JPWO2020166009A1 - 高周波電源装置 - Google Patents
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 163
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
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Abstract
Description
一方の高周波電源ソースには、他方の高周波電源ソースを源として他方のアンテナから出力された高周波電力が、プラズマ反応炉および一方のアンテナを介して到達するため、一方の高周波電源ソースが観測している進行波および反射波には、他方の高周波電源装置からの干渉波や、自装置の進行波と他方からの干渉波から生成する相互変調波が含まれることになる。
本開示の課題は、干渉波等の影響を低減することが可能な高周波電源装置を提供することにある。
すなわち、高周波電源装置は、お互いに周波数の異なる高周波を発生し、プラズマ反応炉内に設置される第一アンテナおよび第二アンテナに高周波電力をそれぞれ供給する第一高周波電源および第二高周波電源を備える。前記第一高周波電源は、前記第二高周波電源の発振周波数成分および干渉波成分を除去して第一進行波レベルおよび第一反射波レベルを検出する第一演算回路と、前記第一高周波電源の発振周波数と前記第二高周波電源の発振周波数成分および干渉波成分を含んだ第二進行波レベルおよび第二反射波レベルを検出する第二演算回路と、前記第二進行波レベルおよび前記第二反射波レベルと、前記第一進行波レベルおよび前記第一反射波レベルと、に基づいて前記第一高周波電源が検出する干渉波レベルを算出する干渉波演算回路と、を備える。
進行波の検出回路に干渉波や相互変調波が観測される場合、その干渉波や相互変調波のレベルが小さく進行波の検出レベルに影響がなければ問題ないが、干渉波や相互変調波のレベルが無視できない場合は、進行波の検出レベルが実際よりも高めに検出される。そのため、高周波電源ソースは、進行波の検出レベルを設定値に収束させようとして高周波電源ソースの出力を低下させる制御を行う。
これにより、プラズマ反応炉に印加される電力が低下し、プラズマの着火の安定度が低下したり、着火したとしてもプラズマ反応炉内のプラズマ密度が低下したり、また、これらの影響によりプラズマ処理のレートが低下する等の影響を及ぼす恐れがある。
これにより、プラズマ反応炉内のプラズマ密度が変動したり、プラズマ処理のレートが変動し不安定な動作となったり、といった影響を及ぼす恐れがある。
そこで、第一実施形態の高周波電源装置およびプラズマ処理装置では、干渉波や相互変調波を除去して、さらに安定した整合動作を行って、電力効率を一層向上させる。
第一実施形態のプラズマ処理装置の構成について図1を用いて説明する。図1は第一実施形態のプラズマ処理装置の概略構成図である。
図1に示すように、第一実施形態のプラズマ処理装置601は、プラズマ反応炉60と、ヒーター67と、アンテナ63、66と、高周波電源10,20と、整合器62,65と、プラズマ処理装置に関わる制御を行う上位装置68と、を備えている。
高周波電源10,20と、整合器62,65は、制御線68a,68b,68c,68dを介して上位装置68に接続されている。また、図示は省略するが、ヒーター67も上位装置68に制御線を介して接続されている。
整合器62,65は、上位装置68と接続せず、高周波電源10,20と制御線10b,20bを介して接続され、高周波電源10,20から制御を受ける場合もある。
高周波電源10から出力される高周波電力は、高周波同軸ケーブル10aを介して整合器62に入力され、整合器62内の整合回路によってインピーダンス調整されて、アンテナ63を介してプラズマ反応炉60に出力される。
このようにして、高周波電源装置における自動整合機能が実現されるものである。
高周波電源装置の構成について図2、3を用いて説明する。図2は高周波電源装置の構成を示す構成ブロック図である。図3は図2の高周波電源装置の整合器の構成を示すブロック図である。
ここでは、第1の系統611の高周波電源10と整合器62について説明するが、第2の系統612の高周波電源20と整合器65も同じ構成および動作である。図2に示すように、高周波電源10と高周波電源20とは、基本的な構成は同等であるが、便宜的に、高周波電源10を親機、高周波電源20を子機とし、互いの高周波電力の出力周波数を連動して制御する周波数連動処理を、親機である高周波電源10で行うものとする。
