JPWO2021199585A5 - - Google Patents
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Description
本開示の一態様は、表面膜が積層して形成された第１の基板と、第２の基板と、が接合された重合基板を処理する基板処理方法であって、除去対象の前記第１の基板を前記第２の基板から剥離することと、前記第１の基板の剥離により露出した、前記第２の基板の周縁部に残る前記表面膜の露出表面に対してレーザ光を照射して、少なくとも前記第２の基板の周縁部における前記表面膜の表層を除去又は改質することと、を含む。
第１のウェハＷ１の内部に周縁改質層Ｍ１及び分割改質層Ｍ２が形成された重合ウェハＴは、次に、ウェハ搬送装置４０により周縁除去装置５０へと搬送される。周縁除去装置５０では、図３（ｃ）に示すように、第１のウェハＷ１の周縁部Ｗｅの除去、すなわちエッジトリム処理が行われる（図４のステップＳ３）。この時、周縁部Ｗｅは、周縁改質層Ｍ１及びクラックＣ１を基点として第１のウェハＷ１の中央部Ｗｃから剥離されるとともに、未接合領域Ａｅを基点としてデバイス層Ｄ１（第２のウェハＷ２）から剥離される。またこの時、除去される周縁部Ｗｅは分割改質層Ｍ２及び当該分割改質層Ｍ２から伸展する図示しないクラックを基点として小片化される。
またこの際、照射されるレーザ光の作用により第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａの平坦度が悪化するのを抑制するため、当該レーザ光の照射条件を、表面Ｗ２ａに微細周期構造Ｆｐ（図１１を参照）を形成し得る照射条件で制御する。具体的には、表面膜に照射するレーザ光のフルエンス（Ｆｌｕｅｎｃｅ：エネルギー密度）及びオーバーラップ（Ｏｖｅｒｌａｐ：パルスレーザ照射領域の重なり）を所望の条件で調整する。
そして、かかる照射条件で第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａにレーザ光を更に照射することで、表面膜の除去後の当該表面Ｗ２ａに微細周期構造Ｆｐを形成する。
そして、かかる照射条件で第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａにレーザ光を更に照射することで、表面膜の除去後の当該表面Ｗ２ａに微細周期構造Ｆｐを形成する。
Claims (3)
- 表面膜が積層して形成された第１の基板と、第２の基板と、が接合された重合基板を処理する基板処理方法であって、
除去対象の前記第１の基板を前記第２の基板から剥離することと、
前記第１の基板の剥離により露出した、前記第２の基板の周縁部に残る前記表面膜の露出表面に対してレーザ光を照射して、少なくとも前記第２の基板の周縁部における前記表面膜の表層を除去又は改質することと、を含む、基板処理方法。
- 前記第１の基板の剥離に先立ち、
前記第１の基板の裏面に形成された前記レーザ光の阻害膜を除去することと、
前記重合基板の内部にレーザ光を照射して、前記周縁部における前記第１の基板と前記第２の基板の接合強度を低下することと、を含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 表面膜が積層して形成された第１の基板と、第２の基板と、が接合された重合基板を処理する基板処理装置であって、
除去対象の前記第１の基板を前記第２の基板から剥離する除去部と、
前記第１の基板の剥離により露出した、前記第２の基板の周縁部に残る前記表面膜の露出表面に対してレーザ光を照射する第１のレーザ照射部と、
前記除去部及び前記第１のレーザ照射部の動作を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記レーザ光の照射により、少なくとも前記第１の基板の剥離により露出した、前記第２の基板の周縁部における前記表面膜の表層を除去又は改質するように、前記第１のレーザ照射部の動作を制御する、基板処理装置。
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