JPWO2022054225A5 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成装置およびプログラム - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成装置およびプログラムに関する。

Claims (20)

1. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室内に対して処理ガスを供給するガス供給系と、
   前記処理室の内部に突出するように設けられ、コイルと絶縁部材を有して構成され、前記処理室内で前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、
   前記コイルと前記絶縁部材の間隙距離を調整することが可能な調整機構と、
   を備える基板処理装置。
2. 前記コイルは、０．５巻き以上のスパイラル形状を有する
   請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記絶縁部材は、前記処理室の内部に突出するように設けられる半球形状または半長球形状を有する
   請求項１または２に記載の基板処置装置。
4. 前記コイルの形状が、前記絶縁部材の曲面に沿った形の曲面および曲率を有する
   請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記プラズマユニットは、導電性の金属板により構成される円筒体または直方体によりシールドされる
   請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記調整機構は、前記コイルを上下に移動させる移動機構を備える
   請求項１から５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記移動機構は、マイクロメータであって、当該マイクロメータの回転により前記コイルを上下に移動する
   請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記コイルは、固定部材に固定され、
   前記移動機構は、前記固定部材を上下に移動する
   請求項６に記載の基板処理装置。
9. 前記プラズマユニットは、前記処理室の上部に設けられる
   請求項１から８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 前記プラズマ生成部が複数設けられる
    請求項１から９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
11. 前記基板を複数枚積載可能な基板保持部を有し、
    前記処理室の側面に、前記プラズマ生成部を複数備える
    請求項１から１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
12. 前記コイルは、一端に整合器及び高周波電源が接続されており、他端が接地部に接続される
    請求項１に記載の基板処理装置。
13. 前記コイル上方側は、シールドにより覆われている
    請求項１に記載の基板処理装置。
14. 前記シールドは、接地部に接続される
    請求項１３に記載の基板処理装置。
15. 前記調整機構により、前記コイルと前記絶縁部材の間隙距離を調整することでプラズマの生成効率を可変させる
    請求項１に記載の基板処理装置。
16. 前記プラズマ生成部は、前記処理室に向けて突出するように曲面を有する絶縁部材と、前記絶縁部材の局面に沿った形状のコイルで構成される
    請求項１に記載の基板処理装置。
17. 基板を処理する処理室と、前記処理室内に対して処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室の内部に突出するように設けられ、コイルと絶縁部材を有して構成され、前記処理室内で前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記コイルと前記絶縁部材の間隙距離を調整することが可能な調整機構と、を備える基板処理装置の前記処理室に基板を搬入する工程と、
    前記プラズマ生成部により前記処理室内に前記処理ガスのプラズマを生成する工程と、
    を備える半導体装置の製造方法。
18. 前記調整機構により、前記コイルと前記絶縁部材との間隙距離を調整する工程と、
    を備える
    請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
19. 基板を処理する処理室の内部に突出するように設けられ、コイルと絶縁部材を有して構成され、前記処理室内で処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、
    前記コイルと前記絶縁部材の間隙距離を調整することが可能な調整機構と、
    を備えるプラズマ生成装置。
20. 基板を処理する処理室と、前記処理室内に対して処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室の内部に突出するように設けられ、コイルと絶縁部材を有して構成され、前記処理室内で前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記コイルと前記絶縁部材の間隙距離を調整することが可能な調整機構と、を備える基板処理装置の前記処理室に基板を搬入する手順と、
    前記プラズマ生成部により前記処理室内に前記処理ガスのプラズマを生成する手順と、
    をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。