図2に示すように、高周波電源10は発振回路11と励振増幅回路12と主増幅回路13と検出回路14とA/D変換回路15と演算回路16と整合演算部17と周波数設定回路18とを備えている。また、図3に示すように、整合器62は整合回路81と容量設定回路82とを備えている。高周波電源10の各部について以下説明する。
励振増幅回路12および主増幅回路13は、発振回路11からの高周波信号を所定の出力レベルに増幅する。図2の例では、励振増幅回路12および主増幅回路13はそれぞれ1つずつ設けられているが、複数備えてもよく、途中で分配器や合成器を用いることも可能である。
A/D変換回路15は、アナログ信号であるモニタ信号をデジタル信号に変換する。
演算回路16は、入力された信号から進行波のレベルと反射波のレベルを算出する演算を行い、進行波のレベルと反射波のレベルと位相から反射係数を求める。
周波数設定回路18は、整合演算部17から入力された周波数値を発振周波数として発振回路11に設定する。
演算回路16は、検出回路14で検出され、A/D変換回路15でデジタル信号に変換された進行波と反射波の検出信号(モニタ信号)を入力して、それぞれの信号レベルを検出するものである。
図4に示すように、演算回路16は、進行波について処理を行うNCO(Numerical Controlled Oscillator;数値制御型発振器)部50とデジタルフィルタ51とレベル演算回路52と、反射波について処理を行うNCO部53とデジタルフィルタ54とレベル演算回路55と、を備えている。
図5に示すように、画面中央の反射波に対して、無視できないレベルの干渉波が観測されている。デジタルフィルタ54は通過帯域Aの反射波を通過させ、通過帯域A以外の干渉波を除去する。
図2に戻って、整合演算部17は、入力された進行波レベル、反射波レベル、反射係数に基づいて、反射波レベルが小さくなるよう、発振回路11に設定したい発振周波数および整合器62の可変容量コンデンサ83の容量値を算出し、整合器62に算出した容量値を出力する整合演算処理を行う。なお、整合演算部17から制御線10bを介して整合器62の容量設定回路82に容量値を設定する。
周波数管理部19は、図2に示すように、整合演算部17から入力された発振回路11に設定する発振周波数(第1の発振周波数)の値を保持すると共に、それに合わせて演算回路16にNCOの周波数を設定する。また、周波数管理部19は、高周波電源20の周波数管理部29から出力される発振周波数(第2の発振周波数)の値を受信して、内部に保持しておき、整合演算部17からの要求に応じて、第2の発振周波数の値を整合演算部17に出力するようになっている。
図2に示すように、高周波電源20は、高周波電源10と同様の構成であるが、ここでは子機として動作するため、周波数連動処理を行わず、算出した候補周波数をそのまま発振周波数として設定するものである。高周波電源20において、発振回路21、励振増幅回路22、主増幅回路23、検出回路24、A/D変換回路25、演算回路26、周波数設定回路28は、それぞれ上述した高周波電源10の構成要素の符号の1桁目が同一である回路と同一の構成および動作となっている(xx回路2n=xx回路1n)。また、高周波電源10と同様に、高周波電源20の整合演算部27と整合器65とは制御線20bにより接続されている。
高周波電源装置610の動作について図2、3を用いて説明する。基本的には第1の系統611を中心として説明し、第2の系統622については、第1の系統611と異なる部分のみ説明する。
図2に示すように、高周波電源10において、発振回路11は設定された第1の発振周波数を発振して高周波電力が出力され、高周波電力は、励振増幅回路12および主増幅回路13で所定のレベルまで増幅され、検出回路14および高周波同軸ケーブル10aを介して整合器62に出力される。整合器62において、高周波電力はインピーダンス整合がなされ、アンテナ63を介してプラズマ反応炉60に出力される。
このようにして高周波電源装置610の動作が行われるものである。
次に、整合演算部17における処理について図6を用いて説明する。図6は高周波電源10の整合演算部17における処理を示すフローチャートである。
図5に示すように、整合演算部17は、反射波レベルおよび反射係数が入力される(処理S1)と、それらに基づいて整合演算を行って、反射波レベルが小さくなるよう、発振回路11に設定する候補周波数(Freq_1)を算出する(処理S2)。なお、処理S2では、整合器62の可変容量コンデンサ83の容量値も算出して、整合器62に出力するが、ここでは図示は省略している。
