JPWO2021009619A5 - - Google Patents

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JPWO2021009619A5
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Claims (8)

  1. 第1の絶縁体と、
    前記第1の絶縁体上の第2の絶縁体と、
    前記第2の絶縁体上の第3の絶縁体、および第1の導電体と、
    前記第3の絶縁体上、および前記第1の導電体上の第4の絶縁体と、
    前記第4の絶縁体上の第5の絶縁体と、
    前記第5の絶縁体上の第1の酸化物と、
    前記第1の酸化物上の第2の酸化物と、
    前記第2の酸化物上の第3の酸化物、および第4の酸化物と、
    前記第3の酸化物上の第2の導電体と、
    前記第4の酸化物上の第3の導電体と、
    前記第2の導電体上の第6の絶縁体と、
    前記第3の導電体上の第7の絶縁体と、
    前記第5の絶縁体乃至前記第7の絶縁体上の第8の絶縁体と、
    前記第2の酸化物上にあり、且つ前記第2の導電体と前記第3の導電体の間に配置される第5の酸化物と、
    前記第5の酸化物上の第9の絶縁体と、
    前記第9の絶体上の第4の導電体と、を有し、
    前記第1の導電体は、前記第2の酸化物と重なる領域を有し、
    前記第4の導電体は、前記第2の酸化物と重なる領域を有し、
    前記第5の酸化物は、前記第1の酸化物乃至前記第4の酸化物、前記第2の導電体、前記第3の導電体、および前記第5の絶縁体乃至前記第8の絶縁体と、それぞれ、接する領域を有し、
    前記第5の酸化物は、前記第4の導電体の側面と重なりを有し、
    前記第8の絶縁体は、前記第5の絶縁体の上面、前記第1の酸化物の側面、前記第2の酸化物の側面、前記第3の酸化物の側面、前記第4の酸化物の側面、前記第2の導電体の側面、前記第3の導電体の側面、前記第6の絶縁体の側面、前記第6の絶縁体の上面、前記第7の絶縁体の側面、前記第7の絶縁体の上面及び前記第5の酸化物の側面と、接する領域を有し、
    前記第1の導電体の水素濃度は、前記第4の導電体の水素濃度よりも低く、
    前記第1の絶縁体の水素濃度は、前記第9の絶縁体の水素濃度よりも低く、
    前記第2の絶縁体の水素濃度は、前記第9の絶縁体の水素濃度よりも低く、
    前記第3の絶縁体の水素濃度は、前記第9の絶縁体の水素濃度よりも低い、
    半導体装置。
  2. 請求項1において、
    前記第1の酸化物乃至前記第5の酸化物は、それぞれ、インジウムと、元素M(Mはアルミニウム、ガリウム、イットリウム、錫、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一、または複数)と、亜鉛と、を有する、
    半導体装置。
  3. 請求項1において、
    前記第1の導電体は、タンタルおよび窒素を有する、
    半導体装置。
  4. 第1の絶縁体乃至第3の絶縁体を順に成膜し、
    前記第3の絶縁体に、前記第2の絶縁体に達する第1の開口を形成し、
    前記第1の開口の中、および前記第3の絶縁体上に第1の導電膜を成膜し、
    CMP法を用いて、前記第1の導電膜を前記第3の絶縁体に達するまで研磨することで、前記第1の開口の中に第1の導電体を形成し、
    前記第3の絶縁体上、および前記第1の導電体上に第4の絶縁体、第1の酸化膜、第2の酸化膜、
    第3の酸化膜、第2の導電膜、第1の絶縁膜、第3の導電膜、の順に成膜し、
    前記第1の酸化膜、前記第2の酸化膜、前記第3の酸化膜、前記第2の導電膜、前記第1の絶縁膜、および前記第3の導電膜、を島状に加工して、第1の酸化物、第2の酸化物、第1の酸化物層、
    第1の導電層、第1の絶縁層、第2の導電層を形成し、
    前記第2の導電層を除去し、
    前記第4の絶縁体、前記第1の酸化物、前記第2の酸化物、前記第1の酸化物層、前記第1の導電層、および前記第1の絶縁層の上に第5の絶縁体を成膜し、
    前記第5の絶縁体上に第6の絶縁体を成膜し、
    前記第1の酸化物層、前記第1の導電層、前記第1の絶縁層、前記第5の絶縁体、および前記第6の絶縁体に、前記第2の酸化物に達する第2の開口を形成し、
    前記第2の開口の形成において、前記第1の酸化物層から、第3の酸化物、および第4の酸化物が形成され、前記第1の導電層から第2の導電体、および第3の導電体が形成され、前記第1の絶縁層から第7の絶縁体、および第8の絶縁体が形成され、
    前記第2の開口の中に、第5の酸化物、前記第5の酸化物上に第9の絶縁体、前記第9の絶縁体上に第4の導電体を形成し、
    前記第1の導電膜、および前記第2の導電膜は、スパッタリング法を用いて成膜する、
    請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
  5. 請求項4において、
    前記第1の絶縁体乃至前記第3の絶縁体は、
    複数の処理室を有する装置を用いて、減圧下において連続で成膜する、
    半導体装置の作製方法。
  6. 請求項4において、
    前記第1の酸化膜乃至前記第3の酸化膜は、
    複数の処理室を有する装置を用いて、減圧下において連続で成膜する、
    半導体装置の作製方法。
  7. 請求項4において、
    前記第2の導電膜、前記第1の絶縁膜、および前記第3の導電膜は、
    複数の処理室を有する装置を用いて、減圧下において連続で成膜する、
    半導体装置の作製方法。
  8. 請求項4において、
    前記第1の絶縁体乃至前記第3の絶縁体、前記第1の酸化膜乃至前記第3の酸化膜、前記第1の導電膜乃至前記第3の導電膜、前記第1の絶縁膜、および前記第5の酸化物は、
    スパッタリング法を用いて成膜する、
    半導体装置の作製方法。
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