JPWO2021061922A5 - - Google Patents
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Description
開示及び請求される対象がある具体性の程度で説明及び例示されたが、その開示は、例示のためにのみされたものであると理解され、条件及び工程の順序における多くの変更が、開示及び請求される対象の趣旨及び範囲から逸脱することなく、当業者によって構築され得ると理解される。
本発明の実施形態としては、以下の実施形態を挙げることができる。
(付記1)
マイクロエレクトロニクス装置又は半導体基材を洗浄するための組成物であって、
(i)少なくとも1つのアルカノールアミン;
(ii)少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物;
(iii)少なくとも2つのカルボン酸基を有する、少なくとも1つの多官能基有機酸;及び
(iv)水
を含む、組成物。
(付記2)
マイクロエレクトロニクス装置又は半導体基材を洗浄するための組成物であって、
(i)少なくとも1つのアルカノールアミン;
(ii)少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物;
(iii)少なくとも2つのカルボン酸基を有する、少なくとも1つの多官能基有機酸;及び
(iv)水
から本質的になる、組成物。
(付記3)
マイクロエレクトロニクス装置又は半導体基材を洗浄するための組成物であって、
(i)少なくとも1つのアルカノールアミン;
(ii)少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物;
(iii)少なくとも2つのカルボン酸基を有する、少なくとも1つの多官能基有機酸;及び
(iv)水
からなる、組成物。
(付記4)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、少なくとも2つのアルカノールアミンを含む、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記5)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、少なくとも3つのアルカノールアミンを含む、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記6)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、2つのアルカノールアミンからなる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記7)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、3つのアルカノールアミンからなる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記8)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、以下の構造:
(a)水素、
(b1)C
1
~C
20
の直鎖のアルキル基、
(b2)C
4
~C
20
の分岐鎖のアルキル基、
(b3)C
3
~C
20
の環状のアルキル基、
(c)置換されていないC
2
~C
20
のアルキルエーテル基、
(d)C
1
~C
20
のアルカノール基
(e)-OH基で置換されたC
2
~C
20
のアルキルエーテル基
からそれぞれ独立に選択され、R
1
、R
2
及びR
3
のうち少なくとも1つが(d)又は(e)でなければならない)を有する、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記9)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、(c)又は(e)を含む、付記8に記載の組成物。
(付記10)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、モノエタノールアミン(MEA)、アミノエトキシエタノール、メタノールアミン、N-メチルエタノールアミン、N-エチルエタノールアミン、N,N-ジメチルエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン(TEA)、ターシャリーブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、2-アミノ-1-プロパノール、3-アミノ-1-プロパノール、2-アミノ-1-ブタノール、イソブタノールアミン、2-アミノ-2-エトキシプロパノール、2-アミノ-2-エトキシエタノール及びそれらの混合物から選択される、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記11)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、アミノエトキシエタノール、2-アミノ-2-エトキシプロパノール、2-アミノ-2-エトキシエタノール及びそれらの混合物から選択される、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記12)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、モノエタノールアミン、イソプロパノールアミン、2-(2-アミノエトキシ)エタノールを含む、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記13)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、モノエタノールアミン、イソプロパノールアミン、2-(2-アミノエトキシ)エタノールから本質的になる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記14)
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、モノエタノールアミン、イソプロパノールアミン、2-(2-アミノエトキシ)エタノールからなる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記15)
前記少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物が、N-イソプロピルヒドロキシルアミン、N-メチルヒドロキシルアミン、ジメチルヒドロキシルアミン、N-エチルヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン、N-プロピルヒドロキシルアミン、ジプロピルヒドロキシルアミン、N-tert-ブチル-ヒドロキシルアミン、N,O-ジメチルヒドロキシルアミン、O-メチルヒドロキシルアミン、O-エチルヒドロキシルアミン、O-プロピルヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン硫酸塩、ヒドロキシルアミン硝酸塩、ヒドロキシルアミン塩酸塩、N-tert-ブチルヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドロキシルアミンリン酸塩、ヒドロキシルアミン酢酸塩、N-(tert-ブチル)ヒドロキシルアミン酢酸塩、ヒドロキシルアミンクエン酸塩、ヒドロキシルアミン、過塩素酸塩及びN-メチルヒドロキシルアミン塩酸塩のうち1つ又は複数を含む、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記16)
前記少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物が、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン硫酸塩及びヒドロキシルアミンリン酸塩のうち1つ又は複数を含む、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記17)
前記少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物が、ヒドロキシルアミンを含む、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記18)
前記少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物が、ヒドロキシルアミンから本質的になる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記19)