処理S3〜S8が周波数連動処理となっている。このようにして、整合演算部17の処理が行われるものである。
上述した例では、演算回路16のデジタルフィルタ51,54をバンドパスフィルタとして説明したが、ベースバンド信号に対して特定の周波数以下の帯域を通過させるローパスフィルタとして構成してもよい。この場合、ローパスフィルタのカットオフ周波数を高周波電源10の出力周波数から、特定の帯域幅(例えば10kHz)だけ高い周波数に設定しておく。これにより、高周波電源10の出力周波数+10kHzより低い周波数は通過し、高周波電力の出力周波数+10kHz以上の干渉波成分は除去されることになる。
整合演算部17においては、バンドパスフィルタを用いた場合と同様に、反射波レベルが小さくなるよう、発振周波数の候補となる候補周波数を算出する。そして、当該候補周波数に基づいて、自己の発振周波数が、他方の高周波電源20の発振周波数より特定周波数(例えば10kHz)以上低くなるように、発振周波数を決定する。
第一実施形態の高周波電源装置は、複数の高周波電源10,20と整合器62,65を備え、一方の高周波電源10が、演算回路16に、進行波および反射波の周波数を中心周波数とし、中心周波数から特定周波数幅の通過帯域を備えたデジタルフィルタ51を備える。周波数管理部19が、他方の高周波電源20の発振周波数を記憶しておき、整合演算部17が、反射波レベルが小さくなるよう、発振周波数の候補となる候補周波数を算出し、当該候補周波数に基づいて、他方の高周波電源20の発振周波数と自己の発振周波数との周波数差が特定周波数以上となるように、発振周波数を決定するよう構成されている。これにより、複数の高周波電源10,20における周波数が常に特定の周波数差以上は離れるよう制御することができ、互いに反射波の検出信号に含まれる干渉波成分をデジタルフィルタ51,54で確実に除去して正確な反射波レベルを算出でき、精度の高い整合を実現して、電力効率を向上させることができる。
そこで、第二実施形態では、プラズマ反応炉内の状態の変化(干渉波のレベルの急激な変化や経年変化など)を検出して監視し、プラズマ処置装置の歩留まりの改善(品質の向上)や、装置メンテナンスの適時対応による機会損失を低減する。
第二実施形態のプラズマ処理装置の構成について図7を用いて説明する。図7は第二実施形態のプラズマ処理装置の概略構成図である。なお、上述した第一実施形態のプラズマ処理装置と同様の部分については同一の符号を付している。
図7に示すように、第二実施形態のプラズマ処理装置602は、プラズマ反応炉60と、ヒーター67と、アンテナ63、66と、高周波電源30,40と、整合器62,65と、プラズマ処理装置に関わる制御を行う上位装置68と、を有している。第二実施形態のプラズマ処理装置602は第一実施形態のプラズマ処理装置601と高周波電源を除いて同じ構成、接続であり、高周波電源以外の説明は省略する。
第二実施形態の高周波電源装置の構成について図8を用いて説明する。図8は、第二実施形態の高周波電源装置の構成を示す構成ブロック図である。ここでは、第1の系統621の高周波電源30と整合器62について説明するが、第2の系統622の高周波電源40と整合器65も同じ構成および動作である。
図8に示すように、高周波電源30と高周波電源40は、第一実施形態の高周波電源の構成における高周波電源10と高周波電源20と基本的な構成は同じであるが、演算回路(第一演算回路)16の他に、AD変換回路15の出力が分岐されて、進行波と反射波が入力される第二演算回路31および第三演算回路32と、干渉波演算回路33と、を備える。なお、高周波電源30,40は第三演算回路32を備えなくてもよいし、備えていても、その機能を使用しなくてもよい。また、高周波電源40は第二演算回路31と第三演算回路32と干渉波演算回路33を備えなくてもよいし、備えていても、その機能を使用しなくてもよい。
演算回路16、第二演算回路31、第三演算回路32の構成について図9を用いて説明する。図9は図8の演算回路、第二演算回路、第三演算回路の概略構成図である。
図9に示すように、演算回路16は、第一実施形態と同様に、進行波について処理を行うNCO(Numerical Controlled Oscillator;数値制御型発振器)部50、デジタルフィルタ51、レベル演算回路52と、反射波について処理を行うNCO部53、デジタルフィルタ54、レベル演算回路55とを備えている。
