JPWO2020162095A1 - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
有機半導体材料では、使用する有機化合物の分子構造を変えると、エネルギー準位が変化し得る。このため、例えば、有機半導体材料を光電変換材料として用いる場合、吸収波長の制御が可能であり、シリコン(Si)が分光感度を有さない近赤外光領域においても分光感度を持たせることができる。つまり、有機半導体材料を用いれば、従来、光電変換に用いられることのなかった波長領域の光を活用することが可能であり、太陽電池の高効率化及び近赤外光領域での光センサ等を実現することが可能となる。このため、近年、近赤外光領域に分光感度を有する有機半導体材料、光電変換素子および撮像素子が活発に検討されている。以下、有機半導体材料を用いた光電変換素子を「有機光電変換素子」と称する場合がある。
以下、本実施の形態について説明する。
以下、本実施の形態に係る光電変換素子について図1および図2を用いて説明する。本実施の形態に係る光電変換素子は、例えば、電荷読み出し方式の光電変換素子である。図1は、本実施の形態に係る光電変換素子の説明に用いるための光電変換素子10Aを示す概略断面図である。光電変換素子10Aは、後述する正孔ブロッキング層6および電子ブロッキング層5を備えていないが、まず、本実施の形態に係る光電変換素子に備えられる第1の電極である下部電極2と、第2の電極である上部電極4と、光電変換層3とについて、説明する。
以下、図面を参照しながら、本実施の形態における撮像装置について説明する。本実施の形態における撮像装置は、例えば、電荷読み出し方式の撮像装置である。
以下、実施例1、実施例2および比較例1を示し、本開示に係る光電変換層の吸収端およびイオン化ポテンシャルについて、具体的に説明する。
<サンプル作製>
支持基板として厚さ0.7mmの石英ガラス(石英基板)を用い、その上に、光電変換層として、ドナー性有機半導体材料のPCPDTBT(メルクシグマアルドリッチ社製、下記構造式(1))と、アクセプター性有機半導体材料のフェニルC61酪酸メチルエステル(PCBM:([6,6]−Phenyl−C61−Butyric Acid Methyl Ester、フロンティアカーボン社製)、下記構造式(2))との混合溶液をスピンコート法により塗布し、混合膜を形成した。混合溶液におけるPCPDTBTとPCBMの重量比は1:3、溶媒はクロロベンゼンである。混合溶液におけるPCPDTBT及びPCBMの濃度は、30mg/mlである。なお、このときに得られた混合膜の厚さは、およそ150nmであった。
石英基板上に成膜した光電変換層に対し、分光光度計(日立ハイテクノロジー製、U4100)にて吸収スペクトルの測定を行った。得られた吸収スペクトルを図6に示す。実施例1の光電変換層は、715nm付近に吸収極大のピークが見られた。吸収スペクトル長波長側の立ち上がりの位置から吸収端を見積もった。なお、本実施例においては、吸収スペクトルの長波長側の立ち上がりの傾きが最大になる点から延ばした接線と、波長軸(吸光度がゼロ)との交点を吸収端とした。得られた測定結果を表1に示す。
上記<サンプル作製>と同様の光電変換層をITO基板上に成膜し、イオン化ポテンシャルの測定を行った。イオン化ポテンシャルの測定には、大気中光電子分光装置(AC−3、理研計器製)を用いた。イオン化ポテンシャルの測定は紫外線照射のエネルギーを変化させたときの光電子数として検出される。そのため光電子が検出され始めるエネルギー位置をイオン化ポテンシャルとすることができる。得られた測定結果を表1に示す。
ドナー性有機半導体材料として、PCPDTBTの代わりに下記構造式(3)で示される(OBu)8Si(OPOPh−3,5bisCF3)2Nc(本出願人による未公開の特許出願である特願2018−215957に基づき合成)を用いること以外は、実施例1と同様の操作を行い、サンプル作製、吸収端の測定およびイオン化ポテンシャルの測定を行った。なお、このときに得られた混合膜の厚さは、およそ230nmであった。