前記少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物が、ヒドロキシルアミンからなる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記20)
前記少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物が、ヒドロキシルアミン硫酸塩を含む、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記21)
前記少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物が、ヒドロキシルアミン硫酸塩から本質的になる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記22)
前記少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物が、ヒドロキシルアミン硫酸塩からなる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記23)
前記少なくとも1つの多官能基有機酸が、シュウ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、コハク酸、クエン酸、(エチレンジニトリロ)テトラ酢酸(EDTA)、ブチレンジアミンテトラ酢酸、(1,2-シクロヘキシレンジニトリロ-)テトラ酢酸 (CyDTA)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(DETPA)、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、(ヒドロキシエチル)エチレンジアミントリ酢酸(HEDTA)、トリエチレンテトラアミンヘキサ酢酸(TTHA)、1,3-ジアミノ-2-ヒドロキシプロパン-N,N,N’,N’-テトラ酢酸(DHPTA)、メチルイミノジ酢酸、プロピレンジアミンテトラ酢酸、ニトリロトリ酢酸(NTA)及びフタル酸のうち1つ又は複数である、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記24)
前記少なくとも1つの多官能基有機酸が、クエン酸、EDTA及びCyDTAのうち1つ又は複数である、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記25)
前記少なくとも1つの多官能基有機酸が、クエン酸を含む、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記26)
前記少なくとも1つの多官能基有機酸が、クエン酸から本質的になる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記27)
前記少なくとも1つの多官能基有機酸が、クエン酸からなる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記28)
前記少なくとも1つの多官能基有機酸が、EDTAを含む、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記29)
前記少なくとも1つの多官能基有機酸が、EDTAから本質的になる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記30)
前記少なくとも1つの多官能基有機酸が、EDTAからなる、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記31)
(v)少なくとも1つの腐食抑制剤をさらに含む、付記1~3のいずれか1項に記載の組成物。
(付記32)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、フェノール、フェノールの誘導体若しくはそれらの混合物、トリアゾール若しくはトリアゾールの混合物、フェノールの混合物、又はフェノールとトリアゾールとの誘導体から選択される1つ又は複数である、付記31に記載の組成物。
(付記33)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコール及び没食子酸のうち1つ又は両方を含む、付記31に記載の組成物。
(付記34)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコール及び没食子酸のうち1つ又は両方から本質的になる、付記31に記載の組成物。
(付記35)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコール及び没食子酸のうち1つ又は両方からなる、付記31に記載の組成物。
(付記36)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコール及び没食子酸を含む、付記31に記載の組成物。
(付記37)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコール及び没食子酸から本質的になる、付記31に記載の組成物。
(付記38)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコール及び没食子酸からなる、付記31に記載の組成物。
(付記39)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコールを含む、付記31に記載の組成物。
(付記40)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコールから本質的になる、付記31に記載の組成物。
(付記41)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコールからなる、付記31に記載の組成物。
(付記42)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、没食子酸を含む、付記31に記載の組成物。
(付記43)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、没食子酸から本質的になる、付記31に記載の組成物。
(付記44)
前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、没食子酸からなる、付記31に記載の組成物。
(付記45)
(a)(i)前記少なくとも3つのアルカノールアミンが、モノエタノールアミン、イソプロパノールアミン及び2-(2-アミノエトキシ)エタノールを含み;
(b)(ii)前記少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物が、ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン硫酸塩のうち1つを含み;
(c)(iii)前記少なくとも2つのカルボン酸基を有する、少なくとも1つの多官能基有機酸が、クエン酸を含み;かつ
(d)(v)前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコール及び没食子酸のうち少なくとも1つを含む、付記31に記載の組成物。
(付記46)
おおよそ9.5~おおよそ10.6のpHを有する、付記45に記載の組成物。
(付記47)
おおよそ10のpHを有する、付記45に記載の組成物。
(付記48)
半導体基材を洗浄する方法であって、
(i)前記基材を、付記1~47のいずれか1項に記載の組成物と接触させる工程;及び
(ii)前記基材をリンスする工程
を含む、方法。
Although the disclosed and claimed subject matter has been described and illustrated with a certain degree of specificity, it is understood that the disclosure has been made by way of example only, and that many changes in terms and order of steps may be incorporated into the disclosure. and can be constructed by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the claimed subject matter.
Embodiments of the present invention include the following embodiments.
