前記第３パワーレベルの期間と重複し、
    前記第６パワーレベルの期間は前記第２パワーレベルの期間と重複する、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記第３パワーレベルは、前記第１パワーレベルから遷移し、前記第２パワーレベルは、前記第３パワーレベルから遷移し、
    前記第４パワーレベルの期間は前記第３パワーレベルの期間と一致し、
    前記第６パワーレベルの期間は前記第２パワーレベルの期間と一致する、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
12. 前記第３パワーレベルは、前記第１パワーレベルから遷移し、前記第２パワーレベルは、前記第３パワーレベルから遷移し、
    前記第４パワーレベルは、前記第１パワーレベルから前記第３パワーレベルへの遷移後の一定時間経過後に開始し、且つ、前記第３パワーレベルから前記第２パワーレベルへの遷移と同時に終了し、
    前記第６パワーレベルの期間は前記第２パワーレベルの期間と一致する、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記第２パワーレベルは、前記第１パワーレベルから遷移し、前記第３パワーレベルは、前記第２パワーレベルから遷移し、
    前記第４パワーレベルは、前記第２パワーレベルから前記第３パワーレベルへの遷移後の一定時間経過後に開始し、且つ、前記第３パワーレベルの終了と同時に終了し、
    前記第６パワーレベルの期間は前記第２パワーレベルの期間と一致する、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
14. 前記第１パワーレベルは前記第２パワーレベルよりも大きく、
    前記第２パワーレベルは前記第３パワーレベルよりも大きく、
    前記第４パワーレベルの期間は前記第２パワーレベルの期間と重複し、
    前記第６パワーレベルの期間は前記第２パワーレベルの期間と重複する、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記第３パワーレベルは、前記第１パワーレベルから遷移し、前記第２パワーレベルは、前記第３パワーレベルから遷移し、
    前記第４パワーレベルは、前記第３パワーレベルから前記第２パワーレベルへの遷移と同時に開始し、且つ、前記第２パワーレベルの終了前に終了し、
    前記第６パワーレベルは、前記第４パワーレベルの終了と同時又は前記第４パワーレベルの終了後の一定時間経過後に開始し、且つ、前記第２パワーレベルの終了前に終了する、請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
16. 前記第４パワーレベルの期間は３０μｓ以下である、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
17. 前記メインサイクルの１周期は１０Ｈｚ～２００Ｈｚであり、
    前記第１サブサイクル及び第２サブサイクルの１周期は１ｋＨｚ～２０ｋＨｚである、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
18. プラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、
    前記基板支持部内に配置される電極と、
    前記プラズマ処理チャンバに結合され、複数のメインサイクルを含む第１ＲＦパルス信号を生成するように構成された第１ＲＦ生成部であり、各メインサイクルは第１期間及び第２期間を含み、前記第１期間は複数の第１サブサイクルを含み、前記第２期間は複数の第２サブサイクルを含み、前記第１ＲＦパルス信号は、前記複数の第１サブサイクル及び前記複数の第２サブサイクルの各々において２つ以上の異なるパワーレベルを有する、第１ＲＦ生成部と、
    前記電極に結合され、前記複数のメインサイクルを含む第２ＲＦパルス信号を生成するように構成された第２ＲＦ生成部であり、前記第２ＲＦパルス信号は、前記複数の第１サブサイクルの各々において２つ以上の異なるパワーレベルを有し、前記第２期間においてゼロパワーレベルを有する、第２ＲＦ生成部と、
    を有する、プラズマ処理装置。
19. 前記第１ＲＦパルス信号は、第１周波数を有し、
    前記第２ＲＦパルス信号は、前記第１周波数よりも低い第２周波数を有する、請求項１８に記載のプラズマ処理装置。
20. 前記第１ＲＦパルス信号は、第１パワーレベル及び第２パワーレベルを有し、
    前記第２ＲＦパルス信号は、第３パワーレベル及び第４パワーレベルを有し、
    前記第３パワーレベルの期間は前記第１パワーレベルの期間と一致する、請求項１８又は１９に記載のプラズマ処理装置。
21. 前記第２パワーレベル及び前記第４パワーレベルは、ゼロパワーレベルである、請求項２０に記載のプラズマ処理装置。
22. 前記第１パワーレベルの期間は３０μｓ以下である、請求項２０に記載のプラズマ処理装置。
23. 前記第１ＲＦパルス信号は、第１パワーレベル及び第２パワーレベルを有し、
    前記第２ＲＦパルス信号は、第３パワーレベル及び第４パワーレベルを有し、
    前記第１パワーレベルの期間は前記第３パワーレベルの期間と重複しない、請求項１８又は１９に記載のプラズマ処理装置。
24. 前記第２パワーレベル及び前記第４パワーレベルは、ゼロパワーレベルである、請求項２３に記載のプラズマ処理装置。
25. 前記第３パワーレベルの期間は３０μｓ以下である、請求項２３に記載のプラズマ処理装置。
26. 前記メインサイクルの１周期は１０Ｈｚ～２００Ｈｚであり、
    前記第１サブサイクル及び第２サブサイクルの１周期は１ｋＨｚ～２０ｋＨｚである、請求項１８又は１９に記載のプラズマ処理装置。
27. プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
    前記プラズマ処理装置は、
    プラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバ内に配置された基板支持部と、
    前記基板支持部内に配置された電極と、
    前記基板支持部の上方に配置されたアンテナと、
    を備え、
    前記プラズマ処理方法は、複数のメインサイクルを含み、各メインサイクルは、第１期間及び第２期間を含み、前記第１期間は、複数の第１サブサイクルを含み、各第１サブサイクルは、
    ３つ以上の異なるパワーレベルを有する第１ＲＦパルス信号を前記アンテナに周期的に供給する工程と、
    ２つ以上の異なるパワーレベルを有する第２ＲＦパルス信号を前記電極に周期的に供給する工程と、
    ２つ以上の異なるパワーレベルを有する第３ＲＦパルス信号を前記電極に周期的に供給する工程と、を有し、
    前記第２期間は、
    前記第２ＲＦパルス信号及び前記第３ＲＦパルス信号を前記電極に供給することなく前記第１ＲＦパルス信号を前記アンテナに周期的に供給する工程を有する、
    プラズマ処理方法。