JPWO2019226771A5 - - Google Patents

Description

本開示の説明は、本質的に単なる例示的なものであり、したがって、本開示の実体から逸脱しない変形は、本開示の範囲内にあることが意図されている。そのような変形は、開示の精神及び範囲からの逸脱とみなされるべきではない。
以下に、本願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］
コールドエンドに光インタフェースを有し、ホットエンドに基板に接触するための温度検出要素を有し、前記温度検出要素は、蛍光物質を含む、光ファイバーケーブルと、
前記光ファイバーケーブルの前記ホットエンドの少なくとも一部を囲むシースと、
前記シースをサポート部材と確実かつ取り外し可能に係合するための保持部材とを備え、
前記シースと前記基板の間に、真空シールが与えられる、
温度検出プローブ。
［２］
前記光インタフェースと光通信する光検出器、
をさらに備える、［１］に記載の温度検出プローブ。
［３］
前記光インタフェースと光通信する光源、
をさらに備える、［１］に記載の温度検出プローブ。
［４］
前記光インタフェースと光通信する光検出器と、前記光インタフェースと光通信する光源とを備えるコントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記基板の温度を制御するように構成される、
［１］に記載の温度検出プローブ。
［５］
前記シースは、シリコンを含む、
［１］に記載の温度検出プローブ。
［６］
前記温度検出プローブは、真空で基板の温度を検出する、
［１］に記載の温度検出プローブ。
［７］
前記温度検出プローブは、極低温環境で基板の温度を検出する、
［１］に記載の温度検出プローブ。
［８］
前記サポート部材は、半導体プロセスで使用するための静電チャックである、
［１］に記載の温度検出プローブ。
［９］
コールドエンドに光インタフェースを有し、ホットエンドに基板に接触するための温度検出要素を有し、前記基板は、蛍光物質を含む、光ファイバーケーブルと、
前記光ファイバーケーブルの前記ホットエンドの少なくとも一部を囲むシースと、
前記光インタフェースと光通信する光検出器と、
前記光インタフェースと光通信する光源と、
前記シースをサポート部材と確実かつ取り外し可能に係合し、前記シースと前記基板の間に、真空シールが与えられる、保持部材と
を備える、温度検出プローブ。
［１０］
前記光インタフェースと光通信する光検出器と、前記光インタフェースと光通信する光源とを備えるコントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記基板の温度を制御するように構成される、
［９］に記載の温度検出プローブ。
［１１］
前記シースは、シリコンを含む、
［９］に記載の温度検出プローブ。
［１２］
前記温度検出プローブは、真空で基板の温度を検出する、
［９］に記載の温度検出プローブ。
［１３］
前記温度検出プローブは、極低温環境で基板の温度を検出する、
［９］に記載の温度検出プローブ。
［１４］
前記サポート部材は、半導体プロセスで使用するための静電チャックである、
［９］に記載の温度検出プローブ。
［１５］
ビアを備えるサポート部材と、
前記サポート部材に隣接して配置される基板と、
コールドエンドに光インタフェースを有し、ホットエンドに温度検出要素を有し、前記温度検出要素は、前記基板に接触する、光ファイバーケーブルと、
前記光ファイバーケーブルの前記ホットエンドの少なくとも一部を囲み、シースの少なくとも一部は前記ビア内に配置される、前記シースと、
前記サポート部材内に前記シースを確実かつ取り外し可能に係合する保持部材とを備え、
前記シースと前記基板の間に、真空シールが与えられる、
アセンブリ。
［１６］
前記温度検出要素は、蛍光物質を含む、
［１５］に記載のアセンブリ。
［１７］
前記基板は、前記真空シールの位置に蛍光物質を含む、
［１５］に記載のアセンブリ。
［１８］
前記光インタフェースと光通信する光検出器、及び、前記光インタフェースと光通信する光源を備えるコントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記基板の温度を制御するように構成される、
［１５］に記載のアセンブリ。
［１９］
前記シースは、シリコンを含む、
［１５］に記載の温度検出プローブ。
［２０］
前記温度検出プローブは、真空で基板の温度を検出する、
［１５］に記載の温度検出プローブ。

Claims (20)