ドナー性有機半導体材料として、PCPDTBTの代わりに下記構造式(4)で示されるSi(OSiHex3)2Nc(メルクシグマアルドリッチ社製)を用いること以外は、実施例1と同様の操作を行い、サンプル作製、吸収端の測定およびイオン化ポテンシャルの測定を行った。なお、このときに得られた混合膜の厚さは、およそ180nmであった。
以下、実施例3、実施例4、比較例2、比較例3および比較例4を示し、本開示に係る光電変換層のアクセプター性有機半導体材料および正孔ブロッキング層のイオン化ポテンシャルおよび電子親和力について、具体的に説明する。アクセプター性有機半導体材料および正孔ブロッキング層のイオン化ポテンシャルおよび電子親和力は単膜で測定を行った。
<サンプル作製方法>
支持基板として厚さ0.7mmの石英ガラス(石英基板)を用い、その上に、光電変換層のアクセプター性有機半導体材料としてフェニルC61酪酸メチルエステル(PCBM:([6,6]−Phenyl−C61−Butyric Acid Methyl Ester、フロンティアカーボン社製)、上記構造式(2))の溶液(溶媒:クロロベンゼン、10ml/ml)をスピンコート法により塗布し、有機材料薄膜を成膜した。なお、このときに得られた有機材料薄膜の厚さは、およそ30nmであった。
石英基板上に成膜した有機材料薄膜に対し、実施例1の同様の方法にて、分光光度計(日立ハイテクノロジー製、U4100)にて吸収スペクトルの測定を行い、吸収端を見積もった。
上記<サンプル作製>と同様の有機材料薄膜をITO基板上に成膜し、イオン化ポテンシャルの測定を行った。イオン化ポテンシャルの測定は、上記有機材料薄膜を用いた以外は、実施例1と同様の方法にて実施した。得られたイオン化ポテンシャルの結果を表2に示す。
上記<吸収端の測定>で得られた吸収端の結果からイオン化ポテンシャルと電子親和力との差として光学バンドギャップを算出した。上記<イオン化ポテンシャルの測定>で得られたイオン化ポテンシャルの結果と光学バンドギャップとの引き算によって電子親和力を見積もった。得られた電子親和力の結果を表2に示す。
材料としてPCBMの代わりに、正孔ブロッキング層の材料である、下記構造式(5)で示されるClAlPc(メルクシグマアルドリッチ社製)を真空蒸着法にて成膜した以外は、実施例3と同様の操作を行い、サンプル作製、吸収端の測定、イオン化ポテンシャルの測定および電子親和力の測定を行った。なお、このときに得られた有機材料薄膜の厚さは、およそ30nmであった。
材料としてClAlPcを用いる代わりに、正孔ブロッキング層の材料である、下記構造式(6)で示されるPTCBI(東京化成製)を用いること以外は、実施例4と同様の操作を行い、サンプル作製、吸収端の測定、イオン化ポテンシャルの測定および電子親和力の測定を行った。なお、このときに得られた有機材料薄膜の厚さは、およそ30nmであった。
材料としてClAlPcを用いる代わりに、正孔ブロッキング層の材料である、下記構造式(7)で示されるPTCDI(東京化成製)を用いること以外は、実施例4と同様の操作を行い、サンプル作製、吸収端の測定、イオン化ポテンシャルの測定および電子親和力の測定を行った。なお、このときに得られた有機材料薄膜の厚さは、およそ25nmであった。
材料としてClAlPcを用いる代わりに、正孔ブロッキング層の材料である、下記構造式(8)で示されるC60(フラーレン、フロンティアカーボン社製)を用いること以外は、実施例4と同様の操作を行い、サンプル作製、吸収端の測定、イオン化ポテンシャルの測定および電子親和力の測定を行った。なお、このときに得られた有機材料薄膜の厚さは、およそ50nmであった。
以下、実施例5、実施例6、および比較例5から比較例12を示し、本開示に係る近赤外光電変換素子についてより具体的に説明する。
<光電変換素子の作製>