干渉波演算回路33で扱う信号は、図10に示すように、例えば、演算回路16のデジタルフィルタ54の通過帯域Aを通過した高周波電源30の発振周波数レベルと、第三演算回路32のデジタルフィルタ114の通過帯域Bを通過した高周波電源40の発振周波数レベルと、第二演算回路31のデジタルフィルタ104の通過帯域Cを通過した全体のレベルと、である。
第二実施形態の高周波電源装置は、自装置の発振周波数の進行波および反射波を検出し、他の高周波電源の発振周波数成分および干渉波成分を除去する演算回路16と、自装置の発振周波数と他の高周波電源の発振周波数成分および干渉波成分を含んだレベルを検出する第二演算回路31と、それらのレベルの差分を算出する干渉波演算回路33と、を備える。これにより、自装置に入り込む干渉波レベル(プラズマ処理装置で生成する干渉波レベルと、プラズマ処理装置を介して到達した他の高周波電源の発振レベルを含む)を検出することが可能である。
16・・・演算回路(第一演算回路)
31・・・第二演算回路
33・・・干渉波演算回路
40・・・高周波電源(第二高周波電源)
Claims (11)
- お互いに周波数の異なる高周波を発生し、プラズマ反応炉内に設置される第一アンテナおよび第二アンテナに高周波電力をそれぞれ供給する第一高周波電源および第二高周波電源を備え、
前記第一高周波電源は、
前記第二高周波電源の発振周波数成分および干渉波成分を除去して第一進行波レベルおよび第一反射波レベルを検出する第一演算回路と、
前記第一高周波電源の発振周波数と前記第二高周波電源の発振周波数成分および干渉波成分を含んだ第二進行波レベルおよび第二反射波レベルを検出する第二演算回路と、
前記第二進行波レベルおよび前記第二反射波レベルと、前記第一進行波レベルおよび前記第一反射波レベルと、に基づいて前記第一高周波電源が検出する干渉波レベルを算出する干渉波演算回路と、
を備える高周波電源装置。 - 請求項1の高周波電源装置において、
前記干渉波演算回路が算出する前記干渉波レベルは前記プラズマ反応炉で生成する干渉波レベルと前記プラズマ反応炉を介して到達した前記第二高周波電源の発振レベルとである高周波電源装置。 - 請求項1の高周波電源装置において、
さらに、前記プラズマ反応炉を介して到達した前記第二高周波電源の発振周波数の第三進行波レベルおよび第三反射波レベルを検出し、前記第一高周波電源の発振周波数成分および干渉波成分を除去するデジタルフィルタを備える第三演算回路を備え、
前記干渉波演算回路は、前記第二演算回路が検出した前記第二進行波レベルおよび前記第二反射波レベルと前記第一演算回路が検出した前記第一進行波レベルおよび前記第一反射波レベルと前記第三演算回路が検出した前記第三進行波レベルおよび前記第三反射波レベルとに基づいて前記第一高周波電源が検出する干渉波レベルを算出するよう構成される高周波電源装置。 - 請求項3の高周波電源装置において、
前記干渉波演算回路が算出する前記干渉波レベルは前記プラズマ反応炉で生成する干渉波レベルある高周波電源装置。 - 請求項1の高周波電源装置において、さらに、
前記第一アンテナに接続され、前記第一高周波電源の出力を整合する第一整合器と、
前記第二アンテナに接続され、前記第二高周波電源の出力を整合する第二整合器と、
を備え、
前記第一高周波電源は、さらに、
設定された発振周波数の高周波を発振する第一発振回路と、
第一整合演算部と、
を備え、
前記第一演算回路は、検出した前記第一進行波レベルと前記第一反射波レベルとから反射係数を算出し、
前記第一整合演算部は、前記反射係数に基づいて、前記第一反射波レベルが小さくなるよう前記第一整合器での制御値を算出する演算を行うと共に、前記第一発振回路の発振周波数の候補値を算出する演算を行うよう構成される高周波電源装置。 - 請求項5の高周波電源装置において、
前記第一高周波電源は、さらに、前記第一整合演算部が前記第一発振回路に設定する発振周波数を保持すると共に前記第二高周波電源からの発振周波数を受信して保持する第一周波数管理部を備える高周波電源装置。 - 請求項5の高周波電源装置において、
前記第一整合演算部は、前記発振周波数の候補値に基づいて、発振周波数を前記第二高周波電源での発振周波数とは特定の周波数差を確保する値に決定して前記第一発振回路に設定するよう構成される高周波電源装置。 - 請求項7の高周波電源装置において、
前記第一整合演算部は、前記第二高周波電源での発振周波数と特定の周波数差を確保できない場合には、発振周波数の演算を繰り返し、当該演算を特定回数行ったら、強制的に特定の周波数差を確保する発振周波数に決定して前記第一発振回路に設定するよう構成される高周波電源装置。 - 請求項7の高周波電源装置において、