(Additional note 1)
A composition for cleaning microelectronic devices or semiconductor substrates, the composition comprising:
(i) at least one alkanolamine;
(ii) at least one hydroxylamine, a derivative of hydroxylamine or a mixture thereof;
(iii) at least one polyfunctional organic acid having at least two carboxylic acid groups; and
(iv) water
A composition comprising.
(Additional note 2)
A composition for cleaning microelectronic devices or semiconductor substrates, the composition comprising:
(i) at least one alkanolamine;
(ii) at least one hydroxylamine, a derivative of hydroxylamine or a mixture thereof;
(iii) at least one polyfunctional organic acid having at least two carboxylic acid groups; and
(iv) water
The composition consists essentially of:
(Additional note 3)
A composition for cleaning microelectronic devices or semiconductor substrates, the composition comprising:
(i) at least one alkanolamine;
(ii) at least one hydroxylamine, a derivative of hydroxylamine or a mixture thereof;
(iii) at least one polyfunctional organic acid having at least two carboxylic acid groups; and
(iv) water
A composition consisting of.
(Additional note 4)
The composition according to any one of clauses 1 to 3, wherein the at least one alkanolamine comprises at least two alkanolamines.
(Appendix 5)
The composition according to any one of clauses 1 to 3, wherein the at least one alkanolamine comprises at least three alkanolamines.
(Appendix 6)
The composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one alkanolamine consists of two alkanolamines.
(Appendix 7)
Composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one alkanolamine consists of three alkanolamines.
(Appendix 8)
The at least one alkanolamine has the following structure:
(a) Hydrogen,
(b1) C 1 to C 20 straight chain alkyl group,
(b2) C 4 to C 20 branched alkyl group,
(b3) a C 3 to C 20 cyclic alkyl group,
(c) an unsubstituted C 2 -C 20 alkyl ether group;
(d) C 1 to C 20 alkanol group
(e) C 2 to C 20 alkyl ether group substituted with -OH group
and at least one of R 1 , R 2 and R 3 must be (d) or (e).
(Appendix 9)
8. The composition of clause 8, wherein the at least one alkanolamine comprises (c) or (e).
(Appendix 10)
The at least one alkanolamine is monoethanolamine (MEA), aminoethoxyethanol, methanolamine, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N,N-dimethylethanolamine, N,N-diethylethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, diethanolamine, triethanolamine (TEA), tertiary-butyldiethanolamine, isopropanolamine, 2-amino-1-propanol, 3-amino-1-propanol, 2-amino-1-butanol , isobutanolamine, 2-amino-2-ethoxypropanol, 2-amino-2-ethoxyethanol and mixtures thereof.
(Appendix 11)
According to any one of appendices 1 to 3, the at least one alkanolamine is selected from aminoethoxyethanol, 2-amino-2-ethoxypropanol, 2-amino-2-ethoxyethanol and mixtures thereof. Composition.
(Appendix 12)
The composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one alkanolamine comprises monoethanolamine, isopropanolamine, 2-(2-aminoethoxy)ethanol.
(Appendix 13)
Composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one alkanolamine consists essentially of monoethanolamine, isopropanolamine, 2-(2-aminoethoxy)ethanol.
(Appendix 14)
The composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one alkanolamine consists of monoethanolamine, isopropanolamine, 2-(2-aminoethoxy)ethanol.
(Appendix 15)
The at least one hydroxylamine, a derivative of hydroxylamine or a mixture thereof is N-isopropylhydroxylamine, N-methylhydroxylamine, dimethylhydroxylamine, N-ethylhydroxylamine, diethylhydroxylamine, N-propylhydroxylamine, dimethylhydroxylamine, Propylhydroxylamine, N-tert-butyl-hydroxylamine, N,O-dimethylhydroxylamine, O-methylhydroxylamine, O-ethylhydroxylamine, O-propylhydroxylamine, hydroxylamine sulfate, hydroxylamine nitrate, hydroxylamine hydrochloride, N-tert-butylhydroxylamine hydrochloride, hydroxylamine phosphate, hydroxylamine acetate, N-(tert-butyl)hydroxylamine acetate, hydroxylamine citrate, hydroxylamine, perchlorate and The composition according to any one of appendices 1 to 3, comprising one or more of N-methylhydroxylamine hydrochloride.
(Appendix 16)
According to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one hydroxylamine, a derivative of hydroxylamine, or a mixture thereof comprises one or more of hydroxylamine, hydroxylamine sulfate, and hydroxylamine phosphate. Composition of.
(Appendix 17)
Composition according to any one of clauses 1 to 3, wherein the at least one hydroxylamine, derivative of hydroxylamine or mixture thereof comprises hydroxylamine.
