JPWO2021125775A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 複数のマイクロＬＥＤが形成された基板を準備するステップと、
   第１の粘着物質層を有する第１のキャリア基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを転写するステップと、
   前記第１の粘着物質層を硬化して第１の粘着物質層の粘着力を減少させるステップと、
   第２の粘着物質層を有する第２のキャリア基板上に前記第１のキャリア基板上の前記複数のマイクロＬＥＤを転写するステップと、
   前記第２のキャリア基板上の前記複数のマイクロＬＥＤの少なくとも一部を、金属ボンディング層を用いて回路基板上のパッドにボンディングするステップと、
   前記第２のキャリア基板を前記回路基板上にボンディングされたマイクロＬＥＤから分離するステップとを含む、マイクロＬＥＤの転写方法。
2. 前記第２の粘着物質層の粘着力は、硬化した前記第１の粘着物質層の粘着力よりも大きく、前記金属ボンディング層のボンディング力より小さい、請求項１に記載のマイクロＬＥＤの転写方法。
3. 前記第１の粘着物質層は紫外線テープであり、
   前記第２の粘着物質層は高耐熱テープである、請求項１に記載のマイクロＬＥＤの転写方法。
4. 前記第１の粘着物質層は、紫外線を照射して硬化する、請求項３に記載のマイクロＬＥＤの転写方法。
5. 前記紫外線は、前記マイクロＬＥＤが付着した領域に限定して照射される、請求項４に記載のマイクロＬＥＤの転写方法。
6. 前記第１の粘着物質層の粘着力は、硬化によって１／１００以下に減少する、請求項１に記載のマイクロＬＥＤの転写方法。
7. 前記第２のキャリア基板の熱膨張係数と前記回路基板の熱膨張係数の差は、前記回路基板の熱膨張係数の１０％未満である、請求項１に記載のマイクロＬＥＤの転写方法。