以下の手順により、光電変換素子サンプルを作製した。サンプル作製はすべて窒素雰囲気下で実施した。まず、一方の主面上に、下部電極として150nmの厚さのITO膜を有する、厚さが0.7mmのガラス基板を準備した。下部電極上に、VNPB(N4,N4′−di(Naphthalen−1−yl)−N4,N4′−bis(4− vinylphenyl)biphenyl−4,4′−diamine、LUMTEC社製)溶液(溶媒:o−キシレン、10mg/ml)をスピンコート法により塗膜し、電子ブロッキング層を成膜した。成膜後の基板を、ホットプレートを用いて200℃、50分加熱することで架橋し、不溶化した。その後、光電変換層として、実施例1と同様にPCPDTBTと、PCBMとの混合溶液(重量比で1:3、溶媒:クロロベンゼン、30mg/ml)をスピンコート法により塗膜し、混合膜を形成した。なお、このときに得られた混合膜の厚さは、およそ150nmであった。
上記<光電変換素子の作製>において、正孔ブロッキング層を成膜しない以外は、上述の方法と同じ方法にて、光電変換素子を作製し、比較用光電変換素子を得た。
得られた光電変換素子および比較用光電変換素子について、暗電流を測定した。測定には、B1500A 半導体デバイス・パラメータ・アナライザ(キーサイトテクノロジー社製)を用いた。より具体的には、光電変換素子の暗電流は、2.5Vの電圧条件にて、窒素雰囲気下のグローブボックス中で、測定を行った。得られた結果から、以下の式にて、正孔ブロッキング層を用いなかった比較用光電変換素子の暗電流値に対する、正孔ブロッキング層を用いた光電変換素子の暗電流値の比である相対暗電流を算出した。
得られた光電変換素子について、分光感度を測定した。具体的には、窒素雰囲気下のグローブボックス中で密閉できる測定治具に光電変換素子を導入し、長波長対応型分光感度測定装置(分光計器製、CEP−25RR)を用い、2.5Vの電圧条件にて、分光感度の測定を行なった。得られた分光感度測定の結果を図9に示す。分光感度スペクトルの長波長側の立ち上がりが900nm付近であることから、実施例5における光電変換素子は近赤外光領域に分光感度を有する。得られた、近赤外光領域における極大ピーク波長での外部量子効率を表3に示す。
正孔ブロッキング層として、ClAlPcの代わりに、比較例2と同じ材料であるPTCBIを用いた以外は、実施例5と同様の操作を行い、光電変換素子の作製、比較用光電変換素子の作製、暗電流の測定および分光感度の測定を行った。得られた光電変換層のイオン化ポテンシャル、正孔ブロッキング層の電子親和力、相対暗電流、および外部量子効率を表3に示す。
正孔ブロッキング層として、ClAlPcの代わりに、比較例3と同じ材料であるPTCDIを用いた以外は、実施例5と同様の操作を行い、光電変換素子の作製、比較用光電変換素子の作製、暗電流の測定および分光感度の測定を行った。得られた光電変換層のイオン化ポテンシャル、正孔ブロッキング層の電子親和力、相対暗電流、および外部量子効率を表3に示す。
正孔ブロッキング層として、ClAlPcの代わりに、比較例4と同じ材料であるC60を用いた以外は、実施例5と同様の操作を行い、光電変換素子の作製、比較用光電変換素子の作製、暗電流の測定および分光感度の測定を行った。得られた光電変換層のイオン化ポテンシャル、正孔ブロッキング層の電子親和力、相対暗電流、および外部量子効率を表3に示す。
光電変換層として、PCPDTBTとPCBMとの混合溶液の代わりに、実施例2と同じ材料である(OBu)8Si(OPOPh−3,5bisCF3)2NcとPCBMとの混合溶液を用いた以外は、実施例5と同様の操作を行い、光電変換素子の作製、比較用光電変換素子の作製、暗電流の測定および分光感度の測定を行った。得られた光電変換層のイオン化ポテンシャル、正孔ブロッキング層の電子親和力、相対暗電流、および外部量子効率を表3に示す。また、得られた分光感度測定の結果を図10に示す。分光感度スペクトルの長波長側の立ち上がりが1000nm付近であることから、実施例6における光電変換素子は近赤外光領域に分光感度を有する。
正孔ブロッキング層として、ClAlPcの代わりに、比較例4と同じ材料であるC60を用いた以外は、実施例6と同様の操作を行い、光電変換素子の作製、比較用光電変換素子の作製、暗電流の測定および分光感度の測定を行った。得られた光電変換層のイオン化ポテンシャル、正孔ブロッキング層の電子親和力、相対暗電流、および外部量子効率を表3に示す。