(Appendix 18)
Composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one hydroxylamine, derivative of hydroxylamine or mixture thereof consists essentially of hydroxylamine.
(Appendix 19)
Composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one hydroxylamine, derivative of hydroxylamine or mixture thereof consists of hydroxylamine.
(Additional note 20)
Composition according to any one of clauses 1 to 3, wherein the at least one hydroxylamine, derivative of hydroxylamine or mixture thereof comprises hydroxylamine sulfate.
(Additional note 21)
Composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the at least one hydroxylamine, derivative of hydroxylamine or mixture thereof consists essentially of hydroxylamine sulfate.
(Additional note 22)
Composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one hydroxylamine, derivative of hydroxylamine or mixture thereof consists of hydroxylamine sulfate.
(Additional note 23)
The at least one polyfunctional organic acid may include oxalic acid, malonic acid, malic acid, tartaric acid, succinic acid, citric acid, (ethylenedinitrilo)tetraacetic acid (EDTA), butylene diaminetetraacetic acid, (1,2-cyclohexyl acid), silenedinitrilo-)tetraacetic acid (CyDTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DETPA), ethylenediaminetetrapropionic acid, (hydroxyethyl)ethylenediaminetriacetic acid (HEDTA), triethylenetetraaminehexaacetic acid (TTHA), 1,3-diamino- Supplementary notes 1 to 3, which are one or more of 2-hydroxypropane-N,N,N',N'-tetraacetic acid (DHPTA), methyliminodiacetic acid, propylenediaminetetraacetic acid, nitrilotriacetic acid (NTA), and phthalic acid The composition according to any one of the above.
(Additional note 24)
The composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one polyfunctional organic acid is one or more of citric acid, EDTA, and CyDTA.
(Additional note 25)
The composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one polyfunctional organic acid comprises citric acid.
(Additional note 26)
Composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one polyfunctional organic acid consists essentially of citric acid.
(Additional note 27)
The composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one polyfunctional organic acid consists of citric acid.
(Additional note 28)
The composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one polyfunctional organic acid comprises EDTA.
(Additional note 29)
Composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one polyfunctional organic acid consists essentially of EDTA.
(Additional note 30)
The composition according to any one of appendices 1 to 3, wherein the at least one polyfunctional organic acid consists of EDTA.
(Appendix 31)
(v) The composition according to any one of appendices 1 to 3, further comprising at least one corrosion inhibitor.
(Appendix 32)
According to appendix 31, the at least one corrosion inhibitor is one or more selected from phenol, a derivative of phenol or a mixture thereof, a triazole or a mixture of triazoles, a mixture of phenols, or a derivative of phenol and triazole. Compositions as described.
(Appendix 33)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor comprises one or both of catechol and gallic acid.
(Appendix 34)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor consists essentially of one or both of catechol and gallic acid.
(Appendix 35)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor consists of one or both of catechol and gallic acid.
(Appendix 36)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor comprises catechol and gallic acid.
(Additional note 37)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor consists essentially of catechol and gallic acid.
(Appendix 38)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor consists of catechol and gallic acid.
(Appendix 39)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor comprises catechol.
(Additional note 40)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor consists essentially of catechol.
(Appendix 41)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor consists of catechol.
(Additional note 42)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor comprises gallic acid.
(Appendix 43)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor consists essentially of gallic acid.
(Appendix 44)
32. The composition of clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor consists of gallic acid.
(Additional note 45)
(a) (i) the at least three alkanolamines include monoethanolamine, isopropanolamine and 2-(2-aminoethoxy)ethanol;
(b)(ii) said at least one hydroxylamine, derivative of hydroxylamine, or mixture thereof comprises one of hydroxylamine and hydroxylamine sulfate;
(c)(iii) the at least one polyfunctional organic acid having at least two carboxylic acid groups comprises citric acid; and
(d)(v) The composition of Clause 31, wherein the at least one corrosion inhibitor comprises at least one of catechol and gallic acid.
(Appendix 46)
46. The composition of claim 45, having a pH of approximately 9.5 to approximately 10.6.
(Additional note 47)
46. The composition of claim 45, having a pH of approximately 10.
(Additional note 48)
A method of cleaning a semiconductor substrate, the method comprising:
(i) contacting the substrate with the composition according to any one of appendices 1 to 47; and
(ii) Rinsing the base material
including methods.