1. コールドエンドに光インタフェースを有し、ホットエンドに基板に接触するための温度検出要素を有し、前記温度検出要素は、蛍光物質を含む、光ファイバーケーブルと、
   前記光ファイバーケーブルの前記ホットエンドの少なくとも一部を囲む弾性変形可能なシースと、
   前記弾性変形可能なシースをサポート部材と確実かつ取り外し可能に係合するための保持部材とを備え、
   前記保持部材により加えられる軸方向の圧縮による前記弾性変形可能なシースの変形で、前記弾性変形可能なシースと前記基板の間に、真空シールが与えられる、
   温度検出プローブ。
2. 前記光インタフェースと光通信する光検出器、
   をさらに備える、請求項１に記載の温度検出プローブ。
3. 前記光インタフェースと光通信する光源、
   をさらに備える、請求項１に記載の温度検出プローブ。
4. 前記光インタフェースと光通信する光検出器と、前記光インタフェースと光通信する光源とを備えるコントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記基板の温度を制御するように構成される、
   請求項１に記載の温度検出プローブ。
5. 前記弾性変形可能なシースは、シリコンを含む、
   請求項１に記載の温度検出プローブ。
6. 前記温度検出プローブは、真空で基板の温度を検出する、
   請求項１に記載の温度検出プローブ。
7. 前記温度検出プローブは、極低温環境で基板の温度を検出する、
   請求項１に記載の温度検出プローブ。
8. 前記サポート部材は、半導体プロセスで使用するための静電チャックである、
   請求項１に記載の温度検出プローブ。
9. コールドエンドに光インタフェースを有し、ホットエンドに基板に接触するための温度検出要素を有し、前記基板は、蛍光物質を含む、光ファイバーケーブルと、
   前記光ファイバーケーブルの前記ホットエンドの少なくとも一部を囲む弾性変形可能なシースと、
   前記光インタフェースと光通信する光検出器と、
   前記光インタフェースと光通信する光源と、
   前記弾性変形可能なシースをサポート部材と確実かつ取り外し可能に係合するための保持部材とを備え、
   前記保持部材により加えられる軸方向の圧縮による前記弾性変形可能なシースの変形で、前記弾性変形可能なシースと前記基板の間に、真空シールが与えられる、
   を備える、温度検出プローブ。
10. 前記光インタフェースと光通信する光検出器と、前記光インタフェースと光通信する光源とを備えるコントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記基板の温度を制御するように構成される、
    請求項９に記載の温度検出プローブ。
11. 前記弾性変形可能なシースは、シリコンを含む、
    請求項９に記載の温度検出プローブ。
12. 前記温度検出プローブは、真空で基板の温度を検出する、
    請求項９に記載の温度検出プローブ。
13. 前記温度検出プローブは、極低温環境で基板の温度を検出する、
    請求項９に記載の温度検出プローブ。
14. 前記サポート部材は、半導体プロセスで使用するための静電チャックである、
    請求項９に記載の温度検出プローブ。
15. ビアを備えるサポート部材と、
    前記サポート部材に隣接して配置される基板と、
    コールドエンドに光インタフェースを有し、ホットエンドに温度検出要素を有し、前記温度検出要素は、前記基板に接触する、光ファイバーケーブルと、
    前記光ファイバーケーブルの前記ホットエンドの少なくとも一部を囲み、弾性変形可能なシースの少なくとも一部は前記ビア内に配置される、前記弾性変形可能なシースと、
    前記サポート部材内に前記弾性変形可能なシースを確実かつ取り外し可能に係合する保持部材とを備え、
    前記保持部材により加えられる軸方向の圧縮による前記弾性変形可能なシースの変形で、前記弾性変形可能なシースと前記基板の間に、真空シールが与えられる、
    アセンブリ。
16. 前記温度検出要素は、蛍光物質を含む、
    請求項１５に記載のアセンブリ。
17. 前記基板は、前記真空シールの位置に蛍光物質を含む、
    請求項１５に記載のアセンブリ。
18. 前記光インタフェースと光通信する光検出器、及び、前記光インタフェースと光通信する光源を備えるコントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記基板の温度を制御するように構成される、
    請求項１５に記載のアセンブリ。
19. 前記弾性変形可能なシースは、シリコンを含む、
    請求項１５に記載の温度検出プローブ。
20. 前記温度検出プローブは、真空で基板の温度を検出する、
    請求項１５に記載の温度検出プローブ。