光電変換層として、PCPDTBTとPCBMとの混合溶液の代わりに、比較例1と同じ材料であるSi(OSiHex3)2NcとPCBMとの混合溶液を用いた以外は、実施例5と同様の操作を行い、光電変換素子の作製、比較用光電変換素子の作製、暗電流の測定および分光感度の測定を行った。得られた光電変換層のイオン化ポテンシャル、正孔ブロッキング層の電子親和力、相対暗電流、および外部量子効率を表3に示す。得られた分光感度測定の結果を図11に示す。分光感度スペクトルの長波長側の立ち上がりが850nm付近であることから、比較例9における光電変換素子は近赤外光領域に分光感度を有する。
正孔ブロッキング層として、ClAlPcの代わりに、比較例2と同じ材料であるPTCBIを用いた以外は、比較例9と同様の操作を行い、光電変換素子の作製、比較用光電変換素子の作製、暗電流の測定および分光感度の測定を行った。得られた光電変換層のイオン化ポテンシャル、正孔ブロッキング層の電子親和力、相対暗電流、および外部量子効率を表3に示す。
正孔ブロッキング層として、ClAlPcの代わりに、比較例3と同じ材料であるPTCDIを用いた以外は、比較例9と同様の操作を行い、光電変換素子の作製、比較用光電変換素子の作製、暗電流の測定および分光感度の測定を行った。得られた光電変換層のイオン化ポテンシャル、正孔ブロッキング層の電子親和力、相対暗電流、および外部量子効率を表3に示す。
正孔ブロッキング層として、ClAlPcの代わりに、比較例4と同じ材料であるC60を用いた以外は、比較例9と同様の操作を行い、光電変換素子の作製、比較用光電変換素子の作製、暗電流の測定および分光感度の測定を行った。得られた光電変換層のイオン化ポテンシャル、正孔ブロッキング層の電子親和力、相対暗電流、および外部量子効率を表3に示す。
2 下部電極
3 光電変換層
4 上部電極
5 電子ブロッキング層
6 正孔ブロッキング層
10A、10B 光電変換素子
10C 光電変換部
20 水平信号読出し回路
21 増幅トランジスタ
22 リセットトランジスタ
23 アドレストランジスタ
21G、22G、23G ゲート電極
21D、21S、22D、22S、23S 不純物領域
21X、22X、23X ゲート絶縁層
24 画素
25 垂直走査回路
26 対向電極信号線
27 垂直信号線
28 負荷回路
29 カラム信号処理回路
31 電源配線
32 差動増幅器
33 フィードバック線
34 電荷蓄積ノード
35 電荷検出回路
36 アドレス信号線
37 リセット信号線
40 半導体基板
41 素子分離領域
50 層間絶縁層
51、53、54 コンタクトプラグ
52 配線
60 カラーフィルタ
61 マイクロレンズ
100 撮像装置
Claims (5)
- 第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、ドナー性有機半導体材料およびアクセプター性有機半導体材料を含む光電変換層と、
前記第1の電極および前記第2の電極の一方と前記光電変換層との間に設けられた正孔ブロッキング層と、を備え、
前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが5.3eV以下であり、
前記正孔ブロッキング層の電子親和力が、前記光電変換層に含まれる前記アクセプター性有機半導体材料の電子親和力より小さく、
波長が650nm以上3000nm以下である近赤外光領域に分光感度を有する、
光電変換素子。 - 前記光電変換層は、前記近赤外光領域に吸収波長の極大を有する、
請求項1に記載の光電変換素子。 - 前記光電変換層は、前記アクセプター性有機半導体材料として、フラーレンおよびフラーレン誘導体からなる群から選択される少なくとも1つを含む、
請求項1または2に記載の光電変換素子。 - 前記アクセプター性有機半導体材料は、可溶性フラーレン誘導体を含む、
請求項3に記載の光電変換素子。 - 基板と、
前記基板内または前記基板上に設けられた電荷検出回路、前記基板上に設けられた光電変換部、および前記電荷検出回路と前記光電変換部とに電気的に接続された電荷蓄積ノードを含む画素と、を備え、
前記光電変換部は、請求項1から4のいずれか1項に記載の光電変換素子を含む、
撮像装置。
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