JPWO2020136508A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 二次電池と、
   前記二次電池と電気的に接続された過充電検知回路と、
   前記二次電池と電気的に接続された過放電検知回路と、
   前記二次電池と電気的に接続された放電制御用のトランジスタと、
   該トランジスタと直列に接続された充電制御用のトランジスタと、を少なくとも有し、
   前記充電制御用のトランジスタのゲートは、エラーアンプの出力端子と接続され、
   前記エラーアンプの出力端子は、前記過充電検知回路と電気的に接続され、
   前記放電制御用のトランジスタのゲートは、前記過放電検知回路と電気的に接続され、
   前記二次電池と前記放電制御用のトランジスタの間に抵抗を有し、
   前記エラーアンプの基準電圧を受ける第１の入力端子は、前記二次電池と電気的に接続され、
   前記エラーアンプの帰還信号を受ける第２の入力端子は、前記抵抗と前記放電制御用のトランジスタとを結ぶ配線と電気的に接続され、
   前記放電制御用のトランジスタの半導体層及び前記充電制御用のトランジスタの半導体層は酸化物半導体である二次電池モジュール。
2. 請求項１において、エラーアンプに設定される充電電流値は、主制御回路のＤＡコンバータの出力電圧に応じて制御される二次電池モジュール。
3. 放電制御用のトランジスタと、
   前記放電制御用のトランジスタと直列に接続された充電制御用のトランジスタと、
   エラーアンプを有する保護回路であり、
   前記エラーアンプの基準電圧を受ける第１の入力端子は、二次電池と電気的に接続され、
   前記エラーアンプの帰還信号を受ける第２の入力端子は、抵抗と前記放電制御用のトランジスタとを結ぶ配線と電気的に接続され、
   前記放電制御用のトランジスタの半導体層及び前記充電制御用のトランジスタの半導体層は酸化物半導体である二次電池の保護回路。
4. 請求項３において、前記保護回路は、さらに過放電検知回路を有し、
   前記過放電検知回路は、前記放電制御用のトランジスタのゲートと電気的に接続する二次電池の保護回路。
5. 請求項３または請求項４において、前記保護回路は、さらに過充電検知回路を有し、
   前記過充電検知回路は、前記充電制御用のトランジスタのゲートと電気的に接続する二次電池の保護回路。