さらに、前記第一高周波電源および前記第二高周波電源に接続する上位装置を備え、
前記上位装置は、前記発振周波数の候補値に基づいて、発振周波数を、前記第二高周波電源での発振周波数とは特定の周波数差を確保する値に決定して前記第一発振回路に設定するよう構成される高周波電源装置。 - 請求項9の高周波電源装置において、
前記上位装置は、前記第二高周波電源での発振周波数と特定の周波数差を確保できない場合には、前記第一整合演算部での発振周波数の演算を繰り返し行わせ、当該演算が特定回数行われたら、強制的に特定の周波数差を確保する発振周波数に決定して前記第一発振回路に設定するよう構成される高周波電源装置。 - 請求項5の高周波電源装置において、
前記第一整合器および前記第二整合器に複数のアンテナが接続されている高周波電源装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/005368 WO2020166009A1 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 高周波電源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020166009A1 true JPWO2020166009A1 (ja) | 2021-09-30 |
JP7080359B2 JP7080359B2 (ja) | 2022-06-03 |
Family
ID=72044753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020571993A Active JP7080359B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 高周波電源装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11810759B2 (ja) |
JP (1) | JP7080359B2 (ja) |
KR (1) | KR102636778B1 (ja) |
WO (1) | WO2020166009A1 (ja) |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5867701B2 (ja) | 2011-12-15 | 2016-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2013197080A (ja) | 2012-03-23 | 2013-09-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波電源装置 |
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2019
- 2019-02-14 JP JP2020571993A patent/JP7080359B2/ja active Active
- 2019-02-14 KR KR1020217024509A patent/KR102636778B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-14 WO PCT/JP2019/005368 patent/WO2020166009A1/ja active Application Filing
- 2019-02-14 US US17/428,888 patent/US11810759B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020166009A1 (ja) | 2020-08-20 |
US20220122806A1 (en) | 2022-04-21 |
KR102636778B1 (ko) | 2024-02-14 |
JP7080359B2 (ja) | 2022-06-03 |
US11810759B2 (en) | 2023-11-07 |
KR20210109608A (ko) | 2021-09-06 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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