Claims (21)
(i)少なくとも1つのアルカノールアミン;
(ii)少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物;
(iii)少なくとも2つのカルボン酸基を有する、少なくとも1つの多官能基有機酸;及び
(iv)水
を含む、組成物。 A composition for cleaning microelectronic devices or semiconductor substrates, the composition comprising:
(i) at least one alkanolamine;
(ii) at least one hydroxylamine, a derivative of hydroxylamine or a mixture thereof;
(iii) at least one polyfunctional organic acid having at least two carboxylic acid groups; and (iv) water.
(b)(ii)前記少なくとも1つのヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミンの誘導体又はそれらの混合物が、ヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン硫酸塩のうち1つを含み;
(c)(iii)前記少なくとも2つのカルボン酸基を有する、少なくとも1つの多官能基有機酸が、クエン酸を含み;かつ
(d)(v)前記少なくとも1つの腐食抑制剤が、カテコール及び没食子酸のうち少なくとも1つを含む、請求項15に記載の組成物。 (a)(i) the at least three alkanolamines include monoethanolamine, isopropanolamine and 2-(2-aminoethoxy)ethanol;
(b)(ii) said at least one hydroxylamine, derivative of hydroxylamine, or mixture thereof comprises one of hydroxylamine and hydroxylamine sulfate;
(c) (iii) said at least one polyfunctional organic acid having at least two carboxylic acid groups comprises citric acid; and (d) (v) said at least one corrosion inhibitor comprises catechol and gallic acid. 16. The composition of claim 15 , comprising at least one of acids.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962906810P | 2019-09-27 | 2019-09-27 | |
US62/906,810 | 2019-09-27 | ||
PCT/US2020/052406 WO2021061922A1 (en) | 2019-09-27 | 2020-09-24 | Compositions for removing etch residues, methods of using and use thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022550365A JP2022550365A (en) | 2022-12-01 |
JPWO2021061922A5 true JPWO2021061922A5 (en) | 2023-10-02 |
Family
ID=75166177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022519388A Pending JP2022550365A (en) | 2019-09-27 | 2020-09-24 | Compositions for removing post-etch residue, methods of using the compositions, and uses of the compositions |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220380705A1 (en) |
EP (1) | EP4034629A4 (en) |
JP (1) | JP2022550365A (en) |
KR (1) | KR20220075230A (en) |
CN (1) | CN114450388A (en) |
TW (1) | TW202122564A (en) |
WO (1) | WO2021061922A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220118520A (en) * | 2019-12-20 | 2022-08-25 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | CO/CU selective wet etchant |
CN114999911A (en) * | 2022-05-24 | 2022-09-02 | 长鑫存储技术有限公司 | Semiconductor structure and forming method thereof |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6492311B2 (en) * | 1990-11-05 | 2002-12-10 | Ekc Technology, Inc. | Ethyenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process |
WO2001014510A1 (en) * | 1999-08-19 | 2001-03-01 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning compositions |
KR100366974B1 (en) * | 1999-12-30 | 2003-01-14 | 유니켐스 (주) | Stripping composition for dry film and method for stripping dry film using the same |
US8003587B2 (en) * | 2002-06-06 | 2011-08-23 | Ekc Technology, Inc. | Semiconductor process residue removal composition and process |
TWI339780B (en) * | 2005-07-28 | 2011-04-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Stripper |
TWI490191B (en) * | 2007-10-29 | 2015-07-01 | Ekc Technology Inc | Semiconductor processing composition containing amidoxime compounds |
TW200941582A (en) * | 2007-10-29 | 2009-10-01 | Ekc Technology Inc | Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions |
US8518865B2 (en) * | 2009-08-31 | 2013-08-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same |
US8889609B2 (en) * | 2011-03-16 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations |
US9536730B2 (en) * | 2012-10-23 | 2017-01-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations |
KR101459725B1 (en) * | 2014-02-18 | 2014-11-12 | 주식회사 코원이노텍 | Stripper composition for removing post-etch residues and photoresist etch polymer |
-
2020
- 2020-09-24 US US17/753,256 patent/US20220380705A1/en active Pending
- 2020-09-24 JP JP2022519388A patent/JP2022550365A/en active Pending
- 2020-09-24 KR KR1020227013937A patent/KR20220075230A/en unknown
- 2020-09-24 CN CN202080067656.9A patent/CN114450388A/en active Pending
- 2020-09-24 TW TW109133041A patent/TW202122564A/en unknown
- 2020-09-24 EP EP20870060.9A patent/EP4034629A4/en active Pending
- 2020-09-24 WO PCT/US2020/052406 patent/WO2021061922A1/en active Application Filing
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